随着市场上行动电话(Mobil Phone)、数字相机(Digital Camera)及芯片卡(IC Card) 等各种电子产品之轻薄化及功能多样化之需求下，使各家制造商不断开发出多功能IC与大容量内存，但其体积要求更轻薄短小之情况下，使IC封制技术也面临极大之挑战。例如：行动电话及PDA使用之IC模具，常常会在一个IC模具内封装不同功能之芯片，此可减少各种IC使用之数量，而可使此类产品体积越来越少。数字元相机之像素不断增加，目前已出现高达800万像素之数字元相机，因此储存一帧800万像素所拍摄照片所用之内存，可能高达数MB以上。所以，记忆卡从以往之32MB 或64MB不断发展到128MB 或256MB，更有可能到达1G之记忆卡。但记忆卡之体积在保持不变之原则下，要制造出大容量记忆卡，就有必须靠半导体技术之提升。当然这些功劳不单是芯片线路制造技术，另一部份为封装制造技术之贡献。目前之封装装造技术已可把数个晶粒封装在同一颗IC内，称为多重芯片构装(Multi Chip Package)。
芯片薄型化面对之问题
1. IC Card：一般IC Card使用之芯片厚度往往会在100mm左右，更有厂商之目标要达到50mm以下。在使用方面，也会因为使用者之不良习惯，IC Card会受到外力而变形，此种弯曲的力量会使在IC Card 内晶粒断裂，所以IC Card内之晶粒，必须有足够之抗折强度，才能维持IC Card之使用寿命。
2. 多重晶粒构装：此封装方法为把数个晶粒堆栈在一起，如底层为快闪忆体(Flash memory)上层堆栈一颗静态随机存储内存(SRAM)，成为一颗特别的模块。在堆栈生产过程中，晶粒有可能会因为受到外力影向而发生断裂，所以晶粒本身之抗压强度要足够。在生产数个内存堆栈而成之高容量记忆卡时，是一颗一颗芯片往上堆栈，如果芯片有弯曲变形，即会增加晶粒粘贴之困难度，当然晶粒抗折强度也是提高成品良率之重要因素。
3. 研磨制程中之问题：当芯片研磨至非常薄之情况下，会发生以下二种问题。(一)芯片在制程内传送时，因为厚度太薄，芯片本身之强度不足，很容易发生破片的危险。首先说明薄芯片之定义，日本DISCO公司使用芯片破损指数(Wafer Breakage Index)来制定薄芯片之范围，X代表芯片直径，y代表研磨后芯片厚度，X与y之比率(X/y)即为芯片破损指数(Wafer Breakage Index)，此指数在1以下，即代表芯片正处于薄芯片之状态下，很容易会有芯片断裂发生。(二)芯片研磨后，芯片背面受到研磨破坏应力影响，会使芯片发生弯曲(Wafer Warpage) 现象(图一)，芯片弯曲会影响传送芯片之稳定性，所以必须使用薄芯片研磨相关的技术。
问题分析
1. 硅芯片材料问题：在相同材料情况下，材料之厚度越薄其抗折强度会越低，如果要改善此方面之问题，便是材料科学研究之题目。
2. 芯片弯曲问题：芯片在研磨时，会因使用之研磨轮，在芯片背面做研磨加工，此时晶背会受到研磨轮之颗粒破坏，造成粗糙面及加工变质层(图二)，这些不良之应力残留层即会使芯片强度减低及芯片弯曲变形。以下再介绍芯片弯曲发生机构(图三)，芯片正面及背面之应力方向不同，如果残留在背面之研磨应力比芯片本身之抗弯弦度还大时，此种力量足以把芯片往上弯曲。
3. 芯片强度减低问题：研磨造成之变质层就是使芯片容易断裂之根源。芯片如果受到外力加压时，芯片会从变质层残留应力比较严重的地方开始断裂。
4. 芯片边缘崩裂(Edge Chipping)问题：研磨时所产生芯片边缘崩裂，发生芯片边缘崩裂地方，如果再受到外力影响，芯片会在边缘崩裂的地方发生整枚芯片断裂。
5. 崩裂(Chipping)间题：切割产生的正面崩裂(Front side chipping)及背面崩裂(Back side chipping)在薄芯片加工制程中，任何会使芯片受伤之可能性都必须要考虑，在切割后晶粒会在正/背面发生崩裂，正
面崩裂一般可以经过切割刀片的选择及切割参数之选定，可将正崩控制在10mm以下，但背面崩裂以目前切割技术而言，如果能控制在50mm以下就非常不错。在薄芯片制程中出现如此巨大之崩裂，当然会影响芯片强度。除了正面崩裂及背面崩裂外，晶粒侧边的切痕也是缺陷之一，所以在薄晶粒的任何缺陷都会影响晶粒强度。目前日本DISCO公司针对薄芯片制程已开发出多种改善方案。
消除研磨应力加工方法
目前市场上一般使用下列方法进行消除研磨应力加工：
1. 化学机械式抛光(Chemical & Mechanical Polishing “CMP”)
2. 湿式化学腐蚀(Wet Etching)
3. 干式腐蚀(Dry Etching)
4. 干式抛光(Dry Polishing “DP”)
以上各种加工方法，其目的都是除去研磨后之变质层。一般而言，使用#2000研磨轮作细磨时，变质层之厚度约在1mm以下，所以消除磨力之加工厚度只须2mm即可，只要除去此变质层，芯片之强度自然可以提高。
日本DISCO公司提供的消除应力加工方法
干式抛光(Dry Polishing)
干式抛光方法之原理，是使用内有氧化金属分子之抛光轮，将抛光轮安装在机台之主轴下，主轴提供高转速同时会一直往芯片方向下降及往芯片背面加压，当抛光轮接触硅芯片之背面时，抛光轮内之氧离子与芯片上的硅分子产生反应，在芯片背面形成氧化硅SiO2，这些氧化生成物会被抛光轮转动之同时带离芯片外，使可达到清除此不良变质层之效果。
DISCO将低污染、运行成本又比较低的干式抛光法作为符合绿色环保要求的消除应力加工方法推荐给客户。它和在研磨机上研磨的加工方法类似，在研磨后使用专用的抛光轮对芯片的背面实施干式抛光加工。另外制程内芯片搬运需格外小心，以防芯片受伤，在薄芯片制程也必须被考虑，目前市场上使用之机台，一般是一个制程一种机台，各种机台独立运作。芯片背面研磨后，机台会自动把芯片送回晶舟盒(Cassette)内。但在制程间之传送，就必须靠人工方法，把晶舟盒送至抛光机进行消除应力工程，特别要注意研磨后之芯片厚度往往只有100mm ，利用人工搬送是一件风险很高之工作。
所以DISCO公司开发之干式抛光装置，全部有可以连接其它机台功能，只要把研磨机与抛光机以联机方法做结合，即不须要人工方法运送，降低人为失误造成整个晶舟盒内之芯片报废发生。2004年DISCO公司更开发出把研磨机及抛光机结在一体之新机种DGP8760 全自动研磨抛光机(Fully Automatic Grinder / Polisher)，将研磨及抛光制程结合在一机台内完成作业，减少芯片在二机台间传送之风险。DISCO机台不单可以将同厂牌之机台做连接，并且可以按客户须求连接其它制程机台，例如连接其它厂牌的撕片机，此可把整个研磨(Grinding)、抛光(Polishing)、撕片(De-tapping)及芯片贴上框架(Wafer Mount)制程连接在一起。DISCO公司开发抛光机已有3年了，到现在为止已经开发出适用于加工
