半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量
一、实验目的
1、了解半导体特性图示仪的基本原理
2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。
二、预习要求
1、阅读本实验的实验原理，了解半导体图示仪的工作原理以及XJ4810 型半导体管图示仪的各旋钮作用。
2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。
三、实验原理
（一）半导体特性图示仪的基本工作原理
任何一个半导体器件，使用前均应了解其性能，对于晶体三极管，只要知道其输入、输出特性曲线，就不难由曲线求出它的一系列参数，如输入、输出电阻、电流放大倍、漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。但如何得到这两组曲线呢？最早是利用图4-1 的伏安法对晶体管进行逐点测试，而后描出曲线，逐点测试法不仅既费时又费力，而而且所得数据不能全面反映被测管的特性，在实际中，广泛采用半导体特性图示仪测量的晶体管输入、输出特性曲线。
图4-1 逐点法测试共射特性曲线的原理线路用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是用图4-2（a）中幅度随时间周期性连续变化的扫描电压UCS代替逐点法中的可调电压EC，用图4-2（b）所示的和扫描电压UCS的周期想对应的阶梯电流iB来代替逐点法中可以逐点改变基极电流的可变电压EB，将晶体管的特性曲线直接显示在示波管的荧光屏上，这样一来，荧光屏上光点位置的坐标便代替了逐点法中电压表和电流表的读数。
1、共射输出特性曲线的显示原理
当显示如图4-3 所示的NPN 型晶体管共发射极输出特性曲线时，图示仪内部和被测晶体管之间的连接方式如图4-4 所示. T是被测晶体管,基极接的是阶梯波信号源,由它产生基极阶梯电流ib 集电极扫描电压UCS直接加到示波器(图示仪中相当于示波器的部分,以下同)的X轴输入端,,经X轴放大器放大到示波管水平偏转板上集电极电流ic经取样电阻R得到与ic成正比的电压,UR=ic,R加到示波器的Y轴输入端,经Y轴放大器放大加到垂直偏转板上.子束的偏转角与偏转板上所加电压的大小成正比,所以荧光屏光点水平方向移动距离代表ic的大小,也就是说,荧光屏平面被模拟成了uce-ic 平面.
图4-4 输出特性曲线显示电路输出特性曲线的显示过程如图4-5 所示
当t=0 时, iB =0 ic=0 UCE =0 两对偏转板上的电压均为零,设此时荧光屏上光点的位置为坐标原点。在0-t1,这段时间内,集电极扫描电压UCS 处于第一个正弦半波周期。
图4-5 晶体管输出特性曲线的显示过程
UCE开始由零逐渐增大到最大值，然后再由最大值逐渐减少到零，它在水平方向上影响电子束，由于这段时间内iB ＝IBO＝0，ic＝ICEO，其大小决定于被测晶体管本身的特性，且随UCE而变，它在垂直方向上使电子束发生相应的偏转。因为UCE在水平方向上和ic 在垂直方向上对电子束的作用是同时存在的，二者作用的结果，使光点从坐标原点出发，沿着向右上方伸展的一条曲线逐渐移到最大，再由最大沿原路逐渐回到坐标原点，这条曲线（光点移动的轨迹）就是iB＝IBO＝0 所对应的那条输出特性曲线。
在正弦半波的第一个周期刚刚结束，第二个周期刚开始的t1 时，ib值从零跳变到IB1。在t1－t2这段时间内，集电极扫描电压处于正弦半波的第二个周期，它在水平方向上对电流束的影响与0－t1的一样，由于t1－t2这段时间内iB = IB1值恒定不变，所以ic的大小仅取决于管子本身的特性和U CE 的变化，并在垂直方向上使电子束发生相应的偏转，UCE和ic对电子束作用的结果，使得荧光屏上的光点从坐标原点出发，沿着向右上方伸展的另一条曲线逐渐移到最大，在由最大沿原路逐渐移回到坐标原点。这条曲线就是ib=IB1所对应的输出特性曲线。在第二个周期的正弦半波扫描电压刚刚结束，第三个周期刚开始的t2时刻，ib值从IB1跳变到IB2。在t2-t3这段时间内，由扫描电压的第三个正弦半波进行扫描，且ib=IB2，光点移动的轨迹ib=IB2所对应的那条输出特性曲线。就这样，ib每取一个值，就有一个周期的正弦半波进行扫描，光点移动的轨迹就是一条新的特性曲线，基极电流有几个取值（包括ib=0），光点就要依次扫过几条曲线，
例如图4－5 中，光点要依次扫过七条曲线。当最后一条曲线扫完后，光点回到原点，ib值的跳变完成一个周期又跳回到ib=IB0=0 的状态，以后便重复上述过程，光点开始第二次依次扫过iB=0,iB=IB1,iB=IB2所对应的输出特性曲线。以上的讨论可以看到，在基极阶梯电流的每一个周期内，光点要依次扫过每条输出特性曲线一个往返。当基极阶梯电流的频率足够高（周期足够短），即单位时间内光点扫过的每条曲线得次数足够多时，借助于示波管的余辉时间和人眼的视觉暂留，我们就能看到输出特性曲线，完整、清晰而稳定地显示在荧光屏上。
需要说明的是：图4－5 中每条曲线分成两条来画，只是为了表明光点的移动方向，实际上它们是重合在一起的。另外ib=IB0=0 的一条输出特性曲线离横轴较远，这是夸大了的情况，实际上由于ICEO很小，此曲线基本上和横轴叠合，对硅管更是如此。
2、共射输入特性曲线的显示原理
当显示如图4－6 所示的NPN 型晶体管的共发射极输入特性曲线时，图示仪内部和被测晶体管之间的接线方式如图4－7 所示。
图4-7 输入特性曲线显示电路
从图4－7 中可以看到，此时Y轴（垂直偏转板）加的是反映基极阶梯电流iB大小的信号电压iBR0，X轴（水平偏转版）加的是与iB相对应的不均匀的变化电压UBE,荧光屏平面就被模拟成UBE－iB平面。当集电极扫描电压和基极阶梯电流有如图4－2 所示的对应关心时，图4－7 电路的工作过程（即输入特性曲线的显示过程）将如图4－8 所示。在0－t1－t2这段时间内，集电极扫描电压uCS处在第一个正弦半波周期，随之变化的集电极电压UCE按正弦半波规律将从零逐渐增大到最大值，再由最大值逐渐减小到零，此时iB=IBO=0,uBE也为零，而对偏转板上的信号电压均为零，电子束打到荧光屏上的0 点，设此点为坐标点。
当光点由E’返回到E点的t12时刻，UCE=0，iB值的调变完成一个周期，立刻从IB5跳回到IB0=0 与iB相对应的UBE值的跳变也必然完成一个周期，在iB变化的同时跳回到零。IB和UBE对电子束的合作用，使得光点从最高的E点跳回到坐标原点0。再t12以后的时间里，0-t12的情况完全相同，。就这样，在基极阶梯电流的频率足够高，即单位时间内扫过上述路径的次数足够多时，借助于示波管的余晖时间和人烟的视觉暂留，光点扫过的整个路径便清楚而稳定的显示在荧光屏上，这就是我们所要得到的晶体管共发射极输入特性曲线。其中，左面的一条是对应着
UCE=0 的输入特性曲线，而各水平亮线右短的光迹，也就是连接A’、B’、C’、D’……诸点所得到的曲线为UCE=UCEM 所对应的输入特性曲线。但在共射极输入特性曲线中，UCE≥1V以后，曲线不再随UCE的增大而向右移，说明UCE≥1V 后的各曲线基本上是重合在一起的。
（二）XJ4810 型半导体管图示仪各开关旋钮的作用
JT-1 型晶体管图示仪各旋钮、开关的作用蚕茧本书附录五，这里介绍XJ4810 的使用]，图示仪前面板上的开关和旋钮较多，但按其功能可以分为以下七部分：示波管控制电路，集电极扫描电压，X 轴作用、Y 轴作用，先是部分，基极阶梯信号盒测试台。
