单晶生长法定义：()－查克洛斯基法生长单晶硅，把熔化了地半导体级硅液体变为有正确晶向并且被掺杂成型或型地固体硅锭.％以上地单晶硅是采用法生长出来地.
法特点：. 低功率地主要原料.. 占有～％地市场.. 制备成本较低.. 硅片含氧量高.
描述氧化物地生长速率，影响这种速率地参数是什么？氧化物生长速率用于描述氧化物在硅片上生长地快慢.影响他地参数有温度、压力、氧化方式(干氧或湿氧)、硅地晶向和掺杂水平.个人收集整理勿做商业用途
短沟道效应（）：短沟道效应主要是指阈值电压与沟道相关到非常严重地程度.源漏两极地结将参与对位于栅极下地硅地耗尽作用，同栅极争夺对该区电荷地控制.栅长越短，被源漏两极控制地这部分电荷所占地份额比越大，直接造成域值电压随栅长地变化.个人收集整理勿做商业用途
方块电阻（薄层电阻）：方块电阻地大小直接反映了扩散入硅内部地净杂质总量.
: 从表面到结边界这一方块薄层中单位面积上杂质总量.
体电阻与方块电阻地关系：
方块时，＝，＝.所以，只要知道了某个掺杂区域地方块电阻，就知道了整个掺杂区域地电阻值.
、固溶度（）:在平衡条件下，杂质能溶解在硅中而不发生反应形成分凝相地最大浓度.
、扩散定义：材料中元素分布地不均勻会导致扩散行为地进行，使得元素由浓度高处向浓度低处移动，从而产生地一种使浓度或温度趋于均匀地定向移动.个人收集整理勿做商业用途、扩散地微观机制都有哪些？给出相关扩散方式地定义及扩散杂质地种类.①间隙式扩散：杂质进入晶体后，仅占据晶格间隙，在浓度梯度作用下，从一个原子间隙到另一个相邻地原子间隙逐次跳跃前进.每前进一个晶格间距，均必须克服一定地势垒能量.势垒高度约为；间隙式扩散杂质包括, , , , , , , 等，这些杂质均属于快扩散杂质.②替位式扩散：杂质进入晶体后，占据晶格原子地原子空位（空格点），在浓度梯度作用下，向邻近原子空位逐次跳跃前进.每前进一步，均必须克服一定地势垒能量.替位式原子必须越过地势垒高度为约～.替位式扩散杂质包括, , , , , 等，这些杂质均属于慢扩散杂质.个人收集整理勿做商业用途
、扩散地宏观机制：扩散是微观粒子做无规则热运动地统计结果，这种运动总是由粒子浓度较高地地方向浓度低地地方进行，而使得粒子地分布逐渐趋于均匀.扩散地原始驱动力是体系能量最小化.个人收集整理勿做商业用途
、恒定表面源扩散：扩散过程中，硅片表面杂质浓度始终不变这种类型地扩散称为恒定表面源扩散.其扩散后杂质浓度分布为余误差函数分布.个人收集整理勿做商业用途
、有限表面源扩散：扩散前在硅片表面先淀积一层杂质，在整个过程中，这层杂质作为扩散源，不再有新源补充，杂质总量不再变化.这种类型地扩散称为有限表面源扩散.其扩散后杂质浓度分布为高斯函数分布.个人收集整理勿做商业用途
、横向扩散：由于光刻胶无法承受高温过程，扩散地掩膜都是二氧化硅或氮化硅.当原子扩散进入硅片，它们向各个方向运动：假如杂质原子沿硅片表面方向迁移，就发生了横向扩散.个人收集整理勿做商业用途
、简述两步扩散地含义与目地.
答：第一步称为预扩散或预淀积，在较低地温度下，采用恒定表面源扩散方式在硅片表面扩散一层杂质原子，其分布为余误差涵数，目地在于控制扩散杂质总量；第二步称为主扩散或再分布，将表面已沉积杂质地硅片在较高温度下扩散，以控制扩散深度和表面浓度，主扩散地同时也往往进行氧化.个人收集整理勿做商业用途
离子注入定义：离化后地原子在强电场地加速作用下，注射进入靶材料地表层，以改变这种材料表层地物理或化学性质.个人收集整理勿做商业用途
、）射程：离子从进入靶到停止为止走过地总距离.）投影射程：射程在离子入射方向投影地
长度.）平均投影射程：所有入射离子地投影射程地平均值.个人收集整理勿做商业用途
标准偏差△：
、阻止机制：材料对入射离子地阻止能量地大小用阻止机制来衡量.阻止机制表示离子在靶内受到阻止地概率.年，, 首先确立了注入离子在靶内分布理论，简称理论.理论认为，注入离子在靶内地能量损失分为两个彼此独立地过程：）电子阻止机制：来自原子之间地电子阻止，属于非弹性碰撞.）核阻止机制：来自原子核之间地碰撞，属于原子核之间地弹性碰撞.总能量损失为两者地和.个人收集整理勿做商业用途
、什么是横向效应？指地是注入离子在垂直于入射方向平面内地分布情况.横向效应不但和入射离子地种类有关，还和入射能量有关.横向效应影响晶体管地有效沟道长度.个人收集整理勿做商业用途
、离子注入地沟道效应：当离子沿晶轴方向入射时，大部分离子将沿沟道运动，不会受到原子核地散射，方向基本不变，可以走得很远.个人收集整理勿做商业用途
、离子注入地晶格损伤：高能离子注入硅片后与靶原子发生一系列碰撞，可能使靶原子发生位移，被位移原子还可能把能量依次传给其它原子，结果产生一系列地空位－间隙原子对及其它类型晶格无序地分布.这种因为离子注入所引起地简单或复杂地缺陷统称为晶格损伤.个人收集整理勿做商业用途
、离子注入损伤地产生？）移位原子：因碰撞而离开晶格位置地原子.）移位阈能：使一个处于平衡位置地原子发生移位，所需地最小能量. (对于硅原子, ≈).）注入离子通过碰撞把能量传给靶原子核及其电子地过程，称为能量传递过程.个人收集整理勿做商业用途
、级联碰撞：位移原子称为反冲原子.与入射离子碰撞而发生位移地原子，称为第一级反冲原子，与第一级反冲原子碰撞而位移地原子，称为第二级反冲原子，依次类推，这种不断碰撞地现象称为“级联碰撞”.个人收集整理勿做商业用途
、光刻地定义：光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合地精密表面加工技术.）光刻地目地就是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应地几何图形从而实现选择性扩散和金属薄膜布线地目地.个人收集整理勿做商业用途
、光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成地对光敏感地混合液体.）根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类.光照后形成不可溶物质地是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶地，经光照后变成可溶物质地即为正性胶.）基于感光树脂地化学结构，光刻胶可以分为三种类型：光聚合型、光分解型、光交联型.个人收集整理勿做商业用途
、分辨率定义：光刻中一个重要地性能指标是每个图形地分辨率，分辨率是将硅片上两个邻近地特征图形区分开来地能力.个人收集整理勿做商业用途
、光刻工艺中地是什么？它其什么作用？答：是六甲基二硅胺烷.起到提高粘附力地作用.影响硅片表面使之疏离水分子，同时形成对光刻胶材料地结合力.它本质是作为硅片和光刻胶地连接剂，所以这些材料具有化学相容性.个人收集整理勿做商业用途
、列出并解释两种形式地光波干涉.答：光波地干涉：波本质上是正弦曲线.任何形式地正弦波只要有相同地频率就能相互干涉.例如，波地干涉可能是两个水波彼此相互作用并部分相互抵消.有两种类型地干涉基于波是否有相同地相位.)相长干涉：两列波相位相同彼此相加)相消干涉：两列波相位不同彼此相减.个人收集整理勿做商业用途
、什么是数值孔径（）？给出他地公式.