φ200mm以及φ300mm芯片的各种机型。
解决研磨时芯片边缘崩裂(Edge Chipping)
日本DISCO公司在研磨轮生产技术不断改良发展，已开发出可减低研磨负荷之研磨轮。此研磨轮之原理，是使用较高的杨氏系数材料(Young Modulus)为研磨轮之接合剂，此种接合剂有较高之抓取研磨钻石颗粒的力量，只要接合剂触及一小部份之颗粒即可把整个颗粒固定，如此便可使钻石颗粒更加突出，进而增加接合剂与芯片之空间，防止研磨轮之接合材料接触芯片，便可减少研磨阻力，因为减少了研磨轮对芯片之压力，芯片边缘所受之力量也自然会减轻，进而大大降低芯片边缘崩裂之可能性。同时DISCO公司经过长时间试验研究，已开发出适合薄芯片研磨之参数，在研磨轮及参数互有配合之下，可得更高之研磨质量。
薄芯片生产制程完全解决方案(DBG)
日本DISCO公司针对薄芯片生产品提出之完全解决方案“切割后研磨制程DBG”(Dicing Before Grinding)。DBG与传统封装生制流程比较(图七)。
在传统制程中，第一步就是芯片背面研磨，当芯片被研磨至相当薄之状态下，其它制程就很难处理，尤其在全自动机台中之传送就变得相当难困。但DBG在制程中，第一步只是在芯片背面利用切割刀片开槽，切入深度约为最后晶粒完成厚度再加深一些即可，然后利用研磨机把芯片研磨至晶粒分开。其好处在于研磨制程放在最后，所以在整制程之芯片傅送都是处理较厚之芯片，如此可减少整个制程中因为传送失误所发生之破片率。除了以上之效果外，DBG制程最大优点为减低背面崩裂发生，以上已说明DISCO公司可以利用研磨轮及研磨参数降低芯片边缘崩裂之发生，同理也可以应用此技术应用在晶背研磨，只要减低晶粒周边之缺陷，便可提高晶粒强度。
全方位提高晶粒强度方案(DBG+干式腐蚀)
以上介绍DBG制程可以消除背面崩裂，但切割后，芯片侧面因为有与切割刀片接触而会产生伤痕，这些伤痕在薄晶粒之强度也有影响，以下方法介绍如何消除晶粒侧面之切痕伤害。
因为切痕伤害在晶粒侧面，只能用流体(气体或液体)才能渗入切割道内消除伤痕。因使用液体腐蚀(Wet Etching)时，腐蚀药液会流进宽度约50~60mm之切割道内，腐蚀完毕后要清洗干净全部之药液更是困难，腐蚀药液往往会残留在切割道内或渗入晶粒表面，造成晶粒伤害。所以日本DISCO公司采用干式腐蚀(Dry Etching)方法消除切痕伤害。利用氟类气体产生电浆效应渗入切割道内，把切痕伤害层消除后，也会不残留任何腐蚀物质，一旦消除晶粒侧面之伤痕被消除即可提高晶粒强度。
各种消除应力加工方法之芯片抗折强度比较
研磨机研磨(BG) + 消除应力加工(DP、Dry Etching、CMP、Wet Etching)
DBG + 消除应力加工(DP、Dry Etching、CMP、Wet Etching)
DBG+Dry Etching的优越性
在DBG + 各种消除应力加工方法的组合中，从减少背面崩裂现象以及去除晶粒侧面的切割伤害等角度考虑，采用DBG + Dry Etching可提高晶粒抗折强度方面称得上是一种非常有效的加工方法，所得到的晶粒强度亦是目前业界所有加工方法中最高的。SST-AP/Taiwan
芯片是什么芯片的工作原理芯片基础知识介绍 芯片是什么芯片的工作原理芯片基础知识介绍一、芯片基础知识介绍我们通常所说的“芯片”是指集成电路,它是微电子技术的主要产品.所谓微电子是相对'强电'、'弱电'等概念而言,指它处理的电子信号极其微小.它是现代信息技术的基础,我们通常所接触的电子产品,包括通讯、电脑、智能化系统、自动控制、空间技术、电台、电视等等都是在微电子技术的基础上发展起来的。我国的信息通讯、电子终端设备产品这些年来有长足发展,但以加工装配、组装工艺、应用工程见长,产品的核心技术自主开发的较少,这里所说的'核心技术'主要就是微电子技术.就好像我们盖房子的水平已经不错了,但是,盖房子所用的砖瓦还不能生产.要命的是,'砖瓦'还很贵.一般来说,'芯片'成本最能影响整机的成本。微电子技术涉及的行业很多,包括化工、光电技术、半导体材料、精密设备制造、软件等,其中又以集成电路技术为核心,包括集成电路的设计、制造。集成电路(IC)常用基本概念有:晶圆,多指单晶硅圆片,由普通硅沙拉制提炼而成,是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至更大规格.晶圆越大,同一圆片上可生产的IC 就多,可降低成本;但要求材料技术和生产技术更高。前、后工序:IC制造过程中, 晶圆光刻的工艺(即所谓流片),被称为
前工序,这是IC制造的最要害技术;晶圆流片后,其切割、封装等工序被称为后工序。光刻:IC生产的主要工艺手段,指用光技术在晶圆上刻蚀电路。线宽:4微米/1微米/0.6微未/0.35微米/035微米等,是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度,是IC工艺先进水平的主要指标.线宽越小,集成度就高,在同一面积上就集成更多电路单元。封装:指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接。存储器:专门用于保存数据信息的IC。逻辑电路:以二进制为原理的数字电路。二、电脑芯片的工作原理是什么？是怎样制作的？芯片简单的工作原理：芯片是一种集成电路，由大量的晶体管构成。不同的芯片有不同的集成规模，大到几亿；小到几十、几百个晶体管。晶体管有两种状态，开和关，用1、0 来表示。多个晶体管产生的多个1与0的信号，这些信号被设定成特定的功能（即指令和数据），来表示或处理字母、数字、颜色和图形等。芯片加电以后，首先产生一个启动指令，来启动芯片，以后就不断接受新指令和数据，来完成功能。最复杂的芯片（如：CPU芯片、显卡芯片等）生产过程：1.将高纯的硅晶圆，切成薄片；2.在每一个切片表面生成一层二氧化硅；3.在二氧化硅层上覆盖一个感光层，进行光刻蚀； 4.添加另一层二氧化硅，然后光刻一次，如此添加多层； 5.整片的晶圆被切割成一个个独立的芯片单元，进行封装。一个是电源灯（绿色），一个是硬盘灯（红色），你的电脑开机，
