现代电子线路基础(新版教材)-- 第六章习题答案

《电子线路（I ）》 董尚斌编课后习题（1到7章）第1章1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别？解：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差，在温度为0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。

在室温的情况下，由本征激发产生自由电子—空穴对，并达到某一热平衡值，本征载流子浓度kT E i g e T A n 22300-=与温度有关。

杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的，若掺入5价元素的杂质可得到N 型半导体，N 半导体中的多子为自由电子，少子为空穴，由于掺入微量的杂质其导电性能得到了极大的改善，其电导率是本征半导体的好几个数量级。

在杂质半导体中，多子的浓度取决于杂质的浓度，而少子的浓度与2i n 或正比，即与温度有很大的关系。

若掺入3价元素的杂质可得到P 型半导体。

1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同？解：空穴的导电实际上是价电子导电，在半导体中把它用空穴来表示，它带正电是运载电流的基本粒子，在半导体中，施主杂质电离后，它为半导体提供了一个自由电子，自身带正电，成为正离子，但由于它被固定在晶格中，是不能移动的。

1-3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么？解：漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流，扩散电流是由于浓度差而引起的载流子的定向运动而形成的电流1-4 在PN 结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关？解：PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽，外加电压全部降落在PN 结上，而不能作用于P 区和N 区将少数载流子吸引过来。

漂移大于扩散，由于在P 区及N 区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。

1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？解：将二极管看作一个电阻，其明显的特点是非线性特性。

而一般由导体构成的电阻，在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。

（1） 二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。

6.1 已知普通调幅信号表达式为：AMu =20(1+0.6cos2π⨯2000t-0.4cos2π⨯5000t+0.3cos2π⨯7000t )cos2π⨯610tV1）试写出此调幅信号所包括的频率分量及其振幅 2）画此调幅信号的频谱图，写出带宽3）求出此调幅信号的总功率，边带功率，载功率以及功率利用率；（设负载为1Ω）载波：20cos2π610t 振幅：20V 频率：f f=1000Z KH各边频分量；为载波频率搬运的边频分量幅值为cm U Ma/2，边频为载波∴100Z KH ,998Z KH 分量6V1005Z KH ,995Z KH 分量4v 1007Z KH ,993Z KH 分量 3v 1000Z KH 分量为20v B=(1007-993) Z KH =14Z KH载频分量产生的平均功率为C P =2cm U /2R=200W边带功率：SB P =(a cm M U )2/2R ⇒ 1SB P =[(0.6/2)⨯20]2/2=182SB P =[(0.4/2)⨯20]2=8 3SB P =[(0.3/2)⨯20]2=4.5∴ SB P =1SB P +2SB P +3SB P =30.5W两边频之和为 2⨯30.5=61W∴ av P =C P +2SB P =200+61=261W功率利用率 η=2SB P /av P =（61/261）⨯100%=23.4%6.2 已知单频普通调幅信号的最大振幅为12V ，最小振幅为4V ，试求其中载波振幅和边频振幅各是多少？调幅指数a M 又是多少？a M =（max U -min c U ）/(max U +min c U )=1/2又 a M =（max U -cm U ）/cm U ∴ 1/2=(12-cm U )/cm Ucm U =8V 边频振幅＝cm U a M /2=1/2⨯8⨯1/2=2V6.3 左图，载波输出功率为50W ，平均调幅指数为0.4，集电极平均效率为50%，求直流电源提供的平均功率D P 、调制信号产生的交流功率P Ω和总输入平均功率av P .η=50/D P ∴ D P =50/50%=100W P Ω=2a M D P /2=1/2⨯0.16⨯100=8W电源总功率：D P +P Ω=108W ∴ av P =c j (D P +P Ω)=54Wa M CCO U 是调制信号平均振幅。