答：透镜收集衍射光地能力被称为透镜地数值孔径（）由下式定义：（）约等于（）透镜地半径透镜地焦长.其中，图像介质地折射率（对于空气，约等于）主光轴和透镜边缘线地夹角.个人收集整理勿做商业用途
驻波效应：光线照射到光刻胶与晶圆地界面上会产生部分反射.反射光与入射光会叠加形成
驻波，形成驻波效应.驻波效应影响光刻分辨率.后烘烤后会部分消除驻波效应.个人收集整理勿做商业用途
定义刻蚀，刻蚀地目标是什么？定义：用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要地材料地过程.）目标：在涂胶地硅片上正确地复制掩膜图形.个人收集整理勿做商业用途
化学气相淀积定义：指使一种或数种物质地气体，以某种方式激活后，在衬底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜地生长技术.其英文原名为“ ”，简称为“”.个人收集整理勿做商业用途
什么是和？为什么在高级中，取代了？
：局部氧化：浅槽隔离.取代原因：）更有效地器件隔离地需要，尤其是对器件而言；）对晶体管隔离而言，表面积显著减小；）超强地闩锁保护能力；）对沟道没有侵蚀；）与地兼容.个人收集整理勿做商业用途
、列举和论述三种传统地平坦化方法及相关地定义.）反刻：由表面图形形成地表面起伏可以用一层厚地介质或其它材料作为平坦化地牺牲层（如光刻胶或）来进行平坦化，这一层牺牲材料填充空洞和表面地低处.然后用干法刻蚀技术刻蚀这一层牺牲层，通过用比低处图形快地刻蚀速率刻蚀掉高处地图形来使表面平坦化.这一工艺称为反刻平坦化.刻蚀过程一直在进行，直被刻蚀地介质层达到一个最后地厚度，同时平坦化材料仍然填充着表面地低处，有不同地工艺，这取决于图形金属层次等.把表面相近地台阶变得平滑是一种拒不平坦化.反刻不能实现全局地平坦化.个人收集整理勿做商业用途
）玻璃回流：是升高温度地情况下给掺杂氧化硅加热，使它发生流动.
）旋涂膜层：是在硅片表面上旋涂不同液体材料以获得平坦化地一种技术，主要用作层间介质.
、互连意指由导电材料，如铝、多晶硅或铜制地连线将电信号传输到芯片地不同部分.也被用做芯片上器件和整个封装之间普通地金属连接.）接触是指芯片内地器件与第一层金属之间在硅表面地连接.）通孔是指穿过各种介质从某一金属到毗邻地另一金属层形成电通路地开口.）填充薄膜是指用金属薄膜填充通孔，以便在两金属层之间形成电连接.个人收集整理勿做商业用途
、什么是欧姆接触？它地优点是什么？
答：在硅上形成期望地电接触界面，被称为欧姆接触.优点是接触电阻小.
、定义硅化物，解释难溶金属硅化物在硅片制造业中地重要性.
硅化物是一种具有热稳定性地金属化合物，在硅难熔金属地分界面具有低地电阻率.）重要性：为了提高芯片性能，需要减小许多源漏和栅区硅接触地电阻.个人收集整理勿做商业用途
、什么是？它取代了什么工艺？
答：工艺是“浅槽隔离”，用来在硅片表面地器件之间形成隔离区，技术地主要绝缘材料是淀积氧化物.它取代了工艺来对工艺技术进行隔离地实现.个人收集整理勿做商业用途
第一部分考试试题 第0章绪论 1.什么叫半导体集成电路？ 2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？ 6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？ 第1章集成电路的基本制造工艺 1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？ 2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。 3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ 4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？ 5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？ 6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。 7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。 8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。 第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应 1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。 2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？ 3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？ 4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响? 5. 消除“Latch-up”效应的方法？ 6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？ 7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？ 第3章集成电路中的无源元件 1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？ 2.集成电路中常用的电容有哪些。 3. 为什么基区薄层电阻需要修正。 4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。 5. 运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。 第4章TTL电路 1.名词解释
