晶体管参数在实际使用中的意义
做模拟电路的工程师，都有过使用晶体管（场效应管也是晶体管中的一种）、运放的经验和体会。尤其是在设计时，更会对晶体管的一些电参数进行测试和考量。在测试时，许多人对晶体管电参数的实测值与规格书所提供的规范值，为什么会有很大差异，感到不可思议。有时，一些工程师会用实测值来要求供应商，也有一些工程师会把一些特殊参数作为常规参数进行处理。这样的后果就是整机产品一致性、重复性差，严重时还会出现达不到设计指标，更有甚者是在生产中出现大量损坏电子元器件的异常。此时，许多工程师都会把眼光钉住那些损坏的晶体管上，以为是晶体管的质量问题，导致的异常。殊不知晶体管的损坏，只是一个表面现象，而深层次的原因，往往是设计师自己造成的。引起这些问题的原因有很多，对工程师而言，在选用元器件时，对半导体器件电参数的片面理解，或许是个重要因素。
晶体管的电参数，在常规情况下可分为极限参数、直流参数（DC）、交流参数（AC）等。但在实际的使用中，我发现还有许多想测而无法测量到的参数，为使工作方便，我便称其为“功能参数”。分别述之：
一、极限参数
所谓极限参数，是指在晶体管工作时，不管因何种原因，都不允许超过的参数。这些参数常规的有三个击穿电压（BV）、最大集电极电流（Icm）、最大集电极耗散功率（Pcm）、晶体管工作的环境（包括温度、湿度、电磁场、大气压等）、存储条件等。在民用电子产品的应用中，基本只关心前三个。
1、晶体管的反向击穿电压
定义：在被测PN结两端施加连续可调的反向直流电压，观察其PN结的电流变化情况，当PN结的反向电流出现剧烈增加时，此时施加到此PN结两端的电压值，就是此PN 结的反向击穿电压。
每个晶体管都有三个反向击穿电压，分别是：基极开路时集电极—发射极反向击穿电压（BVceo）、发射极开路时集电极—基极反向击穿电压（BVcbo）和集电极开路时基极—发射极反向击穿电压。此电参数对工程设计的指导意义是：决定了晶体管正常工作的电压范围。
由此电参数的特性可知，当晶体管在工作中出现击穿状态，将是非常危险的。因此，
在设计中，都给晶体管工作时的电压范围，留有足够的余量。实际上，当晶体管长期工作在较高电压时（晶体管实测值的60%以上），其晶体管的可靠性将会出现数量级的下降。有兴趣的可以参考《电子元器件降额准则》。
许多公司在对来料进行入库检验时发现，一些品种的反向击穿电压实测值要比规格书上所标的要大出许多。这是怎么回事呢？
晶体管在生产制造过程中，与一些我们常见的生产完全不一样。在晶体管的生产过程中，可以分成二大块：芯片制造和封装。在工程分类中，习惯把芯片制造统称为“前道”，而把封装行业统称为“后道”。在前道生产中，从投料开始选原材料，到芯片出厂，一切控制数据，给出的都是范围。芯片在正常生产时，投料的最小单位是“编号批”，每批为24或25片4英寸到8英寸直径的园片。就以4寸片为例，每片可出合格的晶体管只数少则上千，多则可近10万。在实际生产中，最小生产单位是“扩散批”，一个扩散批所投的园片从150片到250片之间。可以想象出，在芯片的前道生产中，每次投料，对以单只来计算的晶体管而言，是一个什么样的数量概念。不说别的，要让一个扩散批所有的材料，具有相同的电特性（这里，也可以说是硅片的电阻率），是不可能的。加上硅片中，不可避免的会有一些固有的缺陷（半导体晶格的层错和位错），使得在几乎相同环境中生产出的同一品种的晶体管，不可能具有完全相同的电特性。这样只能给出一个大家都能接受的范围，这就是产品规格书。
为了提高生产效率，现在许多芯片厂都把芯片的“免测率”作为生产线工序能力的一项重要考核指标。所谓的“免测”，是指产品的参数靠设计、工序控制来达到，加工结束后，通过抽测部分相关点的参数，来判断此片的质量情况。当此片的抽测合格率在96%以上时，就把此片芯片列入“免测片”。要使晶体管芯片达到免测试，就必须对其中的一些参数进行“余量放大”。而晶体管的反向击穿电压就是重点之一。为了提高晶体管的反射击穿电压，芯片投料时，就会对材料进行优化，优化的考虑是在最差的工艺加工情况下，所生产出的晶体管反向击穿电压也要比规格书高10~20%，而在生产控制时，为了达到生产工艺设计时的指标，又会考虑在最差的情况下，使产品能够达到设计要求，这样，就使已经被放大过一次的指标再次被大10~20%。这样，就使原来只要求反向击穿电压达到20~30V的晶体管，在实测时，部分就能达到60V以上，甚至更高。这就是为什么有时一些晶体管的反向击穿电压实测值会远大于规格书的原因。尽管一些晶体管的反向击穿电压值远大于规格书，那么，是否就可以以实测值来作为使用的依据呢？回答是否定的。
这是因为，所有的晶体管测试程序，都是以规格书上所提供的参数范围，来作为差别晶体管合格与否的标准。对反向击穿电压而言，只要比规格书上所规定的值大，就判为合格。如果你测量到的反向击穿电压要远高于规格书，不要以为供应商以后发给你的货，都是具有与此相同的电压特性，供应商所提供的商品，永远只会承诺以规格书为准，也只能是以规格
书为准提供商品。规格书上所承诺的，是实际的，而其它，都是虚的。因此，建议在设计选型时，一定要以规格书为准，并留下足够的余量，而不是以实物的测试值为准。
在一些高反压晶体管的规格书上，有些反向击穿电压以BVcer和BVcbr来表述。此种表述的含义是：
BVcer——基极与发射极之间，接有一只KΩ量纲的电阻，其它测试原理、测试条件与BVceo相同。同样，BVcbr在测试晶体管的C-B结的反向击穿电压时，其晶体管的发射极不是悬空，而是通过一只KΩ量纲的电阻接到“零电位”。晶体管的反向击穿电压高低的排列是：BVcbo≥BVcbr>BVcer>BVceo。
2、晶体管的最大集电极电流Icm
定义：晶体管处于共发射极工作时，集电极—发射极之间的电压为一定值，增加晶体管的Ic，随着Ic的增加，晶体管的放大会减小。当晶体管的放大降到是正常时（测试条件）的一半时，此时的Ic就称为Icm。此电参数对工程设计的指导意义是：决定了晶体管正常工作的电流范围。此电参数与放大有关。从放大（此处所说的放大是指晶体管在共发射极电路时的Hfe。在没有特别说明时，都是指此）的公式上可知：
Ic=Iceo+β*Ib（Vce=常数），其中Iceo是晶体管的漏电流，又称穿透电流。晶体管在通电后，总有漏电流（Iceo）的存在。而且Iceo与温度强相关。因此，此参数也与温度强相关。
双极型晶体管是电流控制器件。在设计时，对此项参数的考虑要点是必须考虑晶体管的工作环境温度。随着温度升高，放大升高，使晶体管的Ic增大，当进入恶性循环后，晶体管会很快失效。在设计时，整机中Ic的实测值，不要超过规格书所标的60%。如果超过此值，同样会使晶体管的可靠性出现数量级的下降。对此可以从硅材料的导电特性（趋边效应）中，找到答案。
3、集电极最大耗散功率Pcm
定义：晶体管工作时，施加在集电极—发射极之间的电压和流过该晶体管集电极电流的乘积，即为此晶体管的集电极耗散功率。所谓集电极最大耗散功率Pcm则是考虑到晶体管的热阻、最高结温等综合因素，以文字形式，规定的值，此数值由规格书提供。
晶体管的Pcm除了与芯片面积有关外，还与封装形式有关。一般情况下，封装为TO-92的，Pcm<650mW，封装为TO-126的，Pcm<1.25W，封装为TO-220的，Pcm<2W。
当芯片采用TO-220的封装时，基本就与芯片面积无关了。需要说明的是，在这里的说的Pcm，都是不带散热片的“裸管”。此电参数对工程设计的指导意义是：决定了晶体管正常工作的功率范围。
需要说明的是，Pcm是无法进行测量的，只能靠设计和工艺保证。如果从单一的极限参数来讲，BV（反向击穿）是可逆的，即降低电压，晶体管仍能恢复原来的特性；瞬间的集电极电流超过Icm了，晶体管也就是放大变差而已。但对Pcm就不是了，如果晶体管工作时的Pc超过了Pcm，那怕是瞬间（毫秒级）的，则晶体管也很可能会永久失效，至少会使P-N结受损，这样，会导致整机的可靠性大大下降。我在进行客户服务的过程中，此类事遇到过多次。
遇到这种情况，建议要首先计算一下晶体管的功率。从Pcm的安全区来讲，设计时不要超过50%为好。现在，许多客户在使用晶体管时，往往都把管子的余量用足了，我以为，这是工程师对产品不负责任的表现。要知道，晶体管的余量是分段、分级的，设计、工艺所设定的余量，是留给产品本身的。而且，既然是余量，就会有大有小，而你拿到的样品，则是随机的，如果在这里把样品作为蓝本，则就是埋下了一颗“定时**”，不知什么时候会让你手忙脚乱。所以我们在设计产品时，也应该给客户留下足够的余量，这是我们工程师的职责。