6.１ 已知某广播电台的信号电压为()620(10.3cos6280)cos5.7650410t t t υ=+⨯mV ，问此电台的频率是多少？调制信号频率是多少？解：该电台的频率是65.7650410918kHz 2c f π⨯==； 调制信号率是62801000Hz 2F π== 6.２ 已知非线性器件的伏安特性为3012i a a a υυ=++，试问它能否产生频谱搬移功能？ 解：不能产生频谱搬移功能，因为伏安特性中没有平方项。

6.3 画出下列各式的波形图和频谱图，并指出是何种调幅波的数学表达式。

（1）cos )cos 1(t Ω+t c ω （2）cos )cos 211(t Ω+t c ω （3）cos cos ⋅Ωt t c ω (假设Ω=10c ω) 解：（1）cos )cos 1(t Ω+t c ω是1a M =的普通调幅波；波形图频谱图：（2）cos )cos 211(t Ω+t c ω是12a M =的普通调幅波波形图频谱图（3）cos cos ⋅Ωt t c ω是抑制载波的双边带调幅波波形图频谱图6.4 已知调制信号()()()32cos 22103cos 2300t t t υππΩ⎡⎤=⨯⨯+⨯⎣⎦V ，载波信号()()55cos 2510c t t υπ=⨯⨯V ，1a k =，试写出调幅波的表示式，画出频谱图，求出频 带宽度BW 。

解：调幅波的表示式()()()()()()()()()5a 3535[5k ]cos 2510{52cos 22103cos 2300}cos 25105[10.4cos 22100.6cos 2300]cos 2510c t t t t t t t t t υυπππππππΩ=+⨯⨯⎡⎤=+⨯⨯+⨯⨯⨯⎣⎦=+⨯⨯+⨯⨯⨯ 频谱图频带宽度 322104kHz BW =⨯⨯=6.5 已知调幅波表示式()()()62012cos 2500cos 210AM t t t υππ=+⨯⨯⎡⎤⎣⎦V ，试求该调幅波的载波振幅cm V 、载波频率c f 、调制信号频率F 、调幅系数a M 和频带宽度BW 的值。

第六章习题答案6.1 在题图 6.1所示调谐放大器中，工作频率f o =10.7MHz,L 1-3=4μH,Q o =100, N 1-3=20匝, N 2-3=5匝, N 4-5=5匝,晶体管3DG39在f o =10.7MHz 时测得g ie =2860μS,C ie =18pF, g oe =200μS, C oe =7pF,|y fe |= 45mS,y re =0,试求放大器的电压增益A vo 和通频带BW 。

解： 25.02053~13~21===N N P ， 25.02053~15~42===N N P 总电容pF 4.55)L *)f 2/((1C 20==∑πLC 振荡回路电容pF8.53C p C p C C ie 22oe 21=--=∑ LC振荡回路固有谐振频率'0f ==10.85(MHz)固有损耗电导：''600036.710()0011g S Q L2Q f Lωπ-===⨯ 22262661200.25200100.2528601036.7100.228()oe ie G P g P g g mS ---∑=++=⨯⨯+⨯⨯+⨯= 116.32L 0Q G Lω∑== )KHz (6563.167.10Q f B L 0W ===， 1210228.0104525.025.0G |y |P P A 63fe 210V -=⨯⨯⨯⨯-=-=--∑ 注：由上述计算可以看出，'0f 和0f 相差不大，即部分接入后对谐振频率影响较小，但概念要清楚。

