6．中频移相器应该加在B 端口
v )
cos()(s s s s t V t =ω+?设2端口信号电压 1端口本振电压 )cos()(L L L L t V t v ?ω+=
加到D1、D2、D3、D4管上的信号及本振电压分别为：
因为信源角频率>本振角频率，可得D1、D2、D3、D4产生的中频电流分别为：
)cos(2)()()(431π??ω??+=?=if if B g t i t i t i L s if s t
V
混频器A 的中频输出为：
混频器B 的中频输出为： B 的中频输出经过移相器移相得到 )2
3cos(2)(1'π??ω??+=l s if s B t V g t i )2
3cos(4)()()(1'π??ω??+=+=l s if s B A t V g t i t i t i 可见混频器B 的中频输出经过90度移相,在M 处与A 管中频同相迭加。
外镜频抑制:
2端口设外镜像频率信号为 ])2cos[()(i S L i i t V t v ?ωω+?=
1端口本振信号为 )cos()(L L L L t V t v ?ω+=
D1、D2、D3、D4管混出的中频电流为：
)2cos()(11π??ω?
?+=i L if i t V g t i )2
cos()(12π
??ω+?+=i L if i t V g t i )cos()(13π??ω??+=i L if i t V g t i
)cos()(14i L if i t V g t i ??ω?+=
)2cos(2)()()(121π
??ω??+=?=i L if i A t V g t i t i t i
)cos(2)()()(143π??ω??+=?=i L if i B t V g t i t i t i
混频器B 的中频输出经过90度移相得到
)2
3cos(2)(1'π??ω??+=i L if i B t V g t i 在M 处
0)()()('
=+=t i t i t i B A 所以在L S ωω>时，中频移相器应该加在B 端口，才能保证外来信号混出的中频在M 处同相迭加，外来镜像干扰混出的中频在M 处反同相相抵消。
内镜频在射频口反相抵消:
D1、D2、D3、D4管混出的镜频电流为：
)2cos()(1i L i i i i t V g t i ??ω?+=
)2/2cos()(2π??ω+?+=i L i i i i t V g t i )2cos()(3π??ω+?+=i L i i i i t V g t i
)2/2cos()(4π??ω+?+=i L i i i i t V g t i
)2/2cos()2cos()()()(21π??ω??ω+?+??+=?=i L i i i i L i i i i i iA t V g t V g t i t i t i )2/2cos()2cos()()()(43π??ωπ??ω??+?+?+=?=i L i i i i L i i i i i iB t V g t V g t i t i t i 在射频输入口处
0)()()('=+=t i t i t i iB iA i
1、PCB 上微带线阻抗计算用什么软件计算。微带线的阻抗和哪几个因素有关。不同频率，线特征阻抗是否和频率相关。 2、P1dB 定义P1dB 的测试方法。 3、给出不同衰减值对应的电阻值。已知衰减值（AdB）和源&负载阻抗（50 Ohm），请给出电阻值计算方法。 4、（1）电阻是否熟悉类型、值系列、使用时哪些指标需要降额使用、不同封装的电阻的额定功耗。 （2）电容是否熟悉类型、值系列、使用时哪些指标需要降额使用、等效电路。 （3）电感是否熟悉类型、值系列、使用时主要考虑哪些指标、等效电路。贴片电感的主要供应商。 5、射频器件：射频放大器、Mixer、滤波器、衰减器、3dB 桥、隔离器、耦合器、合/分路器、PLL Module、VCO。 6、射频放大器的原理图（包括外围电路），外围电路如何取值。 