对于Pcm的设计，一定要从最坏的处着手分析，同时，还要考虑环境温度的影响。否则，很可能出现意想不到的异常。Pcm对半导体器件的限制，可推广到所有的半导体产品。
二、直流参数（DC）
常规的直流参数有：三个反向漏电流（Iceo、Icbo、Iebo）、两个饱和压降（Vces、Vbes）、共发射极放大（Hfe或β）。分述如下。
1、晶体管反向漏电流
定义：在PN结两端加一定值反向直流电压，此时检测到的电流，即为被测晶体管的反向漏电流。
一个双极型晶体管的反向漏电流有三个，分别是基极开路，集电极—发射极间的漏电流Iceo、发射极开路，集电极—基极间的漏电流Icbo、以及集电极开路，基极—发射极间的漏电流Iebo。此参数对工程的指导意义是提供了晶体管在设计时所需考虑的电流影响及整机工作时因温度升高，对晶体管此参数的要求。
实际上，目前所使用的晶体管，大部份是以硅材料制成的。由硅材料的特性可知，在常温下其漏电是很小的，基本是微安级。但，当温度升高后，其漏电的增涨速率则很高。因此，在用于精密放大（测量）时，一定要注意此参数对放大器的影响。
2、晶体管的饱和压降
定义：当晶体管的两个结（集电结、发射结）都处于正偏时，则称此晶体管处于饱和状态，此时，发射结对电流阻碍时产生的电压降，称为前向饱和压降（又称正向压降），记为Vbes；集电结对电流阻碍时产生的电压降，称为反向饱和压降，记为Vces。当晶体管处于饱和状态时，其基极电流对晶体管的控制将失去作用，此时，集电极—发射极间的管压降最小。此参数对工程的指导意义是：Vces—限制了晶体管工作时的动态范围；而Vbes—则是指出了晶体管的输入要求及范围。
此参数在实际应用中，出问题的较少。在设计时，只要考虑到随着温度升高，饱和压降会变大，对基极注入来讲，Vbes小，导致的结果是Ib增大，对晶体管的输出来讲，Vces 小会出现工作点偏移。
3、晶体管的共发射极直流放大系数Hfe
定义：晶体管在共发射极的工作状态时，固定晶体管的集电极—发射极电压（VCE=一定值），在规定的Ic条件下，测量Ib的值，用公式
Ic=Iceo+β*Ib（Vce=常数），其中Iceo是晶体管的漏电流，又称穿透电流）求出
β≈Ic/Ib（忽略晶体管的漏电流Iceo）。此参数与温度强相关。此参数指明了晶体管基极电流对集电极电流的控制能力。其指导意义是给出了晶体管输出与输入之间的关系。在设计一个电路时，都是从末级输出开始，一步一步往前推，一级一级往前算，这就是对每个晶体管的放大量、工作点进行计算和确认。
我在做售后服务近程中，所碰到问题最多的是客户在进厂检验时，对供应商所供给晶体管的放大提出疑问。在处理此类问题时，发现了对放大检测过程中的误区，在此想通过解释，使大家对晶体管的放大有一个正确的理解。
A：晶体管的放大，在前道生产中是最重要的一个物理控制参数。测试时，除了严格安照产品设计规格要求的测试条件进行外，对环境温度也进行了严格的控制。一般，芯片加工厂测试工序的温度控制范围是22.5℃±0.5℃，而在封装厂，因各个公司的生产条件不尽相同，所能进行控制的精度不尽相同，这样，同一品种的晶体管，在不同的时期，出现冬天放大偏小，夏天放大偏大的现象。而在整机厂的进厂检验工位，其环境温度的控制远不如封
装厂这样讲究，在这样的环境下检测晶体管的放大，出现误差就在所难免。当某批货的放大在规格书范围的边缘时，就会出现进厂检验不合格。对此，建议整机厂在对晶体管的放大进行专项验收时，应该在规格书上所承诺的范围上适当地放宽接收标准。
B：晶体管的放大系数，是在一种特定的条件下测得的。从晶体管的各种等效电路上可知，Hfe与Ic的值强相关。有些整机厂为了降低生产成本，采用数字万用表对几乎所有的晶体管进行测试，并以此来作为进厂检验的标准，这实在是对晶体管放大的理解太肤浅了。根据我对数字万用表的检测，发现几乎所有的数字万用表测晶体管时所提供的测试条件是Vce=3V，Ic=0.5~1mA,此测试条件与9014、9015的常规条件相近外，与9012、8050等Icm 较大的品种，相距甚远。如果你说，我以所保留的样品为准，同样是很荒唐的。因为，你的所谓样品的放大，是在芯片加工的控制范围以外的，对此，没有重复性可言。
C：对于选取Hfe的原则。当我们确定使用某款晶体管后，首先要对此管子的放大有一个初步了解。有人说，规格书不是已经提供了吗？而我以为，规格书所提供的范围，是非常粗的。这里，你所设置的工作点，不见得与规格书所标的测试条件相同，你所要求的放大，不见得就是规格书所标出的值。因此，当你设计计算结束后，应该把晶体管在你所设定的电流条件下对所有品种的晶体管都测试一遍，从中看看自己的设定有没有问题，然后，还要查一下规格书中的曲线图，验证一下所选的晶体管是不是在安全区内。跟着才是做样板或样机。在对样机的检测中，要注意晶体管的温度变化（尤其是功放级），是不是在自己的控制这内。如果一切都顺利，也不能就此掉以轻心，以为大功告成，因为许多异常，只有在大生产时才会出现。
三、交流参数（AC）
晶体管的AC参数有很多，不同的使用环境、要求、功能，对晶体管的交流参数要求的侧重点是完全不一样的。例：当晶体管用于调频收音机的高放时，普通收音机只要关心fT 就够了，但如果此收音机在二级以上，则就要对完成高放功能的晶体管，还会有噪声（NF）的要求。对此类参数重点叙述fT、ts及相关的tf和td.分述如下：
1、共发射极放大时的截住频率fT
定义：晶体管处于共发射极的工作状态时，基极输入信号的频率达到一定数量时，晶体管的放大会出现下降。当频率升高到此管的放大等于1时，此频率就称为晶体管的截住频率，又称为特征频率。
一般，在规格书上，都会有fT的值。注意此参数与晶体管的Ic有关，一情况下，Ic 越大，测到的fT越高。此参数另一个特性是，当放大下降到10倍后，频率的升高与放大的
下降呈线性关系。完全可以用直流方程来求解其中的点。此参数对工程设计的指导意义是规定了晶体管在共发射极状态下，最高工作频率范围。
当所设计的线路，要考虑到晶体管的fT时，放大器的工作频率只能是fT的十分之一以下。但，不是晶体管的频率越高越好，如果晶体管的频率太高，则会增加引起放大器在工作时自激的可能。在做样板时，还要注意因频率升高后，对PCB板的一些特殊要求。
2、晶体管的开关参数
当晶体管用于模拟开关作用时，其工作区是晶体管的工作点从截止区到饱和区轮换进行。无论哪种开关，都会有延迟出现。在规格书上，往往会提供ton、toff的规范。此参数对开关三极管来讲，是一组很重要的参数。在这里，对此参数不进行专门说明。在开关电源普遍应用于各类电器时，各种门类的开关电源，已经是遍地开花。但我在与一些电源生产公司的工程师交流时发现，许多工程师对开关电源的性能、安全性影响极大的晶体管开关时间，很少关注，而往往只关注晶体管的击穿电压、放大等。对晶体管的这种片面理解，往往会导致生产中出现问题时，感到无从下手。下面重点谈谈此问题。
当晶体管工作在开关状态时，首先假设晶体管是处于截止状态（即关闭状态）。当在晶体管的基极注入一足够大的正向电流开始，到完成一次翻转，要经过4个阶段，分别是：集电极电流从“0”开始增大，升至Icm的10%所需的时间，称为延迟时间，记作td；集电极电流从Icm的10%开始，升至Icm的90%时所需的时间，称为上升时间，记作tr；
此时，晶体管被认为呈开启状态。注意，此时因输入信号仍维持高电平，，所以晶体管的Ic将继续增大，只要此注入信号维持足够长的时间，晶体管就会进入深饱和状态。当晶体管进入深饱和后，基极电流的增加，对集电极电流将失去控制，仅仅能起维持作用。这一点很重要！这两段时间之和相当于规格书中的开启时间ton.也就是说：ton=td+tr
当注入信号由上升转为下降，集电极电流将从饱和区退出。集电极电流在基极注入反向电流后，从Icm开始下降，到下降至90%时，所需的时间，称为储存时间，记作ts；
集电极电流从Icm的90%降到10%的Icm所需的时间，称为下降时间，记作tf。显然，这两段时间之和，就相当于规格书中的关断时间toff.也就是说：toff=ts+tf.
在这四个时间段里，ts所占用的时间最长。对电路的影响也最大。但其它几个时间段如果不给予足够的注意，同样会出大漏子。
在此，给出晶体管一个工作周期的功耗：
A：晶体管截止时的功耗：Poff=Iceo*Vcc*toff/T；B：晶体管导通时的功耗：Pon=Ic*Vces*ton/T；
C: 晶体管开通过程中的功耗：Pr=1/6T Ic(Vc+2Vces)tr；D：晶体管关断过程中的功耗：Pf=1/6T Ic(Vc+2Vces)tf。
总功耗：Pc=A+B+C+D=Poff+Pon+Pr+Pf