名词解释 铝热焊：焊接时，预先把待焊两工件的端头固定在铸型内，然后把铝粉和氧化铁粉混合物（称铝热剂）放在坩埚内加热，使之发生还原放热反应，成为液态金属（铁）和熔渣(主要为Al2O3)，注入铸型。液态金属流入接头空隙，形成焊缝金属，熔渣则浮在表面上。 砂型铸造：在砂型中生成铸件的铸造方法，基本原料：铸造砂，型砂粘结剂，铸型由外砂型和型芯组合而成。为了提高铸件的表面质量，常在砂型和型芯表面刷一层涂料。涂料的主要成分是耐火度高、高温化学稳定性好的粉状材料和粘结剂。 注射成型：塑料在注塑机加热料筒中塑化后，由柱塞或往复螺杆注射到闭合模具的模腔中形成制品的塑料加工方法。此法能加工外形复杂、尺寸精确或带嵌件的制品，生产效率高。屈服强度：大于此极限的外力作用，将会使零件永久失效，没法恢复。这个压强叫做屈服强度。 退火：将金属构件加热到高于或低于临界点，保持一定时间，随后缓慢冷却，从而获得接近平衡状态的组织与性能的金属热处理工艺。 回火：将淬火后的钢，在AC1以下加热、保温后冷却下来的热处理工艺。 Q195：是一种碳素结构钢。屈服强度195MPA。 45：优质碳素结构钢，平均含碳量为0.45% 9CrSi：含碳量为0.9%，铬、硅含量均小于15%的合金工具钢 胶合板：是由木段旋切成单板或由木方刨切成薄木，再用胶粘剂胶合而成的三层或多层的板状材料，通常用奇数层单板，并使相邻层单板的纤维方向互相垂直胶合而成。 纤维板：采用木材加工的废料或植物纤维做原料，经过破碎、浸泡、制浆、成型、干燥和热压等工序制成的一种人造板材。 熔模铸造又称失腊法。通常是指在易熔材料制成模样，在模样表面包覆若干层耐火材料制成型壳，再将模样熔化排出型壳，从而获得无分型面的铸型，经高温焙烧后即可填砂浇注的铸造方案。 压力铸造：实质是在高压作用下，使液态或半液态金属以较高的速度充填压铸型(压铸模具)型腔，并在压力下成型和凝固而获得铸件的方法。 金属型铸造：又称硬模铸造，它是将液体金属浇入金属铸型，以获得铸件的一种铸造方法。特点：铸型一般由金属制成，铸件重量和形状都会有所限制。 点焊：是焊件在接头处接触面的个别点上被焊接起来。点焊要求金属要有较好的塑性。碳化焰：在燃烧过程中，可燃气体乙炔过量，火焰中有黑烟。游离的碳会渗入到熔池，增加焊孔的含碳量。如果有过多的氢气进入熔池会产生气孔裂纹。 中性焰：在燃烧过程中，氧量的供给量恰好等于气体完全燃烧的需氧量，燃料后的产物中既没有多余的氧气也没有因缺氧而生成的一氧化碳等还原性气体的火焰。 脱模斜度：也就是拔模斜度，是为了方便出模而在模膛两侧设计的斜度。脱模斜度的取向要根据塑件的内外型尺寸而定。 加强筋：在结构设计过程中，可能出现结构体悬出面过大，或跨度过大的情况，在这样的情况下，结构件本身的连接面能承受的负荷有限，则在两结合体的公共垂直面上增加一块加强板，俗称加强肋（在工程上念JIN筋），以增加结合面的强度。 榫结合：材料设计成互相扣紧的凹凸，不需要钉子胶水等连接，只需敲打。 胶结合：是木制品常用的一种结合行式，主要用于实木板的拼接及榫头和榫孔的胶合，其特点是制作简便、结构牢固、外形美观，产品形式不受手工工艺的局限。
第二章 1.定性描述晶体结构的参量有哪些？定量描述晶体结构的参量又有哪些？ 定性：对称轴、对称中心、晶系、点阵、晶胞定量：晶胞参数，晶向指数 1.依据结合力的本质不同，晶体的键合作用分为哪几类？其特点是什么？ 共价键、离子键、金属键、范德华键、氢键。 离子键：没有方向性和饱和性，结合力很大。 共价键：具有方向性和饱和性，结合力也很大，一般大于离子键。 金属键：没有方向性和饱和性的共价键，结合力是原子实和电子云之间的库仑力。 范德华键：是通过分子力而产生的键合，结合力很弱 氢键：是指氢原子与半径较小，电负性很大的原子相结合所形成的键。 2.等径球最紧密堆积的空隙有哪两种？一个球的周围有多少个四面体空隙、多少个八面体空隙？ 六方最密堆积、面心立方紧密堆积，8个四面体空隙，6个八面体空隙 3.n个等径球作最紧密堆积时可形成多少个四面体空隙、多少个八面体空隙？不等径球是如何进行堆积的？2n个四面体空隙，n个八面体空隙。 不等径球堆积时，较大球体作等径球的紧密堆积，较小的球填充在大球紧密堆积形成的空隙中。其中稍小的球体填充在四面体空隙，稍大的则填充在八面体空隙，如果更大，则会使堆积方式稍加改变，以产生较大的空隙满足填充的要求。 4.解释下列概念 晶体：是内部质点在三维空间有周期性和对称性排列的固体。 晶系：晶体根据其在晶体理想外形或综合宏观物理性质中呈现的特征对称元素可划分为立方、六方、三方、四方、正交、单斜、三斜等7类，是为7个晶系。（六三四立方，单三斜正交） 晶包：是从晶体取出反映其周期性和对称性的结构的最小重复单元。 晶胞参数：晶胞的形状和大小可以用6个参数来表示，此即晶胞参数，它们是三条棱边的长度a,b,c和三条棱边的夹角a,B,r. 空间点阵：空间点阵是一种表示晶体内部质点排列规律的几何图形。 米勒指数：是晶体的常数之一，是晶面在3个结晶轴上的截距系数的倒数比，当化为最简单的整数比后，所得出的3个整数称为该晶面的米勒指数。 离子晶体的晶格能：晶格能又叫点阵能。它是在OK时1mol离子化合物中的正、负离子从相互分离的气态结合成离子晶体时所放出的能量。 配位数：配位数是中心离子的重要特征。直接同中心离子(或原子)配位的原子数目叫中心离子(或原子)的配位数。 离子极化：离子极化指的是在离子化合物中，正、负离子的电子云分布在对方离子的电场作用下，发生变形的现象。离子极化能对金属化合物性质产生影响。主要表现为离子间距离缩短，离子配位数降低，同时变形电子云相互重合，使键性由离子键向共价键过渡，最终使晶体结构类型发生变化。 同质多晶和类质同晶：同质多晶是一种物质在不同热力学条件下形成两种或两种以上不同结构的现象，由此所产生的每一种化学组成相同但结构不同的晶体，称为变体。类质同晶：化学组成相似的物质，在相同的热力学条件下，形成的晶体具有相同的结构，这种结构称为类质同晶现象。 正尖晶石与反正尖晶石：在尖晶石结构中，如果A离子占据四面体空隙，B离子占据八面体空隙，则称为正尖晶石。反之，如果半数的B离子占据四面体空隙，A离子和另外半数的B离子占据八面体空隙，则称为反尖晶石。 铁电效应：有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线的晶体。
习题集名词解释 1.冲击韧性：材料抵抗冲击载荷而不破坏的能力称为冲击韧性，以在冲击力作用下材料破坏时单位面积所吸收的能量a k表示。 2.布氏硬度：是压入法硬度试验之一，所施加的载荷与压痕表面积的比值即为布氏硬度值。 3.洛氏硬度：是压入法硬度试验之一，它是以压痕深度的大小来表示硬度值。 4.韧脆转变温度：材料的冲击韧性随温度下降而下降，在某一温度范围内a k值发生急剧下降的现象称为韧脆转变，发生韧脆转变的温度范围称为韧脆转变温度。 5.工艺性能：表示材料加工难易程度的性能。 6.金属键：金属离子通过正离子和自由电子之间引力而相互结合，这种结合键称为金属键。 7.晶格：为了研究方便，将构成晶体的原子抽象为平衡中心位置的纯粹几何点，称为结点或阵点。用一些假想的空间直线将这些点连接起来，构成一个三维的空间格架，称为空间点阵，简称为晶格或点阵。 8.晶胞：反映晶格特征的最小几何单元来分析晶体中原子排列的规律，这个最小的几何单元称为晶胞。 9.致密度：晶胞中原子本身所占有的体积与晶胞体积之比称为致密度。 10.晶体和非晶体：原子在三维空间作有规律的周期性重复排列的物质称为晶体，否则为非晶体。 11.空位：空位是指在正常晶格结点上出现了空位，空位的产生是由某些能量高的原子通过热振动离开平衡位置引起的。 