三星颗粒介绍

三星bdie4000频率作业
内存颗粒领域，韩国三星BDIE凭借低时序、高频率的出色表
现，一直稳居王座位置。
只是对于大部分消费者DIYER来说，价格也同样太过高贵。
然而，中国安徽合肥长鑫的内存也量产了很久，随着时间的推
移，品质和性能也提升了许多。
最近有国产品牌【朗科】就也推出了对标韩国三星BDIE同水准
的产品，特挑的长鑫ADIE，默认3200M频率下，可以达到跟三星
BDIE同样的时序参数——
14-14-14-34@3200MHZ
14-16-16-36@3200MHZ
虽然在更高频率下的表现依然还是不如三星BDIE，但起码在
3200M这个频率下，已经达到了相同水平。
而本文评测的型号，也还不是【朗科】，毕竟朗科特挑长鑫
ADIE的价格还是太高。
那么同样使用国产长鑫ADIE颗粒，8GDDR43200MHZ的阿斯嘉特
内存

内存颗粒和模组编号知识老头儿的内存颗粒和模组编号知识60问（ ，李谦2009-04-24发表）在内存的颗粒和模组的编号中浓缩着内存的主要技术信息，但是，除了JEDEC对模组的标注方法有一个原则规定外，颗粒和模组的编号规则都是由各个生产厂自行设定的，编号方法很不一致。

因此，网上有关编号的问题的讨论也很多，我认为，有许多理解是不准确的。

为此，我花了一些时间到境外生产厂的英文官方网站去寻求答案。

力求收集得全面一些。

还真的有不少斩获。

现将它们整理出来，供网友们参考。

当然，所涉及的内存种类主要是个人电脑用户接触到的UDIMM （Unbuffered non-ECC DIMM也称UBDIMM）内存和SO-DIMM(Small Outline DIMM )内存。

服务器内存和其他专用内存都没有涉及。

为了便于读者朋友查询，我编了一个内存颗粒编号速查表和内存模组编号速查表（见问题3问题4）。

当您要查询一个未知内存编号的含义时，可以首先跟这个速查表比对，了解了生产这种内存的厂商后，再根据本目录查询具体含义。

目录一.关于内存的编号1.目前的主要内存厂商有哪些？2.内存是怎样编号的？3.请给出常用内存颗粒编号速查表！4.请给出常用内存模组编号速查表！二.关于内存的编号方法5.颗粒编号中的术语有哪些？说明其含义。

6.当表示颗粒结构时用“128M×8”是什么意思？7.怎样根据颗粒编号求出BANK深度？8.怎样根据颗粒编号求出颗粒深度？9.如何根据颗粒的编号计算模组容量？10.怎样从内存编号中知道内存的速度？11.内存模组编号的术语有那些？说明其含义。

12.当表示模组结构时用256M×64是什么意思？13.什么是RANK?14.如何根据模组的编号计算模组的容量？15.如何根据模组和颗粒的编号推算模组的颗粒数？16.JEDEC对内存编号内容是如何规定的？17.请解释JEDEC标准中有关内存名词及其含义18.如何根据模组的编号计算模组的RANK数？19.模组的RANK数跟模组的面数有什么关系？20.内存标签上的2R×8就表明内存是双面8个颗粒吗？21.内存标签上的Warranty V oid是什么意思？22.内存标签上的UNB和SOD是什么意思？23.在内存标签上写的RoHS是什么意思？24.有害物质是指哪些？25.内存标签上的“0820”是什么意思？26.内存标签上的P/N和S/N是什么意思？27.我的内存是2GB的，为什么颗粒编号说是1GB的?三.几个主要内存厂商编号方法介绍28.三星内存的颗粒是怎样编号的？29.三星内存的模组是怎样编号的？30.海力士内存以“HY5”为前缀的颗粒是怎样编号的？31.海力士内存以“H5”为前缀的颗粒是怎样编号的？32.海力士SDRAM内存模组是怎样编号的？33.海力士DDR内存模组是怎样编号的？34.海力士DDR2内存模组是怎样编号的？35.海力士DDR3内存模组是怎样编号的？36.现代的乐金内存是怎样编号的？37.美光内存的颗粒是怎样编号的？38.美光内存的模组是怎样编号的？39.日立、日电和东芝旧内存颗粒是怎样编号的？40.尔必达内存的颗粒是怎样编号的？41.尔必达内存的模组是怎样编号的？42.英飞凌和奇梦达内存的颗粒是怎样编号的？43.英飞凌和奇梦达内存的模组是怎样编号的？44.南亚内存的颗粒是怎样编号的？45.南亚内存的模组是怎样编号的？46.易胜的颗粒是怎样编号的？47.易胜的模组是怎样编号的？48.力晶的内存是怎样编号的？49.茂矽和茂德的颗粒是如何编号的？50.茂矽和茂德的模组是如何编号的？51.金士顿Avardram内存是如何编号的?52.金士顿HyperX内存是如何编号的?53.世迈内存的模组是如何编号的？54.海盗船内存是怎样编号的？55.瑞士军刀内存模组是怎样编号的？56.胜创的内存是怎样编号的?57.威刚内存模组是怎样编号的？58.宇瞻内存模组是怎样编号的？59.金邦内存模组是怎样编号的？60.超胜内存是怎样编号的？一.关于内存的编号1.目前的主要内存厂商有哪些？答：内存生产厂商很多，颗粒的生产厂商主要是韩国的三星、海力士；日本的尔必达；美国的美光；德国的奇梦达和我国台湾的南亚、力晶和茂德等。