在以上这组公式中，截止功耗和导通功耗都比较好理解。对于开通、关断过程的功耗，没有进行推导，直接采用了在许多专业书籍上推导的结果。有兴趣的可以在介绍这方面原理的书中找到。
以上是从理论上对晶体管的开关状态时的功耗进行了分析。从中可以发现，晶体管的功耗，与晶体管的开关时间直接相关。晶体管工作的物理过程中，我们已知的事实是：晶体管从截止到饱和，经过放大区的时间可以做得很短，也就是说，从晶体管的截止到饱和，只要给晶体管注入足够大的基极电流，晶体管就能很快进入饱和状态。但晶体管要从饱和退回到截止，就不是那么容易了。因ts的存在，使晶体管在经过放大区时，所需的时间很长。晶体管在功耗，在放大区是最大的。因此，晶体管在转换过程中，此过程中的功耗，起了主要作用。实践中发现，晶体管的ts,对振荡频率的影响最大。当晶体管起振后，随着晶体管壳温升高，晶体管几乎所有的电参数发生了变化。其中，影响最大的是放大、和开关参数。放大变化后，对电路所产生的影响，相信工程师们都有体会，但对开关参数变化所引起的后果，则往往很少注意。而晶体管在开关电源应用中的失效，恰恰大部分是因开关时间在高温下的变化率太大而致。我曾做过这方面的实验：用一组放大基本相似、但开关时间不同的晶体管在同样的条件下试验，结果发现，凡是温度异常升高，严重时炸管的，都是tf较大的晶体管。通过反复对比，发现当晶体管用于节能灯时，tf的影响，不如开关电源那么敏感。而当晶体管用于节能灯时，则对ts相当敏感。在此，可以给出试验结论：
晶体管用于节能灯时，ts对灯功率、启动电压相当敏感。在芯片面积小于1平方毫米时，希望ts的取值越大越好，至少要在0.7微秒以上；在芯片面积大于1平方毫米、小于1.84平方毫米时，要求ts的范围在2.5—4.5微秒左右；而当芯片面积大于2平方毫米时，因芯片加工工艺的关系，不能给出统一的标准，只能说靠实验来定了。顺便说一下，芯片面积越大，则ts也就越大。
当晶体管用于开关电源时，如果是线路是采用单管变压器反馈振荡的，则要求tf小于0.7微秒，如果线路采用的是集成电路控制PWM的双管变换线路的，则除了对ts有要求外，对晶体管的tf、td都得加以注意，一定要通过试验得出结论后，才能投产。顺便说一下，tf 与BVCEO电压强相关，击穿电压越高，则tf 越大。而且，要使ts减小，可以通过辐照等
工艺，使参数满足要求，而辐照，对tf几乎没有影响。所以，在选用晶体管的参数时，不能只考虑某项单一参数，而要进行全面权衡。
讲到这里，基本上就把我对工作实际中，对晶体管参数的考虑要点，全部说完了。大家在做工程中，肯定还有许多的体会和认识。这是在我们上课时，教室里学不到的体会。在这里，我不谈什么理论的出处，如何推导。因为我想，晶体管基础理论的书已经出得够多的了。但，要提高自己的业务能力，光靠读书，是没有用。在此，仅作为抛砖引玉吧。
四、对一些异常现象的分析思路和实例
了解晶体管的电参数，是为了用好晶体管。什么叫用好晶体管？是一个智者见智，仁者见仁的问题，我相信不会有唯一的答案。我想，作为电子应用工程师，除了对晶体管有所了解，还必须对其它的电子元器件有所了解。在你设计的电路中，就是你对这些元器件理解的组合。在一个电路中，让晶体管工作在最合适的工作点上，发挥着最佳性能，在完成所希望功能的同时，有较高的可靠性，对晶体管而言，基本就算用好了。实际上，晶体管只是我们通常使用的电子元器件中的一类，所有电子产品，都是各类电子元器件的有机组合体。因此，我们在设计一件电子产品时，就是把这些电子器件按人们的要求进行组合。因各人对电子器件的理解不同，对同一类产品的设计理念不同，就导致了功能各异、性能各异的电子产品。但从原则性角度上讲，我认为最重要的是：要从“系统”的角度来看待在我们手中做出的产品。下面谈谈我亲身经历过的几件事。
一、在我负责收音机电路的售后服务时，曾碰到过这样一种现象，生产线上流出的成品，在入仓库，抽检中出现坏机，坏机的现象是调频灵敏度下降，噪声增大。经查，是主IC 的调频输入端已损坏。失效率在3%以上。对此，分析了IC芯片、组装工艺、生产线的状态，均无异常。
对IC芯片进行解剖后发现，在输入端有电场击穿的痕迹。而对生产的现场，进行检查、跟踪，得出了都在该公司的质量控制范围的结论。而且，当时的天气并不是很干燥，找出这种高压电脉冲是从哪里来的，就成了当务之急。因为问题是在入库检查时发现的，所以，就从最后一道工序往前走。走了几遍，没发现问题。这时我就对每道工序都提了个为什么——“此工序要达到的结果是什么”，然后再问一下自己，“此种操作，会引起IC的损伤吗”？
带着这样的心情再走在生产现场，果然就有收获了：最后一道工序，是包装，而在包装前，该公司为了收音机表面的清洁，几乎对每台机都用一种有机溶剂，进行了擦试。用这种工艺对外接的拉杆天线进行处理进，产生的静电则由于没有泄放回路，而保留在整机中。当这些电荷通过IC的高放电路对地（对电源同）形成泄放时，而此IC的高放，是整块电路
中最薄弱的部分，所以就很可能使此IC损坏。想通后，就建议在此IC的高放输入端接入了双向保护二极管，问题得到解决。
二、在某电源整机厂，在相同的输出功率情况时，用晶体管Pcm较小（即芯片面积相对较小）的管子正常，而用Pcm较大（即芯片面积相对较大）的晶体管却大量损坏的现象。解剖这些失效的晶体管，都是过功率型损坏。在该公司现场了解到的情况使我大吃一惊：
1.振荡频率达到了75KHZ以上，部分在90KHZ；
2.该公司为了提高产品的质量，对所有整机都进行超功率1.2倍的高温老化。经现场计算，此时，晶体管的Pcm已经超出了规格书的数据。
对此，我作了如下解释：
1.双极型晶体管在用于开关电源时，受ts、tf等参数的影响，其振荡频率不能超过50KHZ，否则，晶体管在转换过程中，因通过放大区的时间太长，晶体管的功耗会明显增大，加上此电源又是处于密封状态，在这些综合因素的影响下，会使晶体管的失效率明显上升；
2.考核时（尤其是在高温环境下），不能让晶体管工作在过功率状态，至于说，为了提高整机的可靠性而加大老化功率，则更是无从谈起，因为，老化只是一种工艺筛选的手段，对产品设计时，只能起到验证的作用。而且，在高温环境中，对电子产品进行过功率老化，有可能使正常的晶体管受损，反而降低了产品的可靠性。
3.综合这些因素，我以为，只要使用这种方案，早晚要出事。所以当时就给出了两个方案：（1）客户改线路，至少要把考核的功率降下来；（2）改供应商。因为我公司产品的性能达不到该整机厂的要求。
此例给我一个启示：工程师在设计东西时，除了对整机要有一个正确的认识外，对电子元器件也要有正确的认识。不然，很可能是好心办坏事。
三、某公司在一款交换机的电源制作中，出现输出效率偏低的异常。一般，开关电源的振荡频率在35—50KHZ，此时常用肖特基管或快恢复二极管作为整流二极管（普通整流二极管的工作频率小于1000HZ）。由于此电源的开路电压较高，就选用了快恢复二极管（国产肖特基二极管的最高反向击穿电压小于200V）。对此，我认为是整流二极管的工作效率不够而引起。但因没有检测设备，只能把这些异常的二极管带回公司进行测试。
首先，二极管的所有直流参数全部正常，但要对二极管测试交流参数，则必须在专用测试仪上进行。而此类设备，一般在非专业生产厂家，是不会有的。当时，考虑到普通的整流二极管与快恢复二极管肯定存在着某些差异，而要检测这类差异的，只有一台电容测试仪。于是就对比检测了普通整流二极管4007与107之间的结电容大小。发现反馈样品与4007的结电容量值几乎相同，而与公司库存快恢复二极管的结电容有明显的差异。于是得出了可能是供应商在发货中出现了混料的结论。把这些客户的反馈样品交供货商进行检测，得到了证实。
此事给我的启示是：只要我们对一种元器件有了正确的理解，就能从特性上找出差异，
对所出现的问题，也就可以做出正确的判断。
回忆本人几十年的工作经历，深深感到，当我把所有的事，都从系统的角度上进行分析考虑时，出现了一个自己都意想不到的飞跃。而这个飞跃，是靠日积月累的动手、体会、再动手、总结而得到的。想做一个工程师，就要有一种刨根问底的精神。并且一定要自己总结。只有这样，才能把书本上的知识，变成自己的知识。相信大家都有这方面的体会。我想，如果把这些东西总结出来，汇编成册，一定是本好书。大家一起努力吧。
