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2018年我国半导体分立器件分布情况一览

2018年我国半导体分立器件分布情况一览

2018 年我国半导体分立器件分布情况一览

半导体分立器件隶属于半导体大类,是半导体产业的基础及核心领域之一。原材料供应商、分立器件芯片制造商、封装材料制造企业为半导体分立器件制造行业的上游客户;从国内分立器件产品的市场应用结构看,其应用领域涵盖消费电子、计算机及外设市场、网络通信、电子专用设备与仪器仪表、汽车电子、LED 显示屏以及电子照明等多个方面。

图表1:半导体分立器件制造行业产业链结构

上游金属硅产能扩张放缓价格趋于上升

根据分立器件使用材料的不同,半导体分立器件可以分为三代,第一代半导体材料为硅单质(Si),第二代半导体材料为砷化镓(GaAs),第三代半导体材料是以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石、氧化锌(ZnO)为代表的的宽禁带半导体材料。因硅单质较为常见,且具有规模经济,制造成本低,技术门槛极低,目前市场主流的功率半导体器件仍由Si 器件占据。

金属硅又称工业硅,位于硅基新材料产业链的顶端,不仅是半导体行业的重要材料,也是光伏、合金等国民经济重要部门的核心原料。随着近年来我国经济的快速发展,我国的工业硅产能也呈现了持续、快速、稳定发展的态

2019年中国区块链行业人才供需研究报告

联合出品: 2019年中国区块链行业人才 供需研究报告 2019年3月

?作为第四次工业革命的核心技术之一,区块链正在开启一个全新的商业领域。在过去的两年中,区块链行业经历了过山车式的发展,一方面,大量围绕着“发币”的项目方和企业加快“死亡”,另一方面,真正专注于区块链技术研发和探索应用落地的公司正脱颖而出。泡沫褪去之后,区块链回归应用价值。在这一行业背景下,区块链人才市场也正急剧发生变化,“年薪百万无人领”早已成为传说。大量项目方要么裁员“过冬”,要么解散倒闭。 ?对于需求方区块链企业而言,行业遇冷虽然在一定程度上缓解了人才匮乏,但专业人才的缺口依然庞大,当前区块链人才的存量依然无法满足增量市场的需求。 ?而对于人才供应端的求职者来说,行业回归理性之后,区块链人才市场行情如何,哪些企业和雇主更值得追随?同样值得关注。 ?本报告将从企业需求方、求职者、薪资待遇变化以及人才流动等维度,探讨区块链人才供需市场的现状及未来发展趋势。

互链脉搏是一家有独立精神的区块链专业媒体,拥有超过700位优质入驻专栏作家,140名知名区块链专家,覆盖30万区块链从业者,目前已进驻30多个媒体平台,同时与腾讯科技、新浪科技、华尔街见闻、星球日报、东方财富网、和讯等多家媒体建立了良好的内容合作关系。 猎聘网是实现企业、猎头和职业经理人三方互动的平台,专注于打造以经理人个人用户体验为核心,全面颠覆传统网络招聘以企业为核心的广告发布。目前,猎聘网拥有超过4800万注册会员,服务企业的数量超过34万家,并拥有13万+认证猎头。猎聘网的业务遍及中国北京、上海、广州、深圳、天津、大连、杭州、南京、武汉、厦门、成都、青岛、重庆、郑州等十余个城市。 本报告由互链脉搏携手猎聘网联合出品。

半导体技术-中国半导体分立器件分会

“半导体技术”2011年第11期摘要” 材料与器件 P817- 宽带隙半导体材料光电性能的测试 P821- GaN薄膜的椭偏光谱研究 P826- 集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研究 P831- GaAs同质外延生长过程的RHEED分析 制造工艺技术 P836- 300nm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究 P840- 沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究 集成电路设计与应用 P844- 一种用于角度传感器中的仪表放大器 P848- FPGA芯片内数字时钟管理器的设计与实现 P853- 一种高功率馈线合成器的设计 P857- 一种宽带OFDM信号接收电路的设计与实现 P862- 2~18GHz宽带ALC放大器 P866- 20GHz镜频抑制谐波混频器 P871- 双极型LDO线性稳压器的设计 封装、检测与设备 P875- 全自动LED引线键合机焊点快速定位方法的研究 P880- 铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究 P885- 多线切割张力控制系统研究 P890- 汽车轮胎压力感应器产品的可靠性评估

材料与器件 P817- 宽带隙半导体材料光电性能的测试 郭媛1,陈鹏1,2,孟庆芳1,于治国1,杨国锋1,张荣1,郑有炓1 (1.南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093; 2.南京大学扬州光电研究院,江苏扬州225009) 摘要:主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发条件下,自由激子的带边复合占主导地位,并且带边复合的强度随温度或激发功率的下降而减弱;在室温以下小功率激发条件下,局域化能级引入的束缚激子复合占主导地位,其复合强度随温度的下降而单调上升,随激发功率的下降而上升。带边复合在样品温度上升或者激发功率变大时发生蓝移,而局域的束缚激子复合辐射的峰值波长,随样品温度和激发功率的变化没有明显变化。 关键词:光致发光;深能级;自由激子;束缚激子;多量子阱;蓝移 P821- GaN薄膜的椭偏光谱研究 余养菁,张斌恩,李孔翌,姜伟,李书平,康俊勇 (厦门大学物理系教育部微纳光电子材料与器件工程研究中心 福建省半导体材料及应用重点实验室,福建厦门361005) 摘要:采用椭圆偏振光谱法,在1.50~6.50eV光谱内,研究了在蓝宝石衬底(0001)面上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌矿结构GaN薄膜的光学性质。建立GaN表面层/外延层/缓冲层/衬底四层物理结构模型。与Cauchy和Sellmeier色散公式比较后选择了Tanguy Extended色散公式来分析GaN薄膜的光学性质。椭圆偏振光谱拟合结果表明,Tanguy Extended色散公式能更准确、方便地描述GaN薄膜在全波段(特别是带隙及带隙之上波段)的色散关系。提供了GaN薄膜在1.50~6.50eV光谱范围内的寻常光(o光)和非寻常光(e光)折射率和消光系数色散关系,为定量分析GaN薄膜带边附近各向异性的光学性质提供了依据。 关键词:GaN薄膜;椭圆偏振光谱;光学各向异性;色散关系;纤锌矿结构