1、示波管控制电路
⑴电源开关与辉度调整旋钮。
拉该旋钮电源接通，电流指示灯，推该旋钮为关，该旋钮拉出后为辉度调整，使用时使辉度适中。
⑵聚焦：Θ为主聚焦旋钮，0 为辅助聚焦旋钮，四勇士调节主聚焦和辅助聚焦使光点截面最小。
2、Y轴作用：Y轴作用是使集电极电流ic或基极阶梯电流ib通过各自取样电阻得到的电压及Y轴放大器放大，加到垂直偏板使电子束垂直偏转。
（1）电流/度开关：它是具有22 档四种偏转作用的开关。
a.集电极电流Ic：10μA/div－0.5μA/div共15 档，测量晶体管输出特性曲线时Y轴作用为Ic, Ic=mA/度×度
b.二极管漏电流IR:0.2μA/div－5μA/div共5 档用来测量二极管的漏电流。
c.极电流或基极源电压：阶梯电流通过取样电阻得的基极电流的偏转量。用于阶梯波校正和晶体管输入特性曲线的测量。
（2）垂直位移与倍率：调节该旋钮可使光点，扫描线或曲线上下位移，拉出该旋钮是电流/度×0.1 倍率开关。3、X轴作用：X轴作用是集电极电压VCE或基极电压VBE经X轴放大器放大到水平偏转板使电子束水平运动。（1）电压／度开关：它是具有17 档，四种偏转作用的开关。
a、集电极电压：0.05V／度－50 V／度共10 档，测量晶体管输出特性曲线时
该开关置于。
CE V
CE V
b、基极电压：0.05V／度－1V／度共5 档，测量晶体管输入特性曲线时该开关
置于。
BE V
BE V
c、基极电流或基极源电压：阶梯电流通过取样电阻得到的基极电流的偏转量，测量晶体管的电流放大倍数fe 时，该开关置于该档。h
d、X 轴位移：调节该旋钮时光点，扫描线或曲线左右移动。
4、显示部分
（1）显示开关：使曲线在Ⅰ、Ⅱ象限内相互转换，简化NPN 管转测PNP 管时的操作。
（2）放大器输入端接地⊥：表示输入为零的基准点。
（3）校准：用以校准X、Y 轴放大器增益，按下此开关光点垂直向上，水平向右偏转10 度，即当光点位于左下角原点时，按下此开关光点跳到右上角。
5、集电极扫描电压：
（1）极性选择开关：用以转换集电极扫描电压的极性，按下为负极性扫描电压，适于测量PNP 管，放开正极性扫描电压，等于测量NPN 管。
（2）集电极峰值电压范围：分10V、50V、100V、500V 四档，它是集电极峰值电压的调节范围，当由低档转换为高档时，需将峰值电压调到“0”，否则易击穿晶体管，AC 档是专为测量二极管的正、反向特性设置的，它提供双向扫描电压，能方便的将二极管的正、反向特性显示在示波器上。
（3）峰值电压旋钮：调该旋钮可使峰值电压在0－10V、0－50V、0－100V 和0－500V 之间连续变化，该旋钮的标称值是近似的，准确读数由X 轴V／度X 度来确定。
（4）功耗电阻开关：该开关是集电极负载电阻，调节可改变输出特性曲线的斜率。C R
（5）电容平衡：由于集电极各种开关，功耗电阻，被测管输出电容的存在，使集电极电流中存在着容性电流，造成
测量误差，使用时调节电容平衡和辅助电容平衡使容性电流最小。
6、基极阶梯信号：
（1）阶梯信号选择开关：是一个具有基极电流，基极电压的22 档开关，基极电流为0.2μA／级－50mA／级，共17 档，基极电压为0.05V／级－1V／级共5 档，基极电流与基极电压的选择根据被测半导体器件的特性来决定。（2）串联电阻：阶梯选择开关置于V／级时串联于被测管输入电路中的电阻。
（3）级／旋旋钮：用以调节阶梯信号的级数，在0－10 级范围内连续变化。
（4）极性开关：基极阶梯信号的极性，按下为负极性，适于测量PNP 管，放开为正极性，适于测量NPN 管。（5）阶梯调零：阶梯调零是调整阶梯波的起始级与零电压重合，调整方法见实验内容中的阶梯波校正（2）。
（6）重复开关：重复开关处于重复位置时，阶梯信号重复出现，处于正常测试状态，该开关处于关时阶梯信号停止工作，处于待触发状态，与单次开关配合，按下单次，阶梯波出现一次。
7、测试台：
测试选择开关：左右开关可任意选择左右测试插座，以分别观察左右两管的特性曲线。当置于二族时，可通过电子开关交替地显示左右二族特性曲线。“零电压”与阶梯调零旋钮配合，校正阶梯信号的零电压。“零电流”是使被测晶体管的基极处于开路，用来测量晶体管的CEO 和。I CEO BV
（三）使用半导体特性图示仪应注意的事项
1、峰值电压范围要根据被测晶体管的反相击穿电压来确定，在不知被测晶体管的反相击穿电压时，应置于0－10V 或0－50V 档。
2、测试完毕应将峰值电压调回0V。
3、测量前要区分开被测管的E、B、C 后方可插入管座。
4、基极阶梯电流开关，要从低逐渐升高，否则基极阶梯电流过大时会损坏小功率
管。
5、集电极功耗电阻，不能太小，对一般晶体管C 在50 R Ω－1k Ω。
（四）怎样从晶体管的特性曲线上求参数。
因为变化量的每一瞬间值可以看作直流量，变化量随时间的变化可以看作直流量的改变，所以我们可以将晶体管特性曲线的坐标轴标以直流量的符号。从晶体管特性曲线上求四个h 参数的方法示于图4－9 中。
在图4－9 所示的特性曲线中
BE ΔV ＝V／度×ΔX
B ΔI ＝μA/ 级×2
C ΔI ＝mA/度×ΔY
CE ΔV ＝V/度×ΔX
图4-9 从特性曲线上求h 参数的方法
在晶体管测试的构成中测试条件是很重要的，在不同的测试条件下，尽管测试方法相同，测出的参数值很可能不一样，测试条件的确定，一般有两种方法，一种是按产品技术指标的参数表所列的测试条件进行测量，另一种是将晶体管的实际工作条件作为测试条件进行测量，对于使用者来说，以实际的工作条件作为测试条件更为合理些。
四、实验仪器
1．晶体管特性图示仪一台
2、万用表一块
五、试验内容
1、X 轴、Y 轴增益校正
（1）开启电源在Y轴作用为IC，X轴作用为Vce，峰值电压范围10V，集电极扫描电压为0V时，调节X轴、Y轴
位移使光点显示在荧光屏上，再调节辉度，聚焦和辅助聚焦旋钮，使光点清晰，辉度适中。
（2）、调节X 轴、Y 轴位移使光点位于左下角坐标原点，按下校正按键，光点应向上，向右跳10 度，即光点跳到右上角原点，说明X、Y 轴增益正常否则应调整X 轴或Y 轴增益，（对于JT1 型图示仪，应将光点调到右上角，Y 轴板键扳向－10 度时，光点向下跳10 度，X 轴板键扳向－10 度时，光点向左跳10 度）。
2、梯形波校正
（1）释放校正按键，将Y 轴作用开关置于基极电流基极源电压的位置，X 轴作用开关置于1V/度，集电极扫描信号极性为“+”调节峰值电压旋钮，阶梯波校正图便可出现在示波管屏幕上，观察各级扫描线是否与标尺上的刻度线重合，转角是否垂直，若不满足要求应打开机盖调整。
（2）、阶梯调零：阶梯波起始级为IB＝0 应与零电压的位置重合，校正方法是将阶梯信号极性置于“－”，（JT1 中的PNP），阶梯信号起始级（第一级）的位置不变，若有变化调节阶梯调零旋钮，使阶梯信号的起始级在阶梯信号是正极性或向是负极性是时重合。阶梯调零调好后，使用中阶梯调零旋钮就不要再动了。
3、用万用表Ω档判断二极管的正负极，三极管的极性与e、b、c用万用表的Ω档测量二极管、三极管，首先应明确：万用表Ω档的负表笔接的是表内电池的正极，正表笔接的是内部电池的负极，正负表笔接在二极管、三极管道电压上实质是给两个电极加的偏压，表针的摆动是通过两个电极的电流（用阻值表示）。判断时一般用R×100 Ω或R×1k Ω的档进行。