教你识别显存颗粒编号(原创)显卡的性能是由GPU(核心)和显存共同决定的,GPU的好坏最关键,最受关注,而显存却往往被新手朋友所忽视,下面是同一GPU的2600PRO搭配不同的显存在NFS10里的表现可以看出同样的GPU搭配不同性能的显存会获得不同的游戏享受那么如何看懂显存颗粒的性能参数呢?本篇主要就是详解这个问题先讲解一下有关显存性能的知识显存速度,NS(纳秒)和MHz的换算两者程倒数关系,不过现在显存都是DDR,DDR2,DDR3,DDR4显存,它们的等效频率是实际频率的2倍,不特别说明我们平时讲的显存频率都是指它的等效频率例如本人使用的七彩虹2600PRO黄金板采用的是DDR3 1.4NS显存其理论速度换算为实际频率就是1/1.4=714MHz约为700MHz驱动控制中心显示的显存频率则是其实际频率,换算成等效频率要*2,即700MHz*2=1400MHz,这才是我们平时讲的显存频率显存位宽=单颗显存位宽*显存数量..举两个例:上图8800GT共8颗显存,单颗显存32bit,所以8800GT显存位宽32bit*8=256bit上图8800GS相对于8800GT取掉2颗显存,每颗显存位宽32bit,所以8800GS的显存位宽是256bit-32bit*2=192bit这时候你也许有一个很"妙"的想法,把8800GS空焊的那2颗显存加上去,组成8颗32bit,共256bit,花1199RMB换来8800GT的性能,那你就想错了,显存位宽虽然是显存的参数,但是决定显存位宽的却是GPU,NV已经在8800GT的基础上再次砍掉64bit显存位宽,所以你再补显存也没有用,显存位宽掌控在NV这个显示芯片制造商手里显存带宽:显存带宽=显存位宽*显存频率(MHz).显卡性能中最关键的是GPU,而显存带宽是决定显卡性能的"第二把手"从这个模式图可以看出显存带宽犹如一条河,显存位宽是河的宽度,显存频率是河的流速,超显存频率对显存带宽有一定提升,但远没有显存位宽的翻倍来得直爽,这就是玩家对256bit爱慕而对128bit的显卡唏嘘的原因8800GT 256bit,1800MHz,带宽为256bit*1800MHz/8=57.6GB/s8600GTS 128bit,2000Mhz,带宽为128bit*2000MHz/8=32.0GB/s注意:1MB=8Mbit,注意B和b的大小写,大B等于8个小b显存带宽越大,GPU与显存之间的数据吞吐量就越大.我们平时对大显存位宽的追求及超显存频率,殊途同归都是对显存带宽的追求了解了影响显存性能的参数以后再来看看显存的封装方式:TSOP封装:薄型小尺寸封装,显存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的,焊点和PCB板的接触面积较小,使得芯片向PCB板传热就相对困难.而且TSOP封装的显存超过一定频率后,会产生较大的信号干扰和电磁干扰,目前已被淘汰FBGA封装:是一种在底部有焊球的面阵引脚结构,使封装所需的安装面积接近于芯片尺寸,可以使显存在体积不变的情况下显存容量提高2-3倍,与TSOP相比,具有更小的体积,更好的散热性能和电性能下面进入正题,显存参数图解,以现今火热的显卡为例子,如8800GT HD3850,时效性为先,绝对原创(重点学习标红了的大字)一:三星(SAMSUNG)显存:以双敏2600PRO玩家版为例K4:三星显存J:显存类型,D:DDR N:DDR2 J:DDR3 U:DDR455:单颗显存容量,51,52:512Mbit(64M) 注意大B等于8个小b55,56:256Mbit(32M) 26,28:128Mbi t(16M)32:单颗显存位宽,数字是多少就是多少,一般有32和16bit3:Bank数, 2:2Bank 3:4Bank 4:8BankQ:内部电压及接口电压:2:LVTTL,双3.3V 4:LVTTL,双2.5V5:SSTL2,双1.8V,LP 6:SSTL2,双1.5V8:SSTL2,双2.5V A:SSTL2,2.5V,1.8VG:显存版本, 第1到第12代字母分别是MABCEFGHIKB:封装类型, A,B:136球 FBGA(底部球型引脚封装) G,Z:84/144球 FBGAV: 144球FBGA Q,U:TOFPT,L:TSOPJ,E:FBGA(双封装)C:普通版,L:低温低功耗版14:显存速度,两个数字间幻想一个小数点就可以,特殊的我例举一些:1A:1NS 1B:0.95NS 7A:0.77NS 二:奇梦达(Qimonda)显存:以公版8800GT为例HYB:表示奇梦达显存18:电压,中间幻想一个小数点就行了,18就是1.8V 25就是2.5VH:显存类型,D:DDR T:DDR2 H:DDR3512:单颗显存容量:数字多少就是多少,换算成MB需要除以8,例如512Mbit=64M256Mbit=32M32:单颗显存位宽:数字是多少就是多少,一般有32和16bit1B:改进版本的代号F:封装类型,F:FBGA(ROHS) E:TSOP(ROHS)10:显存速度,中间幻想成一个小数点就行了,例如10就是1.0NS 14就是1.4NS比较特殊的有XP(1.4NS-1.2NS),采购价是按1.4NS,比较便宜三:现代显存:以某品牌非公版3850为例HY:表示现代显存5R:显存类型,5D:DDR 5P:DDR2 5R:DDR3 5F:DDR4S:电压(内部&接口),V:3.3V,2.5V U:双2.5VW:2.5V,1.8V S:双1.8VC:双1.5V57:单颗显存容量,56,57:256Mbit(32M) 11,12:512Mbit(64M)1G:1Gbit(128M) 28:128Mbit(16M )32:单颗显存位宽,数字是多少就是多,一般有32和16bit2:Bank数, 1:2Bank 2:4Bank 3:8Bank5:接口类型B:显存版本,第1到第5代分别是:空白-A-B-C-DF:封装类型,F:FBGA(线性) FS:FBGA(规模较小) FM:FBGA(双封装)FC:FBGA(倒装) T:TSOP第2代 