2N系列功率晶体管技术参数 2N1304GE-N25V0.3A0.15W10MHz 2N1305GE-P30V0.3A0.15W5MHz 2N1307GE-P30V0.3A0.15W B>60 2N1613SI-N75V1A0.8W60MHz 2N1711SI-N75V1A0.8W70MHz 2N109GE-P35V0.15A0.165W 2N1893SI-N120V0.5A0.8W 2N2102SI-N120V1A1W<120MHz 2N2148GE-P60V5A12.5W 2N2165SI-P30V50mA0.15W18MHz 2N2166SI-P15V50mA0.15W10MHz 2N2219A SI-N40V0.8A0.8W250MHz 2N2222A SI-N40V0.8A0.5W300MHz 2N22232xSI-N100V0.5A0.6W>50 2N2223A2xSI-N100V0.5A0.6W>50 2N2243A SI-N120V1A0.8W50MHz 2N2369A SI-N40V0.2A.36W12/18ns 2N2857SI-N30V40mA0.2W>1GHz 2N2894SI-P12V0.2A 1.2W60/90ns 2N2905A SI-P60V0.6A0.6W45/100 2N2906A SI-P60V0.6A0.4W45/100 2N2907A SI-P60V0.6A0.4W45/100 2N2917SI-N45V0.03A>60Mz
2N2926SI-N25V0.1A0.2W300MHz 2N2955GE-P40V0.1A0.15W200MHz 2N3019SI-N140V1A0.8W100MHz 2N3053SI-N60V0.7A5W100MHz 2N3054SI-N90V4A25W3MHz 2N3055SI-N100V15A115W800kHz 2N3055SI-N100V15A115W800kHz 2N3055H SI-N100V15A115W800kHz 2N3251SI-P50V0.2A0.36W 2N3375SI-N40V0.5A11.6W500MHz 2N3439SI-N450V1A10W15MHz 2N3440SI-N300V1A10W15MHz 2N3441SI-N160V3A25W POWER 2N3442SI-N160V10A117W0.8MHz 2N3495SI-P120V0.1A0.6W>150MHz 2N3502SI-P45V0.6A0.7W200MHz 2N3553SI-N65V0.35A7W500MHz 2N3571SI-N30V0.05A0.2W 1.4GHz 2N3583SI-N250/175V2A35W>10MHz 2N3632SI-N40V0.25A23W400MHz 2N3646SI-N40V0.2A0.2W 2N3700SI-N140V1A0.5W200MHz 2N3707SI-N30V0.03A0.36W100MHz 2N3708SI-N30V0.03A0.36W80MHz 2N3716SI-N100V10A150W4MHz
常见大中功率管三极管参数 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1402 1500V 5A 120W * * NPN 2SD1399 1500V 6A 60W * * NPN 2SD1344 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1343 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1342 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1941 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1911 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1341 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1219 1500V 3A 65W * * NPN 2SD1290 1500V 3A 50W * * NPN 2SD1175 1500V 5A 100W * * NPN 2SD1174 1500V 5A 85W * * NPN 2SD1173 1500V 5A 70W * * NPN 2SD1172 1500V 5A 65W * * NPN 2SD1143 1500V 5A 65W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1142 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD1016 1500V 7A 50W * * NPN 2SD995 2500V 3A 50W * * NPN 2SD994 1500V 8A 50W * * NPN 2SD957A 1500V 6A 50W * * NPN 2SD954 1500V 5A 95W * * NPN 2SD952 1500V 3A 70W * * NPN 2SD904 1500V 7A 60W * * NPN 2SD903 1500V 7A 50W * * NPN 2SD871 1500V 6A 50W * * NPN 2SD870 1500V 5A 50W * * NPN 2SD869 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD838 2500V 3A 50W * * NPN 2SD822 1500V 7A 50W * * NPN 2SD821 1500V 6A 50W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD348 1500V 7A 50W * * NPN 2SC4303A 1500V 6A 80W * * NPN 2SC4292 1500V 6A 100W * * NPN 2SC4291 1500V 5A 100W * * NPN 2SC4199A 1500V 10A 100W * * NPN 2SC3883 1500V 5A 50W * * NPN 2SC3729 1500V 5A 50W * * NPN 2SC3688 1500V 10A 150W * * NPN
晶体管的特性曲线 晶体管特性曲线即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。为什么要研究特性曲线： (1) 直观地分析管子的工作状态 (2) 合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的电路重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 1.测量晶体管特性的实验线路 图1 共发射极电路 共发射极电路：发射极是输入回路、输出回路的公共端。如图1所示。 2．输入特性曲线 输入特性曲线是指当集-射极电压U CE为常数时，输入电路( 基极电路)中基极电流I B与基-射极电压U BE之间的关系曲线I B = f (U BE)，如图2所示。 图2 3DG100晶体管的输入特性曲线 U CE=0V时，B、E间加正向电压，这时发射结和集电结均为正偏，相当于两个二极管正向并联的特性。 U CE≥1V时，这时集电结反偏，从发射区注入基区的电子绝大部分都漂移到
集电极，只有小部分与空穴复合形成I B。U CE>1V以后，I C增加很少，因此I B 的变化量也很少，可以忽略U CE对I B的影响，即输入特性曲线都重合。 由输入特性曲线可知，和二极管的伏安特性一样，晶体管的输入特性也有一段死区。只有在发射结外接电压大于死区电压时，晶体管才会导通，有电流I B。 晶体管死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。晶体管正常工作时发射结电压：NPN型硅管U BE0.6 ~ 0.7) V PNP型锗管U BE0.2 ~ 0.3) V 3．输出特性曲线 输出特性曲线是指当基极电流I B为常数时，输出电路(集电极电路)中集电极电流I C与集-射极电压U CE之间的关系曲线I C = f (U CE)，如图3所示。 变化曲线，所以晶体管的输出特性曲在不同的I B下，可得出不同的I C随U CE 线是一族曲线。下面结合图4共发射极电路来进行分析。 图3 3DG100晶体管的输出特性曲线图4 共发射极电路 晶体管有三种工作状态，因而输出特性曲线分为三个工作区 (1) 放大区 在放大区I C=βI B，也称为线性区，具有恒流特性。在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 对NPN 型管而言, 应使U BE> 0, U BC< 0，此时，U CE> U BE。 (2) 截止区I B = 0 的曲线以下的区域称为截止区。 I B = 0 时, I C = I CEO(很小)。(I CEO<0.001mA)。对NPN型硅管，当U BE<0.5V 时, 即已开始截止, 为使晶体管可靠截止, 常使U BE≤0。截止时, 集电结也处于反向偏置(U BC≤ 0),此时, I C≈0, U CE≈U CC。 (3) 饱和区当U CE< U BE时，集电结处于正向偏置(U BC> 0)，晶体管工作于饱和状态。