另外，这里给出了fe y （即认为是m g ）不要通过EQ I 来计算m g 。

6.2 题图6.2是某中放单级电路图。

已知工作频率f o =30MHz,回路电感L =1.5μH, Q o =100,N 1/N 2=4,C 1~C 4均为耦合电容和旁路电容。

晶体管在工作条件下的y参数为ie (2.8j3.5)mS y =+； re 0y ≈fe (36j27)mS y =- oe (0.2j2)mS y =+试解答下列问题：(1) 画出放大器y 参数等效电路； (2) 求回路谐振电导g Σ； (3) 求回路总电容C Σ；(4) 求放大器电压增益A vo 和通频带BW ；(5) 当电路工作温度或电源电压变化时, A vo 和BW 是否变化？解：(1) y 参数等效电路如上图：(3)由0f =得222621201118784431415103010C .(pF )Lf ..∑π-===⨯⨯⨯⨯⨯ (2) 11=P ， 25.041122===N N P由y 参数得)(58.1810302105.363pF C ie =⨯⨯⨯=-π，)(6.101030210263pF C oe =⨯⨯⨯=-π2221218781060251858702oe ie C C P C P C .....(pF )∑=--=--⨯=491'o f .(MHz )===固有损耗电导：6066001112161022314100491101510''o o g .(S )Q LQ f L ...ωπ--====⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯ 22323612002100252810214100396oe ie G P g P g g .....(mS )---∑=++=⨯+⨯⨯+⨯= (4) 36601189039610230101510L Q .G L..ωπ--∑===⨯⨯⨯⨯⨯⨯ 03033789W L f B .(MHz )Q .===120284fe V PP |y |A .G ∑=-==-(5) 当电路工作温度或电源电压变化时，会引起y 参数变化，从而vo A 和BW 会发生变化。

第五章 基本概念复习思考题1、在桥式整流、电容滤波电路中，当变压器次级输出电压为V 2时，滤波后输出直流电压大致为 1.1V 2 ，每个二极管上承受的最大反向电压为2 。

2、甲乙类功率放大电路中，串接的两个二极管的作用是： 克服交越失真 ，为提高效率，两个功率管 轮流导通 。

3、在串联型线性稳压电源中，由于调整管工作在 线性放大状态 ，因而电源效率 低 ，而在开关型稳压电源中，调整管工作在 开关状态 ，故效率 高 ，所以，开关型稳压电源与模拟稳压电源相比，性能 好 。

4、提高串联型线性稳压电路稳压性能的常用方法有 采用辅助电源比较放大器单独供电、采用复合调整管提高输出电流、增加保护电路等 ，用差动放大器作比较放大器可以提高电路的 。

表明稳压电路的输出电压受输入电压影响的参数是 ，表明稳压器带负载能力的参数是 。

5、提高稳压电源效率的主要途径是 低压差技术 和 开关技术 。

开关稳压电源的输出电压主要由三个参数即 输入直流电压幅度、调整管导通时间和周期 决定，通过调整这三个参数开关电源可分为 PWM 、PFM 和PWFM 三种。

就稳压原理而言，线性稳压电源是通过调整 管压降 进行稳压，而开关稳压电源是通过调整 调整管导通时间 进行稳压的。

6、从稳压原理上讲，78××和79** 两个系列的三端稳压块属于 线性稳压 电路，它们的输出电压分别为 ×× 和 ** ，而CW117属于 线性可调输出 电路，它的输出电压至少为 1.25 伏。

7、按照不间断电源（UPS ）的工作方式，通常有 在线式、后备式 之分，输出波形有 正弦波、方波 ，性能最好的是 在线式正弦波 ，一般情况下，UPS 最好不要在 带载 情况下开机。

8、使用DC-DC 变换器的目的主要有 减少主电源种类和实现浮地 ，它通常分为 共地式和浮地式 两大类；使用基准源的目的是 提供参考或比较的电压基准 ，它具有 稳、准的特点，在电路中主要用作 参考 ，而不是用作 供电 。

习题册参考答案第一章半导体二极管§1-1 半导体的基本知识一、填空题1. 导体绝缘体半导体2. 半导体3. 硅锗4. 热敏光敏掺杂5. 正负负正6. 单向导电导通截止7. 高二、判断题1.×2.×3.√三、选择题1.C2.A3.C4.A§1-2 半导体二极管一、填空题1. 阳正阴负2.硅二极管锗二极管普通整流稳压开关光敏发光变容3.正极负极4.0.7 0.35.单向导电性导通小大截止大小6.大小7.0.5 0.28.最大整流电流最高反向工作电压9.烧毁击穿10.硅稳压锗普通硅整流锗开关11.击穿开路12.小好13.电光光电发光二极管二、判断题1.×2.×3.×4.√5.×6.×7.×8.×9.× 10.√ 11.× 12.× 13.× 14.× 15.× 16.√三、选择题1.C2.C 3．B 4.B 5.B 6.D 7.B 8.C 9.A 10.A11.C 12.C 13.B 14.D 15.A 16.A 17.A 18.A四、综合题1. 答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。