（1）用万用表判断二极管道负极和性能
二极管的管壳上一般都有正负极的标记，但有时无标记或不知标记的表示方法时，应用下面的方法判断：将万用表的正负表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻比较小；而将正负表笔对换后得的电阻很大，说明二极管的单向导电性能良好，而第一次测量的阻值小时，负表笔接的是二极管的正极，正表笔接的是二极管的负极。如正反向电阻均无穷大，表示二极管内部已断路。
（2）用万用表判断三极管的极性（NPN 还是PNP）与e、b、c
a、判断基极b 与极性因为三极管的b 与e、c 分别是两个PN 结，用万用表测量时b 极与e、c 极均应有正、反向特性，若将负表笔接某一电极，正表笔分别接其它两极时阻值都很大或者都很小，则负表笔所接的是基极。
若负表笔接基极b，正表笔分别接其它两个电极时，阻值都很小，该管为NPN 管，反之，若阻值都很大，则该管为PNP 管。
b、判定集电极c，发射极e 和β值大小
首先假设一个电极（b 极除外）为集电极，如果被测管是NPN 管则万用表的负表笔接假设的集电极C，正表笔接的假设的e，如图4－10 所示，当开关断开时（＝0），此时，c、e 间的电阻，实际上是，开关k 闭合后，万用表内的电池通过给基极注入了,使集电极则有了一个较大的电流，因此表针向右偏转、偏转角越大，表示B Iceo I b R
b I
c Iβ值越高，然后再假设另一个极为C，用上述同样的方法测量，比较两个测量的结果，万用表指针偏转较大（β值高）的一次，假设的集电极是正确的。
一般简易测量时，可用人体电阻代替，方法是用手同时捏住c、b（但不能使c、
b 短路），比较两次测量指针偏转的角度，指针摆动较大的一次黑表笔接的是C 极，表
针偏转越大
b R
β值越高。
对于PNP 管，将正负表笔对换位置，测量方法与NPN 管相同。
4、测量稳压二极管2CW 的特性曲线：
（1）旋钮位置
峰值电压范围：AC、0－10V
集电极功耗电阻：5k Ω
X 轴：集电极电压5V/dir
Y 轴：集电极电流1mA/dir
（2）稳压管的正极接测试台上管座C，负极接E，缓慢调节峰值电压，稳压管的正反特性曲线便显示在屏幕上，在坐标纸上画出曲线，测量正向导通电压Ucm
XJ4810晶体管特性图示仪说明书 晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。 图A-23 XJ4810型半导体管特性图示仪 7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍 XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示： 1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。 2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。 3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。 4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。 5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。 AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。 6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。 7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。 8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。 9. 电源指示：接通电源时灯亮。 10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。 11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。 12. 辅助聚焦：与聚焦旋钮配合使用。 13. Y轴选择（电流/度）开关：具有22挡四种偏转作用的开关。可以进行集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。 14. 电流/度×0.1倍率指示灯：灯亮时，仪器进入电流/度×0.1倍工作状态。 15. 垂直移位及电流/度倍率开关：调节迹线在垂直方向的移位。旋钮拉出，放大器增益扩大10倍，电流/度各挡I C标值×0.1，同时指示灯14亮. 16. Y轴增益：校正Y轴增益。 17. X轴增益：校正X轴增益。 18.显示开关：分转换、接地、校准三挡，其作用是： ⑴转换：使图像在Ⅰ、Ⅲ象限内相互转换，便于由NPN管转测PNP管时简化测试操作。 ⑵接地：放大器输入接地，表示输入为零的基准点。 ⑶校准：按下校准键，光点在X、Y轴方向移动的距离刚好为10度，以达到10度校正目的。 19. X轴移位：调节光迹在水平方向的移位。 20. X轴选择（电压/度）开关：可以进行集电极电压、基极电流、基极电压和外接四种功能的转换，共17挡。 21. “级/簇”调节：在0～10的范围内可连续调节阶梯信号的级数。 22. 调零旋钮：测试前，应首先调整阶梯信号的起始级零电平的位置。当荧光屏上已观察到基极阶梯信号后，按下测试台上选择按键“零电压”，观察光点停留在荧光屏上的位置，复位后调节零旋钮，使阶梯信号的起始级光点仍在该处，这样阶梯信号的零电位即被准确校正。 23. 阶梯信号选择开关：可以调节每级电流大小注入被测管的基极，作为测试各种特性曲线的基极信号源，共22挡。一般选用基极电流/级，当测试场效应管时选用基极源电压/级。 24. 串联电阻开关：当阶梯信号选择开关置于电压/级的位置时，串联电阻将串联在被测管的输入电路中。 25. 重复－－关按键：弹出为重复，阶梯信号重复出现；按下为关，阶梯信号处于待触发状态。 26. 阶梯信号待触发指示灯：重复按键按下时灯亮，阶梯信号进入待触发状态。 27. 单簇按键开关：单簇的按动其作用是使预先调整好的电压（电流）/级，出现一次阶梯信号后回到等待触发位置，因此可利用它瞬间作用的特性来观察被