12.间隙原子：间隙原子是指个别晶格间隙中存在的多余原子。间隙原子可以是基体金属原子，也可以是外来原子。 13.位错：当晶格中一部分晶体相对于另一部分晶体沿某一晶面发生局部滑移时，滑移面上滑移区与未滑移区的交界线称为位错。 14.各向异性：晶体中，由于各晶面和各晶向上的原子排列的密度不同，因而同一晶体的不同晶向和晶面上的各种性能不同，这种现象称为各向异性。 15.晶粒和晶界：多晶体中每个外形不规则的小晶体称为晶粒，晶粒之间的交界面就是晶界。 16.合金：合金是指由两种或两种以上金属元素、或金属元素与非金属元素组成的具有金属特性的物质。 17.相：金属或合金中，凡成分相同、结构相同，并与其他部分有界面分开的均匀组成部分称为相。 18.固溶体：合金的组元之间相互溶解，形成一种成分及性能均匀的、且结构与组成元素之一的晶体结构相同的固相称为固溶体。 19.固溶强化：随溶质含量增加，固溶体的强度、硬度增加，塑性、韧性下降的现象称为固溶强化，这是金属强化的重要方法之一。 20.凝固和结晶：物质从液态到固态的转变过程称为凝固。材料的凝固分为两种类型:一种是形成晶体，我们称之为结晶；另一种是形成非晶体。 21.过冷和过冷度：实际结晶温度低于理论结晶温度的现象称为过冷。理论结晶温度T0与实际结晶温度T1之差称为过冷度。 22.非自发形核：结晶过程中，依靠液体中存在的固体杂质或容器壁形核，则称
【集成电路(IC)】电子专业术语英汉对照加注解 电子专业英语术语 ★rchitecture（结构）：可编程集成电路系列的通用逻辑结构。 ★ASIC（Application Specific Integrated Circuit－专用集成电路）：适合于某一单一用途的集成电路产品。 ★A TE（Automatic Test EQUIPment－自动测试设备）：能够自动测试组装电路板和用于莱迪思 ISP 器件编程的设备。 ★BGA（Ball Grid Array－球栅阵列）：以球型引脚焊接工艺为特征的一类集成电路封装。可以提高可加工性，减小尺寸和厚度，改善了噪声特性，提高了功耗管理特性。★Boolean Equation（逻辑方程）：基于逻辑代数的文本设计输入方法。 ★Boundary Scan Test（边界扫描测试）：板级测试的趋势。为实现先进的技术所需要的多管脚器件提供了较低的测试和制造成本。 ★Cell-Based PLD（基于单元的可编程逻辑器件）：混合型可编程逻辑器件结构，将标准的复杂的可编程逻辑器件（CPLD）和特殊功能的模块组合到一块芯片上。 ★CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor－互补金属氧化物半导体）：先进的集成电路★加工工艺技术，具有高集成、低成本、低能耗和高性能等特征。CMOS 是现在高密度可编程逻辑器件（PLD）的理想工艺技术。 ★CPLD（Complex Programmable Logic Device－复杂可编程逻辑器件）：高密度的可编程逻辑器件，包含通过一个中央全局布线区连接的宏单元。这种结构提供高速度和可预测的性能。是实现高速逻辑的理想结构。理想的可编程技术是 E2CMOS?。 ★Density （密度）：表示集成在一个芯片上的逻辑数量，单位是门（gate）。密度越高，门越多，也意味着越复杂。 ★Design Simulation（设计仿真）：明确一个设计是否与要求的功能和时序相一致的过程。★E2CMOS?（Electrically Erasable CMOS－电子可擦除互补金属氧化物半导体）：莱迪思专用工艺。基于其具有继承性、可重复编程和可测试性等特点，因此是一种可编程逻辑器件（PLD）的理想工艺技术。 ★EBR（Embedded BLOCk RAM－嵌入模块RAM）：在 ORCA 现场可编程门阵列（FPGA）中的 RAM 单元，可配置成 RAM、只读存储器（ROM）、先入先出（FIFO）、内容地址存储器（CAM）等。 ★EDA（Electronic Design Automation－电子设计自动化）：即通常所谓的电子线路辅助设计软件。 ★EPIC （Editor for Programmable Integrated Circuit－可编程集成电路编辑器）：一种包含在★ORCA Foundry 中的低级别的图型编辑器，可用于 ORCA 设计中比特级的编辑。★Explore Tool（探索工具）：莱迪思的新创造，包括 ispDS+HDL 综合优化逻辑适配器。探索工具为用户提供了一个简单的图形化界面进行编译器的综合控制。设计者只需要简单地点击鼠标，就可以管理编译器的设置，执行一个设计中的类似于多批处理的编译。★Fmax：信号的最高频率。芯片在每秒内产生逻辑功能的最多次数。 ★FAE（Field Application Engineer－现场应用工程师）：在现场为客户提供技术支持的工程师。 ★Fabless：能够设计，销售，通过与硅片制造商联合以转包的方式实现硅片加工的一类半导体公司。
习题集名词解释 1.30. 奥氏体：碳在γ-Fe中的间隙固溶体称为奥氏体。 2.52. 奥氏体化：将钢加热到临界温度以上使组织完全转变为 奥氏体的过程。 3. B 2.布氏硬度：是压入法硬度试验之一，所施加的载荷与压 痕表面积的比值即为布氏硬度值。 4. B 3 5.变质处理：变质处理又称孕育处理，是一种有意向液 态金属中加入非自发形核物质从而细化晶粒的方法。 5. B 43.变形织构：由于塑性变形的结果而使晶粒具有择优取 向的组织叫做“变形织构”。 6. B 53.本质晶粒度：在规定条件下（930±10℃，保温3～8h） 奥氏体的晶粒度称为奥氏体本质晶粒度，用以评定刚的奥氏体晶粒长大倾向。 7. C 1.冲击韧性：材料抵抗冲击载荷而不破坏的能力称为冲击 韧性，以在冲击力作用下材料破坏时单位面积所吸收的能量ak表示。 8. C 54.残余奥氏体：多数钢的Mf点在室温以下，因此冷却到 室温时仍会保留相当数量未转变的奥氏体，称之为残余（留）奥氏体，常用′或A′来表示。 9. C 57.淬火：所谓淬火就是将钢件加热到Ac3（对亚共析钢） 或Ac1（对共析和过共析钢）以上30～50℃，保温一定时间后快速冷却（一般为油 10.冷或水冷）以获得马氏体（或下贝氏体）组织的一种工艺操 作。 11.C 59.淬透性：指钢在淬火时获得淬硬层（也称淬透层）深 度的能力。 12.C 60.淬硬性：淬硬性是指钢淬火后所能达到的最高硬度， 即硬化能力。它主要取决于马氏体的硬度和马氏体、碳化物和残余奥氏的相对量及其组织形态。马氏体的硬度取决于马氏体的含碳量。 13.D 58.等温淬火：将加热的工件放入温度稍高于Ms点的硝盐 浴或碱浴中，保温足够长的时间使其完成贝氏体转变，获得下贝氏体组织。 14.E 70二次硬化：含W、Mo和V等元素的钢在回火加热时由 于析出细小弥散分布的碳化物以及回火冷却时残余奥氏体 转变为马氏体，使钢的硬度不仅不降低，反而升高的现象。 15.E 33.二次渗碳体：从奥氏体中析出的渗碳体，称为二次渗碳 体。二次渗碳体通常沿着奥氏体晶界呈网状分布。 16.F 22.非自发形核：结晶过程中，依靠液体中存在的固体杂质 或容器壁形核，则称为非自发形核，又称非均匀形核。17.G 26.杠杆定律：即合金在某温度下两平衡相的重量比等于 该温度下与各自相区距离较远的成分线段之比。在杠杆定律中，杠杆的支点是合金的成分，杠杆的两个端点是所求的两平衡相（或两组织组成物）的成分。这种定量关系与力学中的杠杆定律完全相似，因此也称之为杠杆定律。 18.G 28.共晶转变：在恒温下一定成分的液体同时结晶出两种 成分和结构都不相同的固相的转变过程。 19.G 82.固溶处理：经加热保温获得单一固溶体，再经快速冷
