第九章淀积9.1膜淀积在制造工艺中，多种不同类型的膜淀积到硅片上。
在某些情况下，这些膜成为器件结构中的一个完整部分，另外一些膜则充当了工艺过程中的牺牲层，并且在后续的工艺中被去掉。
在芯片加工中，膜淀积通常指薄膜，薄膜就是指某一维尺寸（通常是厚度）远远小于另外两维上的尺寸。
因为这些膜很薄以致它们的电学和机械学特性完全不同于同种材料下更厚的膜。
半导体制造中的薄膜淀积是指任何在硅片衬底上物理淀积一层膜的工艺。
这层膜可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。
淀积膜可以是二氧化硅（SiO2）、氮化硅(Si3N4)、多晶硅以及金属，比如铜和难熔金属（如钨）。
9.1.1 薄膜特性在硅片加工中可以接受的膜必须具备需要的膜特性。
为了满足器件性能的要求，膜一般应具有如下特性：a)好的厚度均匀性b)好的台阶覆盖能力c)填充高的深宽比间隙的能力d)高纯度和高密度e)受控制的化学剂量f)高度的结构完整性和低的膜应力g)好的电学特性h)对衬底材料或下层膜好的粘附性一．厚度均匀性可以接受的薄膜要求厚度均匀性，这意味着薄膜应布满下层材料的各处。
材料的电阻会随着厚度的变化而变化，这是我们不希望看到的。
膜层越薄，就会有更多的缺陷，如针孔等，这会导致膜本身的机械强度降低。
对薄膜而言，我们希望有好的表面平坦度来尽可能减少台阶和缝隙。
二．膜对台阶的覆盖我们期望薄膜在硅片台阶处厚度一致（见图9.1），如果淀积的膜在台阶上过渡的变薄，就容易导致高的膜应力、电短路或者在器件中产生不希望的诱生电荷。
膜的应力要尽可能小，这点很重要，因为应力会导致衬底发生凸起或凹陷的变形。
所有的淀积技术都会在膜中产生应力。
三．高的深宽比间隙深宽比定义为间隙（如槽或孔）的深度和宽度的比值（见图9.2）。
在亚微米尺寸器件的制作中，填充硅片表面上很小的间隙和孔的能力成为最重要的薄膜特性。
对于那些穿过层间介质的通孔，以及用来进行浅槽隔离的槽等，都需要进行有效间隙填充。
高的深宽比的典型值大于3:1，在某些应用中会达到5:1甚至更大。