IC基础知识简述 熔茗2010-09-14 14:42:36 我们通常所说的“芯片”是指集成电路,它是微电子技术的主要产品.所谓微电子是相对"强电"、"弱电"等概念而言,指它处理的电子信号极其微小.它是现代信息技术的基础,我们通常所接触的电子产品,包括通讯、电脑、智能化系统、自动控制、空间技术、电台、电视等等都是在微电子技术的基础上发展起来的。 我国的信息通讯、电子终端设备产品这些年来有长足发展,但以加工装配、组装工艺、应用工程见长,产品的核心技术自主开发的较少,这里所说的"核心技术"主要就是微电子技术.就好像我们盖房子的水平已经不错了,但是,盖房子所用的砖瓦还不能生产.要命的是,"砖瓦"还很贵.一般来说,"芯片"成本最能影响整机的成本。微电子技术涉及的行业很多,包括化工、光电技术、半导体材料、精密设备制造、软件等,其中又以集成电路技术为核心,包括集成电路的设计、制造。 集成电路(IC)常用基本概念有: 晶圆,多指单晶硅圆片,由普通硅沙拉制提炼而成,是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至更大规格.晶圆越大,同一圆片上可生产的IC就多,可降低成本;但要求材料技术和生产技术更高。 前、后工序:IC制造过程中, 晶圆光刻的工艺(即所谓流片),被称为前工序,这是IC制造的最要害技术;晶圆流片后,其切割、封装等工序被称为后工序。 光刻:IC生产的主要工艺手段,指用光技术在晶圆上刻蚀电路。 线宽:4微米/1微米/0.6微未/0.35微米/035微米等,是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度,是IC工艺先进水平的主要指标.线宽越小,集成度就高,在同一面积上就集成更多电路单元。 封装:指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接。存储器:专门用于保存数据信息的IC。 逻辑电路:以二进制为原理的数字电路。 1.IC产业发展背景 随着全球信息化,网络化和知识化经济浪潮的到来,集成电路产业的战略地位越来越重要,它已成为事关国民经济,国防建设,人民生活和信息安全的基础性,战略性产业.特别是近几年来,在世界半导体产业环境不断改善,集成电路的性能以惊人的速度向快速和微型方面发展,其发展潜力,高技术含量和广阔的市场都令人叹为观止.与此同时,中国集成电路产业也已经开始快速发展,正在努力向世界技术前沿靠拢.也就是说,我们中国的IC产业已经初具规模,并且正处在一个摆脱一味只是集中在制造和消费方面而向核心技术领域转型的一个关键阶段,所有的IC 精英们正在齐心协力打造中国自己的"中国芯",争取早日扭转在内核技术上受制于人的局面,这是每一个IC精英义不容辞的责任,同时也是这次产业调研的最大目的,希望能够让同学们领悟到这一点. 对于国内一些IC企业的考察和调研,则主要集中在进来的发展战略与定位上.在当前的市场竞争环境中,压力主要来自于哪些方面如何对自身以及同类的本土I
晶片相关知识讲述
第一节：LED 制程简介； 第二节：晶片的制做原理及组成原料； 第三节：晶片的特性及发光原理； 第四节：常用晶片的种类； 第五节：晶片的分片方式； 第六节：晶片的正确使用及影响因素。
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第一节：LED 制程简介
发光二极体：Light Emitting Diode（LED）是一种具有两个电极端 子、在电子间施加电压，通过电流会立即发光的光电元件。 由于 LED 是自体发光，用手触摸并不会有热的感觉，且寿命可达 十万个小时以上。 LED 依制作流程可分为上、中、下游与应用四个部份。 上游制程主要是单晶棒经由切割、研磨、抛光，而形成单晶片。 单晶片为磊晶成长用基板。 磊晶片透过不同磊晶成长法，制造Ⅲ Ⅴ族化合物半导体，如：磷 化镓 （GaP） 砷化镓 、 （GaAs） 磷砷化镓(AsGaP) 、 、 砷化铝镓 （AlGaAs） 、 磷化铝铟镓（AlGaInP） 、氮化铟镓（GaInN）等磊片，然后进入中游制 程。 下游制程主要是封装完成 LED 成品。将晶粒粘著（Dice Bond） 、打 线（Wire Bond）后，置入树脂的模具中，封装完成不同基本零件或模组， 等树脂硬化后取出剪脚，完成 LED 成品。若依封装成品可分为灯泡型 (Lamp) 、 数 字 / 字 元 显 示 型 (Digital/Character) 、 表 面 粘 著 型 (Surface Mount) 、点矩阵型 (Dot Matrix) 、集束型(Chuster)等。而使用 LED 成 品制作成显示器材，则属于应用层面。 应用：户外显示屏幕、第三煞车灯、交通记号等。 LED 具有低耗电量、低发热量、使用寿命长、反应速率快、耐震性 高等特性、是符合环保要求的光电元件。应用于资讯、通讯、消费性电 子等方面。
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ICL7107电路图 ICL7107 安装电压表头时的一些要点：按照测量＝±199.9mV 来说明。 1.辨认引脚：芯片的第一脚，是正放芯片，面对型号字符，然后，在芯片的左下方为第一脚。 也可以把芯片的缺口朝左放置，左下角也就是第一脚了。 许多厂家会在第一脚旁边打上一个小圆点作为标记。 知道了第一脚之后，按照反时针方向去走，依次是第 2 至第40 引脚。（1 脚与40 脚遥遥相对）。 2.牢记关键点的电压：芯片第一脚是供电，正确电压是DC5V 。第36 脚是基准电压，正确数值是100mV，第26 引脚是负电源引脚，正确电压数值是负的，在－3V 至－5V 都认为正常，但是不能是正电压，也不能是零电压。芯片第31 引脚是信号输入引脚，可以输入±199.9mV
的电压。在一开始，可以把它接地，造成“0”信号输入，以方便测试。 3.注意芯片27,28,29 引脚的元件数值，它们是0.22uF,47K,0.47uF 阻容网络，这三个元件属于芯片工作的积分网络，不能使用磁片电容。芯片的33 和34 脚接的104 电容也不能使用磁片电容。 4.注意接地引脚：芯片的电源地是21 脚，模拟地是32 脚，信号地是30 脚，基准地是35 脚，通常使用情况下，这 4 个引脚都接地，在一些有特殊要求的应用中（例如测量电阻或者比例测量），30 脚或35 脚就可能不接地而是按照需要接到其他电压上。－－本文不讨论特殊要求应用。 5.负电压产生电路：负电压电源可以从电路外部直接使用7905 等芯片来提供，但是这要求供电需要正负电源，通常采用简单方法，利用一个+5V 供电就可以解决问题。比较常用的方法是利用ICL7660 或者NE555 等电路来得到，这样需要增加硬件成本。