半导体分立器件

半导体分立器件 半导体器件是近50年来发展起来的新型电子器件,具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长、工作可靠等一系列优点,应用十分广泛。 1)国产半导体器件型号命名法 国产半导体器件型号由五部分组成,如表1-13所示。半导体特殊器件、场效应器件、复合管、PIN型管、激光管等的型号由第三、四、五部分组成。 表1-13 中国半导体器件型号命名法

示例1:“2 A P 10”型为P型锗材料的小信号普通二极管,序号为10。 示例2:“3 A X 31 A”型为PNP型锗材料的低频小功率三极管,序号31,规格号为A。 示例3:“CS 2 B”型为场效应管,序号为2,规格号为B。 2)半导体二极管 二极管按材料可分为硅二极管和锗二极管两种;按结构可分为点接触型和面接触型;按用途可分为整流管、稳压管、检波管、开关管和光电管等。常见二极管外形和电路符号可参见《基础篇》。 (1)常用二极管的类型有: ①整流二极管 主要用于整流电路,即把交流电变换成脉动的直流电。整流二极管为面接触型,其结电容较大,因此工作频率范围较窄(3kHz以内)。常用的型号有2CZ型、2DZ型等,还有用于高压和高频整流电路的高压整流堆,如2CGL型、DH26型2CL51型等。 ②检波二极管 其主要作用是把高频信号中的低频信号检出,为点接触型,其结电容小,一般为锗管。检波二极管常采用玻璃外壳封装,主要型号有2AP型和1N4148(国外型号)等。 ③稳压二极管 稳压二极管也叫稳压管,它是用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管,其特点是工作于反向击穿区,实现稳压;其被反向击穿后,当外加电压减小或消失,PN结能自动恢复而不至于损坏。稳压管主要用于电路的稳压环节和直流电源电路中,常用的有2CW型和2DW型。 ④光电二极管 光电管又称光敏管。和稳压管一样,其PN结也工作在反偏状态。其特点是:无光照射时其反向电流很小,反向电阻很大;当有光照射时,其反向电阻减小,反向电流增大。光电管常用在光电转换控制器或光的测量传感器中,其PN结面积较大,是专门为接收入射光而设计的。光电管在无光照射时的反向电流叫做暗电流,有光照射时的电流叫做光电流(或亮电流)。其典型产品有2CU、2DU系列。 ⑤发光二极管 发光二极管简写做LED。它通常用砷化镓或磷化镓等材料制成,当有电流通过它时便会发出一定颜色的光。按发光的颜色不同发光二极管可分为红色、黄色、绿色、蓝色、变色和红外发光二极管等。一般情况下,通过LED的电流在10~30mA之间,正向压降约为1.5~3V。LED可用直流、交流、脉冲等电源驱动,但必须串接限流电阻R。LED能把电能转换成光能,广泛应用在音响设备、数控装置、微机系统的显示器上。 ⑥变容二极管 变容二极管是利用PN结加反向电压时,PN结此时相当于一个结电容。反偏电压越大,PN结的绝缘层加宽,其结电容越小。如2CB14型变容二极管,当反向电压在3~25V区间变化时,其结电容在20~30pF之间变化。它主要用在高频

2018年中国区块链行业市场前景研究报告

2018年中国区块链行业市场前景研究报告 一、区块链概述 区块链是比特币的底层技术,比特币是区块链技术的第一个应用。从区块链技术的应用角度来看,区块链技术可以划为三个阶段:第一阶段是比特币,即一套账本体系和货币发行机制,不支持其他应用开发;第二阶段是以太坊,以太坊在改进比特币区块的基础上加入了智能合约机制,每个人都可以在上面开发应用;第三阶段是类似以太坊的扩展阶段,区块链将完成价值的交换。 1.什么是区块链? 区块链技术是领用块链式数据构建来验证与存储数据、利用分布式节点共识算法来生成和更新数据、利用密码学的方式保证数据传输和访问的安全、利用由自动化脚本代码组成的智能合约来编程和操作数据的一种全新的分布式基础架 构与技术范式。 2.区块链的特点 区块链有着去中心化、点对点传输、透明、可追踪、不可篡改、数据安全等特点,可以用来解决现有业务的一些痛点,实现业务模式的创新。 区块链本质上市一种健壮和安全的分布式状态机,典型的技术构成包括共识算法、P2P通讯、密码学、数据库技术和虚拟机,而其必不可少的5项核心能力分别为存储数据、共有数据、分布式、防篡改与保护隐私以及数字化合约。 3.区块链政策 2016年,工信部发布了《中国区块链技术和应用发展白皮书》,国务院和工信部先后发布了多项政策鼓励和规范区块链的发展。最近,工信部又出台了《2018年信息化和软件服务业标准化工作要点》,提到持续推进云计算和区块链等领域标准研制工作,意味着我国区块链规范性将进一步提高。 以下为区块链政策汇总:

资料来源:中商产业研究院整理 二、全球区块链项目分布情况 1.全球区块链项目分布 据统计数据显示,截止2018年2月,全球区块链项目合计1286个,其中美国占36.0%,排名第一;英国项目占比14.3,排名第二;中国仅占4.6%,据全球第三位。 数据来源:36Kr、中商产业研究院整理 在全球区块链项目类型分布方面,全球范围均以金融领域据首位,信息与通信领域占比30.7%,位居第二;底层技术与基础设施据第三位;其后分别为文娱、能源、教育等细分场景。