1、答：用ADS里面的工具，在原理图上按以下途径找到Tools -> LineCalc -> Start Linecalc，微带线的阻抗和基板厚度、基板相对介电常数、微带线的宽度等有关。不同频率，线特征阻抗和频率无关。 2、答：放大器有一个线性动态范围，在这个范围内，放大器的输出功率随输入功率线性增加。这种放大器称之为线性放大器，这两个功率之比就是功率增益G。随着输入功率的继续增大，放大器进入非线性区，其输出功率不再随输入功率的增益而线性增加，也就是说，其输出功率低于小信号所预计的值。通常把增益下降到比线性增益低1 dB时的输出功率值定义为输出功率的1 dB压缩点。用P1dB表示。 测试方法：在小信号下先测出线性区的增益，逐渐增大输入功率，同时比较输出功率，当发现增益比线性区的少1dB时，记下此时的输出功率。就是P1dB。 3、答：本人曾经做50W衰减器15dB的衰减器，一个派形的电阻网络。负载与R并联，R由两个小电阻组成。10lg(R/50)=A , R=r1 +r2，电路如下： 4、答：（1）炭膜电阻、金属膜电阻、水泥电阻，微带电阻。功率要降额使用。 （2）答：独石电容，ATC电容，贴片电容，耐压值需要降额使用。等效电路：
思考题1 1、微波测量系统通常由哪几部分组成？ 三部分:1)信号源,2)测量装置,3)指示/显示设备 2、微波信号分析（测量）的基本对象是哪两个？其他还有哪些? 测量的基本对象是:1)频率2)功率3)信号电平4)频谱 3、微波网络的反射参数、传输参数有哪些？他们怎样定义的？彼此间有何关系？ 4、何谓“三大误差”？各自的表现有何特点？怎样减小或消除？ 1)系统误差:由分析和测量的装置的不理想引起,不随时间变化,通过校准来消除2)随机误差:来源于仪器的噪声,开关重复性,连接器重复性,随机时间变化,单峰性,对称性,不能通过校准来消除,可以通过统计平均来减少3)漂移误差:校准后仪器或系统特性变化,由温度变化引起,可以通过进一步校准消除 5、微波信号源怎样分类？振荡器与信号发生器有何不同？功率信号发生器属于前者还是后者？ 微波信号源按照设计性能和用途的不同进行分类,信号发生器的核心部分是微波振荡器,功率信号发生器属于信号发生器. 6、普通三极管提高工作频率时受到哪些因素的限制？ 1)极间电子渡越时间效应2)极间电容及引线电感 7、与灯塔管、金属陶瓷管之类的“静电控制式”三极管相比，反射速调管在原理上有何重大的突破？ 利用控制反射极的负电压正好使电子在反射场区内往返的渡越时间正好等于N=（n+3/4）个振荡周期，则腔体所获得的能量最大，振荡最强，输出功率达最大值。（利用电子在渡越时间内与交变电磁场相互作用并交换能量以产生并维持微波振荡的电子管）。 8、反射速调管振荡器的f0什么决定？为什么说它是一种VCO?试问：（1）将它作为点频源来使用时；（2）将其作为窄带扫频源使用时，怎样选择振荡区、调制电压的波形和幅度以及反射极电压——Er之值？ f0主要由腔体的尺寸决定，速调管的频率大范围改变只要靠改变腔体的尺寸；反射极电压也可对f0作小范围调谐（一般只有数十兆赫），所以它是一种VCO。 对点频源来使用时，调制电压的波形应为方波，使电压方波的一个波顶正好处在所选定的工作频区的中央，而另一个波顶则落在两个相邻振荡频区之间的空党内。Er=（n+3/4） 9、Gunn氏管振荡器及雪崩二极管振荡器各有何特点？PIN管与普通二极管有何不同？怎样用它来进行调幅或电调衰减？ 耿氏二极管：作为连续波振荡器虽然效率较低，但是由可调谐波频率带宽，噪声低，频率适中等有点；雪崩二极管：能工作连续波和脉冲波状态，最大特点：能工作到很高的毫米波频段而且有相当大的功率输出，但比起耿氏管噪声较高，调谐范围较窄。PIN管事一种特殊的二极管，在P区和N区中间有一层极薄的几乎为纯半导体的I区（本征区），当在两端加负压时，管子具有很大的电阻，同时具有低电容，低损耗和高耐压。加正压时，管子变成很低电阻，其电阻值随正向偏流愈大而愈小，最低能小于1欧，而接近短路。 当管子零偏时，由于其阻值甚高，对通过它的传向负载的传输功率几乎不发生影响，即其实衰减接近于零；随着加入管子的正偏流不断加大，管子愈益接近短路；由它反射的功率愈大，通过它输出的功率便愈小，即传输衰减愈大。 10、微波信号发生器的主要性能指标是哪些？ 频率范围，频率准确度与稳定度，频率分辨率，频率切换时间，频谱纯度，载波的相对谐波含量，载波的相对分谐波含量，单边带相位噪声，输出电平（输出功率），功率稳定度、平