我们常用一只NPN 三极管，两只电阻，一个电感来进行信号放大，把芯片38 脚的振荡信号串接一个20K －56K 的电阻连接到三极管“B”极，在三极管“C”极串接一个电阻（为了保护）和一个电感（提高交流放大倍数），在正常工作时，三极管的“C”极电压为 2.4V － 2.8V 为最好。这样，在三极管的“C”极有放大的交流信号，把这个信号通过 2 只4u7 电容和 2 支1N4148 二极管，构成倍压整流电路，可以得到负电压供给ICL7107 的26 脚使用。这个电压，最好是在－3.2V 到－4.2V 之间。 6.如果上面的所有连接和电压数值都是正常的，也没有“短路”或者“开路”故障，那么，电路就应该可以正常工作了。利用一个电位器和指针万用表的电阻X1 档，我们可以分别调整出50mV,100mV,190 mV 三种电压来，把它们依次输入到ICL7107 的第31 脚，数码管应该对应分别显示50.0,100.0,190.0 的数值，允许有 2 －3 个字的误差。如果差别太大，可以微调一下36 脚的电压。 7.比例读数：把31 脚与36 脚短路，就是把基准电压作为信号输入到芯片的信号端，这时候，数码管显示的数值最好是100.0 ，通常在99.7 －100.3 之间，越接近100.0 越好。这个测
----- 计算机基础知识及答案（二） 1、微型计算机采用的是冯·诺依曼体系结构，其硬件系统由运 算器、控制器、存储器、输 入设备和___C___五部分组成。 A 键盘、鼠标器。 B 显示器、打印机。 C 输出设备。 D 系统 总线。 2、在微型计算机中，其核心部件中央处理器CPU，被称之为 ___D___。 A 关键部件。 B 主要部件。C必备部件。D 微处理器 MPU(Micro Processing Unit)。 、微处理器把运算器和3集成在一块很小的硅片上，是一个独立的 部件。__A____ A 控制器。 B 内存储器。 C 输入设备。D输出设备。 4、微型计算机的基本构成有两个特点：一是采用微处理器，二
是采用___D___。 显示器和打印机作为输出设备。键盘和鼠标器作为输入设备。B A CROM和RAM作为主存储器。 总线系统。D 、根据微型计算机硬件构成的特点，可以将其硬件系统具体化为由微处理器、内存储器、5 组成。I/O 设备和__D____接口电路、 显示器、打印机。B A 键盘、鼠标器。总线系统。 D C 外围设备。 CPU、在微型计算机系统组成中，我们把微处理器6、只读存储器ROM和随机存储器RAM三 。部分统称为___D___ 主机。微机系统。 B 硬件系统。硬件核心模块。C D A 、微型计算机使用的主要逻辑部件是7。___D___ A 电子管。 B 晶体管。 C 固体组件。 D 大规模和超大规模集成电路。
8、在微型计算机中，通常把输入/ 输出设备，统称为__D____。ACPU。B 存储器。C操作系统。 D 外部设备。 9、下面是关于微型计算机总线的描述，正确的有___C___。 ----- ----- A 总线系统由系统总线、地址总线、数据总线和控制总线组成。 B 总线系统由接口总线、地 D系统总线由地址总线、数据总线和控制总线组成。C 址总线、数据总线和控制总线组成。 地址总线、数据总线和控制总线的英文缩写分别为DB、AB，CB。 10、微型计算机的系统总线是CPU与其它部件之间传___D___信息的公共通道。 送 A 输入、输出、运算。 B 输入、输出、控制。 C 程序、数据、运算。 D 数据、地址、控制。
石英晶体基本常识 一、基础概念 1、石英晶体谐振器:利用石英晶体的逆电压效应制造具有选择频率和稳定频率的无线电元件。 电介质由于外界的机械作用，(如压缩?伸拉)而在其內部产生变化，产生表面电荷的现象，叫压电效应，如果将具有压电效应的介质至于外电场中，由于电场的作用，会引起介质內部正负电荷中心位移，而这一位移产生效应为逆压电效应 2、晶片的主要成分SiO2（二氧化硅）密度：2.65g/cm3分子量：60.06 3、振动模式晶体分为以下两类： AT 基频：BT 在振动模式最低阶次的振动频率 CT DT 3次 泛音：5次晶体振动的机械谐波，泛音频率与基频频率之比， 7次接近整倍数，又不是整倍数。 9次 AT与BT如何区分 1)通过测量晶片厚度 AT厚度t=1670/F0 F0-晶体标称频率 BT厚度t=2560/F0 2)通过温选根据晶片的拟合曲线来确定 3)通过测量晶体的C0、C1、TS、L、T来确定 4、按规格分为：HC-49S，HC-49U，HC-49S/SMD，表晶(3*8、2*6)，UM系列等 HC-49S HC-49U HC-49S/SMD 表晶 陶瓷SMD 钟振UM系列 5、标称频率：晶体技术条件中所给定的频率，如4.000MHz，12.000MHz，25.000MHz等 6、调整频差：在规定条件下，基准温度时，工作频率相对于标称频率所允许的偏离值(如： ±30ppm、±25ppm)
7、串联谐振频率(FR)：晶体本身固有的频率 8、负载谐振频率(FL)：在规定条件下，晶体与一负载电容相并联或相串联，其组合阻抗呈现 出来的谐振频率。 9、负载电容：在振荡电路中晶体两脚之间所有的等效电容量之和.在通常情况下IC厂家在规格书中都会给出推荐的晶体匹配电容. 说明：负载电容CL是组成振荡电路时的必备条件。在通常的振荡电路中，石英晶体谐振器作为感抗，而振荡电路作为一个容抗被使用。也就是说，当晶体两端均接入谐振回路中，振荡电路的负阻抗-R和电容CL即被测出，这时，这一电容称为负载电容。负载电容和谐振频率之间的关系不是线性的，负载电容小时，频率偏差量大，当负载电容提高时，频率偏差量减小。当振荡电路中的负载电容减少时，谐振频率发生较大的偏差，甚至当电路中发生一个小变化时，频率的稳定性就受到巨大影响。负载电容可以是任意值，但10-30PF会更佳。 10、温度频差(F/T)：在规定条件下，工作温度范围内，相对于基准温度时工作频率允许的偏离 值 11、基准温度：25±2℃，湿度：50%±10% 12、谐振电阻(RR)：在规定条件下，晶振在谐振频率时的等效电阻 13石英晶体谐振器等效电路 石英晶体谐振器的振动实质上是一种机械振动。实际上，石英晶体谐振器可以被一个具有电子转换性能的两端网络测出。这个回路包括L1、C1，同时C0作为一个石英晶体的绝缘体的电容被并入回路，与弹性振动有关的阻抗R1是在谐振频率时石英晶体谐振器的谐振阻抗。(见图1)
天津职业技术师范大学Tianjin University of Technology and Education 毕业设计 专业：电子科学与技术 班级学号：0995******* 学生姓名：梁天翼 指导教师：孙鸿波 二○一二年六月