常见大中功率管三极管参数 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1402 1500V 5A 120W * * NPN 2SD1399 1500V 6A 60W * * NPN 2SD1344 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1343 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1342 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1941 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1911 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1341 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1219 1500V 3A 65W * * NPN 2SD1290 1500V 3A 50W * * NPN 2SD1175 1500V 5A 100W * * NPN 2SD1174 1500V 5A 85W * * NPN 2SD1173 1500V 5A 70W * * NPN 2SD1172 1500V 5A 65W * * NPN 2SD1143 1500V 5A 65W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1142 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD1016 1500V 7A 50W * * NPN 2SD995 2500V 3A 50W * * NPN 2SD994 1500V 8A 50W * * NPN 2SD957A 1500V 6A 50W * * NPN 2SD954 1500V 5A 95W * * NPN 2SD952 1500V 3A 70W * * NPN 2SD904 1500V 7A 60W * * NPN 2SD903 1500V 7A 50W * * NPN 2SD871 1500V 6A 50W * * NPN 2SD870 1500V 5A 50W * * NPN 2SD869 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD838 2500V 3A 50W * * NPN 2SD822 1500V 7A 50W * * NPN 2SD821 1500V 6A 50W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD348 1500V 7A 50W * * NPN 2SC4303A 1500V 6A 80W * * NPN 2SC4292 1500V 6A 100W * * NPN 2SC4291 1500V 5A 100W * * NPN 2SC4199A 1500V 10A 100W * * NPN 2SC3883 1500V 5A 50W * * NPN 2SC3729 1500V 5A 50W * * NPN 2SC3688 1500V 10A 150W * * NPN
半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量 一、实验目的 1、了解半导体特性图示仪的基本原理 2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。 二、预习要求 1、阅读本实验的实验原理，了解半导体图示仪的工作原理以及XJ4810 型半导体管图示仪的各旋钮作用。 2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。 三、实验原理 （一）半导体特性图示仪的基本工作原理 任何一个半导体器件，使用前均应了解其性能，对于晶体三极管，只要知道其输入、输出特性曲线，就不难由曲线求出它的一系列参数，如输入、输出电阻、电流放大倍、漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。但如何得到这两组曲线呢？最早是利用图4-1 的伏安法对晶体管进行逐点测试，而后描出曲线，逐点测试法不仅既费时又费力，而而且所得数据不能全面反映被测管的特性，在实际中，广泛采用半导体特性图示仪测量的晶体管输入、输出特性曲线。 图4-1 逐点法测试共射特性曲线的原理线路用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是用图4-2（a）中幅度随时间周期性连续变化的扫描电压UCS代替逐点法中的可调电压EC，用图4-2（b）所示的和扫描电压UCS的周期想对应的阶梯电流iB来代替逐点法中可以逐点改变基极电流的可变电压EB，将晶体管的特性曲线直接显示在示波管的荧光屏上，这样一来，荧光屏上光点位置的坐标便代替了逐点法中电压表和电流表的读数。
1、共射输出特性曲线的显示原理 当显示如图4-3 所示的NPN 型晶体管共发射极输出特性曲线时，图示仪内部和被测晶体管之间的连接方式如图4-4 所示. T是被测晶体管,基极接的是阶梯波信号源,由它产生基极阶梯电流ib 集电极扫描电压UCS直接加到示波器(图示仪中相当于示波器的部分,以下同)的X轴输入端,,经X轴放大器放大到示波管水平偏转板上集电极电流ic经取样电阻R得到与ic成正比的电压,UR=ic,R加到示波器的Y轴输入端,经Y轴放大器放大加到垂直偏转板上.子束的偏转角与偏转板上所加电压的大小成正比,所以荧光屏光点水平方向移动距离代表ic的大小,也就是说,荧光屏平面被模拟成了uce-ic 平面. 图4-4 输出特性曲线显示电路输出特性曲线的显示过程如图4-5 所示 当t=0 时, iB =0 ic=0 UCE =0 两对偏转板上的电压均为零,设此时荧光屏上光点的位置为坐标原点。在0-t1,这段时间内,集电极扫描电压UCS 处于第一个正弦半波周期。
目录 使用须知．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．2 安全注意事项．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3 概述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4 主要技术指标．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4 使用说明．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5 使用范例．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．10 维修指南．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．15 装箱单．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．16
使用须知 WQ4832型晶体管特性图示仪，是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。本仪器采用晶体管与集成电路混合线路，具有功耗低、电流容量大、重量轻等特点，是半导体研究及应用领域必不可少的测试工具。 用户在使用本仪器之前应熟悉以下注意事项，以保证仪器的正常使用。 1．“功耗限制电阻”作用大，除了测量饱和电压（如U CER）及最大电流（如I CM）外，一般应将“功耗限制电阻”置于较大值（≥1kΩ），这样既保护了被测管不至电流过载，又可防止由于被测管击穿后导致仪器损坏，在测量击穿电压时更应注意。 2．按“峰值电压范围”需特别注意，一般情况下应与“电压/度”开关相配合： 如需要低于上述量程，应首先将“峰值电压”调至0，再徐徐加大。 在测试中，当输出峰值电压较大时，请勿触摸C极与管子外壳，以免遭电击。严禁将各输出端任意长时间短路。 3．测量被测管首先要了解是PNP或NPN，然后将仪器置于相应极性。在未知被测管极性的情况下，可将输出电压调至较小值进行判别。必须在充分熟悉本仪器后才能用异极性测试功能。 4．基极注入阶梯电流（电压）也应注意： （1）注入电流（电压）应与被测管的功率、最大集电极电流相适应，一般情况注入电流由小逐档增加（同时应估算上述二指标，不致电流、功率击穿）。 （2）“电流/度”应与阶梯电流（电压）相适应，一般情况应从大量程再逐档调至需要档级。“电流/度”量程不应小于阶梯电流量程。 5．当用双簇测试功能时，需调节零电平使显示时第一级曲线与单簇测试时的第一级曲线在Y方向上的位置一致，才能使各项读数一致。异极性测试时阶梯起始电平一般应调至零。 6．仪器出厂经精密调准，请勿随意打开箱板并调节各种机件，当需要进一步调准时，应按照使用说明书的要求与步骤进行。 7．在进行I CM等极限参数测试时，一般采用单次阶梯为宜，以免被测器件损坏。8．本机额定重复输出功率为60W，不同电压档级有不同的允许最大电流，实际测试中不应超过此值。 2