Q:LQFP(周边出脚的贴片封装)P:包装材料,P:无铅ROHS R:无铅无卤素ROHS 空白:普通包装材料11:显存速度,一般在中间幻想一个小数点就行,我们知道公版HD3850显存采用的是1.1NS特殊的下面例举一些:077:0.77NS 1: 1NS演练一:上图所示显存颗粒,从SAMSUNG和K4就知道是三星显存,最后两个"1A"知道是1.0NS的显存速度第三:J表示现在主流的DDR3显存第四第五:52表示512Mbit的单颗显存容量,512Mbit/8=64MB,也就是单颗显存容量64MB第六第七:32表示单颗显存位宽32bit,实际上这款显卡是迪兰HD3850北极星512M,有8颗显存,所以该卡32bit*8构成256bit接下来的4和Q不重要,(Bank数和接口类型及电压)可以忽略横杆前的E表示第5代显存颗粒横杆后的B表示FBGA封装后面那个J不重要演练二:上图所示显存颗粒,从hynix和HY就知道这是现代显存,-后面的11表示1.1NS的显存速度第三第四:5R表示目前的主流DDR3显存类型第五:S是电压:双1.8V第六第七:12表示512Mbit,即单颗64MB第八第九:32和三星显存一样,32bit,实际上这是迪兰恒进2600PRO极限版,我们都知道2600PRO 的显存位宽是128bit,所以推断该卡有4颗显存颗粒后面的3和5不重要,(Bank数和接口类型及电压),可以忽略第一行最后的B表示显存颗粒是第3代,或者就叫B代也行,反正是一个数字,A-B-C-D有顺序的第二行前面的FP表示无铅FBGA封装附题:一问:上图1号和2号显存颗粒的品牌,显存类型(DDR3或DDR4),单颗显存容量(MB),单颗位宽(bit),理论显存频率(MHz)?答:1号从SAMSUNG和K4就知道是三星显存,最后两个"09"知道是0.9NS的显存速度,DDR3很难有这么快的速度,估计是DDR4显存第三:U表示现在ATI高端显卡惯用的DDR4显存第四第五:52表示512Mbit的单颗显存容量,512Mbit/8=64MB,也就是单颗显存容量64MB第六第七:32表示单颗显存位宽32bit接下来的4和Q不重要,(Bank数和接口类型及电压)可以忽略横杆前的E表示第5代显存颗粒横杆后的B表示FBGA封装后面那个C表示普通版(非低功耗版)2号从hynix和HY就知道这是现代显存,横杆-后面的1表示1.0NS的显存速度第三第四:5R表示目前的主流DDR3显存类型第五:S是电压:双1.8V第六第七:57表示256Mbit,即单颗32MB第八第九:32和三星显存一样,单颗32bit后面的2和5不重要,(Bank数和接口类型及电压),可以忽略第一行最后的A表示显存颗粒是A代,或叫第2代(第1代是空白)第二行前面的FP表示无铅FBGA封装二问:上图显存颗粒的品牌,显存类型(DDR3或DDR4),单颗显存容量(MB),单颗位宽(bit),理论显存频率(MHz)答:从hynix和HY就知道这是现代显存,横杆-后面的08表示0.8NS的显存速度,基本上可以确定这是DDR4显存第三第四:5F表示ATI高端显卡惯用的DDR4显存第六第七:12表示512Mbit,即单颗64MB第八第九:32和三星显存一样,单颗32bit后面的3和5不重要,(Bank数和接口类型及电压),可以忽略第一行最后的A表示显存颗粒是A代,或叫第2代第二行前面的FC是FBGA封装(倒装)第二行第三:P表示无铅ROHS工艺三问:上图显存颗粒的品牌,显存类型(DDR3或DDR4),单颗显存容量(MB),单颗位宽(bit),理论显存频率(MHz)?答:从SAMSUNG和K4就知道是三星显存,最后两个"07"知道是0.7NS的显存速度,可以肯定这是DDR4显存(DDR3做不到这么快)第三:U表示ATI高端显卡惯用的DDR4显存第四第五:52表示512Mbit的单颗显存容量,即单颗64MB第六第七:32表示单颗显存位宽32bit接下来的4和Q不重要,(Bank数和接口类型及电压)可以忽略横杆前的E表示第5代显存颗粒横杆后的B表示FBGA封装后面那个C表示普通版(非低功耗版)四问:上图显存颗粒的品牌,显存类型(DDR3或DDR4),单颗显存容量(MB),单颗位宽(bit),理论显存频率(MHz)?答:从Qimonda和HYB就知道这是奇梦达显存,最后两个10知道这是1.0NS的显存第四第五:18表示电压,即1.8V第六:H表示DDR3显存第七,八,九:512就是表示512Mbit,即单颗64MB第十,十一:32表示单颗32bit第十二,十三:1B表示改进版本号代码横杆前的F:FBGA封装五问:上图显存颗粒的品牌,显存类型(DDR3或DDR4),单颗显存容量(MB),单颗位宽(bit),理论显存频率(MHz)?后答:从hynix和HY就知道这是现代显存,横杆-后面的14表示1.4NS的显存速度,图片有点模糊第三第四:5R表示目前的主流DDR3显存类型第五:S是电压:双1.8V第六第七:57表示256Mbit,即单颗32MB第八第九:单颗32bit后面的2和5不重要,(Bank数和接口类型及电压),可以忽略第一行最后的B表示显存颗粒是B代,或叫第3代第二行前面的FP表示无铅FBGA封装上图所示显存颗粒,从SAMSUNG和K4就知道是三星显存,最后两个"08"知道是0.8NS的显存速度,估计是DDR4显存类型第三个J:表示DDR3显存类型,此显存非常特殊,采用的是三星顶级DDR3显存,显存速度为0.8NS,理论频率可达2300MHz以上.DDR4的优势主要就是能达到DDR3难以达到的高频,但是DDR4本身延迟较高,所以如果DDR3能达到DDR4的频率,性能有过之而无不及第四第五:52表示512Mbit的单颗显存容量,512Mbit/8=64MB,也就是单颗显存容量64MB第六第七:32表示单颗显存位宽32bit接下来的4和Q不重要,(Bank数和接口类型及电压)可以忽略横杆前的E表示第5代显存颗粒横杆后的B表示FBGA封装后面那个J不重要。