天津职业技术师范大学本科生毕业设计 基于DSP的数字滤波及人脸识别 Digital Filters and Face Recognisation Based on DSP 专业班级：电科0802 学生姓名：梁天翼 指导教师：孙鸿波 系别：电子工程系 20[X] 年[X] 月
摘要 [鼠标左键三击选择该段落，输入替换之。] 中文摘要应将学位论文的内容要点简短明了地表达出来，约300~500字左右（限一页），字体为宋体小四号。内容应包括工作目的、研究方法、成果和结论。重点是结果和结论，语言力求精炼。为了便于文献检索，应在本页下方另起一行注明论文的关键词（3-5个）。缩略语、简称、代号，除了相邻专业的读者也能清楚理解外，在首次出现时必须加以说明。 关键词：[关键词1] ；[关键词2] ；[关键词3] ；[关键词4] ；[关键词5]
ABSTRACT "[内容应与中文摘要相同。字体为Times New Roman小四号。]" Key Words："[Key Word 1]" ; "[Key Word 2]" ; "[Key Word 3]" ; "[Key Word 4]" ;"[Key Word 5]"
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1输入大标题 [格式已按规定设好。选择段落区域，输入替换之。] 学位论文一般要求不少于1万字；与论文相关的英文资料翻译不少于3000字；参考文献15篇以上 图：a. 要精选、简明，切忌与表及文字表述重复 b. 图中的术语、符号、单位等应同文字表述一致。 c. 图序及图名居中置于图的下方。 表：a. 表中参数应标明量和单位的符号。 b. 表序及表名置于表的上方。 公式：编号用括号括起写在右边行末，其间不加虚线。 图、表、公式等与正文之间要有一行的间距；文中的图、表、附注、公式一律采用阿拉伯数字分章（或连续）编号。如：图2-5，表3-2，公式（5-1）等。若图或表中有附注，采用英文小写字母顺序编号。 量和单位 要严格执行GB3100—3102：93有关量和单位的规定（具体要求请参阅《常用量和单位》.计量出版社，1996）；单位名称的书写，可以采用国际通用符号，也可以用中文名称，但全文应统一，不要两种混用。 1.1"[点击输入一级标题××××标题2]" 1.1.1"[点击输入二级标题××××标题3]" "[点击输入正文××××]" 1.1.2"[点击输入二级标题××××标题3]" "[点击输入正文××××]" 1.1.3"[点击输入二级标题××××标题3]" "[点击输入正文××××]"
1、我们通常所说的CPU外频指的是( C )。 A、CPU的运行频率 B、CPU与内存的交换速度 C、CPU与主板同步运行的速率 D、CPU速率与主板运行速率的差距 2、USB接口一般不能连接下面的哪种设备( C )。 A、鼠标 B、打印机 C、显示器 D、mp3 3、拆卸内存的正确方法是( )。 A、用手捏住内存网上拔出 B、拨开内存两边的扣子，内存自动弹出 C、用钳子钳住内存向上拔出 D、内存焊在主板上，无法拆卸
4、只读存储器ROM中的EEPROM指的是哪种内存 ( D )。 A、只读存储器 B、可编程只读存储器 C、光擦除可编程只读存储器 D、电擦除可编程只读存储器 5、通常制造内存条的是哪种类型的RAM ( )。 A、SRAM B、DRAM C、VRAM D、ROM 6、目前市场上在售的显卡大多采用哪种接口 ( )。 A、AGP B、PCI C、PCI-E D、IDE
（）的基础上进行的。 A、安装显卡驱动 B、安装主板驱动 C、安装声卡驱动 D、安装网卡驱动 8、关于LCD显示器的点距，下列说法不正确的是 ( )。 A、点距是指两个连续的液晶颗粒中心之间的距离 B、点距越大，画面越清晰 C、点距越小，画面越清晰 D、点距在出厂时已经设定好，用户无法改变 9、目前市场上的台式机硬盘通常采用哪两种接口( )。 A、PATA与IDE B、IDE与SATA C、FDD与SATA D、PATA与FDD
A、硬盘是主要的外部存储器 B、硬盘抗震性能优越，从高处掉下也不会坏 C、硬盘比较娇贵，使用时应避免大的振动 D、硬盘容量越大，能够存储的数据越多 11、下面不是机箱的作用的是( )。 A、为各种硬件提供一个安置的场所 B、可以减少内部电磁辐射与外部电磁辐射的影响 C、提供开关与指示灯，方便操作 D、漂亮的机箱性能相对也好 12、以下关于电源的说法不正确的是 ( )。 A、电源是将市电（交流电）转换成电脑使用的直流电的装置 B、电源的功率越大越好 C、劣质的电源容易引起电脑的多种故障 D、电源一般与机箱捆绑销售，也可以单独购买 13、CPU风扇安装时，常在CPU和风扇之间添加 ( )。 A、热固胶水
微型计算机硬件组成基础知识测试题 一、选择题 1．在微型计算机的总线上单向传送信息的是。 A．数据总线B．地址总线C．控制总线 2．动态RAM的特点是。 A．工作中需要动态地改变存储单元内容 B．工作中需要动态地改变访存地址 C．每隔一定时间需要刷新 D．每次读出后需要刷新 3．除外存之外，微型计算机的存储系统一般指。 A．ROM B．控制器C．RAM D．内存 4．微型计算机采用总线结构。 A．提高了CPU访问外设的速度 B．可以简化系统结构、易于系统扩展 C．提高了系统成本 D．使信号线的数量增加 5．世界上第一台微型计算机是位计算机。 A．4 B．8 C．16 D．32 6．下面关于微型计算机的发展方向的描述不正确的是。 A．高速化、超小型化B．多媒体化 C．网络化D．家用化 7．下面关于基本输入/输出系统BIOS的描述不正确的是。 A．是一组固化在计算机主板上一个ROM芯片内的程序 B．它保存着计算机系统中最重要的基本输入/输出程序、系统设置信息 C．即插即用与BIOS芯片有关 D．对于定型的主板，生产厂家不会改变BIOS程序 8．芯片组是系统主板的灵魂，它决定了主板的结构及CPU的使用。芯片有“南桥”和“北桥”之分，“南桥”芯片的功能是。 A．负责I/O接口以及IDE设备（硬盘等）的控制等 B．负责与CPU的联系 C．控制内存 D．AGP、PCI数据在芯片内部传输 9．微型计算机的存储系统一般指主存储器和。 A．累加器B．辅助存储器C．寄存器D．RAM 10．关于硬盘的描述，不正确的是。 A．硬盘片是由涂有磁性材料的铝合金构成 B．硬盘各个盘面上相同大小的同心圆称为一个柱面 C．硬盘内共有一个读/写磁头 D．读/写硬盘时，磁头悬浮在盘面上而不接触盘面 11．关于光介质存储器的描述，不正确的是。 A．光介质存储器是在微型计算机上使用较多的存储设备 B．光介质存储器应用激光在某种介质上写入信息