用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数 一、 引言 晶体管在半导体器件中占有重要的地位，也是组成集成电路的基本元件。晶体管的各种特性参数可以通过专用仪器--晶体管特性图示仪进行直接测量。了解和测量实际的晶体管的各种性能参数不仅有助于掌握晶体管的工作机理，而且还可以分析造成各种器件失败的原因，晶体管特性图示仪是半导体工艺生产线上最常用的一种工艺质量检测工具。 本实验的目的是：了解晶体管特性图示仪的工作原理；学会正确使用晶体管特性图示仪；测量共发射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性。 二、晶体管特性图示仪的工作原理和基本结构 晶体管的输出特性曲线如图1所示，这是一组曲线族，对于其中任一条曲线，相当于I b =常数（即基极电流I b 不变）。曲线显示出集电极与发射极之间的电压V cc 增加时，集电极电流I c 的变化。因此，为了显示一条特性曲线，可以采用如图2所示的方法，既固定基极电流I b 为： b be b b E V I R -= （1） 图1共射晶体管输出特性曲线 图2共射晶体管接法 在集电极到发射极的回路中，接入一个锯齿波电压发生器E c 和一个小的电阻R c ，晶体管发射极接地。由于电阻R 很小，锯齿波电压实际上可以看成是加
在晶体管的集电极和发射极之间。晶体管的集电极电流从电阻R c上流过，电阻R c上的电压降就正比于I c。如果把晶体管的c、e两点接到示波管的x偏转板上，把电阻R c两端接到示波管的y偏转板上，示波器便显示出晶体管的I c随V cc变化的曲线。（为了保证测量的准确性，电阻R c应该很小）。用这种方法只能显示出一条特性曲线，因为此时晶体管的基极电流I b是固定不变的。 如果要测量整个特性曲线族，则要求基极电流I b改变。基极电流I b的改变采用阶梯变化，每一个阶梯维持的时间正好等于作用在集电极的锯齿波电压的周期，如图3所示。阶梯电压每跳一级，电流I b便增加一级。（每一级阶梯的增幅可根据不同的晶体管的做相应的调整）。 晶体管特性图示仪便是按照上述原理设计的，它包括阶梯电压发生器（供基极或发射极阶梯波）、锯齿波电压发生器（供集电极扫描电压）、x轴放大器、y 轴放大器、示波管系统等组成，其单元作用如图4所示。作用在垂直偏转板上的除I c（实际上是I c R c）外，还可以是基极电压、基极电流、外接或校正电压。由于x轴和y轴作用选择的不同，在示波器荧光屏上显示出的特性就完全不同。例如：若x轴作用为集电极电压，y轴作用选择集电极电流，得到晶体管的输出特性曲线；若x轴作用为基极电流，y轴作用选择集电极电流，得到晶体管的电流增益特性（即β特性）；若y轴作用为基极电流，x轴作用是基极电流，得到晶体管的输入特性曲线。 图3 阶梯波和锯齿波信号图4 图示仪的原理方框图 三、晶体管特性图示仪的使用方法 为了不使被测晶体管和仪器损坏，在测试前必须充分了解仪器的使用方法和晶体管的规格，测试中，在调整仪器的各个选择开关和转换量时，必须注意使加于被测晶体管的电压、电流（并配合功耗电阻）从低量程漫漫提高，直到满足测量要求。
QT2晶体管图示仪使用操作方法 [说明书] QT2型晶体管图示仪作业指导书本文来自: 中国计量论坛作者: yilihe 查看3098 次QT2型晶体管图示仪作业指导书特别提示：由于本仪器输出扦孔可输出高压或本身带有高压，本仪器在使用前必须良好接地以及将电压级按至最小档，峰值电压逆时针旋至零。一、使用前的注意事项：1、严格按照BOM上的直流参数进行，本机可输出5KV的高压档位设定；特别要了解被测晶体管的集电极最大允许耗散功率PCM，集电极对其它极的最大反向击穿电压如BVCEO、BVCBO、BVCER，集电极最大允许电流ICM等主要指标；2、在测试前首先要将极性与被测管所需的极性相同即可选择PNP或NPN的开关置于规定位置；3、将集电极电压输出按至其输出电压不应超过被测管允许的集电极电压，同时将峰值电压旋至零，输出电压按至合适的档级并将功耗限制电阻置于一定的阻值，同时将X、Y偏转开关置于合适的档级，此档级以不超过上述几个主要直流参数为原则；4、对被测管进行必要的结算，以选择合格的X阶梯电流或电压，此结逄的原则以不超过被测管的集电极最大允许耗损功率；5、在进行ICM的测试时一般采用单次阶梯为宜，以免被测管的电流击穿；6、在进行IC或ICM测试中应根据集电极电压的实际情况，不应超过本仪器规定的最大电流，具体数据列表如下；电压档次10V 50V 100V 500V 5KV 允许最大电流50A 10A 5A 0.5A 5MA 在进行50A（10A）档级时当实际测试电流超过20A时以脉冲阶梯为宜。二、测试前的开机与调节：1、开启电源：将电源开关向右方向按动，此时白色指示灯亮，待预热十分钟后立即进行正常测试；2、调节光度聚焦、辅助聚焦及标尺亮度：将示波管会聚成一清晰的小光点，标尺亮度以能清晰满足测量要求为原则；3、Y、X移位：对Y、X档位旋钮置于中心位置，此时光点应根据PNP、NPN开关的选择处于左下方（NPN）或右上方（PNP）。再调节移位旋钮使其在左下方或右止方实线部份的零点；4、对Y、X校准：将Y、X灵敏度分别进行10度校准，其方法将Y（或X）方式开关自“I”至“校准”，此时光点或基线应有10度偏转，如超过或不到时应进行增益调节（调节W ）；5、阶梯调零：阶梯调零的依据即将阶梯先在示波管上显示，然后根据方放大器输入端接地所显示的位置，再调节调零电位器使其与放大器接时时重合即完成调零；调节方式前先将Y偏转放大器置于基级电流或基极源电压（即“”）档级，X偏转放大器置于UC的位置任意标级，将测试选择置于“NPN”，置于“常态”，阶梯幅度/级置于电压/级的任何档级，集电极电压置于任意档级使示波管显示电压值，此时即能调零使第一根基线与Y偏转放大器“”的重合即完成了调零步骤；6、电容性电流平衡：在要求较高电流灵敏度档级进行测量时，可对电容性电流进行平衡，平衡方式将Y偏转放大器置于较高灵敏度档级使示波管显示一电容性电流，调节电容平衡旋钮使其达到最小值即可；7、集电极电压检查：在进行测量前应检查集电极电压的输出范围，检查时将VC置于相对应档次，当发现将峰值电压顺时针方向最大时，其输出在规定值与大于10%之间即正常（用普通电压表测量结果比规定值少10%左右）。三、测试：1 ⑴、若发射极VCE-IC特性（基极信号为变量）。