半导体分立器件行业发展研究-半导体分立器件行业的下游需求情况

半导体分立器件行业发展研究-半导体分立器件行业的下游需求情况 半导体分立器件行业的下游需求情况 随着国民经济的快速发展及行业技术工艺的不断突破,半导体分立器件的应用领域有了很大的扩展。近年来,受益于国家经济转型升级以及新能源、新技术的应用,下游最终产品的市场需求保持良好的增长态势,从而为半导体分立器件行业的发展提供了广阔的市场空间。半导体分立器件的下游覆盖消费电子、汽车电子、工业电子等领域,且在上述领域应用基本保持稳定的增长。在国家产业政策的支持下,新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴产业领域将成为国内分立器件行业新的增长点,特别是该等应用领域将给MOSFET、IGBT等分立器件市场中的主流产品提供巨大的市场机遇。 (1)消费电子 MOSFET 等半导体功率器件是消费电子产品的重要元器件,消费电子市场也是半导体功率器件产品的主要需求市场之一。中国消费电子产品的普及程度越来越高,而且近年来消费者对消费电子的需求从以往的台式PC、笔记本电脑为主向平板电脑、智能电视、无人机、智能手机、可穿戴设备等转移,直接推动消费电子市场的快速发展。消费电子产品更新换代周期短以及新技术的不断推出,

使得消费电子市场需求量进一步上升。根据美国消费电子协会统计,2013 年中国消费电子市场整体规模达到16,325 亿元,成为全球最大的消费电子市场,根 据2017年3C行业报告,2017年中国消费电子市场将突破2万亿,预计增长7.1%。 目前我国笔记本电脑、彩色电视机等众多消费类电子产品的生产规模已经位居全球第一,同时以智能电视、无人机等为代表的新兴消费类电子产品也开始在国内实现量产。根据IDC 的预测,智能电视是互联网快速发展的产物,2016 年国内智能电视销量达4,098 万台,预计到2018 年智能电视销量将突破5,000 万台。近年来我国无人机市场规模快速增长,根据IDC 的预测,我国航拍无人机的 市场规模将由2016 年的39 万台增加到2019年的300 万台,年均复合增长率高 达97.40%。上述消费电子产品市场规模的快速增长,有力地拉动了对上游半导体功率器件的需求。 (2)汽车电子

半导体分立器件测试系统说明书

QTEC-4000 半导体分立器件测试系统

目 录   1 EDITOR使用 2 Logger使用说明 3 Opener使用

1.EDITOR使用  点击PEditor图标 打开Editor主界面    1.1菜单说明:

1.1.1文件菜单  菜单项 说 明 键盘快捷键 新建 新建测试文件 Ctrl + N  打开 打开已有的测度文件 Ctrl + O  保存 保存编辑完成的文件 Ctrl + S  另保存 将编辑的文件以其他的名称保存 打开暂存文件 打开暂时保存的文件 保存暂存文件 保存暂时的文件 编辑文件头信息 编辑测试文件信息 密码 文件保护密码的设定 设置双机并行时同一个器件进行分时测试,以提   设置并行测试点  高测试速度  打印 打印测试文件 打印预览 预览打印文件 打印机设置 打印机的设定 退出 退出正在运行的Editor 注: 保存已下载到测试主机中的文件时,测试主机会自动下载保存后的程序。故在保存此类文件之前需确认测试程序不在使用的状态。

1.1.2测试项目菜单      1.1.3分类项菜单  菜单内容 操作指令含义 键盘快捷键 鼠标的快捷操作  新增 增加分类项目 Ctrl + W 修改 修改分类项目 Ctrl + X 鼠标左键双击修改处  插入 插入分类项目 Ctrl + Y 删除  删除分类项目  Ctrl + Z    菜单内容  操作指令含义  键盘快捷键 鼠标的快捷操作  新增 增加测试项目 Ctrl + R 修改 修改测试项目 Ctrl + S 鼠标左键双击修改处  插入 插入测试项目 Ctrl + I 删除 删除测试项目 Ctrl + U 复制块 批量拷贝测试项目 Ctrl + V 删除块 批量删除测试项目 Ctrl + W 反转极性 批量测试项目极性反转 Ctrl + X 替换 替换已有的测试项目 Ctrl + Y   设置跳转 测试项目整体跳转设定 功能设置  各功能的整体设定

2018年我国区块链发展现状及未来趋势分析

2018年我国区块链发展现状及未来趋势分析 当前,新一轮科技革命和产业变革席卷全球,大数据、云计算、物联网、人工智能、区块链等新技术不断涌现,数字经济正深刻的改变着人类的生产和生活方式,成为了经济增长的新动能。区块链作为一项颠覆性技术,正在引领全球新一轮技术变革和产业变革,有望成为全球技术创新和模式创新的“策源地”,推动“信息互联网”向“价值互联网”变迁。 我国《“十三五”国家信息化规划》中把区块链作为一项重点前沿技术,明确提出需加强区块链等新技术的创新、试验和应用,以实现抢占新一代信息技术主导权。目前,我国区块链技术持续创新,区块链产业初步形成,开始在供应链金融、征信、产品溯源、版权交易、数字身份、电子证据等领域快速应用,有望推动我国经济体系实现技术变革,组织变革和效率变革,为构建现代化经济体系作出重要贡献。