1. 计算机的软件系统一般分为__ ____两大部分。 A.系统软件和应用软件 2. 按Microsoft等指定的标准，多媒体计算机MPC由个人计算机、CDROM驱动器、______、音频和视频卡、音响设备等五部分组成。 B.Windows操作系统 3. 在Windows中，应用程序的菜单栏通常位于窗口的______。 C.标题兰的下面 4. PowerPoint属于_____________。 D.应用软件 5. 计算机网络可以分为______。（双选题） A.局域网 C.广域网 6. 网络邻居提供在局域网内部的共享机制，允许不同计算机之间的______。（双选题） A.文件复制 C.共享打印 7. Windows提供了长文件命名方法，一个文件名的长度最多可达到______个字符。 D.255 8. 在Windows中，利用打印机管理器，可以查看打印队列中文档的有关信息，其中文档的时间和日期是指______。 D.文档传送到打印机管理器的时间和日期 9. 编辑演示文稿时，要在幻灯片中插入表格、剪贴画或照片等图形，应在__ _____中进行。 C.幻灯片窗格 10. Excel的工作簿窗口最多可包含______张工作表。 D.255 11. 国际标准化组织定义了开放系统互连模型（OSI），该参考模型将协议分成______层。 C.7 12. 以下哪种操作系统不属于网络操作系统：______。 A.MS-DOS 13. 电子邮件的格式为：username@hostname，其中hostname为______。 B.ISP某台主机的域名 14. 防止软磁盘感染计算机病毒的有效方法是______。 C.使软磁盘处于写保护状态
尺寸缩小有其物理限制 不过，制程并不能无限制的缩小，当我们将晶体管缩小到20 奈米左右时，就会遇到量子物理中的问题，让晶体管有漏电的现象，抵销缩小L 时获得的效益。作为改善方式，就是导入FinFET(Tri-Gate)这个概念，如右上图。在Intel 以前所做的解释中，可以知道藉由导入这个技术，能减少因物理现象所导致的漏电现象。 更重要的是，藉由这个方法可以增加Gate 端和下层的接触面积。在传统的做法中(左上图)，接触面只有一个平面，但是采用FinFET(Tri-Gate)这个技术后，接触面将变成立体，可以轻易的增加接触面积，这样就可以在保持一样的接触面积下让Source-Drain 端变得更小，对缩小尺寸有相当大的帮助。 最后，则是为什么会有人说各大厂进入10 奈米制程将面临相当严峻的挑战，主因是1 颗原子的大小大约为0.1 奈米，在10 奈米的情况下，一条线只有不到100 颗原子，在制作上相当困难，而且只要有一个原子的缺陷，像是在制作过程中有原子掉出或是有杂质，就会产生不知名的现象，影响产品的良率。 如果无法想象这个难度，可以做个小实验。在桌上用100 个小珠子排成一个10×10 的正方形，并且剪裁一张纸盖在珠子上，接着用小刷子把旁边的的珠子刷掉，最
后使他形成一个10×5 的长方形。这样就可以知道各大厂所面临到的困境，以及达成这个目标究竟是多么艰巨。 随着三星以及台积电在近期将完成14 奈米、16 奈米FinFET 的量产，两者都想争夺Apple 下一代的iPhone 芯片代工，我们将看到相当精彩的商业竞争，同时也将获得更加省电、轻薄的手机，要感谢摩尔定律所带来的好处呢。 在前面已经介绍过芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上迭的芯片制造流程后，就可产出必要的IC 芯片。然而，没有设计图，拥有再强制造能力都没有用，因此，建筑师的角色相当重要。但是IC 设计中的建筑师究竟是谁呢?接下来要针对IC 设计做介绍。 在IC 生产流程中，IC 多由专业IC 设计公司进行规划、设计，像是联发科、高通、Intel 等知名大厂，都自行设计各自的IC 芯片，提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为IC 是由各厂自行设计，所以IC 设计十分仰赖工程师的技术，工程师的素质影响着一间企业的价值。然而，工程师们在设计一颗IC 芯片时，究竟有那些步骤?设计流程可以简单分成如下。 设计第一步，订定目标
计算机基础知识及答案（二） 1、微型计算机采用的是冯·诺依曼体系结构，其硬件系统由运算器、控制器、存储器、输入设备和___C___五部分组成。 A键盘、鼠标器。B显示器、打印机。C输出设备。D系统总线。 2、在微型计算机中，其核心部件中央处理器CPU，被称之为___D___。 A关键部件。B主要部件。C必备部件。D微处理器MPU(Micro Processing Unit)。 3、微处理器把运算器和__A____集成在一块很小的硅片上，是一个独立的部件。 A控制器。B内存储器。C输入设备。D输出设备。 4、微型计算机的基本构成有两个特点：一是采用微处理器，二是采用___D___。 A键盘和鼠标器作为输入设备。B显示器和打印机作为输出设备。CROM和RAM作为主存储器。D总线系统。 5、根据微型计算机硬件构成的特点，可以将其硬件系统具体化为由微处理器、内存储器、接口电路、I/O设备和__D____组成。 A键盘、鼠标器。B显示器、打印机。C外围设备。D总线系统。 6、在微型计算机系统组成中，我们把微处理器CPU、只读存储器ROM和随机存储器RAM三部分统称为___D___。 A硬件系统。B硬件核心模块。C微机系统。D主机。 7、微型计算机使用的主要逻辑部件是___D___。 A电子管。B晶体管。C固体组件。D大规模和超大规模集成电路。 8、在微型计算机中，通常把输入/输出设备，统称为__D____。 ACPU。B存储器。C操作系统。D外部设备。 9、下面是关于微型计算机总线的描述，正确的有___C___。