电子信息专业的方向 一、数字电子线路方向。从事单片机（8位的8051系列、32位的ARM系列等等）、FPGA(CPLD)、数字逻辑电路、微机接口(串口、并口、USB、PCI)的开发，更高的要求会写驱动程序、会写底层应用程序。 单片机主要用C语言和汇编语言开发，复杂的要涉及到实时嵌入式操作系统(ucLinux，VxWorks，uC-OS，WindowsCE等等)的开发、移植。 大部分搞电子技术的人都是从事这一方向，主要用于工业控制、监控等方面。 二、通信方向。一个分支是工程设计、施工、调试（基站、机房等）。另一分支是开发，路由器、交换机、软件等，要懂7号信令，各种通信相关协议，开发平台从ARM、DSP到Linux、Unix。 三、多媒体方向。各种音频、视频编码、解码，mpeg2、mpeg4、 h.264、h.263，开发平台主要是ARM、DSP、windows。 四、电源。电源属于模拟电路，包括线性电源、开关电源、变压器等。电源是任何电路中必不可少的部分。 五、射频、微波电路。也就是无线电电子线路。包括天线、微波固态电路等等，属于高频模拟电路。是各种通信系统的核心部分之一。 六、信号处理。这里包括图像处理、模式识别。这需要些数
学知识，主要是矩阵代数、概率和随即过程、傅立叶分析。从如同乱麻的一群信号中取出我们感兴趣的成分是很吸引人的事情，有点人工智能的意思。如雷达信号的合成、图像的各种变换、CT 扫描，车牌、人脸、指纹识别等等。 七、微电子方向。集成电路的设计和制造分成前端和后端，前端侧重功能设计，FPGA(CPLD)开发也可以算作前端设计，后端侧重于物理版图的实现。 八、还有很多方向，比如音响电路、电力电子线路、汽车飞机等的控制电路和协议。。。 物理专业从事电子技术的人，一般都偏向应用物理较多的方向，这样更能发挥自己的专长。比如模拟电路、射频电路、电源乃至集成电路设计。
第1章 选择与填空题 1. 微波是指频率在（300MHz~300GHz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（1mm~1m）。 2. Ku波段是指频率在（12GHz~18GHz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（2.5~1.67cm）。VHF波段是指频率在（0.1GHz~0.3GHz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（300~100cm）UHF波段是指频率在（0.3GHz~1GHz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（100~30cm）S波段是指频率在（2GHz~4GHz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（15~7.5cm） C波段是指频率在（4GHz~8GHz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（7.5~3.75cm）3. 在大气中，影响微波/毫米波传播的主要是（氧分子）和（水分子），由于气体的（谐振）会对微波/毫米波产生（吸收）和（散射）。 4.毫米波的四个大气“窗口”是（35GHz）、（94GHz）（140GHz）（220GHz）。 简答题 1.简述微波电路的发展历程 由最初的电子管向固态化发展，由大型元件向小型元件、集成电路、器件方向发展，同时开发新系统。