教你怎么查看内存条的大小你拿到一条内存的时候，能看出它的容量吗？虽然我们可以把它插到机器上测试出来，但对于一个内行人来说，看一眼就能知道内存条的大小显然是有意义的，并且并不难做到。

通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量。

虽然目前生产内存条的厂商有许多，但能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了，国内市场上主流内存条所用的内存颗粒，主要是一些国际性的大厂所生产。

下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。

三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。

由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。

三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。

这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。

编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A 代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。

芯片上的代码就是型号内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看：samsung内存例：samsungk4h280838b-tcb0第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表dram。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10 为10ns(66mhz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。

颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。

通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。

所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。

普通内存与游戏内存条差距大吗？有什么分别？近些年，不少电脑硬件开始流行打上“游戏”标签，例如游戏键鼠、电竞显示器、游戏主板、游戏显卡等。

近期有装机用户咨询小编，所谓的游戏内存是什么?普通内存与游戏内存条差距大吗?下面小编分享一下游戏内存和普通内存的区别对比，让装机用户更好的了解这两种内存的差别！一般来说，普通内存与游戏内存的最大区别在于，游戏内存带有金属马甲，更好的利于散热，比如金士顿的骇客系列、威刚的游戏威龙系列、影驰的GAME系列、美商海盗船的复仇者系列芝奇的幻光戟系列均算是游戏内存。

游戏内存和普通内存的区别对比1、内存时序区别若您学习过内存知识应该知道，时序是内存比较重要的参数之一，通常用CL表示，它代表了内存列寻址所需的时钟周期，频率一致的内存，时序数值越小越好。

2、内存颗粒区别内存颗粒就是决定内存存储数据的重要载体，它关乎着内存的性能。

目前的主流颗粒生产商就是三星、海力士、镁光这三家。

以金士顿内存威力，红框编号的第四位字母，如果第四位是“E”就是尔必达颗粒，“H”是海力士颗粒，“M”是镁光颗粒，“N”是南亚颗粒，“S”是三星颗粒，图中编号第四位是“H”，说明是海力士的颗粒。