A总线系统由系统总线、地址总线、数据总线和控制总线组成。B总线系统由接口总线、地址总线、数据总线和控制总线组成。C系统总线由地址总线、数据总线和控制总线组成。D 地址总线、数据总线和控制总线的英文缩写分别为DB、AB，CB。 10、微型计算机的系统总线是CPU与其它部件之间传送___D___信息的公共通道。 A输入、输出、运算。B输入、输出、控制。C程序、数据、运算。D数据、地址、控制。 11、CPU与其它部件之间传送数据是通过__A____实现的。 A数据总线。B地址总线。C控制总线。D数据、地址和控制总线三者。 12、下面是关于数据总线（Data Bus）的描述，不正确的是__D____。 A数据总线用来传送数据信息。B数据总线的位数，决定了CPU一次能够处理的数据的位数。CMPU一次能够处理的数据的位数称为字长。D字长越长的CPU，处理信息所需的时间越长。 13、CPU与其它部件之间传送地址是通过___B___实现的。 A数据总线。B地址总线。C控制总线。D数据、地址和控制总线三者。 14、下面是关于地址总线（Address Bus）的描述，不正确的是__D____。 A地址总线用来传送地址信息。B地址总线的根数，决定了CPU可访问的内存最大范围。C 若地址总线为n根，则该微处理器可访问内存的最大范围是2的n次方。D拥有32根地址总线的微处理器，其可访问内存的最大范围是4000M。 15、CPU与其它部件之间传送控制信号是通过____C__实现的。 A数据总线。B地址总线。C控制总线。D数据、地址和控制总线三者。 16、下面是关于控制总线（Control Bus）的描述，不正确的是__C____。 A控制总线用来传送控制器的各种制信息。B控制总线的数目由CPU的控制功能所决定。 C80486和PⅢ都是Intel公司推出的微处理器，它们的控制功能是相同的。D不同微处理器的控制功能具有较大的差异。 17、下面是关于微处理器MPU的描述，不正确的是___D___。 A微处理器是微型计算机的核心部件。B微处理器是一块包含运算器和控制器的大规模集成电路芯片。C微处理器的性能决定了微型计算机的档次。D我们在购买微型计算机时，应该不断跟踪微处理器的更新。
摄像机芯片的基础知识 CMOS类： 常见的CMOS芯片有三种：1：彩色为OV7910和PC1030N；2：黑白为OV5116。以上三款芯片一般无PAL制 与NTSC制之分，它们的封装形式全为贴片式的。OV7910为1/3 inch芯片，OV5116 和PC1030N为1/4inch芯片，目前的流行的是韩国的PC1030N芯片。 CCD类： 常见的CCD芯片有四个品牌：SAMSUNG（三星），LIFE GOOD（LG），PANASONIC（松下），SHARP（夏普）， SONY（索尼）。 黑白摄像机的制式有：CCIR（中国也使用该制式）与EIA两种。彩色摄像机的制 式有：PAL制（中国也使用该制式）和NTSC制（常见的有NTSC358和NTSC443 两种，象美国，加拿大，中国台湾，日本，韩国，菲律宾及多伦多和俄罗斯都使 用NTSC358，也有些将NTSC358叫NTSC 1，将NTSC443叫NTSC 2）。 本厂的黑白CCD有LG和SONY 两种，它们的芯片组成模式为（LG的现在已经很少使用）：LG 1/3 EIA：Ai5412 + Ai1001S + Ai4402 + Ai325KBL ☆ 1/3 CCIR：Ai5412 + Ai1001S + Ai4402+ Ai329NB ☆ SONY 1/3 CCIR CXD2463R + CXA1310AQ+ ICX405AL 1/3 EIA CXD2463R + CXA1310AQ+ ICX404AL 本厂的彩色CCD为SHARP和SONY两种，它们的芯片组成模式为： SHARP： 1/4 NTSC：1-- LR38603A + AA87221 + IR3Y48A +RJ2411 （如DF-SP58） 1/4 PAL：1-- LR38603A + AA87221 + IR3Y48A + RJ2421（如DF-SP58） 1/3 NTSC：1-- LR38603A + AA87222 + + IR3Y48A + RJ2311（如0025） 1/3 PAL：1-- LR38603A + AA87222 + IR3Y48A + RJ2321（如0025） SONY彩色420线： 普通照度（3141与3142一样可通用）： 1/3 PAL：1-- CXD3142R + AA87222 + CXA2096N + ICX405AK（如DF-SN59） NTSC：1--CXD3141R + AA87222 + CXA2096N + ICX404AK（如DF-SN59） 1/4 PAL：CXD3142R + AA87222 + CXA2096N + ICX227AK（如DF-SN59） NTSC：CXD3141R + AA87222+ CXA2096N + ICX226 AK SONY彩色480线： 1/3 PAL CXD2480R + CXA2006Q +CXD2163R+ ICX409AK ☆ 1/3 NTSC CXD2480R + CXA2006Q +CXD2163R + ICX408AK☆ 1/4 PAL：CXD3142R + AA87222 + CXA2096N + ICX643AK（如DF-SN59）（38 / 32单板） 1/3 PAL：CXD4103R + AA87222 + LVC14A+ CXA2096N + ICX409AK（如FD0052E）（38 / 32双板）SONY彩色520线： 1/3 PAL：CXD3172R + CXA2096N + ICX409AK（如FD0038H）（38×38单板） 视频放大IC：2274 、AI171、AA8631、AA88641三种 备注：目前在所有的CCD中，只有SONY的ICX405AK在电脑显示器上的右边有一个黄色的细竖条，而在一般的监视器上看不到的。后面打“☆”号的为目前已经很少用的方案,带下画线的是CCD。 发布：审核：批准： 深圳迪飞达电子有限公司 2009-05-11
led芯片基础知识 一、led历史 50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，1962年，通用电气公司的尼克?何伦亚克（Nick HolonyakJr.）开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，即固体封装，所以能起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。 最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。经红色滤光片后，光损失90%，只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中，Lumileds公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。 二、LED芯片的原理 LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。 