目前微波技术的发展趋势是朝小型化、高集成化、高可靠、低功耗、大批量应用方向发展。 2.什么是MMIC 利用半导体批生产技术，将电路中所有的有源元件和无源元件都制作在一块砷化镓衬底上的电路称为微波单片集成电路。 第2章 选择与填空题 1. 列举几种常用的平面传输线（微带线、悬置式微带线、倒置式微带线、带线、槽线、共面波导、鳍线） 2. 微带线主要传输的模式是（准TEM），带线的传输主模是（TEM） 11. 槽线的传输模式是（TE模）。 12. 共面波导的传输模式是（准TEM模）。 8. 鳍线的传输模式是（TE与TM模式组成的混合模）。 3. 微带线最高工作频率的影响因素有（寄生模的激励、较高的损耗、严格的制造公差、处理过程中的脆性、显著地不连续效应、不连续处的辐射引起低的Q值）（列举四个即可）5. 如果为了获得放大器最佳噪声匹配电路，用反射系数表示时应满足（Гout=Гopt）；如果为了获得最大功率增益，用阻抗表示时应满足（Zout=Z*in）。
毫米波谐波混频器 谭炽州1， 唐小宏2 ，何宗锐3 1，2，3电子科技大学电子工程学院 （610054） E-mail:filer80@https://www.doczj.com/doc/d93531438.html, 摘 要：本文介绍了Ka 波段微带5次谐波混频器的设计方法。该混频器主要由端口匹配电路、中频低通滤波器和肖特基势垒二极管构成。根据计算机仿真和优化结果。在Ka 波段变频损耗低于14dB。 关键词：毫米波 5次谐波混频 变频损耗 基势垒二极管 一、 引 言 毫米波谐波混频器是毫米波通信、雷达、电子对抗、测量等系统中不可缺少的关键部件毫米波频段工作频率很高，虽然有性能优越的混频器件，但同频段高性能的本振源实现难、成本高。谐波混频器是利用混频器件的非线性特性，使本振产生的高次谐波分量与外来信号混频，获得差频输出。它产生的谐波不限于偶次或奇次。从而克服了直接采用毫米波本振源带来的困难，减少了系统成本。电路通常采用微带结构，具有设计简单、制作容易、体积小、质量轻、安装方便的诸多优点。因此，谐波混频器在毫米波频段有着广阔的应用背景。 本文利用谐波平衡法，借助于CAD 软件，对肖特基势垒二极管奇次谐波混频器进行了优化设计。 二、 谐波混频器的基本原理 谐波混频器结构原理如图1所 示。当外加射频信号和本振信号于肖 特基势垒二极管上时，由于器件的非 线性特性，会产生本振的n（n＝ 2,3,4… …）次谐波与射频信号混 频，然后通过输出的中频滤波器选出 所需要的中频信号。下面简要介绍非线性电阻（或电导）混频原理。假定二极管的伏安特性用下式表示： (2－1) )(v f i =二极管上加大信号本振（功率1般在1mW 以上）和微弱的射频信号（μW 级以下）分别表示为： 本振电压： t V t v L L L ωcos )(= (2－2) 信号电压： t V t v s s s ωcos )(= (2－3) 当两电压加于二极管上时。可推出二极管混频电导表达式如下： (2－4) ∑∞=?=10cos 2)(n L n t n g g t g ω - 1 -
固态电子器件答案 【篇一：微波固态电路复习题】 1. 微波是指频率在（300mhz~300ghz）范围内的电磁波，对应的 波长范围为（1mm~1m）。 2. ku波段是指频率在（12ghz~18ghz）范围内的电磁波，对应的 波长范围为（2.5~1.67cm）。vhf波段是指频率在（0.1ghz~0.3ghz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（300~100cm） uhf波段是指 频率在（0.3ghz~1ghz）范围内的电磁波，对应的波长范围为 （100~30cm）s波段是指频率在（2ghz~4ghz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（15~7.5cm）c波段是指频率在（4ghz~8ghz） 范围内的电磁波，对应的波长范围为（7.5~3.75cm） 3. 