半导体二极管参数符号 CT-势垒电容 Cj-结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv-偏压结电容 Co-零偏压电容 Cjo-零偏压结电容 Cjo/Cjn-结电容变化 Cs-管壳电容或封装电容 Ct-总电容 CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC-电容温度系数 Cvn-标称电容 IF-正向直流电流（正向测试电流）。 锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）-正向平均电流 IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH-恒定电流、维持电流。 Ii-发光二极管起辉电流 IFRM-正向重复峰值电流 IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)-正向过载电流 IL-光电流或稳流二极管极限电流 ID-暗电流 IB2-单结晶体管中的基极调制电流
IEM-发射极峰值电流 IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM-最大输出平均电流 IFMP-正向脉冲电流 IP-峰点电流 IV-谷点电流 IGT-晶闸管控制极触发电流 IGD-晶闸管控制极不触发电流 IGFM-控制极正向峰值电流 IR（AV）-反向平均电流 IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电 流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM-反向峰值电流 IRR-晶闸管反向重复平均电流 IDR-晶闸管断态平均重复电流 IRRM-反向重复峰值电流 IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） Irp-反向恢复电流 Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 Izk-稳压管膝点电流 IOM-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 IZSM-稳压二极管浪涌电流 IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF-正向总瞬时电流 iR-反向总瞬时电流 ir-反向恢复电流
常用场效应管和晶体管参数大全 2010年03月04日 10:13 .elecfans.co 作者：佚名用户评论（1）关键字：晶体管参数(6)场效应管(6) 常用场效应管和晶体管参数大全 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应 IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应 IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应 IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应 IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应 IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应 IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应 IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应 IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应 IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应 IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应 IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应 IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应 IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应 IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应 IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应 IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应 IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应 IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应 IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应 IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应
半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量 一、实验目的 1、了解半导体特性图示仪的基本原理 2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。 二、预习要求 1、阅读本实验的实验原理，了解半导体图示仪的工作原理以及XJ4810 型半导体管图示仪的各旋钮作用。 2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。 三、实验原理 （一）半导体特性图示仪的基本工作原理 任何一个半导体器件，使用前均应了解其性能，对于晶体三极管，只要知道其输入、输出特性曲线，就不难由曲线求出它的一系列参数，如输入、输出电阻、电流放大倍、漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。但如何得到这两组曲线呢？最早是利用图4-1 的伏安法对晶体管进行逐点测试，而后描出曲线，逐点测试法不仅既费时又费力，而而且所得数据不能全面反映被测管的特性，在实际中，广泛采用半导体特性图示仪测量的晶体管输入、输出特性曲线。 图4-1 逐点法测试共射特性曲线的原理线路用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是用图4-2（a）中幅度随时间周期性连续变化的扫描电压UCS代替逐点法中的可调电压EC，用图4-2（b）所示的和扫描电压UCS的周期想对应的阶梯电流iB来代替逐点法中可以逐点改变基极电流的可变电压EB，将晶体管的特性曲线直接显示在示波管的荧光屏上，这样一来，荧光屏上光点位置的坐标便代替了逐点法中电压表和电流表的读数。