我国区块链产业目前处于高速发展阶段,创业者和资本不断涌入,企业数量快速增加。区块链应用加快落地,助推传统产业高质量发展,加快产业转型升级。利用区块链技术为实体经济“降成本”、“提效率”,助推传统产业规范发展。此外,区块链技术正在衍生为新业态,成为经济发展的新动能。区块链技术正在推动新一轮的商业模式变革,成为打造诚信社会体系的重要支撑。与此同时,各地政府积极从产业高度定位区块链技术,政策体系和监管框架逐步发展完善。 产业呈现高速发展,企业数量快速增加 截至2018年3月底,我国以区块链业务为主营业务的区块链公司数量已经达到了456家,产业初步形成规模。 2013-2017年我国新增区块链公司数量 从中国区块链产业的新成立公司数量变化来看,2014 年该领域的公司数量开始增多,到2016年新成立公司数量显著提高,超过100家,是2015年的3

我国半导体分立器件行业研究

我国半导体分立器件行业研究 1、行业现状及发展前景 (1)半导体分立器件简介 分立器件是指具有单一功能的电路基本元件,如二极管、晶体管、电阻、 电容、电感等,主要实现电能的处理与变换,是半导体市场重要的细分领域。 根据功能用途,可以将能够进行功率处理的半导体器件定义为功率半导体器 件(Power Semiconductor Device),又称电力电子器件(Power Electronic Device)。 典型功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理等。功率半导 体器件主要用于电力设备的电能变换和电路控制,是弱电控制与强电运行间的桥 梁。除保证设备正常运行以外,功率半导体器件还起到有效的节能作用。典型的 功率半导体器件包括二极管(普通二极管、肖特基二极管、快恢复二极管等)、 晶体管(双极结型晶体管、电力晶体管、MOSFET、IGBT 等)、晶闸管(普通 晶闸管、IGCT、门极可关断晶闸管等)。 作为分立器件最重要和最广泛的应用领域,功率半导体器件在大功率、大电

流、高反压、高频、高速、高灵敏度等特殊应用场合具有显著性能优势,因此可替代性较低。功率半导体器件目前几乎应用于所有的电子制造业,如通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子、人工智能、物联网等领域,应用范围广阔。半导体分立器件行业处于产业链的中游,其产品被广泛应用于各终端领域。半导体分立器件在半导体(硅基)产业链中的位置如下图所示(虚线方框部分): 从具体制造流程上来看,可以进一步将半导体分立器件划分为芯片设计、芯片制造、封装测试等环节。 芯片设计是指通过系统设计和电路设计,将设定的芯片规格形成设计版图的过程。在对芯片进行寄存器级的逻辑设计和晶体管级的物理设计后,设计出不同规格和效能的芯片。

2018年上海区块链技术与应用白皮书

2018上海区块链技术与应用白皮书 2018年9月6日

前言 区块链技术在全球各行业的深入应用,推动了传统的生产关系与商业模式的重塑。国务院、工业和信息化部先后在出台的《国务院关于印发“十三五”国家信息化规划的通知》、《软件和信息技术服务业发展规划(2016-2020年)》等文件中明确提出了区块链作为战略性前沿技术,区块链等领域创新达到国际先进水平的要求。上海市发布的《中共上海市委关于面向全球面向未来提升上海城市能级和核心竞争力的意见》中也明确指出加快区块链等新技术的应用。区块链技术与应用是全球产业变革的关键抓手,同时也是新一轮技术变革的重要驱动力量之一。它为我国加速经济发展、为上海市快速推进全球金融中心的建设提供了宝贵的契机。 区块链技术从诞生至今经历了多个阶段的发展。如今在金融、企业服务、社交、文娱传媒、物流、医疗健康、汽车交通、旅游、人工智能、电商、房产家居、消费生活、教育、农业等诸多领域得到了深度应用。特别是近一年来,区块链技术蓬勃发展,其应用项目数量达到历史最高峰。同时也成为全球各个发达国家、城市,领军企业和顶尖学术机构研究讨论的热点,备受关注和积极投入。在我国,各个城市也积极探索区块链技术的创新和应用,生态的构建和发展。上海市由于起步较早,并拥有良好的政策、人才、技术和资金基础,在区块链公司数量、融资规模等都位居全国第二。在世界城市范围内,上海市在区块链项目数量、论文

数量等也位居前列。但是从长远来看,上海市的区块链技术与应用依然存在核心技术、产业生态建设、配套政策、人才培养力度的不足。为此,加强薄弱环节的研究,构筑符合上海市发展战略的区块链技术路线、创新应用方向、产业服务布局,提出科学的发展建议,推进区块链技术和应用在上海市的健康发展,是在这场重大技术创新和产业变革中的努力方向,并促进上海市的区块链技术与应用在全国,乃至世界范围内拥有更大的影响力。 为进一步理清上海区块链发展现状、研究制定发展建议,在上海市科学技术委员会、上海市经济和信息化委员会的指导下,上海产业技术研究院联合中国计算机学会区块链专委会、上海计算机软件技术开发中心等企事业单位,经过现场调研、专家研讨、报告编制等阶段,重点研究梳理了上海区块链产业发展现状、梳理总结典型应用场景与案例、分析了上海区块链技术与应用发展思路并撰写了《2018上海区块链技术与应用白皮书》。白皮书内容详实、分析透彻,对各地产业主管部门推动区块链技术和应用,开展相关工作都有良好的参考价值。本书在编写过程中得到了上海市各高校、行业机构、领军企业以及行业主管部门的指导与帮助。感谢社会各界对本书编写和调研工作的参与和支持。