由于颗粒在生产时会有质量参差不齐的情况，内存厂家会将成色极品的颗粒会被挑选出来做成高端超频游戏内存条，而普通但合格的颗粒做成普通内存条，这也是游戏内存普遍比普通内存要贵的重要因素之一。

3、超频潜力区别游戏内存由于颗粒较好，加之时序低，而超频潜力会更好一些，以发挥出内存最高的性能体验。

而普通内存就不同了，由于颗粒和时序不算好，因此超频能力受限，有些能够小超一点，有些直接超不了。

一般来说，如果选购的内存超出CPU或者主板支持频率，即使你选择的是高频内存，也会自动降频至所支持的频率。

因此我们需要在主板BIOS设置中打开XMP功能将其自动超频，或者我们通过手动设置内存频率超频才可以。

4、内存外观区别从内存的外观可以辨别，游戏内存和内存在外观上最普遍的差异在于，普通内存是不带散热马甲的，游戏内存自带散热马甲，具备更好的外观和散热能力。

内存的具体品牌和型号是什么内存条是由一个PCB电路板上焊接上内存颗粒构成的,电路板只是连接电路的作用,真正内存的大小要看内存颗粒,一条内存条上的单颗粒容量都相同,内存条的容量等于颗粒容量颗粒数;通过查验内存颗粒的型号,我们就可以计算出内存的容量;虽然目前生产内存条的厂商有许多,但能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了,国内市场上主流内存条所用的内存颗粒,主要是一些国际性的大厂所生产;下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法;三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多,在市场上有很高的占有率;由于其产品线庞大,所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂;三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的;这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别,所以我们重点介绍这两部分的含义;编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K,代表是内存芯片;第2位——芯片类型4,代表DRAM;第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM;第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号;64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量;第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据;第11位——连线“-”;第14、15位——芯片的速率,如60为6ns；70为7ns；7B为CL=3；7C为CL=2 ；80为8ns；10 为10ns 66MHz;知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量;例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装;颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits兆数位× 16片/8bits=256MB兆字节;注：“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8;关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码;通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误;所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘;在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存;Micron内存颗粒Micron美光内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多;下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则;含义：MT——Micron的厂商名称;48——内存的类型;48代表SDRAM；46 代表DDR;LC——供电电压;LC代表3V；C 代表5V；V 代表;16M8——内存颗粒容量为128Mbits,计算方法是：16M地址×8位数据宽度;A2——内存内核版本号;TG——封装方式,TG即TSOP封装;-75——内存工作速率,-75即133MHz；-65即150MHz;实例：一条Micron DDR内存条,采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造;该内存支持ECC功能;所以每个Bank是奇数片内存颗粒;其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB兆字节;西门子内存颗粒目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒;编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度;Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成;所以其内存颗粒型号比较少,辨别也是最容易的;HYB39S128400即128MB/ 4bits,“128”标识的是该颗粒的容量,后三位标识的是该内存数据宽度;其它也是如此,如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits;Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线,然后标上工作速率;——表示该内存的工作频率是133MHz；-8——表示该内存的工作频率是100MHz;例如：1条Kingston的内存条,采用16片Infineon的的内存颗粒生产;其容量计算为：128Mbits兆数位×16片/8=256MB兆字节;1条Ramaxel的内存条,采用8片Infineon的的内存颗粒生产;其容量计算为：128Mbits兆数位× 8 片/8=128MB兆字节;Kingmax内存颗粒Kingmax内存都是采用TinyBGA封装Tiny ball grid array;并且该封装模式是专利产品,所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产;Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits;在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来;容量备注：KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空间× 4位数据宽度；KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空间× 8位数据宽度；KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空间× 4位数据宽度；KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空间× 8位数据宽度；KSV864T4XXX——128Mbits,8M 地址空间× 16位数据宽度;Kingmax内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：-7A——PC133 /CL=2；-7——PC133 /CL=3；-8A——PC100/ CL=2；-8——PC100 /CL=3;例如一条Kingmax内存条,采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造,其容量计算为：64Mbits兆数位×16片/8=128MB兆字节;打磨,也叫Remark,是一种比较常见的造假方式,通常的手段是把低频率的颗粒打磨为高频率的,或是杂牌颗粒打磨成品牌颗粒等;这种假冒的在容量上一般没有问题,但在运行的稳定性和性能等方面则大打折扣,质量和寿命也都经不起考验,而且被打磨过的内存无法享受正品内存应有的质保服务; 如下图所示的内存颗粒就是被打磨过的,第一个打磨的颗粒是通过擦除颗粒上的参数后重新写上;“…BT-H”被打磨成了“…BT-D43”,这样DDR266的内存就摇身一变为DD0了;另外一种打磨的手法是,不擦除颗粒上的参数而直接改写,如下图所示;编号为“…22DT-J”的颗粒被打磨成“…22DT-D43”,DDR333的内存也被假冒成DDR400了;不法商家在对颗粒进行打磨后便将内存超频使用,以此来提高价格进行谋取暴利;为了防止买到被打磨过的内存,我们在选购时可以通过以下几点来判断;第一,看内存颗粒上的编码是否清晰锐利,各颗粒上的编号是否一致;再用力搓一下编码看是否掉色脱落;第二,看内存颗粒四周的管脚是否有浸锡、补焊的痕迹,电路板和金手指是否干净无划痕;另外对于品牌内存,其PCB板一般采用6层设计,对于那些4层PCB板的内存则需要多加小心;第三,看内存金手指上方的排阻与电容用料是否充足,排列是否整齐;同时留意是否有SPD芯片,以及SPD芯片的质量;第四,根据不同的内存品牌看在内存上的防伪标志;例如防伪镭射标签、防伪芯片、防伪序列号等等;在这个奸商横行的时代,懂得如何区分打磨的内存颗粒还远远不够,对于购买内存的注意事项,有以下的必杀技可供参考;第一,选用名牌大厂的内存颗粒;上面提到,内存颗粒的质量将直接影响到内存的性能和寿命等,因此在购买时应尽量选择名牌大厂的内存颗粒,这些内存颗粒的质量都有着非常好的保证;例如HY、、Winbond华邦、Infineon、Micron美光、南亚Nanya等;第二,选用优质PCB板的内存;PCB板作为内存的根基,购买时应该选择做工精良、用料厚实的产品,同时也需要选择金手指较厚实的内存;第三,不可忽视的SPDSerial Presence Detect串行侦测芯片;SPD是一颗8Pin的小芯片,一般是1个容量为256字节2Kbit的EEPROMElectrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器芯片;SPD的作用是记录内存的速度、容量、电压等参数信息,当开机时PC的BIOS将自动读取SPD中记录的信息,如果没有SPD或者其中的信息错误,则会出现死机、不兼容等现象;因此,选购内存时一定不能选择缺少SPD芯片的产品;第四,用料和做工同样重要;有了优质的颗粒、PCB板和SPD 芯片后,将他们焊接在一起的制作工艺也显得十分重要;不合格的焊料和焊接技术会产生大量的“虚焊”,一般肉眼看不出有任何不妥,但在使用一段时间后便会逐渐氧化接着脱焊;因此除了选购知名品牌的内存外,选择售后服务完善的品牌也非常重要;。