1、共射输出特性曲线的显示原理 当显示如图4-3 所示的NPN 型晶体管共发射极输出特性曲线时，图示仪内部和被测晶体管之间的连接方式如图4-4 所示. T是被测晶体管,基极接的是阶梯波信号源,由它产生基极阶梯电流ib 集电极扫描电压UCS直接加到示波器(图示仪中相当于示波器的部分,以下同)的X轴输入端,,经X轴放大器放大到示波管水平偏转板上集电极电流ic经取样电阻R得到与ic成正比的电压,UR=ic,R加到示波器的Y轴输入端,经Y轴放大器放大加到垂直偏转板上.子束的偏转角与偏转板上所加电压的大小成正比,所以荧光屏光点水平方向移动距离代表ic的大小,也就是说,荧光屏平面被模拟成了uce-ic 平面. 图4-4 输出特性曲线显示电路输出特性曲线的显示过程如图4-5 所示 当t=0 时, iB =0 ic=0 UCE =0 两对偏转板上的电压均为零,设此时荧光屏上光点的位置为坐标原点。在0-t1,这段时间内,集电极扫描电压UCS 处于第一个正弦半波周期。
常用晶体管参数表 索引晶体管型号反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN 9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP 9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN 9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN 9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP 9018 30V 0.05A 0.4W * 1GHZ NPN 2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN 2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN 2N2907 60V 0.6A 0.4W 200 * NPN 2N3055 100V 15A 115W * * NPN2N 2N3440 450V 1A 1W * * NPN 2N3773 160V 16A 150W * * NPN 2N5401 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ PNP 2N5551 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ NPN 2N5685 60V 50A 300W * * NPN 2N6277 180V 50A 300W * * NPN 2N6678 650V 15A 175W * * NPN 2SA 2SA1009 350V 2A 15W ** PNP 2SA1012Y 60V 5A 25W ** PNP 2SA1013R 160V 1A 0.9W * * PNP 2SA1015R 50V 0.15A 0.4W * * PNP 2SA1018 150V 0.07A 0.75W * * PNP 2SA1020 50V 2A 0.9W * * PNP 2SA1123 150V 0.05A 0.75W * * PNP 2SA1162 50V 0.15A 0.15W * * PNP 2SA1175H 50V 0.1A 0.3W * * PNP 2SA1216 180V 17A 200W * * PNP 2SA1265 140V 10A 30W ** PNP 2SA1266Y 50V 0.15A 0.4W * * PNP 2SA1295 230V 17A 200W * * PNP 2SA1299 50V 0.5A 0.3W * * PNP 2SA1300 20V 2A 0.7W * * PNP 2SA1301 200V 10A 100W * * PNP 2SA1302 200V 15A 150W * * PNP 2SA1304 150V 1.5A 25W ** PNP 2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNP 2SA1358 120V 1A 10W *120MHZ PNP 2SA1390 35V 0.5A 0.3W * * PNP 2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP 2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP 2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP
双极型晶体管 晶体管的极限参数 双极型晶体管（Bipolar Transistor） 由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度快，但输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。 晶体管：用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管. 晶体管分类：NPN型管和PNP型管 输入特性曲线：描述了在管压降UCE一定的情况下，基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性，可表示为：硅管的开启电压约为0.7V，锗管的开启电压约为0.3V。 输出特性曲线：描述基极电流IB为一常量时，集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。可表示为： 双击型晶体管输出特性可分为三个区 ★截止区：发射结和集电结均为反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。 ★饱和区：发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区IC不受IB的控制，管子失去放大作用，U CE@0，IC=EC／RC，把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状态。 ★放大区：发射结正偏，集电结反偏。 放大区的特点是： ◆IC受IB的控制，与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。 ◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小，间隔越大表示管子电流放大系数b越大。 ◆伏安特性最低的那条线为IB=0，表示基极开路，IC很小，此时的IC就是穿透电流ICEO。 ◆在放大区电流电压关系为：UCE=EC-ICRC, IC=βIB ◆在放大区管子可等效为一个可变直流电阻。 极间反向电流：是少数载流子漂移运动的结果。
常用场效应管和晶体管参数大全 常用场效应管和晶体管参数大全 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NMOS场效应IRF630 200V 9A 75W * * NMOS场效应IRF610 200V 3.3A 43W * * NMOS场效应IRF541 80V 28A 150W * * NMOS场效应
Diode 肖特基二极管 (Schottky Diode) Symbol Para m eter V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压V R DC Blocking Voltage 反向直流电压 V R(RMS)RMS Reverse Voltage 反向电压有效值 I F(AV)Average Rectified Forward Current 正向平均电流 Current 反向电流 I R Reverse I FSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 正向浪涌电流 Voltage 正向直流电压V F Forward C j Typical Junction Capactiance 结电容 Dissipation 耗散功率P D Power T j Operating Junction Temperature 工作结温 T stg Storage Temperature Range 存储温度 R th(j-a)Thermal Resistance from Junction to Ambient 结到环境的热阻 Pin二极管 (Pin Diode) Symbol Para m