三、主要芯片厂商 德国的欧司朗,美国的流明、CREE、AXT，台湾的广稼、国联（FPD）、鼎元（TK）、华汕（AOC）、汉光（HL）、艾迪森、光磊（ED），韩国的有首尔，日本的有日亚、东芝，大陆的有大连路美、福地、三安、杭州士兰明芯、仿日亚等它们都是大家耳熟能详的芯片供应商，下面根据产地细分下。 台湾LED芯片厂商：晶元光电（Epistar）简称：ES、（联诠、元坤，连勇，国联），广镓光电（Huga），新世纪（Genesis Photonics），华上（Arima OptoELectronics）简称：AOC，泰谷光电（Tekcore），奇力，钜新，光宏，晶发，视创，洲磊，联胜（HPO），汉光（HL），光磊（ED），鼎元（Tyntek）简称：TK，曜富洲技TC，灿圆（FormosaEpitaxy），国通，联鼎，全新光电（VPEC）等。华兴（Ledtech Electronics）、东贝（UnityOptoTechnology）、光鼎（ParaLight Electronics）、亿光（Everlight Electronics）、佰鸿（Bright LED
关于磁卡的基本常识 本文档的目的在于普及与银行卡业务相关的软硬件人员最基本的银行卡片知识，在于提供给各项目负责人一个一个了解银行磁卡的引子。对于想要细究银行磁卡以及磁卡解码电路等方面的资深技术人员可以直接忽略本文档。 一、磁条卡的概念、相关规范标准 磁条卡是一种磁记录介质卡片。它由高强度、耐高温的塑料或纸质涂覆塑料制成，能防潮、耐磨且有一定的柔韧性，携带方便、使用较为稳定可靠。通常，磁卡的一面印刷有说明提示性信息，如插刷卡方向；另一面则有磁层或磁条，具有2-3个磁道以记录有关信息数据。广泛应用于管理公共运输、停车场、电话、电影院、船运、俱乐部、宾馆房间和银行卡纪录等等。 抗磁：简单讲，是用来衡量磁条抵抗因受外界磁场影响而造成数据损失的能力，又称抗消磁性。磁抗（矫顽磁力）单位是OE（奥斯特）。 低磁抗条：普通抗消磁性磁条，磁抗一般为300~650OE。 高磁抗条：具有较高抗消磁性磁条，磁抗一般为2750，3500和4000OE。 磁条卡的标准，国际标准ISO/IEC7811-1,2,3,4,5,6，国家标准有GB/T15120。详细规定了磁条卡的介质、物理尺寸、磁条数据位置、角度、磁性强度、磁条数据位的宽度、磁条数据的前导0等等。 二、卡片硬件构成： 如上图，磁卡一般包含3个磁道，Track1，2，3 的每个磁道宽度相同，大约在2.80mm（0.11 英寸）左右，用于存放用户的数据信息；相邻两个Track 约有0.05mm (0.02 英寸)的间隙（Gap），用于区分相邻的两个磁道；整个磁带宽度在10.29毫米（0.405）左右（如果是应用3 个Track 的磁卡），或是在6.35 毫米（0.25 英寸）左右（如果是应用2 个Track 的磁卡）。实际上我们所接触看到的银行磁卡上的磁带宽度会加宽1～2mm 左右，磁带总宽度在12～13mm 之间。 在磁带上，记录3 个有效磁道数据的起始数据位置和终结数据位置不是在磁带的边缘，而是在磁带边缘向内缩减约7.44mm(0.293 英寸时)为起始数据位置（引导0 区）；在磁带边缘向内缩减约6.93mm(0.273英寸)为终止数据位置（尾随0 区）；这些标准是为了有效保护磁卡上的数据不易被丢失。因为磁卡边缘上的磁记录数据很容易因物理磨损而被破坏。 按照国标GB/T 15120的相关规定，银行磁卡磁道位置最大可以上下偏移0.5mm（同一磁条边沿最上可以到达位置与最下可以到达位置之间的距离最大为1mm），磁道的宽度一般为2.8mm左右，而C730要求的读磁卡磁头的磁道宽度为1.4±0.1mm，C730磁头定位孔允许偏差的距离为±0.05mm，在最坏情况下，
LED芯片知识大解密 1、led芯片的制造流程是怎样的? LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下变成金属蒸气沉积在LED照明材料表面。一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。合金化的时间和温度通常是根据LED照明材料特性与合金炉形式等因素决定。当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。 2、LED芯片制造工序中，哪些工序对其光电性能有较重要的影响? 一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。 3、LED芯片为什么要分成诸如8mil、9 mil、…，13∽22 mil，40 mil等不同尺寸?尺寸大小对LED光电性能有哪些影响? LED芯片大小根据功率可分为小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根据客户要求可分为单管级、数码级、点阵级以及装饰照明等类别。至于芯片的具体尺寸大小是根据不同芯片生产厂家的实际生产水平而定，没有具体的要求。只要工艺过关，芯片小可提高单位产出并降低成本，光电性能并不会发生根本变化。芯片的使用电流实际上与流过芯片的电流密度有关，芯片小使用电流小，芯片大使用电流大，它们的单位电流密度基本差不多。如果10mil 芯片的使用电流是20mA的话，那么40mil芯片理论上使用电流可提高16倍，即320mA。但考虑到散热是大电流下的主要问题，所以它的发光效率比小电流低。另一方面，由于面积增大，芯片的体电阻会降低，所以正向导通电压会有所下降。 4、LED大功率芯片一般指多大面积的芯片?为什么? 用于白光的LED大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右，所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。由于量子效率一般小于20?大部分电能会转换成热能，所以大功率芯片的散热很重要，要求芯片有较大的面积。 5、制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求?为什么? 普通的LED红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用GaP 、GaAs等化合物LED照明材料，一般都可以做成N型衬底。采用湿法工艺进行光刻，最后用金刚砂轮刀片切割成芯片。GaN材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底，由于蓝宝石衬底是绝缘的，所以不能作为LED