2. 答：图b）中的灯不亮。

3. 答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。

4. 答：5.答：6.答：2CZ83： N 型硅材料整流二极管序号为83 2CW55： N 型硅材料稳压二极管序号为55 2DK14： P 型硅材料开关二极管序号为14 7.答：序号 型号 所用材料F I （mA ）RM U (V)R I (μA)1 2AP9 锗 5 202 1N4148 硅 100 75 5 32CZ56A硅3000258.答：图a ）中，在表头处串联一个二极管，若直流电源极性接错，二极管V1反向截止，使表头指针不发生反偏，起保护表头的目的。

电子电路基础第六章习题答案6.1 求习题图6.1所示的电路的传递函数()/o i H V V ω=。

习题图6.1解：1//()i o oR V V jwCjwLV -=22()oi V j L RLCH R j L RLCV ωωωωω-==+- 6.2 关于习题图6.2所示的电路，求传递函数()o iI H I ω=。

习题图6.2解：2()11o iI R j CRH j CR CL I jwL R jwCωωωω===-+++ 6.3 串联RLC 网络有R=5Ω，L=10mH ,C=1F μ,求该电路的谐振角频率、特点阻抗和品质因数。

当外加电压有效值为24V 时，求谐振电流、电感和电容上的电压值。

解：电路的谐振角频率4010/rad s LCω== 特点阻抗100LCρ==Ω 品质因数020LQ Rω==谐振电流0 4.8mU I A R== 电感和电容上的电压值L 480V C m U U U Q ===6.4 设计一个串联RLC 电路，使其谐振频率050/rad s ω=，品质因数为80，且谐振时的阻抗为10Ω，并求其带宽。

解：00.625rad /B s Qω==6.5 关于习题图6.5所示的电路，求()v t 和()i t 为同相时的频率ω。

习题图6.5解：12()1Z (//)()v t jwL R L i t jwC==++ 121,1,1,1L H L H C F R ====Ω将代入2221Z ()11w w j w w w w-=+-+++谐振时虚部为零，2101w w w w -+=+ 0.7861w =得出,6.6 并联RLC 网络有R=50Ω，L 4mH =,C=160F μ,求并联电路谐振频率和品质因数。

假设外接电流源有效值为2A ，求谐振时电阻、电感及电容上的电流值。

解：电路的谐振角频率30 1.2510rad /s LCω==⨯ 品质因数010LQ CR RCω=== 谐振时电阻、电感及电容上的电流值2A,20A R L C R I I I I Q ====6.7 并联谐振电路，其品质因数为120，谐振频率是6610/rad s ⨯，运算其带宽。