认识显卡从显存开始——菜鸟必读！第1：一语道破！出来挑显卡总是要看显存的本文转载自《天极网》，本文观点不代表本站立场，仅供参考。

目前显卡市场群雄逐鹿，显卡种类繁多，鱼目混珠，给大家挑选到物美价廉的显卡创造了机会，也给大家的挑选增加了不少困难。

市面上显卡的种类实在是太多了，而且更新换代又快，任何导购都不可能涵盖所有的产品。

那么我们就应该学会一些根本性的东西，也就是选购显卡的两个标准：一是看核心图形芯片，二是看显存。

图形芯片新手朋友们了解得比较多，基本上能够区分不同级别的芯片的性能差异，选购时也清楚地知道哪款芯片是先进的，性能强一点，什么芯片是旧的，性能差一点。

但是显存的重要性往往就被新手们忽略掉了，就算没有忽略，可能对显存的重视也仅仅止于大小而已。

因此有不少的新手朋友在选购显卡时，往往看到两块卡的核心芯片和显存大小相同就认为它们性能相当。

殊不知显存的性能指标不仅仅是容量而已，显存其他的参数对显卡性能的影响有时并不比芯片低，同一图形芯片，采用的显存不同，可能导致性能上的巨大差异，两块芯片和显存大小相同的显卡，性能可能相差整整一大截！因此，要挑到好的显卡，首先要从学会看显存开始。

第2：从外观开始了解显存的封装形式●显存的封装形式既然要认识显存，那么就先从它的外观开始。

目前市面上常见的显存有两种外观：TSOP封装的显存颗粒MBGA封装的显存颗粒我们使用的内存也好，显存也好，其实都是由数量庞大的集成电路组合而成，只不过这些电路，都是需要最后打包完成，这类将集成电路打包的技术就是所谓的封装技术。

封装也可以说是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁——芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件建立连接。

因此，对于很多集成电路产品而言，封装技术都是非常关键的一环，对芯片自身性能的表现和发挥有重要的影响。

选好颗粒，自己超频！DDR3 1333超1600实战指导(部分一)同样是4GB单条，DDR3 1333已经杀到了100元附近，但DDR3 1600的价格依然在200多元以上高位运行。

凭什么咱们要花高价去买DDR3 1600？为什么不能自己买DDR3 1333来超频？只要选好颗粒，DDR3 1333超频到DDR3 1600甚至更高频率，都不是什么难事。