①根据集电极基级的极性将测试选择开关置于NPN（此时集电极电压，基极电压均为正）或（PNP（此时集电极电压，基极电压均为负）并将“”开关置于常态，如基极需要反担时可置于“侄置”；②被测管的；③将Y电流/度置于IC合适档级，X电压/度置于UC合适档级；④测试A与测试B搬向被测管连接的一边；⑤集电极电压按照要求值进行调节并使在左下方（NPN）或右上方（PNP）的零点与零刻度线重合； ⑥选择合适的阶梯幅度/级开关旋至电流/级较小档级，再逐渐加大至要求值；⑦选择合适的功耗限制电阻，电阻值的确定可接负载的要求或保护被测管的要求进行选择；⑧观察显示的曲线（波形），并进行读数记录；（2）、其发射极IB-IC特性：①根据集电极基极的极性将测试选择开关置于NPN或PNP档级，并将“”开关置于常态，如基极需要反向可置于侄置；②被测管的CBE按规定进行连接；③将Y电流/度置于IC合适档级，W电压/度置于“”的档级；④测试A与测试B搬向被测管连接的一边；⑤集电极电压按要求值与功耗限制电阻进行调节（必要时将X电压/度置于UC档级进行较精确的调节）；⑥将Y。Y方式开关““调节零点位置；⑦选择合格的阶梯幅度/级开关一般置于较小档级再逐渐加大至要求值；⑧对所显示的IB-IC曲线（波形）进行观察记录，读取数据，并计算NFE 值：NFE=IC/IB IC=示波管刻度×档次读数IB=幅度/级×级数⑵、①反压特性测试及二极管特性测试：本②仪器可进行下列各种反向击穿电压测试，测试定义见有关半导体测试标准，测试接线请参见下表：VCBO集电极基极间电压（发射极开路）VEBO发射极与基极间电压（集电极开路）VCEO集电极与发射间电压（基极开路）VCER集电极与发射极间电压（基极与发射极间电阻连接）VCES集电极与发射间电压（基极与发射极短）①根据被测管的极性选择PNP、NPN的位置，是显示“PNP”位置时，集电极电压为（-）极性，当置于“NPN”位置时，集电极电压为（=）极性；②被测管的CBE接上表的连接方法进行连接；③Y偏转放大器的电流/度开关置于较灵敏档级（一般100/UA 度档级）；④Q偏转放大器的电压/度置于UC合适的档级（视被测管的特性及集电极的电压输出值而定）；⑤将功
常用晶体管参数表 索引晶体管型号反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN 9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP 9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN 9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN 9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP 9018 30V 0.05A 0.4W * 1GHZ NPN 2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN 2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN 2N2907 60V 0.6A 0.4W 200 * NPN 2N3055 100V 15A 115W * * NPN2N 2N3440 450V 1A 1W * * NPN 2N3773 160V 16A 150W * * NPN 2N5401 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ PNP 2N5551 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ NPN 2N5685 60V 50A 300W * * NPN 2N6277 180V 50A 300W * * NPN 2N6678 650V 15A 175W * * NPN 2SA 2SA1009 350V 2A 15W ** PNP 2SA1012Y 60V 5A 25W ** PNP 2SA1013R 160V 1A 0.9W * * PNP 2SA1015R 50V 0.15A 0.4W * * PNP 2SA1018 150V 0.07A 0.75W * * PNP 2SA1020 50V 2A 0.9W * * PNP 2SA1123 150V 0.05A 0.75W * * PNP 2SA1162 50V 0.15A 0.15W * * PNP 2SA1175H 50V 0.1A 0.3W * * PNP 2SA1216 180V 17A 200W * * PNP 2SA1265 140V 10A 30W ** PNP 2SA1266Y 50V 0.15A 0.4W * * PNP 2SA1295 230V 17A 200W * * PNP 2SA1299 50V 0.5A 0.3W * * PNP 2SA1300 20V 2A 0.7W * * PNP 2SA1301 200V 10A 100W * * PNP 2SA1302 200V 15A 150W * * PNP 2SA1304 150V 1.5A 25W ** PNP 2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNP 2SA1358 120V 1A 10W *120MHZ PNP 2SA1390 35V 0.5A 0.3W * * PNP 2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP 2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP 2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP
常用场效应管和晶体管参数大全 常用场效应管和晶体管参数大全 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NMOS场效应IRF630 200V 9A 75W * * NMOS场效应IRF610 200V 3.3A 43W * * NMOS场效应IRF541 80V 28A 150W * * NMOS场效应
QT2晶体管图示仪操作指引 一、晶体管图示仪测三极管的调试方法： 耐压测试:500V以上的用高压档“5000V”.三极管C极接二极管测试座“＋”极,E极接二极管测试座“—”极,注意:用高压档测试必须按住“测试”键不放才可以调节峰值电压..测试没有固定的档位，所有的档位都能测只是低档位测试相对准确。高档位测试误差大。 测试HFE值,以IB电流来定IC电流(即调节级族或档位,使IC电流达到规定值.)然后再计算。β=I C/IB，即：（Y轴格数×档位读数）/（级族×级族档位数值）。 1、13005 测条件：晶体管图示仪设定。 C—E极间耐压VCEO:≥400V.Y=10MA. X=100V, 功耗电阻:10K 以上，输出电压:5000V. 零电流 E—B极间耐压VEBO:≥9V .Y=1MA. X=5V, 功耗电阻:10K以上, 输出电压50V. 零电流 饱和压降VCES≥0.5V,Y=200MA ,X=200MV, 幅度/级200MA, 输出电压10V , 功耗电阻:2Ω以下. 放大陪数HFE: Y=200MA ,X=1V 幅度/级=10MA , 级/族=5 , 功耗电阻:2Ω以下. 2、13007 测条件：晶体管图示仪设定。 C—E极间耐压VCEO:≥400V. Y=10MA. X=100V, 功耗电阻:100K , 输出电压:5000V. 零电流E—B极间耐压VEBO:≥9V .Y=1MA. X=2V, 功耗电阻:10K以上, 输出电压50V. 零电流 饱和压降VCES≥0.5V,Y=500MA ,X=200MV, 幅度/级50MA, 输出电压10V , 功耗电阻:2Ω以下. 放大陪数HFE: Y=200MA ,X=1V 幅度/级=10MA , 级/族=10, 功耗电阻:2Ω以下.