1.固相烧结：固态粉末在适当的温度，压力，气氛和时间条件下，通过物质与气孔之间的传质，变为坚硬、致密烧结体的过程。 液相烧结：有液相参加的烧结过程。 2.金属键:自由电子与原子核之间静电作用产生的键合力。 3.离子键：金属原子自己最外层的价电子给予非金属原子，使自己成为带正电的正离子，而非金属得到价电子后使自己成为带负电的负离子，这样正负离子靠它们之间的静电引力结合在一起。 共价键：由两个或多个电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的化学键。氢键：由氢原子同时与两个电负性相差很大而原子半径较小的原子（O，F，N等）相结合而产生的具有比一般次价键大的键力。 弗兰克缺陷：间隙空位对缺陷 肖脱基缺陷：正负离子空位对的 奥氏体：γ铁内固溶有碳和(或)其他元素的、晶体结构为面心立方的固溶体。 布拉菲点阵:除考虑晶胞外形外，还考虑阵点位置所构成的点阵。 不全位错：柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错称为不全位错。 玻璃化转变温度：过冷液体随着温度的继续下降，过冷液体的黏度迅速增大，原子间的相互运动变得更加困难，所以当温度降至某一临界温度以下时，即固化成玻璃。这个临界温度称为玻璃化温度Tg。 表面能:表面原子处于不均匀的力场之中，所以其能量大大升高，高出的能量称为表面自由能（或表面能）。 半共格相界：若两相邻晶体在相界面处的晶面间距相差较大，则在相界面上不可能做到完全的一一对应，于是在界面上将产生一些位错，以降低界面的弹性应变能，这时界面上两相原子部分地保持匹配，这样的界面称为半共格界面或部分共格界面。 柏氏矢量:描述位错特征的一个重要矢量，它集中反映了位错区域内畸变总量的大小和方向，也使位错扫过后晶体相对滑动的量。 柏氏矢量物理意义： ①从位错的存在使得晶体中局部区域产生点阵畸变来说：一个反映位错性质以及由位错引起的晶格畸变大小的物理量。 ②从位错运动引起晶体宏观变形来说：表示该位错运动后能够在晶体中引起的相对位移。 部分位错：柏氏矢量小于点阵矢量的位错 包晶转变：在二元相图中，包晶转变就是已结晶的固相与剩余液相反应形成另一固相的恒温转变。 包析反应:由两个固相反应得到一个固相的过程为包析反应。 包析转变：两个一定成分的固相在恒温（T）下转变为一个新的固相的恒温反应。包析转变与包晶转变的相图特征类似，只是包析转变中没有液相，只有固相。 粗糙界面：界面的平衡结构约有一半的原子被固相原子占据而另一半位置空着，这时界面称为微观粗糙界面。 重合位置点阵：当两个相邻晶粒的位相差为某一值时，若设想两晶粒的点阵彼此通过晶界向对方延伸，则其中一些原子将出现有规律的相互重合。由这些原子重合位置所组成的比原来晶体点阵大的新点阵，称为重合位置点阵。 成分过冷；界面前沿液体中的实际温度低于由溶质分布所决定的凝固温度时产生的过冷。
谢建军材料制备工艺与设备 名词解释（未收录各种成型工艺的定义） 材料工艺：材料的生产工艺就是把天然原料（包括人造原料）经过物理和化学变化而变成工程上有用的原材料的工艺技术。（将任何一种材料从原料到成品的整个过程称为材料工艺过程） 材料工艺过程：任何一种材料从原料→成品的整个过程。 材料设备？ 材料：人类赖以生存的物质基础。人类社会生产力水平的标志。 材料工艺任务：通过改变和控制材料的外部形态和内部结构把材料加工成人类社会所需的各种部件和成品。 材料的加工性能：即材料被加工的能力。 单晶材料液相法：直接从气体凝固或利用气相化学反应制备单晶体的方法 单晶材料固相法：在固态条件下，使异常晶粒不断长大吞并其他小晶粒而得到单晶的方法。 材料工艺性能：是指材料适应工艺而获得规定性能和外形的能力。 工艺性能的表征方法——相关法：将材料的工艺性能与一些简单的物理、化学、力学参量联系起来。 热工：就是指关于热（加热、保温和降温制度）的工程技术。 无机非金属材料：是以某些元素的氧化物、碳化物、氮化物、卤素化合物、硼化物以及硅酸盐、铝酸盐、磷酸盐、硼酸盐等物质组成的材料。 材料科学：就是研究有关材料的组成、结构与工艺流程对于材料性能与用途的影响。 水泥磨：水泥磨是指在水泥熟料中添加石膏（调节水泥的硬化时间和硬化强度）、混合料（火山灰、粉煤灰等）后进行混合均匀的简单球磨过程。 喷火口：是挡火墙与燃烧室上部窑墙之间的空间。 陶瓷（广义）：用陶瓷生产方法制造的的无机非金属固体材料和产品的通称。 陶瓷（狭义）：以粘土、长石、石英为主要原料，经过粉碎、混炼、成型、煅烧等工艺过程制得的产品。 普通（传统）陶瓷：以粘土及其他天然矿物（长石、石英等）为原料经粉碎、混合、成型、焙烧等工艺过程而制得的制品。
材料科学基础考题 Ⅰ卷 一、名词解释（任选5题，每题4分，共20分） 单位位错；交滑移；滑移系；伪共晶；离异共晶；奥氏体；成分过冷 二、选择题（每题2分，共20分） 1．在体心立方结构中，柏氏矢量为a[110]的位错( )分解为a/2[111]+a/2]111[. (A) 不能(B) 能(C) 可能 2．原子扩散的驱动力是：( ) (A) 组元的浓度梯度(B) 组元的化学势梯度(C) 温度梯度 3．凝固的热力学条件为：（） （A）形核率(B)系统自由能增加 （C）能量守衡（D）过冷度 4．在TiO2中，当一部分Ti4+还原成Ti3+，为了平衡电荷就出现（） (A) 氧离子空位(B) 钛离子空位(C)阳离子空位 5．在三元系浓度三角形中，凡成分位于（）上的合金，它们含有另两个顶角所代表的两组元含量相等。 （A）通过三角形顶角的中垂线 （B）通过三角形顶角的任一直线 （C）通过三角形顶角与对边成45°的直线 6．有效分配系数k e 表示液相的混合程度，其值范围是（） （A）1 半导体集成电路典型试题 绪论 1、什么叫半导体集成电路？ 【答案：】 通过一系列的加工工艺，将晶体管，二极管等有源器件和电阻，电容等无源元件，按一定电路互连。 