在大气中，影响微波/毫米波传播的主要是（氧分子）和（水分子），由于气体的（谐振）会对微波/毫米波产生（吸收）和（散射）。 4.毫米波的四个大气“窗口”是（35ghz）、（94ghz）（140ghz）（220ghz）。 简答题 1. 简述微波电路的发展历程 由最初的电子管向固态化发展，由大型元件向小型元件、集成电路、器件方向发展，同时开发新系统。目前微波技术的发展趋势是朝小 型化、高集成化、高可靠、低功耗、大批量应用方向发展。 2. 什么是mmic 利用半导体批生产技术，将电路中所有的有源元件和无源元件都制 作在一块砷化镓衬底上的电路称为微波单片集成电路。 第2章 选择与填空题 1. 列举几种常用的平面传输线（微带线、悬置式微带线、倒置式微 带线、带线、槽线、共面波导、鳍线） 2. 微带线主要传输的模式是（准tem），带线的传输主模是（tem） 11. 槽线的传输模式是（te模）。 12. 共面波导的传输模式是（准tem模）。 8. 鳍线的传输模式是（te与tm模式组成的混合模）。
国外电子通信教材 序号书名作者 1 《现代集成电路半导体器件》 (美) Chenming Calvin Hu (胡正明)著; 王燕[等]译 2 《半导体器件导论》(美) Donald A. Neamen著; 谢生译 3 《半导体器件基础》 (美) 罗伯特·F·皮埃雷(Robert F. Pierret)著; 黄如等译 4 《微纳尺度制造工程》(美)斯蒂芬·A·坎贝尔著; 严利人，张伟等译 5 《芯片及系统的电源完整性建模与设计》 (美)Madhavan Swaminathan，(美)A. Ege in著; 李玉山，张木水等译6 《芯片制造半导体工艺制程实用教程》 (美)Peter Van Zant著赵树武等译7 《模拟CMOS电路设计折中与优化》 (美) David M. Binkley著; 冯军, 胡庆生等译8 《CMOS数字集成电路分析与设计》 (美)Sung-Mo Kang，(美)Yusuf Leblebici著王志功，窦建华等译9 《专用集成电路》 (美)Michael John，(美)Sebastian Smith著虞惠华等译10 《单片射频微波集成电路技术与设计》 (英) Ian Robertson, Stepan Lucyszyn编著文光俊, 谢甫珍, 李家胤译11 《现代VLSI设计: 基于IP核的设计》(美) Wayne Wolf著; 李东生等译
12 《电子电路设计基础》 (美)Richard R. Spencer，(美)Mohammed S. Ghausi著; 张为等译 13 《模拟电路版图的艺术》(美)[黑斯廷斯]Alan Hastings著张为等译 14 《电子电路设计》(美)David Comer，(美)Donald Comer著 15 《射频与微波电子学》 (美) Matthew M. Radmanesh著; 顾继慧, 李鸣译 16 《微波工程》(美)David M. Pozar著张肇仪 17 《电磁兼容设计与测试》(美)Tim Williams著李迪等译 18 《半导体器件电子学》(美)R.M.Warner, (美)B.L.Grung著吕长志等译 19 《半导体器件基础》 (美) 罗伯特·F·皮埃雷(Robert F. Pierret)著; 黄如等译 20 《半导体晶片清洗》(美) Werner Kern主编; 陆晓东[等] 译 21 《半导体制造技术》 (美)Michael Quirk，(美)Julian Serda著; 韩郑生等译22 《集成电路的电磁兼容》 (法)Sonia Ben Dhia，(法)Mohamed Ramdani，(法)Etienne Sicard等编著23 《微电子制造科学原理与工程技术》 (美) Stephen A.Campbell著曾莹[等] 译24 《印制电路板(PCB) 设计基础》 (美) Christopher T. Robertson著; 刘雷波译25 《CMOS射频集成电路设计》 (美)[李]Thomas H. Lee著余志平，周润德等译