3.6 JT－1型晶体管特性图示仪 JT－1型晶体管特性图示仪是一种可直接在示波管荧光屏上观察各种晶体管的特性曲线的专用仪器。通过仪器的标尺刻度可直接读被测晶体管的各项参数；它可用来测定晶体管的共集电极、共基极、共发射极的输入特性、输出特性、转换特性、α、β参数特性；可测定各种反向饱和电流I CBO、I CEO、I EB0和各种击穿电压BU CBO、BU CEO、BU EBO等；还可以测定二极管、稳压管、可控硅、隧道二极管、场效应管及数字集成电路的特性，用途广泛。 一、主要技术指标 （l）Y轴编转因数： 集电极电流范围：0.01～1000毫安／度，分十六档，误差≤±3％； 集电极电流倍率：分×2、×1、×0.l三档，误差≤±3％； 基极电压范围：0.01～0.5V／度，分六档，误差≤±3％； 基极电流或基极源电压：0.05V／度，误差≤±3％； 外接输入：0.1V／度，误差≤±3％； （2）X轴偏转因数： 集电极电压范围：0.01～20V／度，分十一档，误差≤±3％； 基极电压范围：0.01～0.5V／度，分六档，误差≤±3％； 基极电流或基极源电压：0.5V／度，误差≤±3％； 外接输入：0.1V／度，误差≤±3％。 （3）基极阶梯信号： 阶梯电流范围：0.001～200mA／度，分十七档； 阶梯电压范围：0.01～0.2V／级，分五档； 串联电阻：10Ω～22KΩ，分24档； 每族级数：4～12连续可变； 每秒级数：100或200，共3档； 阶梯作用：重复、关、单族，共三档； 极性：正、负两档； 误差≤±5％． （4）集电极扫描信号： 峰值电压：0～20V、0～200V两档，正、负连续可调； 电流容量：0～20V时为10A（平均值），0～200V时为1A（平均值）； 功耗限制电阻：0～100KΩ，分17档，误差≤±5％； （5）电源：交流220V ±10％，50Hz±20Hz。 功耗：260V A． 环境温度：－10 ℃～＋40℃ 相对湿度：≤80％
常用晶体管参数查询
常用晶体管参数查询 Daten ohne Gewahr 2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W | 2N1304 GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz 2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz | 2N1307 GE-P 30V 0.3A 0.15W B>60 2N1613 SI-N 75V 1A 0.8W 60MHz | 2N1711 SI-N 75V 1A 0.8W 70MHz 2N1893 SI-N 120V 0.5A 0.8W | 2N2102 SI-N 120V 1A 1W <120MHz 2N2148 GE-P 60V 5A 12.5W | 2N2165 SI-P 30V 50mA 0.15W 18MHz 2N2166 SI-P 15V 50mA 0.15W 10MHz | 2N2219A SI-N 40V 0.8A 0.8W 250MHz 2N2222A SI-N 40V 0.8A 0.5W 300MHz | 2N2223 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50 2N2223A 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50 | 2N2243A SI-N 120V 1A 0.8W 50MHz 2N2369A SI-N 40V 0.2A .36W 12/18ns | 2N2857 SI-N 30V 40mA 0.2W >1GHz 2N2894 SI-P 12V 0.2A 1.2W 60/90ns | 2N2905A SI-P 60V 0.6A 0.6W 45/100 2N2906A SI-P 60V 0.6A 0.4W 45/100 | 2N2907A SI-P 60V 0.6A 0.4W 45/100 2N2917 SI-N 45V 0.03A >60Mz | 2N2926 SI-N 25V 0.1A 0.2W 300MHz 2N2955 GE-P 40V 0.1A 0.15W 200MHz | 2N3019 SI-N 140V 1A 0.8W 100MHz 2N3053 SI-N 60V 0.7A 5W 100MHz | 2N3054 SI-N 90V 4A 25W 3MHz 2N3055 SI-N 100V 15A 115W 800kHz | 2N3055 SI-N 100V 15A 115W 800kHz 2N3055H SI-N 100V 15A 115W 800kHz | 2N3251 SI-P 50V 0.2A 0.36W 2N3375 SI-N 40V 0.5A 11.6W 500MHz | 2N3439 SI-N 450V 1A 10W 15MHz 2N3440 SI-N 300V 1A 10W 15MHz | 2N3441 SI-N 160V 3A 25W POWER
用晶体管特性图示仪测试晶体管主要参数 一．实验目的 掌握晶体管特性图示仪测试晶体管的特性和参数的方法。 二．实验设备 （1）XJ4810晶体管特性图示仪 （2）QT 2晶体管图示仪 （3）3DG6A 3DJ7B 3DG4 三．实验原理 1．双极型晶体（以3DG4NPN 管为例）输入特性和输出特性的测试原理 （1）输入特性曲线和输入电阻i R ，在共射晶体管电路中，输出交流短路时，输入电压和输入电流之比为i R ，即 ＝常数CE V B BE i I V R ??= （1.1） 它是共射晶体管输入特性曲线斜率的倒数。例如需测3DG 4在V CE ＝10时某一作点Q 的R 值，晶体管接法如图1.1所示。各旋扭位置为 峰值电压% 80% 峰值电压范围 0～10V 功耗电阻 50Ω X 轴作用 基极电压1V/度 Y 轴作用 阶梯选择 μ20A/极 级/簇 10 串联电阻 10K 集电极极性 正（+） 把X 轴集电极电压置于1V/度，调峰值电压为10V ，然后X 轴作用扳回基极电压0.1V/度，即得CE V ＝10V 时的输入特性曲线。这样可测得图1.2：