eter V R Continuous reverse voltage 反向直流电压 I F Continuous forward current 正向直流电流 voltage 正向电压V F Forward current 反向电流 I R Reverse capacitance 二极管电容 C d diode r d diode forward resistance 二极管正向电阻P tot total power dissipation 总的功率损耗Temperature 结温T j Junction temperature 存储温度T stg storage TVS二极管 (TVS Diode) Symbol Para m eter I PP Maximum reverse peak pulse current 峰值脉冲电流 voltage 钳位电压V C Clampling I R Maximum reverse leakage current 最大反向漏电流 voltage 击穿电压V(BR) Breakdown V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压V F Forward voltage 正向电压 current 正向电流 I F Forward current 测试电流 I T Test
常用晶体管参数查询
常用晶体管参数查询 Daten ohne Gewahr 2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W | 2N1304 GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz 2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz | 2N1307 GE-P 30V 0.3A 0.15W B>60 2N1613 SI-N 75V 1A 0.8W 60MHz | 2N1711 SI-N 75V 1A 0.8W 70MHz 2N1893 SI-N 120V 0.5A 0.8W | 2N2102 SI-N 120V 1A 1W <120MHz 2N2148 GE-P 60V 5A 12.5W | 2N2165 SI-P 30V 50mA 0.15W 18MHz 2N2166 SI-P 15V 50mA 0.15W 10MHz | 2N2219A SI-N 40V 0.8A 0.8W 250MHz 2N2222A SI-N 40V 0.8A 0.5W 300MHz | 2N2223 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50 2N2223A 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50 | 2N2243A SI-N 120V 1A 0.8W 50MHz 2N2369A SI-N 40V 0.2A .36W 12/18ns | 2N2857 SI-N 30V 40mA 0.2W >1GHz 2N2894 SI-P 12V 0.2A 1.2W 60/90ns | 2N2905A SI-P 60V 0.6A 0.6W 45/100 2N2906A SI-P 60V 0.6A 0.4W 45/100 | 2N2907A SI-P 60V 0.6A 0.4W 45/100 2N2917 SI-N 45V 0.03A >60Mz | 2N2926 SI-N 25V 0.1A 0.2W 300MHz 2N2955 GE-P 40V 0.1A 0.15W 200MHz | 2N3019 SI-N 140V 1A 0.8W 100MHz 2N3053 SI-N 60V 0.7A 5W 100MHz | 2N3054 SI-N 90V 4A 25W 3MHz 2N3055 SI-N 100V 15A 115W 800kHz | 2N3055 SI-N 100V 15A 115W 800kHz 2N3055H SI-N 100V 15A 115W 800kHz | 2N3251 SI-P 50V 0.2A 0.36W 2N3375 SI-N 40V 0.5A 11.6W 500MHz | 2N3439 SI-N 450V 1A 10W 15MHz 2N3440 SI-N 300V 1A 10W 15MHz | 2N3441 SI-N 160V 3A 25W POWER
晶体管的输入输出特性曲线详解 届别 系别 专业 班级 姓名 指导老师 二零一二年十月
晶体管的输入输出特性曲线详解 学生姓名：指导老师： 摘要：晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。 根据晶体管的结构进行分类，晶体管可以分为：NPN型晶体管和PNP 型晶体管。依据晶体管两个PN结的偏置情况，晶体管的工作状态有放大、饱和、截止和倒置四种。晶体管的性能可以有三个电极之间的电压和电流关系来反映，通常称为伏安特性。 生产厂家还给出了各种管子型号的参数也能表示晶体管的性能。利用晶体管制成的放大电路的可以是把微弱的信号放大到负载所需的数值 晶体管是一种半导体器件，放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑，手机，和所有其他现代电子电路的基本构建块。由于其响应速度快，准确性，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。
关键字：晶体管、输入输出曲线、放大电路的静态分析和动态分析。 【Keywords】The transistor, the input/output curve, amplifying circuit static analysis and dynamic analysis. 一、晶体管的基本结构 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图 1-1(a)、(b)所示。从三个区引出相应的电极，发射极，基极，集电极，各用“E”（或“e”）、“B”(或“b”)、“C”(或“c”)表示。 发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。当前国内生产的锗管多为PNP型(3A 系列)，硅管多为NPN型(3D系列)。
目录 一、三极管特性曲线分析 (1) 1.1三极管结构 (1) 1.2 三极管输入特性曲线 (2) 1.3 三极管输出特性曲线 (2) 二、三极管应用举例 (3) 2.1 三极管在放大状态下的应用 (3) 2.2 三极管在开关状态下的应用 (3) 三、线性电路和非线性电路 (4) 3.1线性电路理论 (4) 3.2 非线性电路理论 (5) 3.3 线性电路的分析应用举例 (6) 3.4 非线性电路的分析应用举例 (7) 四、数字电路和模拟电路 (8) 4.1 数字电路 (8) 4.2 模拟电路 (8) 4.3数字电路和模拟电路区别与联系 (9) 五、总结与体会 (9) 六、参考文献 (10)
三极管输入输出曲线分析 ——谈线性电路与非线性电路 摘要：三极管是电路分析中非常重要的一个元器件。本文主要分析了三极管输入输出特性曲线，介绍了线性电路和非线性电路的理论在分析工具的不同之处。同时，线性电路和非线性电路在分析电路时各有着不同的用处。最后，介绍了数字电路及模拟电路区别与联系。 关键词：三极管；数字电子技术；模拟电子技术 一、三极管特性曲线分析 1.1三极管结构 双极结型三极管是由两个PN结背靠背构成。三极管按结构不同一般可分为PNP和NPN 两种。 图1-1 三极管示意图及符号 PNP型三极管和NPN型三极管具有几乎等同的电流放大特性，以下讨论主要介绍NPN 型三极管工作原理。NPN型三极管其两边各位一块N型半导体，中间为一块很薄的P型半导体。这三个区域分别为发射区、集电区和基区，从三极管的三个区各引出一个电极，相应的称为发射极（E）、集电极（C）和基极（B）。虽然发射区和集电区都是N型半导体，但是发射区的掺杂浓度比集电区的掺杂浓度要高得多。另外在几何尺寸上，集电区的面积比发射区的面积要大。由此可见，发射区和集电区是不对称的。 双极型三极管有三个电极：发射极（E）、集电极（C）、基极（B），其中两个可以作为输入，两个可以作为输出，这样就有一个电极是公共电极。三种接法就有三种组态：共发射极接法（CE）、共基极接法（CC）、共集电极接法（CB）。这里只以共射接法为例分析其输入
