磁芯材质对照表

常用磁芯与应用功率对照表是一种表格，其中列出了不同的磁芯类型和应用功率。

通过这个表格，人们可以快速了解不同磁芯的适用功率范围，从而更好地选择适合自己需求的磁芯。

在对照表中，常见的磁芯类型包括铁氧体磁芯、硅钢磁芯、坡莫合金磁芯等。

这些磁芯在不同的应用场合有不同的适用功率范围。

例如，铁氧体磁芯适用于较低功率的应用，如电源供应器、充电器等，其优点是成本较低、温度稳定性好，但缺点是饱和磁感应强度较低。

硅钢磁芯适用于中等功率的应用，如电机、发电机等，其优点是饱和磁感应强度高、磁导率高，但缺点是成本较高、温度稳定性较差。

坡莫合金磁芯适用于高功率的应用，如高频变压器、脉冲变压器等，其优点是饱和磁感应强度高、磁导率高、电阻率高，但缺点是成本极高、温度稳定性差、容易氧化。

除了磁芯类型和应用功率外，对照表还可以包括其他相关信息，如磁芯的材料、形状、尺寸等。

这些信息有助于人们更好地了解不同磁芯的特点和适用范围，从而更好地选择适合自己需求的磁芯。

总之，常用磁芯与应用功率对照表是一种方便实用的参考资料，可以帮助人们更好地了解不同磁芯的特点和适用范围，从而更好地选择适合自己需求的磁芯。

世界磁芯材质对照表
磁芯材质在电子领域中扮演着重要的角色，它们被广泛应用于各种电子设备中。

不同的磁芯材质具有不同的磁性能和特点，下面将介绍几种常见的磁芯材质及其特点。

1. 铁氧体磁芯：铁氧体是一种常见的磁芯材质，具有较高的磁导率和低的磁滞回线。

它们具有良好的饱和磁感应强度和磁导率，广泛应用于变压器、电感器等电子设备中。

2. 钕铁硼磁芯：钕铁硼是一种高性能的磁芯材质，具有极高的磁感应强度和矫顽力。

它们在小型电子设备中应用广泛，如电子元件、磁盘驱动器等。

钕铁硼磁芯的磁导率较低，适用于高频应用。

3. 钴硅铁磁芯：钴硅铁是一种具有高磁导率和低磁滞回线的磁芯材质。

它们在高频电子设备中应用广泛，如电视机、电脑显示器等。

钴硅铁磁芯的磁饱和感应强度较低，适用于低频应用。

4. 硅钢磁芯：硅钢是一种常见的磁芯材质，具有低的磁滞回线和低的磁导率。

它们广泛应用于电力变压器、电机等高功率设备中。

硅钢磁芯的磁饱和感应强度较低，适用于低频应用。

5. 铝镍钴磁芯：铝镍钴是一种具有高矫顽力和磁饱和感应强度的磁芯材质。

它们在高频电子设备中应用广泛，如手机、通信设备等。

铝镍钴磁芯的磁导率较低，适用于高频应用。

总结起来，不同的磁芯材质具有不同的磁性能和特点，适用于不同的电子设备。

了解这些磁芯材质的特点，能够帮助我们选择合适的磁芯材料，从而提高电子设备的性能和效率。

希望这份世界磁芯材质对照表能够对大家有所帮助。

磁芯材质对照表• NCD和其它厂商铁氧体材料牌号对照表-1• NCD和其它厂商铁氧体材料牌号对照表-2• NCD和其它厂商铁氧体材料牌号对照表-3材料总览NCDFerrite Core材料特性 MATERIAL CHARACTERISTICS●功率铁氧体材料 Power ferrite materials特性符号单位LP1 LP2 LP3 LP3A Characteristics Symbol Unit初始磁导率 Initialpermeabilityμi- 3000±25%2500±25%2300±25%2200±25%相对损耗因数 Relative lossfactortanδ/μi×10-6 ＜10 ＜5 ＜4 ＜3饱和磁通密度BsmT 25℃500 500 490Saturation flux density 1194A/m 100℃390 390 380 剩磁 Remanence Br mT 130 130 110 矫顽力 Coercivity Hc A/m 13 13 10功率损耗Pc kW/m3 25℃Power loss 80℃120 90 60 (f=25kHz,B=200mT) 100℃160 100 70 50功率损耗Pc kW/m3 25℃700 650 600Power loss 80℃550 480 400 (f=100kHz,B=200mT) 100℃600 450 350 居里温度 CurietemperatureTc ℃≥220≥200≥200≥200密度 Density d kg/m3×103 4.8 4.8 4.8 4.8功率铁氧体材料LP2Power loss 80℃550 (f=100kHz,B=200mT) 100℃600 居里温度 Curie temperature Tc ℃≥200密度 Density d kg/m3×103 4.8●导磁率 Vs.温度特性●导磁率 Vs.频率特性●功率损耗 Vs.温度特性●功率损耗 Vs.