推荐一些射频的书 时间:2010-03-23 点击:617次评论:0条 推荐一些射频的书 1.射频识别（RFID）核心技术与典型应用开发案例; 2.射频和无线技术:作者：（美）菲特等著，李根强，匡泓，文志成译 ;出版社：电子产业出版社 3.射频电路设计实战宝典: 作者：（美）海沃德，（美）坎贝尔，（美）拉金著，邹永忠，杨惠生，吴娜达译出版社：人民邮电出版社 4.射频和无线技术进门(第2版)作者:韦斯曼出版社：清华大学出版社 5.无线通讯原理通俗解读 : 通讯人家园;https://www.doczj.com/doc/d93531438.html,/viewthread.php?t/> 2.射频与微波功率放大器设计作者:(美)格列别尼科夫 3.微波晶体管放大器分析与设计(第2版)(国外经典教材) 译者:(美国)冈萨雷斯著白晓东 4.射频与微波通讯电路：分析与设计（第二版）作者：（美）米斯拉（Misra,D.K.）著，张肇仪等译出版社：电子产业出版社 7.射频微电子--国外大学优秀教材——微电子类系列作者：（美）拉扎维（Razavi,B.）著；余志平等译出版社：清华大学出版社 1.《RF MICROELECTRONICS》 -B.Razavi适合进门又不失严谨《complete wireless desig》比较粗糙，但是进门也轻易，但要粗糙很多。 2.《微波工程》 6.射频和无线技术进门(第二版)韦斯曼清华大学出版社 (2005-06出版) 7.射频和无线技术进门,作者：Carl J.Weisman著刘志华徐红艳李萍译 6.射频通讯电路微波电路引论——射频与应用设计（Robert J.Weber)射频与微波通讯电路——分析与设计（Devendra K.Misra)现代无线系统射频电路实用设计（Rowan Gilmore）转： 参考过的一些射频书籍，在此抛砖引玉 1,射频集成电路设计(顾涵铮),此书出版年代较为久远,但分析相当完备和实用,主要针对微带电路进行分析,对目前微带电路的设计有很高的参考价值.我主要学习了其中的功分、耦合、滤波、移相、低噪放等内容，感觉其特点是理论分析不是很多，主要提供了大量的实例分析及测试数据。固然有点古老，但设计流程和现在的没有区别。推荐度：5级 2、现代滤波器结构与设计（甘本跋、吴万春），此书一样久远，而且更为久远，但却是滤波器类书中最经典的一本。具体先容了带状线、同轴、波导滤波器的设计原理、频率变换、设计时要考虑的因素等，同样具有大量的实例和实物图，我主要参看了其中的带线带通（交指）部分，固然其内容相当经典，但由于本人对大量的公式非常感冒，所以除了在实际设计中参考一下，找找资料以外，平时不太喜欢看。推荐度：5级。 4、螺旋滤波器原理（作者不记得了），可能名字记的不对，虽说此说是所有滤波器设计的通用性原理书籍，但与第二本同样的原因，在收集后我只是偶然翻翻，基本不看，但据38所的
微波固态电路习题集（81题） 第一章、微波晶体管电路 (1)微波晶体管的主要发展方向包括哪几个方面(p1)A (2)为提高小信号和小功率硅微波双极晶体管的性能,一般在结构设计和工艺上采用哪些措施为什么硅微波双极晶体管的特征频率不可能很高(p3) (3)双极晶体管噪声主要来源有哪些(p4-p5) (4)请写出MESFET特征频率f T与直流跨导g mo和栅源电容Cgs的近似表达式。说明MESFET 的特征频率f T与直流跨导g mo和栅源电容Cgs关系如何减小MESFET的栅长与特征频率有何关系(p9)A (5) MESFET噪声主要来源有哪些其最小噪声系数与频率有何关系 (p10-p11)A (6) MESFET噪声系数与直流工作点有何关系 (p11)A (7)何谓半导体的异质结(p11)A (8)你能说出HEMT和HBT的中文意思吗(p12-p14)A (9) HEMT和HBT的显著优点有哪些(p11、p15) (10)微波晶体管放大器主要性能参量有哪些(p17) 11）请写出线性两端口网络S参数的表达式，并简述晶体管S参数的物理意义。