半导体分立器件行业发展研究-半导体分立器件竞争格局、利润水平及行业壁垒

半导体分立器件行业发展研究 -半导体分立器件竞争格局、利润水平及行业壁垒 半导体分立器件行业竞争格局 经过多年的发展,国内厂商在中低端分立器件产品的技术水平、生产工艺和产品品质上已有很大提升,但在部分高端产品领域仍与国外厂商有较大的差距。由于国外公司控制着核心技术、关键元器件、关键设备、品牌和销售渠道,国内销售的高端半导体功率器件仍旧依赖海外进口。面对广阔的市场前景,国内厂商在技术水平和市场份额的提升上仍有较大的开拓空间。我国半导体分立器件行业起步较晚,近年来在国家产业政策的鼓励和行业技术水平不断提升等多重利好因素推动下,行业内部分企业以国外先进技术发展为导向,逐步形成了以自主创新、突破技术垄断、替代进口为特点的发展模式。半导体分立器件行业内,新洁能等部分企业掌握了MOSFET、IGBT 等产品的核心技术,通过产品的高性价比不断 提高市场占有率,在与国外厂商的竞争中逐步形成了自身的竞争优势。

行业利润水平 1、行业利润水平的变动趋势 近年来,我国半导体分立器件行业平均利润水平总体上呈现平稳波动态势,在不同应用领域及细分市场行业利润水平则存在着结构性差异。一般而言,在传统应用领域,低端产品行业进入门槛较低,市场竞争较为充分,导致该领域产品行业利润水平相对较低。而在新兴细分市场以及中高端半导体分立器件市场,由于产品技术含量高,产品在技术、客户积累以及资金投入等方面具有较高的进入壁垒,市场竞争程度相对较低,行业内部分优质企业凭借自身技术研发、产业链完善、质量管理等综合优势,能够在该领域获得较高的利润率水平。 2、行业利润水平的变动原因 半导体分立器件行业的利润水平主要受到宏观经济形势和下游行业景气度、以及行业技术水平等因素的综合影响。 宏观经济形势及下游行业景气程度方面。半导体分立器件作为基础性元器件,应用领域涵盖了消费电子、汽车电子、工业电子等广泛的下游行业。宏观经济形势则直接影响该等行业的整体发展状况,从而传导至对半导体分立器件的需求的变化,进而影响半导体分立器件行业的利润水平。

半导体分立器件、集成电路装调工国家职业标准

半导体分立器件、集成电路装调工 国家职业标准 1.职业概况 1. 1职业名称:半导体分立器件、集成电路装调工。 1. 2 职业定义:使用设备装配、测试半导体分立器件、集成电路、混合集成电路 的人员。 1. 3职业等级:本职业共设四个等级,分别为:初级(国家职业资格五级)、中 级(国家职格四级)、高级(国家职业资格三级)、技师(国家职业资格二级)。 1. 4职业环境:室内、常温(部分高温),净化。 1.5 职业能力特征:有一定的分析、判断和推理能力,手指灵活、手臂灵活、动作 协调。知觉好。 1. 6基本文化程度:高中毕业(或同等学历)。 1. 7 培训要求: 1.7.1培训期限:全日制职业学校教育,根据其培养目标和教学计划确定。晋级 培训:初级不少于 400标准学时;中级不少于 300标准学时;高级不少于 150标准学时;技师 于 150标准学时。 1. 7. 2培训教师:培训初、中、高级的教师应具有本职业技师职业资格证书或 3年相关专业 8级专业技术职务任职资格;培训技师的教师具有本职业技师职业资格证书 以上或专业高级专业技术职务任职资格。 1.7.3培训场地设备:理论培训场地应具有可容纳20名以上学员的标准教室,并 配备设备。实际操作培训场所应具备必要的实验设备和产品测试仪器的实践场所。 1. 8鉴定要求: 1. 8. 1适用对象:从事或准备从事本职业的人员。 1. 8. 2申报条件: ——初级(具备下列条件之一者) (1)经本职业初级正规培训达规定标准学时数,并取得结业证书。 (2)在本职业连续见习工作 2年以上。 (3)本职业学徒期满。 ——中级(具备以下条件之一者) ( 1)取得本职业初级职业资格证书后,连续从事本职业工作 3年以上,经本职业中级正 训达规定标准学时数,并取得结业证书。 ( 2)取得本职业初级职业资格证书后,连续从事本职业工作5年以上。

2020年半导体分立器件制造行业分析报告

2020年半导体分立器件制造行业分析报告 2020年7月

目录 一、行业上下游之间的关联性 (3) 1、芯片设计 (3) 2、晶圆制造 (3) 3、封装测试 (4) 二、影响行业发展的因素 (4) 1、有利因素 (5) (1)国家政策的有力支持 (5) (2)半导体产业重心转移带来的国产替代机遇 (5) (3)功率半导体产业技术发展 (6) (4)新兴科技产业的发展孕育新的市场机会 (6) 2、不利因素 (7) (1)半导体产业基础薄弱 (7) (2)国产功率半导体器件产品附加值较低 (7) (3)高端技术人才短缺 (7) 三、进入行业的壁垒 (8) 1、市场壁垒 (8) 2、技术壁垒 (8) 3、专业人才壁垒 (9) 四、行业经营特征 (9) 五、行业竞争情况 (10) 1、扬杰科技 (11) 2、捷捷微电 (11) 3、派瑞股份 (11) 4、中车时代电气 (12)

一、行业上下游之间的关联性 半导体产业链主要包含芯片设计、晶圆制造和封装测试三大核心环节,此外还有为晶圆制造与封装测试环节提供所需材料及专业设备的支撑产业链。作为资金与技术高度密集行业,半导体行业形成了专业分工深度细化、细分领域高度集中的特点。 1、芯片设计 芯片设计的本质是将具体的产品功能、性能等产品要求转化为物理层面的电路设计版图,并且通过制造环节最终实现产品化。设计环节包括结构设计、逻辑设计、电路设计以及物理设计,设计过程环环相扣,技术和工艺复杂。芯片设计公司的核心竞争力取决于技术能力、需求响应和定制化能力带来的产品创新能力。 2、晶圆制造 晶圆制造是半导体产业链的核心环节之一。晶圆制造是根据设计出的电路版图,通过炉管、湿刻、淀积、光刻、干刻、注入、退火等不同工艺流程在半导体晶圆基板上形成元器件和互联线,最终输出能够完成功能及性能实现的晶圆片。晶圆制造产业属于典型的资本和技