V CE V B BE i I V R 10=??= （1.2） 根据测得的值计算出i R 的值 图1.1晶体管接法 图1.2输入特性曲线 （2）输出特性曲线、转移特性曲线和β、FE h 在共射电路中，输出交流短路时，输出电流和输入电流增量之比为共射晶体管交流电流放大系数β。在共射电路中，输出端短路时，输出电流和输入电流之比为共射晶体管直流电流放大系数FE h 。晶体管接法如图1.1所示。旋扭位置如下： 峰值电压范围 10V 峰值电压% 80% 功耗电阻 250Ω X 轴 集电极电压1V/度 Y 轴 集电极电流2mA/度 阶梯选择 μ20A/度 集电极极性 正（+） 得到图1.3所示共射晶体管输出特性曲线，由输出特性曲线上读出V V CE 5=时第2、4、6三根曲线对应的C I ，B I 计算出交流放大系数B C I I ??=β （1.3） FE h >β主要是因为基区表面复合等原因导致小电流β较小造成的，β、FE h 也可用共射晶体管的转移特性（图1.4）进行测量只要将上述的X 轴作用开关拨到“基极电流或基极源电压”即得到共射晶体管的转移特性。这种曲线可直接观察β的线性好坏。 C B E
附录五 YB4811晶体管特性图示仪使用说明书 一、概述 YB4811型半导体管图示仪是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测量仪器。尤其能在不损坏器件的情况下，测量其极限参数，如击穿电压。饱和压降等。因此该仪器广泛地应用与半导体器件有关的各个领域。 二、主要技术指标 1.Y轴偏转系数 集电极电流范围（IC）；10uA/div----0.5uA/div分15档，误差不超过+3%。 二极管反向漏电流（IR）0.2uA/div----5uA/div分5档 2uA/div-------5uA/div，误差不超过+3%. 1uA/div误差不超过+5% 0.2uA/div---0.5uA/div，误差不超过+10% 外接输入；0.1V/div，误差不超过+3% 2.X轴偏转系数 集电极电压范围（Vce)：0.05V/div---500V/div分13档，误差不超过+3% 基极电压范围（Vbe); 0.V/div-----5V/div，分6档，误差不超过+3% 外接输入：0.05V/div，误差不超过+3% 3.信号 阶梯电流范围（Ib;）;0.2uA/级-------100mA/级分18档 1uA/级-------100mA/级，误差不超过+5% 0.2uA/级-------100uA/级，误差不超过+7% 阶梯电压范围（Vb);0.1/级-------2V/级分5档，误差不超过+3% 串联电阻：0Ω，10Ω。10KΩ。100KΩ分3档，误差不超过+10% 每簇级数；1----10级连续可调 4.极扫描电源。高压二极管测试电源 峰值电压与峰值电流容量如下表所示，其最大输出不低于下表，各档级电压连续可调功耗限制电阻0--0.5MΩ分11档，误差不超过+10%
晶体管特性图示仪 晶体管特性图示仪是一种可直接在示波管荧光屏上观察各种晶体管的特性曲线的专用仪器。通过仪器的标尺刻度可直接读被测晶体管的各项参数；它可用来测定晶体管的共集电极、共基极、共发射极的输入特性、输出特性、转换特性、α、β参数特性；可测定各种反向饱和电流I CBO、I CEO、I EB0和各种击穿电压BU CBO、BU CEO、BU EBO等；还可以测定二极管、稳压管、可控硅、隧道二极管、场效应管及数字集成电路的特性，用途广泛。 一、主要技术指标 （l）Y轴编转因数： 集电极电流范围：0.01～1000毫安／度，分十六档，误差≤±3％； 集电极电流倍率：分×2、×1、×0.l三档，误差≤±3％； 基极电压范围：0.01～0.5V／度，分六档，误差≤±3％； 基极电流或基极源电压：0.05V／度，误差≤±3％； 外接输入：0.1V／度，误差≤±3％； （2）X轴偏转因数： 集电极电压范围：0.01～20V／度，分十一档，误差≤±3％； 基极电压范围：0.01～0.5V／度，分六档，误差≤±3％； 基极电流或基极源电压：0.5V／度，误差≤±3％； 外接输入：0.1V／度，误差≤±3％。 （3）基极阶梯信号： 阶梯电流范围：0.001～200mA／度，分十七档； 阶梯电压范围：0.01～0.2V／级，分五档； 串联电阻：10Ω～22KΩ，分24档； 每族级数：4～12连续可变； 每秒级数：100或200，共3档； 阶梯作用：重复、关、单族，共三档； 极性：正、负两档； 误差≤±5％． （4）集电极扫描信号： 峰值电压：0～20V、0～200V两档，正、负连续可调； 电流容量：0～20V时为10A（平均值），0～200V时为1A（平均值）； 功耗限制电阻：0～100KΩ，分17档，误差≤±5％； （5）电源：交流220V ±10％，50Hz±20Hz。 功耗：260V A． 环境温度：－10 ℃～＋40℃ 相对湿度：≤80％
常用场效应管和晶体管参数大全2010年03月04日 10:13 www.elecfans.co 作者：佚名用户评论（1）关键字：晶体管参数(6)场效应管(6) 常用场效应管和晶体管参数大全 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应 IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应 IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应 IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应 IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应 IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应 IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应 IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应 IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应 IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应 IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应 IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应 IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应 IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应 IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应 IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应 IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应 IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应 IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应 IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应 IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应