今天我们就来看看到底哪些颗粒的DDR3 1333内存超频性能更好，DDR3 1333内存又该如何超频。

DDR3 1600凭啥那么贵？买DDR3 1333自己超频！目前，DDR3 1333和1600价差实在是过大。

DDR3 1333 4GB单条只要100多元，并且价格还有进一步下降的趋势。

而DDR3 1600则至少需要200多元。

两者价差几乎达到一倍！要更低的价格还是更高的速度？不少用户在价格面前选择了妥协，只得购买更为便宜的DDR3 1333内存。

可是我们要超频处理器，就必须要更好的内存搭配，尽管Intel的SNB处理器目前不能自由超频，但下一代Ivy Bridge处理器却允许用户对处理器外频进行调整。

在AMD平台上，超频内存更是必不可少。

无论是原有的羿龙/速龙处理器，还是当前正红火的APU处理器，甚至下一代的推土机处理器，都允许用户自由超频。

如果内存频率跟不上处理器，处理器超频很可能失败。

即便你不打算超频处理器，DDR3 1333内存较低的频率，也会对电脑性能造成严重制约。

因此，同样花几十元购买DDR3 1333的2GB/4GB单条，挑选那些超频性能较好的颗粒，将其超频到DDR3 1600，内存瞬间增值200元以上，而系统性能也可得到大幅提升。

无论从哪个角度看，这都是百利而无一害的好事。

■宇瞻经典系列DDR3 1333超频至DDR3 2000，系统性能前后对比（测试所用处理器为i7 860）PCMark V/内存3DMarkV/PWinRAR3.92SuperPI（小）孤岛惊魂2生化危机5默认DDR3超频DDR3选对颗粒，DDR3 1333超频到DDR3 2300不是梦！DDR3 1333超频到DDR3 1600，这事真的靠谱？不是传说DDR3内存超频性能不好么？其实DDR3内存超频不好的说法，早已是陈年往事。

各种品牌存储IC简单命名介绍存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon （英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT （晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard （世界先进）、Nanya（南亚）。

有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR 时代采用的也不多了。

显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。

另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR 的管脚数量为33X2=66。

美光（Micron）图1 美光芯片颗粒美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron（美光）颗粒编号的简单含义作介绍：MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。

48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供电电压。

LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

8M8——内存颗粒容量为8M。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。

亿恒（In fineon）图2 Infineon（亿恒）颗粒Infineon是德国西门子的一个分公司，它主要生产内存颗粒。

目前，Infineon在全球排名已经跃居为第四位，超过了韩国的Hynix。

内存颗粒编号识别内存是计算机不可缺少的部件之一，常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。

现在我们就详细列出内存编号的各项含义。

（1）HYUNDAI（现代）现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。

其SDRAM芯片编号格式为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到：其中HY代表现代的产品：5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；<9> 代表接口（0=LVTTL［Low V oltage TTL］接口）；<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。

现代内存颗粒编号含义现代品牌的内存在国内的销售量一直名列前茅，不少消费者选购内存时都会考虑产品的规格参数。

其实，小编有一个方法可以让消费者简单直观的了解到内存的规格－－解读编号含义，现在我们以现代内存为例，图解说明让大家迅速学会解读编号。

现代内存颗粒的编号是由四段字母或数字组成，如下图一所示，下面，小编就给大家分别解释，主要对内存规格进行说明。

A部分标明的是生产此颗粒企业的名称－－Hynix。

B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。

第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。

如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。

C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。

由1-3位字母和数字共同组成。

其根据频率、延迟参数不同，分别可以用＂D5、D43、D4、J、M、K、H、L＂8个字母/数字组合来表示。

其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。

D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。

具体详细内容如图二所示。

D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写第1部分代表该颗粒的生产企业。

＂HY＂是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。

第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成。

＂5D＂表示为DDR内存，＂57＂表示为SDRAM内存。

第3部分代表工作电压，由一个字母组成。

三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : Smart Media, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte）12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. Organization00: NONE08: x816: x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-RS : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) 【举例说明】K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)3. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)6. Technology0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。

学会识别内存的颗粒编号一、现代（hynix）DDR2内存颗粒编号规则现代DDR2内存颗粒HY5PS12821 F-C4就是这颗现代DDR2内存颗粒的编号，我们现在将其分为9部分，一一为大家作个解释。

1、HY：现代内存2、5P：DDR23、S：工作电压1.8V4、12：512MB容量，如果是28则为128MB、56则为256MB、1G则为1GB、2G则为2GB5、8：位宽×8，如果是4则位宽为×4、16则为×16、32则为×326、2：逻辑Bank数量为4Banks，如果是1则为2Banks、3则为8Banks7、1：接口类型为SSTL-18，如果是2则为SSTL-28、F：封装类型为FBGA Single Die，如果是S则为FBGA Stack、M则为FBGA DDP9、C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3。

二、三星DDR2内存颗粒编号规则三星DD2内存颗粒K4T51083QB-GCD5就是这颗三星DDR2内存颗粒的编号，我们将其分为10部分，下面就为大家一一解释。

1、K4：Memory DRAM2、T：DDR23、51：512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量4、08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、16为×165、3：逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks6、Q：接口类型工作电压为SSTL 1.8V7、B：产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推8、G：封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA（Small）、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF（Small）9、C：普通能耗，如果是L则为低能耗10、D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。