中国区块链政策现状及趋势分析报告

中国区块链政策现状及趋势分析报告 人民创投区块链研究院 2019年8月

目录 摘要 (2) 一、区块链政策主要现状及发展历程 (3) (一)中国区块链政策出台背景 (3) (二)区块链监管政策从出台到规范 (4) (三)各省出台相关政策加速行业发展 (7) (四)区块链技术标准和政策日渐完善 (9) 二、中央单位区块链政策 (11) 三、各省市区块链政策 (14) 四、中国区块链监管政策方向及趋势 (25) (一)用区块链技术监管区块链 (25) (二)监管科技和合规科技渐趋成熟 (27) (三)四层监管趋势 (30) (四)监管方向朝着规范全面的方向发展 (32) 五、中国区块链扶持政策方向及趋势 (33) (一)夯实区块链产业发展基础 (33) (二)从四个层面鼓励区块链技术发展 (36) (三)鼓励培育发展区块链新业态 (40) (四)鼓励区块链与实体经济深度融合 (42)

中国区块链政策现状及趋势分析报告 人民创投区块链研究院1 摘要 自2008年中本聪发表《比特币:一种点对点的电子现金系统》以来,比特币所采用的区块链底层技术已经发展十多年。近年来,区块链技术在全球范围内受到了极大的关注。各国政府在区块链技术领域积极发力。2016年,国务院发布《“十三五”国家信息化规划》首次将区块链纳入新技术范畴并作前沿布局,标志着我国开始推动区块链技术和应用发展。此后,中央和地方纷纷出台了相关监管或扶持政策(地方政策偏扶持类),为区块链技术和产业发展营造了良好的政策环境。 本报告主要是从中央顶层设计到地方发展规划,从技术创新到落地应用,从专项政策到配套政策,对中国区块链行业相关政策进行了详细的回顾、总结和趋势分析。该报告第一部分梳理了中国区块链政策主要现状及发展历程,理清区块链政策发展路径;第二部分和第三部分主要对我国区块链政策进行了全方位的盘点和梳理,以全面了解中央和地方区块链政策现状;第四部分和第五部分主要是基于前三部分的内容,对我国区块链监管政策和扶持政策的方向和趋势做了1思二勋,人民创投区块链研究院研究员

2020年半导体分立器件行业分析

2020年半导体分立器件行业分析 一、行业管理 (2) 二、行业技术水平和技术特点及行业特征 (2) 1、行业技术水平和技术特点 (2) 2、行业特征 (3) (1)周期性 (3) (2)区域性 (3) (3)季节性 (4) 三、行业上下游的关系 (4) 1、上游行业情况 (4) 2、下游行业情况 (5) 四、行业竞争情况 (5) 1、行业竞争格局 (5) 2、行业主要企业情况 (6) (1)安世集团(Nexperia) (7) (2)英飞凌(Infineon) (7) (3)意法半导体(ST Microelectronics) (7) (4)华润微电子有限公司 (8) (5)杭州士兰微电子股份有限公司 (8) (6)苏州固锝电子股份有限公司 (8) (7)江苏捷捷微电子股份有限公司 (9) (8)吉林华微电子股份有限公司 (9) (9)强茂电子(无锡)有限公司 (9) (10)无锡新洁能股份有限公司 (9)

一、行业管理 国内半导体行业已实现市场化的发展模式,基本形成了各企业面向市场自主经营,政府职能部门产业宏观调控,行业协会自律规范的管理格局。半导体产业的行业宏观管理职能由国家工业和信息化部承担,主要负责产业政策制定、引导扶持行业发展、指导产业结构调整等;中国半导体行业协会是行业的自律组织和协调机构,下设集成电路分会、半导体分立器件分会、半导体封装分会、集成电路设计分会、半导体支撑业分会、MEMS分会等专业机构。行业协会主要承担行业引导和服务职能,负责产业及市场研究、行业自律管理以及开展业务交流等。 二、行业技术水平和技术特点及行业特征 1、行业技术水平和技术特点 半导体分立器件的技术涉及了微电子、半导体物理、材料学、电子线路等诸多学科、多领域,不同学科、领域知识的结合促进行业交叉边缘新技术的不断发展。随着终端应用领域产品的整体技术水平要求越来越高,半导体分立器件技术也在市场的推动下不断向前发展,新材料、低损耗高可靠性器件结构理论、高功率密度的芯片制造与封装工艺技术已应用到分立器件生产中,行业内产品的技术含量日益提高、设计及制造难度也相应增大。近年来,我国半导体分立器件制造企业通过持续的引进消化吸收再创新以及自主创新,产品技术含量及

2019年半导体分立器件行业发展研究

2019年半导体分立器件行业发展研究 (一)半导体行业基本情况 1、半导体概况 (1)半导体的概念 半导体是一种导电性可受控制,常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体的导电性受控制的范围为从绝缘体到几个欧姆之间。半导体具有五大特性:掺杂性(在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性)、热敏性、光敏性(在光照和热辐射条件下,其导电性有明显 的变化)、负电阻率温度特性,整流特性。半导体产业为电子元器件产业中最重 要的组成部分,在电子、能源行业的众多细分领域均都有广泛的应用。 (2)半导体行业分类 按照制造技术的不同,半导体产业可划分为集成电路、分立器件、其他器件等多类产品,其中集成电路是把基本的电路元件如晶体管、二极管、电阻、电容、电感等制作在一个小型晶片上然后封装起来形成具有多功能的单元,主要实现对