第6章习题答案6.1.1 选择题（1）在LC并联谐振回路谐振时，若电感的中间抽头交流接地，则首端与尾端的信号电压相位 B 。

A. 相同B. 相反C. 90 。

D. -90 。

（2）在LC并联谐振回路谐振时，若电感的首端或尾端交流接地，则电感其它两个端点的信号电压相位 A 。

A. 相同B. 相反C. 90 。

D. -90 。

（3）自激振荡是电路在__B___的情况下，产生了有规则的、持续存在的输出波形的现象。

A. 外加输入激励B. 没有输入信号C. 没有反馈信号（4）正反馈是放大电路产生自激振荡的__A____。

A. 必要条件B. 充分条件C. 充要条件（5）在正弦波振荡电路中，能产生等幅振荡的幅度条件是__A____。

A. B. C.（6）正弦波振荡电路的起振条件是__B____。

A. B. C.（7）在RC型正弦波振荡器中，通常是利用___B______来自动的稳定振荡器输出的幅度。

A. 线性特性元件B. 非线性特性元件C. 电抗特性元件（8）在题图6.1.1所示电路中，谐振回路由___A______元件组成。

A. 、B. 、C. 、、题图 6.1.1（9）在题图6.1.1所示电路中，电路的谐振频率____C_____。

A. B. C.（10）电路如题图6.1.2所示，设运放是理想器件，，为使该电路能产生正弦波，则要求____C_____。

A. （可调）B. （可调）C. （可调）题图 6.1.2（11）对于LC正弦波振荡电路，若已满足相位平衡条件，则反馈系数越大，__A______。

A.越容易起振B. 越不容易起振错误C.输出越小6.1.2判断下列说法是否正确，在括号中画上“√”或“×”。

（1）在反馈电路中，只要安排有LC谐振回路，就一定能产生正弦波振荡。

（ⅹ）（2）对于LC正弦波振荡电路，若已满足相位平衡条件，则反馈系数越大，越容易起振。

（√）（3）电容三点式振荡电路输出的谐波成分比电感三点式的大，因此波形较差。

《电子线路（I ）》 董尚斌编课后习题（1到7章）第1章1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别？解：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差，在温度为0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。

在室温的情况下，由本征激发产生自由电子—空穴对，并达到某一热平衡值，本征载流子浓度kT E i g e T A n 22300-=与温度有关。

杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的，若掺入5价元素的杂质可得到N 型半导体，N 半导体中的多子为自由电子，少子为空穴，由于掺入微量的杂质其导电性能得到了极大的改善，其电导率是本征半导体的好几个数量级。

在杂质半导体中，多子的浓度取决于杂质的浓度，而少子的浓度与2i n 或正比，即与温度有很大的关系。

若掺入3价元素的杂质可得到P 型半导体。

1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同？解：空穴的导电实际上是价电子导电，在半导体中把它用空穴来表示，它带正电是运载电流的基本粒子，在半导体中，施主杂质电离后，它为半导体提供了一个自由电子，自身带正电，成为正离子，但由于它被固定在晶格中，是不能移动的。

1-3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么？解：漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流，扩散电流是由于浓度差而引起的载流子的定向运动而形成的电流1-4 在PN 结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关？解：PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽，外加电压全部降落在PN 结上，而不能作用于P 区和N 区将少数载流子吸引过来。

漂移大于扩散，由于在P 区及N 区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。

1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？解：将二极管看作一个电阻，其明显的特点是非线性特性。

而一般由导体构成的电阻，在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。

（1） 二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。

第六章存储器和可编程器件6.1 填空1、按构成材料的不同，存储器可分为磁芯和半导体存储器两种。

磁芯存储器利用 正负剩磁 来存储数据；而半导体存储器利用 器件的开关状态 来存储数据。

两者相比，前者一般容量较 大 ；而后者具有速度 快 的特点。

2、半导体存储器按功能分有 ROM 和 RAM 两种。

3、ROM 主要由 地址译码器 和 存储矩阵 两部分组成。

按照工作方式的不同进行分类，ROM 可分为 固定内容的ROM 、 PROM 和 EPROM 三种。

4、某EPROM 有8数据线，13位地址线，则其存储容量为 213×8 。

5、PLA 一般由 与ROM 、 或ROM 和 反馈逻辑网络 三部分组成。

6.2 D 0A 0D 1m(3,6,9,12,15)D 2A 1A 0D 3m(0,5,9,13)==∑=⋅=∑⎧⎨⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪ 6.3地址译码器A1A0D3 D2 D1 D0B1B0m 0m 156.4 1。

F Q Q Q Q Q Q Q F Q Q Q Q Q Q Q Q Q F Q Q 110212102210210210310=⋅+⋅+⋅=⋅⋅+⋅+⋅⋅=⋅⎧⎨⎪⎪⎩⎪⎪2、CP F1F2F36.5A AB BC C i-1i-1S i C i6.6 用PLA 实现BCD8421码十进制加法计数器和相应的显示译码电路。

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