编者按：我们并非硬件的芯片级玩家，所以我们并不了解硬件的核心技术；我们并非DIY超级发烧友，所以我们并不追求更高端的DIY硬件。

对于一款硬件产品，我们要掌握其性能指标，才能让其在我们的应用中发挥较好的效果。

内存，大家在选购时考虑最多的就是容量、频率，很少从编码上去核对是否与标准的参数相同。

说实话，很多内存的经销商都不了解内存编码每一个字母、每一个数字代表的含义，往往他们也是告知购买者也只是容量和频率。

难道经销商告知的和卖出的就是原创内存吗？不销售假冒、打磨的内存吗？今天小编就给大家完全攻略全球最大的内存制造、OEM品牌厂商三星的金条内存编码，因为三星除了自有品牌外，也销售颗粒，这样市场原装内存与贴牌或使用三星颗粒的其他品牌内存很难识别，要知道三星金条可是品质过硬的中高端内存，商家为谋取暴利，往往会用一些欺骗手段的。

一、内存颗粒的编码排序结构三星金条DDR2内存编码结构上图是目前主流的三星金条DDR2内存的颗粒编码排序，一长串的字母+字符，让大家很难去理解各编码代表的含义，从整体看，所有的字母、数字组合分成了11段，下面小编就一一解释。

在三星金条的内存颗粒上我们会看到两类品牌标识：SAMSUNG和SEC（“三星电子”的英文缩写），这都是三星官方英文标识。

SAMSUNG由于字母较多，一般用在TSOP封装的长方形颗粒上，而SEC为缩写，多用在mBGA封装的小正方形颗粒上。

第一段字母是每个内存颗粒品牌的标识，“K”为三星半导体存储颗粒的标识，只要是采用三星制造、销售的内存颗粒，编码均以K开头；第二段数字是“4”，这个位置永远是数字4，表示这是DRAM内存；第三段字母是内存颗粒的类型，“S”表示SDRAM、“H”表示DDR、“T”表示DDR2 DRAM、“D”表示GDDR1（显存颗粒）；第四段含两个字符，表示单颗内存颗粒的容量。

56：256Mb、51：512Mb、1G：1Gb、2G：2Gb，注意这是小写的“b”（位），芯片级多以“b”表示容量，换算成我们熟悉的“B”（字节）时，需要除以8；第五段含两个数字，表示芯片位数，有04：×4、06：×4 Stack、07：×8 Stack、08：×8、16：×16、26：×4 Stack（JEDEC）、27：×8 Stack（JEDEC）几种规格。

最新SSD固态硬盘颗粒QLC、SLC、MLC、TLC详解概要本⽂从SSD结构出发，详细介绍NAND闪存芯⽚QLC、SLC、MLC、TLC之间的区别、各⾃的优缺点以及其适⽤的⼈群。

?⽬录⼀、剖析SSD⼆、什么是NAND闪存三、单层单元（Single Level Cell，简称SLC）四、多层单元（Multi Level Cell，简称MLC）五、三层单元（Triple Level Cell，简称TLC）六、四层单元（Quad-level cells，简称QLC）七、总结⼋、四种闪存类型的固态硬盘价格任何尝试过SSD的⼈，⽆⼀不能向您证明SSD领先于传统HDD的优点，伴随着应⽤程序的加载速度更快、整体效率更⾼，以及更强的耐⽤性与稳定性，毫⽆疑问，SSD终将会成为每⼀台家庭计算机中的标配。

但您是否曾经想过，在同等容量下，为什么某些SSD⽐其他其他更贵？正如⾼性能赛车⼀样，这⼀切都是关于引擎盖下的学问。

2019最新更新：以往SSD均采⽤SLC、MLC、TLC芯⽚架构，⽽TLC则⽐较普遍。

但科技迅猛发展，⽤户的需求也⽇益增长，如今⼀款新型闪存芯⽚QLC已⾯世。

QLC（四层单元）的容量更⼤，价格也更便宜。

想要了解更多相关细节，请继续关注QLC（四层单元）的详细信息。

剖析SSD在详细分析这个问题前，我们可能需要先了解⼀下SSD的内部构造：A.?NAND闪存：SSD储存数据的部分，以⾮易失性，即断电后仍能保存数据的内存块。

?B.?DDR内存：少量的易失性内存（需要电源来维护数据）⽤于缓存未来访问的信息。

C.?主控芯⽚：连接NAND闪存与计算机之间的主要电⼦组件。

什么是NAND闪存？NAND闪存是⽐传统硬盘驱动器更好的存储设备，它使⽤的是⾮易失性存储技术，即断电后仍能保存资料的存储设备。

NAND闪存由多个以（bit）为单位的单元构成，这些位通过电荷被打开或关闭，如何组织这些开关单元来储存在SSD上的数据，也决定了NAND闪存的命名，⽐如单层单元（SLC）闪存在每个存储单元中包含1个位。