（P18） (12)晶体管正向和反向传输系数不等的物理意义是什么(p18) (13)微波放大器工作是否稳定的判据是什么如何判断(p21) (14)微波放大器输入/输出端口绝对稳定的充要条件是什么(p25) (15)请写出有源二端口网络噪声系数一般表达式,并说明表达式中各项的物理意义.(p27)A (16)低噪声放大器设计中最佳噪声匹配和最大功率增益匹配有何不同最佳噪声匹配时对传输功率有何影响(p31,p35)A (17)宽带放大器主要电路形式通常有哪些(p38) (18)微波功率放大器设计中,MESFET哪些特性参数与输出功率密切相关(p44) (19)简述放大器1dB压缩点输入和输出功率及三阶交调系数的定义.(p44-p45) (20)介质谐振器稳频FET振荡器一般可分哪两种类型各有何特点(p54) (21）介质谐振器在反馈式介质稳频FET振荡器电路和反射型共源介质稳频FET振荡器电路中分别等效为何种电路 (22)列表比较双极晶体管，MESFET，HEMT和HBT的参数。（16-17） 第二章、微波混频器 (1) 微波混频器(下变频器)在微波接收系统中的主要作用是什么(p61)B (2) 肖特基势垒混频二极管主要参数有哪些(pp65-p66)B (3) 梁式引线二极管的主要特点是什么对二极管截止频率有何影响 (p66-p67))B (4) 简述二极管混频器非线性电阻的混频原理.(p69-p71) (5) 微波二极管混频器电路形式一般有几种混频电路结构特点及作用是什么(p71)B (6)微波混频器的基本电路有哪些(p71-p79) (7)简述微波单端混频器、微波平衡混频器、微波双平衡混频器的结构特点及优缺点.(p71-p79) (8)从物理意义上混频二极管电路可等效为一个什么网络(p80)B (9)简述变频损耗的定义，指出其组成部分。(p84) (10)镜像回收混频器主要提高混频器的哪项性能从物理概念估计，镜像短路和镜像开路混频器哪种变频损耗最小(p85)B (11)镜像带阻滤波器在镜像回收混频器中有哪些重要作用(p86)
6．中频移相器应该加在B 端口 v ) cos()(s s s s t V t =ω+?设2端口信号电压 1端口本振电压 )cos()(L L L L t V t v ?ω+= 加到D1、D2、D3、D4管上的信号及本振电压分别为： 因为信源角频率>本振角频率，可得D1、D2、D3、D4产生的中频电流分别为： )cos(2)()()(431π??ω??+=?=if if B g t i t i t i L s if s t V 混频器A 的中频输出为： 混频器B 的中频输出为： B 的中频输出经过移相器移相得到 )2 3cos(2)(1'π??ω??+=l s if s B t V g t i )2 3cos(4)()()(1'π??ω??+=+=l s if s B A t V g t i t i t i 可见混频器B 的中频输出经过90度移相,在M 处与A 管中频同相迭加。 外镜频抑制: 2端口设外镜像频率信号为 ])2cos[()(i S L i i t V t v ?ωω+?= 1端口本振信号为 )cos()(L L L L t V t v ?ω+=
D1、D2、D3、D4管混出的中频电流为： )2cos()(11π??ω? ?+=i L if i t V g t i )2 cos()(12π ??ω+?+=i L if i t V g t i )cos()(13π??ω??+=i L if i t V g t i )cos()(14i L if i t V g t i ??ω?+= )2cos(2)()()(121π ??ω??+=?=i L if i A t V g t i t i t i )cos(2)()()(143π??ω??+=?=i L if i B t V g t i t i t i 混频器B 的中频输出经过90度移相得到 )2 3cos(2)(1'π??ω??