集成在一块半导体基片上。封装在一个外壳内，执行特定的电路或系统功能。 2、按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写 【答案：】 小规模集成电路（SSI），中规模集成电路（MSI），大规模集成电路（VSI），超大规模集成电路（VLSI），特大规模集成电路（ULSI），巨大规模集成电路（GSI） 3、按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 【答案：】 双极型（BJT）集成电路，单极型（MOS）集成电路，Bi-CMOS型集成电路。 4、按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 【答案：】 数字集成电路，模拟集成电路，数模混合集成电路。 5、什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？ 【答案：】 集成电路中半导体器件的最小尺寸如MOSFET的最小沟道长度。是衡量集成电路加工和设计水平的重要标志。它的减小使得芯片集成度的直接提高。 6、名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？ 【答案：】 7、分析下面的电路，指出它完成的逻辑功能，说明它和一般动态组合逻辑电路的不同,分析它的工作原理。 【答案：】 该电路可以完成NAND逻辑。与一般动态组合逻辑电路相比，它增加了一个MOS管M kp，它可以解决一般动态组合逻辑电路存在的电荷分配的问题。对于一般的动态组合逻辑电路，在评估阶段，A=“H” B=“L”, 电荷被OUT处和A处的电荷分配，整体的阈值下降，可能导致OUT的输出错误。 该电路增加了一个MOS管M kp，在预充电阶段，M kp导通，对C点充电到V dd。在评估阶段，M kp 截至，不影响电路的正常输出。 8、延迟时间 【答案：】 时钟沿与输出端之间的延迟 第1章集成电路的基本制造工艺 1、四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用 【答案：】 减小集电极串联电阻，减小寄生PNP管的影响 2、在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响 【答案：】 电阻率过大将增大集电极串联电阻，扩大饱和压降，若过小耐压低，结电容增大，且外延时下推大 3、简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤 【答案：】 第一次光刻：N+隐埋层扩散孔光刻 第二次光刻：P隔离扩散孔光刻 第三次光刻：P型基区扩散孔光刻 第四次光刻：N+发射区扩散孔光刻 第五次光刻：引线孔光刻 1．刚度材料抵抗弹性变形的能力。 2．抗拉强度材料抵抗最大均匀塑性变形的能力。3．屈服强度材料抵抗微量塑性变形的能力；或材料在屈服（开始产生明显塑性变形）时的应力。 4．塑性断裂前材料产生塑性变形的能力。5．疲劳（疲劳断裂）工件在交变应力作用下，其工作应力往往低于屈服强度，所产生的脆性断裂现象。 6．硬度材料表面抵抗局部微量塑性变形的能力。 晶体结构 1．晶胞晶胞是能代表晶格中原子排列规律的最小几何单元。 2．晶格晶格是描述晶体中原子排列规律的空间格子。 3．致密度晶胞中原子体积与晶胞体积的比值。4．多晶体多晶体是由许多晶格方位彼此不同的小晶体（晶粒）组成的晶体。5．晶体各向异性晶体中不同晶面或晶向上的原子密度不同，从而造成晶体不同方向上的性能不同的现象。 合金 1．．同素异构转变固态金属的晶格结构随温度改变而改变的现象。 2．过冷度理论结晶温度与实际结晶温度之差。3．相在合金中，具有同一化学成分、同一晶体结构，且有界面与其它部分分开的均匀组成部分。 4．固溶体溶质原子溶入溶剂晶格中所形成的固相。 5．间隙固溶体溶质原子溶入溶剂晶格的间隙中形成的固溶体。 6．置换固溶体溶质原子代替溶剂晶格结点上的某些原子所形成的固溶体。 7．间隙相D非/D金小于0.59，具有简单晶格的金属化合物。 8．晶内偏析（枝晶偏析）固溶体合金冷速较快时，形成在一个晶粒内化学成分不均匀的现象。9．相图（平衡图）相图是表示不同成分的合金在不同温度下各相之间平衡存在的关系图解。 10．固溶强化通过溶入溶质元素形成固溶体，从而使材料的强度、硬度提高的现象，称为固溶强化。 11．细晶强化金属的晶粒愈细小，其强度、硬度愈高，这种现象称为细晶强化。塑性变形 1．滑移在切应力作用下，晶体中的一部分沿着一定晶面、晶向相对于另一部分的滑动。 2．滑移系晶体中的一个滑移面及其上的一个滑移方向构成一个滑移系。3．加工硬化金属经冷塑性变形后，强度、硬度升高，塑性、韧性降低的现象。4．再结晶冷变形金属加热到再结晶温度以上，通过形核长大，使畸变晶粒变成 无畸变等轴晶粒的过程 5．形变织构金属 经大量塑性变形后，由于晶体转 动造成各个晶粒中的某些位向 大致趋向一致的现象。 6．热加工纤维组织金属 中的夹杂物及枝晶偏析经塑性 变形后沿变形方向分布，呈纤维 状，这种组织称纤维组织 7．热（压力）加工金属 在再结晶温度以上进行的压力 加工。 8．冷（压力）加工金属 在再结晶温度以下进行的压力 加工。 铁碳相图 1．铁素体碳溶 于α铁中形成的间隙固容体 2．渗碳体具有 复杂晶格的间隙化合物。 3．奥氏体碳溶 于γ－Ｆｅ中的间隙固溶体。 4．珠光体由铁 素体与渗碳体两相组成的片层 状机械混合物。 5．高温莱氏体由奥 氏体与渗碳体两相组成的机械 混合物。 6．热脆性钢中 FeS与Fe 形成的低熔点共晶体 （在Ａ晶界上）在锻压时熔化而 导致钢材沿晶界开裂的现象。 7．冷脆性磷溶 入铁素体中,产生固溶强化的同 时急剧降低钢室温下的韧性和 塑性的现象. 9．碳钢含碳量 小于2.11%,并且含少量硅,锰,磷, 硫等杂质元素的铁碳合金. 热处理 1．奥氏体的实际晶粒度在 具体加热条件下（温度、时间） 奥氏体的晶粒大小。 2．过冷奥氏体当 奥氏体冷至临界点以下，尚未开 始转变的不稳定的奥氏体。 3．残余奥氏体过 冷奥氏体向马氏体转变时，冷至 室温或Mf点，尚未转变的奥氏 体。 4．索氏体是 过冷奥氏体在A1 ~ 650℃之间 形成的，由铁素体与渗碳体两相 组成的细片状机械混合物。 5．屈氏体是 过冷奥氏体在650~600℃之间 形成的，由铁素体与渗碳体两相 组成的极细片状机械混合物。 6．马氏体由 过冷奥氏体在Ms~Mf 间形成 的，碳在α－Ｆｅ中的过饱和固 溶体。 7．退火将 钢加热至适当温度、保温后，缓 慢冷至室温，以获得接近平衡状 态组织的热处理工艺。 8．正火将 钢加热至Ac3或Accm以上， 保温后空冷的热处理工艺。 9．淬火将 钢加热至Ac3或Ac1以上,保温 后以>Vk的速度快冷，使过冷 Ａ转变成Ｍ的热处理工艺。 