实验二、场效应晶体管（FET）特性参数测量 一、实验设备 （1）半导体管特性图示仪(XJ4810A 型)，（2）BJT 晶体管（S9014、S8050、S8550），（3）二极管（1N4001） 二、实验目的 1、熟悉BJT 晶体管特性参数测试原理； 2、掌握使用半导体管特性图示仪测量BJT 晶体管特性参数的方法； 3、学会利用手册的特性参数计算BJT 晶体管的混合π型EM1 模型参数的方法。 三、MOS 晶体管特性参数的测量原理 1、实验仪器 实验仪器为场效应管参数测试仪(BJ2922B)，与测量双极晶体管直流参数相似，但由于所检测的场效应管是电压控制器件，测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏/级）；也可选用电流档（毫安/级），但选用电流档必须在测试台的B-E 间外接一个电阻，将输入电流转换成输入电压。 测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应，即 G（栅极） B（基极）； S（源极） E（发射极）； D（漏极） C（集电极）。 值得注意的是，测量MOS管时，若没有外接电阻，必须避免阶梯选择直接采用电流档，以防止损坏管子。另外，由于场效应管输入阻抗很高，在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电阻泄漏掉，电荷积累会造成电位升高。尤其在极间电容较小的情况下，常常在测试中造成MOS管感应击穿，使管子损坏或指标下降。因而在检测MOS管时，应尽量避免栅极悬空，且源极接地要良好，交流电源插头也最好采用三眼插头，并将地线（E接线柱）与机壳相通。存放时，要将管子三个电极引线短接。 2、参数定义 （1）、输出特性曲线与转移特性曲线 输出特性曲线（IDS－VDS）即漏极特性曲线，它与双极管的输出特性曲线相似，如图2-1所示。在曲线中，工作区可分为三部分： I 是可调电阻区（或称非饱和区）；Ⅱ是饱和区；Ⅲ是击穿区。 转移特性曲线为IDS－VDS之间的关系曲线，它反映了场效应管栅极的控制能力。由于结型场效应晶体管都属于耗尽型，且栅源之间相当于一个二极管，所以当栅压正偏（VGS＞0）并大于 0.5V时，转移特性曲线开始弯曲，如图2-2中正向区域虚线所示。这是由于栅极正偏引起栅电流使输入电阻下降。这时如果外电路无保护措施，易将被测管烧毁，而MOS场效应管因其栅极有SiO2绝缘层，所以即使栅极正偏也不引起栅电流，曲线仍向上升。（2）、跨导(gm) 跨导是漏源电压一定时，栅压微分增量与由此而产生的漏电流微分增量之比。 跨导表征栅电压对漏电流的控制能力，是衡量场效应管放大作用的重要参数，类似于双极管的电流放大系数，测量方法也很相似。 跨导常以栅压变化1V时漏电流变化多少微安或毫安表示。它的单位是西门子，用S表示，1S=1A/V。或用欧姆的倒数“姆欧”表示，记作“ -1 ”。 （3）、夹断电压VP和开启电压VT 夹断电压VP是对耗尽型管而言，它表示在一定漏源电压VDS下，漏极电流减小到接近于零（或等于某一规定数值，如50μA）时的栅源电压。 开启电压VT是对增强型管而言。它表示在一定漏源电压VDS下，开始有漏电流时对应的栅
常用场效应管和晶体管参数大全2010年03月04日 10:13 www.elecfans.co 作者：佚名用户评论（1）关键字：晶体管参数(6)场效应管(6) 常用场效应管和晶体管参数大全 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应 IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应 IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应 IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应 IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应 IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应 IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应 IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应 IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应 IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应 IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应 IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应 IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应 IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应 IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应 IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应 IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应 IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应 IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应 IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应 IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应
|常用三极管参数表 下表是常用三极管的一些参数以及替换型号器件型号电压电流代换型号 3DG9011 50V 2N4124 CS9011 JE9011 9011 50V LM9011 SS9011 9012 40V LM9012 9012(HH) 40V SS9012 9012LT1 40V A1298 3DG9013 40V CS9013 JE9013 & 9013 40V LM9013 9013(HH) 40V SS9013 9013LT1 40V C3265 3DG9014 50V CS9014 JE9014 9014 50V LM9014 SS9014 9014LT1 50V C1623 9015 50V LM9015 SS9015 TEC9015 50V BC557 2N3906 TEC9015A 50V BC557 2N3906 TEC9015B 50V BC557 2N3906 [
TEC9015C 50V BC557 2N3906 3DG9016 30V JE9016 9016 30V SS9016 TEC9016 40V BF240 BF254 BF594 8050 40V SS8050 8050LT1 40V KA3265 ED8050 50V BC337 SDT85501 60V 10A 3DK104C SDT85502 80V 10A 3DK104C SDT85503 100V 10A 3DK104D ~ SDT85504 140V 10A 3DK104E SDT85505 170V 10A 3DK104F SDT85506 60V 10A 3DK104C SDT85507 80V 10A 3DK104C SDT85508 100V 10A 3DK104D SDT85509 140V 10A 3DK104E ED8550 50V BC337 8550 40V LM8550 SS8550 8550LT1 40V KA3265 2SA1015 50V BC177 BC204 BC212 BC213 BC251 BC257 BC307 BC512 BC557 CG1015 CG673 ￥