+=i L if i B t V g t i 在M 处 0)()()(' =+=t i t i t i B A 所以在L S ωω>时，中频移相器应该加在B 端口，才能保证外来信号混出的中频在M 处同相迭加，外来镜像干扰混出的中频在M 处反同相相抵消。 内镜频在射频口反相抵消: D1、D2、D3、D4管混出的镜频电流为： )2cos()(1i L i i i i t V g t i ??ω?+= )2/2cos()(2π??ω+?+=i L i i i i t V g t i )2cos()(3π??ω+?+=i L i i i i t V g t i )2/2cos()(4π??ω+?+=i L i i i i t V g t i )2/2cos()2cos()()()(21π??ω??ω+?+??+=?=i L i i i i L i i i i i iA t V g t V g t i t i t i )2/2cos()2cos()()()(43π??ωπ??ω??+?+?+=?=i L i i i i L i i i i i iB t V g t V g t i t i t i 在射频输入口处 0)()()('=+=t i t i t i iB iA i
电子信息科学与技术就业方向 分享 首次分享者：幸せを与える已被分享10次评论(0)复制链接分享转载举报电子信息专业学生，出来之后要干什么呢? 如果从工程师和研究生的专业方向来看，电子信息专业的方向大概有 1）数字电子线路方向。 从事单片机（8位的8051系列、32位的ARM系列等等）、FPGA(CPLD)、数字逻辑电路、微机接口(串口、并口、USB、PCI)的开发，更高的要求会写驱动程序、会写底层应用程序。 单片机主要用C语言和汇编语言开发，复杂的要涉及到实时嵌入式操作系统(ucLinux，VxWorks，uC-OS，WindowsCE等等)的开发、移植。 大部分搞电子技术的人都是从事这一方向，主要用于工业控制、监控等方面。2）通信方向。 一个分支是工程设计、施工、调试（基站、机房等）。另一分支是开发，路由器、交换机、软件等，要懂7号信令，各种通信相关协议，开发平台从ARM、DSP到Linux、Unix。 3）多媒体方向。各种音频、视频编码、解码，mpeg2、mpeg4、h.264、h.263，开发平台主要是ARM、DSP、windows。 4）电源。电源属于模拟电路，包括线性电源、开关电源、变压器等。电源是任何电路中必不可少的部分。 5）射频、微波电路。也就是无线电电子线路。包括天线、微波固态电路等等，属于高频模拟电路。是各种通信系统的核心部分之一。 6）信号处理。这里包括图像处理、模式识别。这需要些数学知识，主要是矩阵代数、概率和随即过程、傅立叶分析。从如同乱麻的一群信号中取出我们感兴趣的成分是很吸引人的事情，有点人工智能的意思。如雷达信号的合成、图像的各种变换、CT扫描，车牌、人脸、指纹识别等等。 7）微电子方向。集成电路的设计和制造分成前端和后端，前端侧重功能设计，FPGA(CPLD)开发也可以算作前端设计，后端侧重于物理版图的实现。 8）还有很多方向，比如音响电路、电力电子线路、汽车飞机等的控制电路和协议。。。 物理专业从事电子技术的人，一般都偏向应用物理较多的方向，这样更能发挥自己的专长。比如模拟电路、射频电路、电源乃至集成电路设计。 您要是有一定物理基础，又爱动手，应该考虑这些比较难的方向。它们虽然入门不易，但是都是非常专业的东东，5年以上经验的基本都月入1万以上（安捷伦在北京招的射频工程师月入4000美元），而且这些专业对外行人来说都是天书，做这些行业是越老越吃香。 但是，这些专业需要您最好读一下该专业的研究生。 如果想找工作容易，就去学学单片机、ARM、FPGA，这种工作很多，几年经验的人收入在6000元以上。 如果不畏惧编程、不怕数学和算法，信号处理、DSP也是很好的选择，能够承担项目的人收入在8千~1万/月左右。 *你熟悉网络的话，可以做企事业单位的网管、网络维护、建网站等工作。舒舒服服的。