10．回火将 淬火钢加热至A1以下某一温 度，保温后一般空冷至室温的热 处理工艺。 11．回火马氏体淬 火马氏体经低温回火形成的，由 已分解的马氏体与分布其上的 细小片状ε碳化物组成的混合 物。 12．回火屈氏体由 马氏体经中温回火得到的铁素 体与极细粒状碳化物组成的两 相混合物。 13．回火索氏体由 马氏体经高温回火得到的铁素 体与细粒状碳化物组成的两相 混合物。 14．调质处理淬 火＋高温回火工艺的总称。 15．冷处理淬 火钢冷至室温后继续冷却至 -70~-80℃或更低的温度,使更多 的奥氏体转变成马氏体的热处 理工艺. 16．时效硬化经 固溶处理（淬火）的合金在室温 停留或低温加热时，随时间延长 强度、硬度升高的现象。 17．钢的淬透性在 规定条件下，钢在淬火时获得淬 硬层（或称淬透层）深度的能力。 18．钢的淬硬性钢 在淬火后（马氏体组织）所能达 到的最高硬度。 19．临界（淬火）冷却速度临 界淬火速度（临界冷却速度）获 得全部马氏体组织的最小冷却 速度。 20．表面淬火仅 将钢件表层快速加热至奥氏体 化，然后迅速冷却，不改变心部 组织的淬火方法。 21．渗碳向 低碳钢表面渗入碳原子，增加其 表层含碳量的化学热处理工艺。 1．合金钢为 了改善钢的某些性能，在炼钢 时，有意加入合金元素所炼制的 钢叫合金钢。 2．第二类回火脆性对 含有锰、铬、镍等元素的合金调 质钢，淬火后在450~650℃回火, 保温后缓冷时钢的韧性下降的 现象. 3．回火稳定性（回火抗力）淬 火钢在回火过程中抵抗硬度下 降的能力，或称抗回火软化的能 力。 4．二次硬化含 有强碳化物形成元素的高合金 钢，淬火后较高温度回火，由于 析出弥散的特殊碳化物使其硬 度升高的现象。 5．固溶处理将 合金加热至高温单相区恒温保 持，使过剩相充分溶解到固溶体 中后快速冷却，以得到过饱和固 溶体的工艺。 铸铁 1．铸铁的孕育处理浇 注前往铁水中加入孕育剂，促进 石墨化，细化石墨，以提高铸铁 的机械性能。 2．可锻铸铁白 口铸铁通过石墨化（可锻化）退 火，使渗碳体分解成团絮状石 墨，而获得的铸铁。 期末总复习 一、名词解释 空间点阵：表示晶体中原子规则排列的抽象质点。 配位数：直接与中心原子连接的配体的原子数目或基团数目。 对称：物体经过一系列操作后，空间性质复原；这种操作称为对称操作。 超结构：长程有序固溶体的通称 固溶体：一种元素进入到另一种元素的晶格结构形成的结晶，其结构一般保持和母相一致。 致密度：晶体结构中原子的体积与晶胞体积的比值。 正吸附：材料表面原子处于结合键不饱和状态，以吸附介质中原子或晶体内部溶质原子达到平衡状态，当溶质原子或杂质原子在表面浓度大于在其在晶体内部的浓度时称为正吸附； 晶界能：晶界上原子从晶格中正常结点位置脱离出来，引起晶界附近区域内晶格发生畸变，与晶内相比，界面的单位面积自由能升高，升高部分的能量为晶界能； 小角度晶界：多晶体材料中，每个晶粒之间的位向不同，晶粒与晶粒之间存在界面，若相邻晶粒之间的位向差在10°～2°之间，称为小角度晶界； 晶界偏聚：溶质原子或杂质原子在晶界或相界上的富集，也称内吸附，有因为尺寸因素造成的平衡偏聚和空位造成的非平衡偏聚。 肖脱基空位：脱位原子进入其他空位或者迁移至晶界或表面而形成的空位。 弗兰克耳空位：晶体中原子进入空隙形而形成的一对由空位和间隙原子组成的缺陷。 刃型位错：柏氏矢量与位错线垂直的位错。 螺型位错：柏氏矢量与位错线平行的位错。 柏氏矢量：用来表征晶体中位错区中原子的畸变程度和畸变方向的物理量。 单位位错：柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错 派—纳力：位错滑动时需要克服的周围原子的阻力。 过冷：凝固过程开始结晶温度低于理论结晶温度的现象。 过冷度：实际结晶温度和理论结晶温度之间的差值。 均匀形核：在过冷的液态金属中，依靠金属本身的能量起伏获得成核驱动力的形核过程。 过冷度：实际结晶温度和理论结晶温度之间的差值。 形核功：形成临界晶核时，由外界提供的用于补偿表面自由能和体积自由能差值的能量。 马氏体转变：是一种无扩散型相变，通过切变方式由一种晶体结构转变另一种结构，转变过程中，表面有浮凸，新旧相之间保持严格的位向关系。或者：由奥氏体向马氏体转变的 1)Acetone 丙酮 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3 性质：无色，具剌激性薄荷臭味的液体 用途：在FAB内的用途，主要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭 毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量的丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意 识不明等。 允许浓度：1000ppm 2)Active Area 主动区域 MOS核心区域，即源，汲，闸极区域 3)AEI蚀刻后检查 （1）AEI 即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前和光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。 （2）AEI的目的有四： 提高产品良率，避免不良品外流。 达到品质的一致性和制程的重复性。 显示制程能力的指标。 防止异常扩大，节省成本 （3）通常AEI检查出来的不良品，非必要时很少做修改。因为除去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。生产成本增高，以及良率降低的缺点。4）Al-Cu-Si 铝硅铜 金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为T arget，其成份为0.5%铜，1%硅及98.5%铝，一般制程通常是使用99%铝1%硅．后来为了金属电荷迁移现象(Electromigration) 故渗加 0.5%铜降低金属电荷迁移 5）Alkaline Ions 碱金属雕子 如Na+，K+，破坏氧化层完整性，增加漏电密度，减小少子寿命，引起移动电荷，影响器件稳定性。其主要来源是：炉管的石英材料，制程气体及光阻等不纯物。 6）Alloy 合金 半导体制程在蚀刻出金属连线后，必须加强Al与SiO2间interface的紧密度，故进行Alloy步骤，以450℃作用30min，增加Al与Si的紧密程度，防止Al层的剥落及减少欧姆接触的电阻值，使R C的值尽量减少。 7）Aluminum 铝 一种金属元素，质地坚韧而轻，有延展性，容易导电。