频率特性功率铁氧体材料LP3特性符号单位LP3 Characteristics Symbol Unit初始磁导率 Initial permeability μi- 2300±25%相对损耗因数 Relative loss factor t anδ/μi×10-6 ＜4饱和磁通密度BsmT 25℃500Saturation flux density 1194A/m 100℃390 剩磁 Remanence Br mT 130 矫顽力 Coercivity Hc A/m 13功率损耗Pc kW/m3 25℃Power loss 80℃90 (f=25kHz,B=200mT) 100℃70功率损耗Pc kW/m3 25℃650Power loss 80℃480 (f=100kHz,B=200mT) 100℃450 居里温度 Curie temperature Tc ℃≥200密度 Density d kg/m3×103 4.8●导磁率 Vs.温度特性●导磁率 Vs.频率特性●功率损耗 Vs.温度特性●功率损耗 Vs.频率特性功率铁氧体材料LP3特性符号单位LP3A Characteristics Symbol Unit初始磁导率 Initial permeability μi- 2200±25%相对损耗因数 Relative loss factor t anδ/μi×10-6 ＜3饱和磁通密度BsmT 25℃490Saturation flux density 1194A/m 100℃380 剩磁 Remanence Br mT 110 矫顽力 Coercivity Hc A/m 10功率损耗Pc kW/m3 25℃Power loss 80℃60 (f=25kHz,B=200mT) 100℃50功率损耗Pc kW/m3 25℃600Power loss 80℃400 (f=100kHz,B=200mT) 100℃350 居里温度 Curie temperature Tc ℃≥200密度 Density d kg/m3×103 4.8●导磁率 Vs.温度特性μi Vs. Temperature●导磁率 Vs.频率特性μi Vs. Frequency●功率损耗 Vs.温度特性●功率损耗 Vs.频率特性●高磁导率铁氧体材料特性符号单位HP1 HP2 HP3 HP3A CharacteristicsSymbol Unit初始磁导率Initial permeability μi-5000±25%7000±25%10000±30%12000±30%相对损耗因数tanδ/μi ×10-6＜15 ＜7 ＜7 ＜10Relative lossfactor(100kHz) (10kHz) (10kHz) (10kHz)饱和磁通密度Bs mT 420 400 400 380Saturationflux density1194A/m 1194A/m 1194A/m 1194A/m 剩磁 RemanenceBr mT 110 100 90 110 矫顽力 CoercivityHc A/m 10 6 5 4.5 减落因数Disaccommodati on factor DF×10-6＜3 ＜3 ＜2 ＜2居里温度 CurietemperatureTc ℃≥140≥130≥120≥100密度 Density d kg/m3×103 4.85 4.9 4.95 4.95●导磁率 Vs.温度特性●导磁率 Vs.频率特性●阻抗 Vs.频率特性EE磁芯价格：￥面议型号 Type 尺寸 Dimensions (mm)A B C D E FEE10/5/5 10.3±0.2 5.5+0.15-0.1 4.75±0.2 2.4±0.2 7.7min 4.3±0.15 EE13/5/6 12.9±0.3 5.0±0.3 6.0±0.3 2.85±0.2 8.5min 3.65±0.15 EE13/6/6 13.0±0.3 6.0±0.15 5.9±0.2 2.6±0.2 10.2±0.3 4.6±0.1EE13.4/6/6 13.4±0.2 6.1±0.15 6.15±0.15 2.75±0.15 10.5min 4.8±0.1EE16/7/5 16.0±0.3 7.2±0.1 4.8±0.2 3.8±0.2 12.0±0.3 5.2±0.25 EE16/7/7 16.1±0.3 7.25±0.15 6.9±0.2 3.8±0.2 12.0±0.3 5.2+0.25EE16/8/4 16.3±0.3 8.15±0.15 4.50±0.2 4.55±0.15 11.5min 6.0±0.2EE16/12/5 16.0±0.3 12.25±0.2 5.0-0.5 4.2-0.4 12.0±0.3 10.2+0.3-0.2 EE19/8/5 19.0±0.3 8.05±0.2 5.0±0.2 4.5±0.2 14.5±0.3 5.65±0.15 EE19/14/5 19.0±0.3 13.65±0.25 4.85±0.25 4.85±0.25 14.0±0.3 11.4±0.25Al:1kHz,0.5mA,100TsPc:100kHz,200mT,100°C100kHz,100mT,100°C(*)。