信息的处理、存储和转换;分立器件是指具有单一功能的电路基本元件,主要实现电能的处理与变换,而半导体功率器件是分立器件的重要部分。 分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等半导体功率器件产品;其中,MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件,相比于功率三极管、晶闸管等电流控制型开关器件,具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点。公司生产的MOSFET系列产品和IGBT系列产品属于国内技术水平领先的半导体分立器件产品。半导体器件的分类示意图和公司产品所处的领域如下图所示:

在分立器件发展过程中,20 世纪50 年代,功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20 世纪60 至70 年代,晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末,平面型功率MOSFET 发展起来;20 世纪80 年代后期,沟槽型功率MOSFET 和IGBT 逐步面世,半导体功率器件正式进入电子应用时

半导体器件封装概述

1 半导体器件封装概述 电子产品是由半导体器件(集成电路和分立器件)、印刷线路板、导线、整机框架、外壳及显示等部分组成,其中集成电路是用来处理和控制信号,分立器件通常是信号放大,印刷线路板和导线是用来连接信号,整机框架外壳是起支撑和保护作用,显示部分是作为与人沟通的接口。所以说半导体器件是电子产品的主要和重要组成部分,在电子工业有“工业之米"的美称。 我国在上世纪60年代自行研制和生产了第一台计算机,其占用面积大约为100 m2以上,现在的便携式计算机只有书包大小,而将来的计算机可能只与钢笔一样大小或更小。计算机体积的这种迅速缩小而其功能越来越强大就是半导体科技发展的一个很好的佐证,其功劳主要归结于:(1)半导体芯片集成度的大幅度提高和晶圆制造(Wafer fabrication)中光刻精度的提高,使得芯片的功能日益强大而尺寸反而更小;(2)半导体封装技术的提高从而大大地提高了印刷线路板上集成电路的密集度,使得电子产品的体积大幅度地降低。 半导体组装技术(Assembly technology)的提高主要体现在它的封装型式(Package)不断发展。通常所指的组装(Assembly)可定义为:利用膜技术及微细连接技术将半导体芯片(Chip)和框架(Leadframe)或基板(Sulbstrate)或塑料薄片(Film)或印刷线路板中的导体部分连接以便引出接线引脚,并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺技术。它具有电路连接,物理支撑和保护,外场屏蔽,应力缓冲,散热,尺寸过度和标准化的作用。从三极管时代的插入式封装以及20世纪80年代的表面贴装式封装,发展到现在的模块封装,系统封装等等,前人已经研究出很多封装形式,每一种新封装形式都有可能要用到新材料,新工艺或新设备。 驱动半导体封装形式不断发展的动力是其价格和性能。电子市场的最终客户可分为3类:家庭用户、工业用户和国家用户。家庭用户最大的特点是价格便宜而性能要求不高;国家用户要求高性能而价格通常是普通用户的几十倍甚至几千倍,主要用在军事和航天等方面;工业用户通常是价格和性能都介于以上两者之间。低价格要求在原有的基础上降低成本,这样材料用得越少越好,一次性产出越大越好。高性能要求产品寿命长,能耐高低温及高湿度等恶劣环境。半导体生产厂家时时刻刻都想方设法降低成本和提高性能,当然也有其它的因素如环保要求和专利问题迫使他们改变封装型式。 2 封装的作用 封装(Package)对于芯片来说是必须的,也是至关重要的。封装也可以说是指安装半导体集成电路芯片用的外壳,它不仅起着保护芯片和增强导热性能的作用,而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁和规格通用功能的作用。封装的主要作用有: (1)物理保护。因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降,保护芯片表面以及连接引线等,使相当柔嫩的芯片在电气或热物理等方面免受外力损害及外部环境的影响;同时通过封装使芯片的热膨胀系数与框架或基板的热膨胀系数相匹配,这样就能缓解由于热等外部环境的变化而产生的应力以及由于芯片发热而产生的应力,从而可防止芯片损坏失效。基于散热的要求,封装越薄越好,当芯片功耗大于2W时,在封装上需要增加散热片或热沉片,以增强其散热冷却功能;5~1OW 时必须采取强制冷却手段。另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输。 (2)电气连接。封装的尺寸调整(间距变换)功能可由芯片的极细引线间距,调整到实装基板的尺寸间距,从而便于实装操作。例如从以亚微米(目前已达到0.1 3μm以下)为特征尺寸的芯片,到以10μm为单位的芯片焊点,再到以100μm为单位的外部引脚,最后剑以毫米为单位的印刷电路板,都是通过封装米实

2019年中国区块链产业园投资前景研究报告

2019年中国区块链产业园投资前景研究报告中商情报网讯:区块链(Blockchain)作为以去中心化方式集体维护可信数据库技术,具有去中心化、防篡改、高度可扩展等特点,正成为继大数据、云计算、人工智能、虚拟现实等技术后又一项对未来信息化发展产生重大影响的新兴技术,有望推动人类从信息互联网时代步入价值互联网时代。 区块链产业园区作为区块链产业集群发展的重要载体,在国家重视区块链的大背景下,各地方政府加大了对区块链发展的扶持力度,积极鼓励当地探索区块链技术的应用落地,此外,有些地区还推出或者扶持本地的区块链产业园区。随着国家政策、资本和市场等因素驱动,国内各地区块链产业园数量快速增长。目前,我国基本形成了四大区块链产业区聚集区。 为了更好的了解我国区块链产业园的发展现状及前景,中商产业研究院特推出《2019年中国区块链产业园投资前景研究报告》。报告从产业园基本概况、区块链产业发展现状、区块链产业园发展现状、重点区域区块链产业园分析四大方面剖析我国区块链产业园,最后进一步分析区块链产业园发展规划及发展趋势。以下是报告详情: PART1:中国产业园基本概况 根据当前我国各地的产业园区设立和建设情况,结合联合国环境规划署的定义,对产业园区可做出这样的定义:

一个国家或地区的政府通过行政或市场化等多种手段,划出一块区域,制定长期和短期发展规划和政策,建设和完善适于工业企业进驻和发展的各种环境,聚集大量企业或产业,使之成为产业集约化程度高、产业特色鲜明、集群优势明显、功能布局完整的现代化产业分工协作区和实施工业化的有效载体,包括各类高新技术产业开发区、经济技术开发区、工业园、特色工业小区、技术示范区等 产业园的功能包括资源聚集功能、企业孵化功能、技术渗透功能、示范带动功能以及外围辐射功能。 PART2:区块链产业发展现状分析

半导体分立器件行业发展研究-行业的特征及上下游行业

半导体分立器件行业发展研究-行业的特征及上下游行业 行业的经营模式及其他特征 1、行业特有的经营模式 半导体分立器件行业产业链包括芯片设计、芯片制造、封装测试、对外销售等环节。根据是否拥有产业链各个环节,行业内企业的经营模式可以分为垂直一体化模式和垂直分工模式。 (1)垂直一体化模式 垂直一体化的模式即IDM 模式,是指半导体企业除进行半导体设计外,业务范围还包括芯片制造、封装和测试等所有环节。因此,采用IDM 模式的半导体企业,不仅自身拥有强大的研发设计团队,还需自建芯片制造、封装和测试生产线,在完成半导体的设计、芯片制造、封装测试等环节后销售给下游客户。因为自建芯片制造和封装测试生产线需要巨额的资金投入,如投资建设一条8 英寸 芯片制造产线的资金约30 亿元人民币。因此采用IDM 模式的企业往往除了拥有 强大的研发技术实力外,还必须拥有雄厚的资本实力。IDM 模式下企业的经营

业务流程如下所示: 采用IDM 模式的企业拥有强大的研发能力,掌握了先进技术,能够充分整合内部资源,获取产业链较高的附加值,但IDM 模式下需要高额资本投入和产业链各环节专业人才。行业内采用IDM 模式的企业包括英飞凌(Infineon)、意 法半导体(ST Microelectronics)、安森美(ON Semiconductor)、瑞萨电子(Renesas Electronics)等。 (2)垂直分工模式 垂直分工模式来源于半导体产业的专业化分工。随着半导体产业的专业化发展和受垂直一体化模式下的高资本投入影响,半导体行业内企业按照产业链环节

进行专业化分工,从事具体某一环节的业务。按照从事的产业链环节不同,垂直分工模式可主要分为Fabless 模式和Foundry 模式。 ①Fabless 模式 Fabless 模式属于垂直分工模式的一种,即无芯片制造和封装测试生产线,仅从事半导体的设计和销售,而将芯片制造、封装测试等环节委托给芯片代工企业、封装测试企业代工完成。采用Fabless 模式的企业专注于半导体的设计和销 售环节,往往具有较强的设计能力并能快速捕捉市场热点并迅速推出产品,该模式下企业具有“轻资产、专业强”的特点。半导体行业内采用Fabless 模式的企业 包括高通(Qualcomm)、苹果公司(Apple)、联发科、华为海思、展讯通信等。 采用Fabless 模式的企业在发展到一定规模后,拥有了较为强大的技术研发 实力和庞大的市场客户群体。而且,因客户不同的产品设计需求,该模式下的企业对不同产品封装测试特点有所掌握,在运营过程中能够积累封装测试相关技术和工艺,从而往往继续向产业链的上游延伸,以满足研发需求、保障产品质量、

2019年IST8900半导体分立器件全系列全功率全参数测试系统

IST8900 半导体分立器件全系列、全功率、全参数测试系统 一,概述: 本机在启动测试后会从被测件的功能及极性开始检测,若器件损坏或接脚错误则立即停止测试并显示错误信息,若通过功能检测,器件的种类及极性即可显示,同时微控制器会将使用者输入的各测试条件由D/A送至各相对应的电流源或电压源,同时控制各继电器的连接,使此参数的测试电路自动形成,每一个参数依器件的极性都须要一个不同的电路来测量这极为繁杂的变化完全由微控制器自动完成,所要量测的电流或电压可在极短的时间(80微秒)由A/D 一次或数次测试取得,8900是一个由使用者依其电路要求条件或依器件出厂指标来实际模拟测试并精确的取得其重要的参数来判别其优差并测知能否承担电路上的各种工作条件而不致损坏。此机可由输入的单一工作条件来量侧一个工作点上的参数,亦可由输入的工作范围在3秒内量测256个工作点的数据并将其变化以曲线表示,使用者可大致看出因其工作条件改变所产生的变化。二,导通参数的测量对MOSFET及IGBT在大电流高功率使用时的重要性大功率器件由于其通过的电流很大,在一些导通参数上若有少许的异常,轻者会降低产品的功效及性能,重者器件会发热,缩短寿命而损毁, 例如:MOSFET的导通电阻Rd(on)在导通电流Ids为500安培,栅极触发电压Vgs为10V olt的工作条件下,正常良品参数值为42毫欧姆,若有一个不良品量出值为235毫欧姆如将其用在相同功耗的电路上必定会出问题。 又如IGBT的C-E极的饱和压降Vce(sat)的电流Ic为1000安培,栅极电压为伏特时,良品的正常值一般在若有一差品量出为时,该器件在低功耗时没问题,但在全功率运作时间一久必遭烧毁,这些极为重要又非常细微的参数必须用高速精密的仪器来扑捉那非常关键的工作点,这并非能以一般的图示仪以工作区

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