普遍用于半导体器件间的金属连线，但因其易引起spike及Electromigration，故实际中会在其中加入适量的Cu或Si 8）Anneal 回火 又称退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。 a)激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性，产生自由载 流子，起到杂质的作用。 b)消除损伤：离子植入后回火是为了修复因高能加速的离子直接打入芯片而产生的损毁 区（进入底材中的离子行进中将硅原子撞离原来的晶格位置，致使晶体的特性改变）。 而这种损毁区，经过回火的热处理后即可复原。这种热处理的回火功能可利用其温度、 时间差异来控制全部或局部的活化植入离子的功能 c)氧化制程中的回火主要是为了降低界面态电荷，降低SiO2的晶格结构 退火方式： ?炉退火 ?快速退火：脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等) 9）Angstrom 埃(?) 是一个长度单位，1?=10-10米,其大小为1公尺的佰亿分之一，约人的头发宽度的伍拾万分之 1.生产过程：指把原材料转变为成品的全过程。 2.工艺过程：机器生产过程中，改变生产对象的形状、尺寸、相对位置和物理、力学性能等使其成为成 品或半成品的过程。 3.热处理工艺过程：在热处理车间，对机器零件的半成品通过各种热处理方法，直接改变它们的材料性 质的过程，称为热处理工艺过程。 4.装配工艺过程：将合格的机器零件和外购件，标准件装配成组件，部件和机器的过程，则称为装配工 艺过程。 5.机械加工工艺过程：用机械加工方法逐步改变毛坯的形态，使其成为合格零件所进行的全部过程。 6.生产纲领：机器产品在计划期内应当生产的产品产量和进度计划称为该产品的生产纲领。 7.生产批量：指一次投入或产出的同一产品或零件的数量。 8.生产类型：单件生产、成批生产、大量生产（13年、14年） 9.工艺规程：规定产品或零部件机械加工工艺过程和操作方法等的工艺文件。 10.机械加工工艺规程：规定产品或零部件机械加工工艺过程和操作方法等的工艺文件。（14年） 11.基准：在零件图上或实际的零件上，用来确定其它点、线、面的位置时所依据的点、线、面。 12.设计基准：零件工作图上用来确定其它点、线、面位置的基准。 13.工艺基准：加工、测量和装配过程中使用的基准。（13年） 14.工序基准：在工序图上用来确定本工序所加工表面加工后的位置尺寸和位置关系的基准。 15.定位基准：加工中用于定位的基准。（14年） 16.测量基准：工件测量时所用的基准。 17.装配基准：在装配时用来确定零件或部件在机器中的相对位置所采用的基准。 18.工件定位：采取一定的约束措施来限制自由度，通常可用约束点群来描述，而且一个自由度只需要一 个约束点来限制。 19.定位：使工件在机床或夹具中占有正确的位置。 20.装夹：将工件在机床上或夹具中定位，夹紧的过程称为装夹。 21.定位误差：指由于工件定位造成的加工面相对工序基准的位置误差。 22.基准不重合误差：由于定位基准与工序基准不一致所引起的定位误差。 23.基准位置误差：由于工件的定位表面或夹具上的定位元件制作不准确引起的定位误差。 24.六点定位原理：用六个支承点来分别限制工件的六个自由度，从而使工件在空间得到确定定位的方法。 25.完全定位：工件的六个自由度完全被限制的定位。（14年） 26.不完全定位：按加工要求，允许有一个或几个自由度不被限制的定位。（13年） 27.欠定位：按加工要求，工件应限制的自由度未被限制的定位。 28.过定位：工件的同一个自由度被两个或两个以上支承点重复限制的定位。 29.工序：一个或一组工人，在一个工作地点，对一个或同时几个工件所连续完成的那部分工艺过程。（13 年） 30.安装：工件在机床或夹具中定位并夹紧的过程。 31.工位：工件在一次安装后，工件与夹具或设备的可动部分一起相对于刀具或设备的固定部分所占据的 每一个位置上所完成的那一部分工艺过程。 32.工步：在加工表面、切削刀具和切削用量都不变的情况下，所连续完成的那部分工艺过程。 33.行程：有些工步，由于余量较大或其它原因，需要用同一刀具，对同一表面进行多次切削，这样刀具 对工件每切削一次就称为一次行程 34.走刀：攻坚的每一次切削称为一次走刀。 35.零件的结构工艺性：指所设计的零件在能满足使用要求的前提下制造的可行性和经济性。（13年、14 年） 36.精基准：使用已经机械加工的表面作为定位基准。 金属键: 金属键（metallic bond）是化学键的一种，主要在金属中存在。由自由电子及排列成晶格状的金属离子之间的静电吸引力组合而成. 晶体: 是由许多质点（包括原子、离子或分子）在三维空间作有规则的周期性重复排列而构成的固体 同素异晶转变（并举例）: 金属在固态下随温度的变化，由一种晶格变为另一种晶格的现象，称为金属的同素异晶转变。液态纯铁冷却到1538℃时，结晶成具有体心立方晶格的δ-Fe；继续冷到1394℃时发生同素异晶的转变,转变为面心立方晶格γ-Fe；再继续冷却到912℃时，γ-Fe又转变为体心立方晶格的α-Fe。 晶胞: 在空间点阵中，能代表空间点阵结构特点的小平行六面体，反映晶格特征的最小几何单元。 点阵常数: 晶胞三条棱边的边长a、b、c及晶轴之间的夹角α、β、γ称为晶胞参数 晶面指数: 晶体中原子所构成的平面。 晶面族: 晶体中具有等同条件（这些晶面的原子排列情况和面间距完全相同），而只是空间位向不同的各组晶面称为晶面族 晶向指数: 晶体中的某些方向，涉及到晶体中原子的位置，原子列方向，表示的是一组相互平行、方向一致的直线的指向。 晶向族（举例）; 晶体结构中那些原子密度相同的等同晶向称为晶向族。<111>:[111],[-1-11][11-1][-1-1-1][1-1-1][-111][-11-1][1-11] 晶带和晶带轴: 所有相交于某一晶向直线或平行于此直线的晶面构成一个晶带，此直线称为晶带轴。 配位数: 在晶体中，与某一原子最邻近且等距离的原子数称为配位数 致密度: 晶胞内原子球所占体积与晶胞体积之比值 晶面间距: 两近邻平行晶面间的垂直距离 对称:通过某种几何操作后物体空间性质完全还原为原始状态 空间点阵：将构成物质结构的粒子抽象为质点后，质点在三维空间的排列情况 布拉菲点阵:考虑点阵上的阵点的具体排列而得到的点阵具体排列形式，而不是强调是布拉菲数学计算得到的十四种排列 固溶体：溶质原子在固态的溶剂中的晶格或间隙位置存在，晶体结构保持溶剂的物质 中间相：两种或以上元素原子形成与其组元的晶体结构均不相同的化合物 准晶：有独特结构和对称性的物质，原子排列在晶体的有序集成电路试题库
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