LED基础知识
1、LED的基本特征是什么？何为LED的伏安特性？LED的电功率是如何计算的？
LED是一个由无机材料构成的单极性PN结二极管，它是半导体PN结二极管中的一种，因此其电压?电流之间的相互作用关系，一般称为伏特和安培特性（简称V?I特性）。
当LED上施加了规定的电压V f和电流I f后，可以用下式求出LED上的电功率Pe：
Pe＝V f×I f
2、何为LED的电?光转换？如何表述电光转换效率？
当在LED的PN结两端加上正向偏置时，PN两端就有电流流过。此时，在PN结中，受激发的电子从N 型层向PN结（过渡层）移动，而P型层中受激发的空穴也会向PN结移动，电子与空穴在结中复合，产生载流子。由于这是一种从高能级向低能级的跃迁，复合载流子会产生光子，形成发光，这就是人们称之为的电?光转换。
通常，将这种电能到光能的转换，用百分比来表示它的转换效率。假设施加到LED上的电功率为Pe＝
Vf×If，此时LED产生的光的功率P Light为，则用下式定义它的电?光转换效率：
ηeL＝（P light/Pe）×100％
当ηeL＜100％时，说明有相当部分复合载流子并没有产生光子而损耗，成为PN中的热能。LED电?光转换效率越高，PN结上因加置电功率后引起的热量越低，而目前LED的电光转换效率并不是很高，因此仍遇到LED的PN发热和由这一热量引起的种种问题。
3、在通用照明领域，LED取代传统光源从目前来看还须克服哪些障碍？
⑴发光效率障碍。目前白光LED的光效一般为50lm/W，与荧光灯的效率相比还有一定差距，白光LED 用于局部照明，节能效果有限。只有白光LED的发光效率高于荧光灯，达到100lm/W，才会有明显的节能效果。
⑵价格障碍。目前LED光源的价格每流明高于0.1美元，是白炽灯价格的100多倍。
⑶功率LED制作技术。其基本关键技术包括：
①提高外研片内量子效率。
②提高大尺寸芯片的外量子效率。
③提高封装的取光效率。
⑷荧光粉的制作和涂敷技术。荧光粉是LED实现白光照明的关键材料，效率高、显色性好、性能稳定的荧光粉能提高白光LED的出光率和产品质量。
4、什么是半导体？
根据物质的导电性，固态材料可分为绝缘体、半导体、导体。电导率介于10-8?103S/cm（S：西门子电导的单位）之间或是电阻率介于108?10-3Ω*cm（Ω：欧姆电阻的单位）的固态材料称为半导体。半导体分元素半导体（如硅、锗等）和化合物半导体。化合物半导体有二元化合物半导体（如SiC、AlP、GaS）、三元化合物半导体（如AlGaAs、GaInP）、四元化合物半导体（如AlGaInP、GaInAsP）等。能用作LED 的半导体材料只有化合物半导体，元半导体不能用LED作的材料。
5、哪些产业是LED产业链的构成部分？
LED产业链大致可分为五部分：①原材料；②LED上游产业，主要包括外延材料和芯片制造；③LED中游产业，主要包括各种LED器件的封装；④LED下游产业，主要包括LED的应用产品；⑤测试仪器和生产设备。
外延片相关知识
1、什么是外延和外延片？
外延也称为外延生长，是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程，就是在单晶（或化合物）衬底材料上淀积一层薄的单晶（或化合物）层。新淀积的这层称为外延层。淀积有外延层的衬底材料叫外延片。
2、哪些材料可以用作生长外延层的衬底材料，它们各自有哪些优缺点？
用得最广泛的衬底材料是砷化镓，可用于生长外延层GaAs、GaP、GaAlAs、InGaAlP，其优点是由于GaAs的晶格常数比较匹配可制成无位错单晶，加工方便，价格较便宜。缺点是它是一种吸光材料，对PN 结发的光吸收比较多，影响发光效率。
磷化镓可生长GaP：ZnO、GaP：N、GaAs、GaAlAs：N以及InGaAlP的顶层，其优点是它是透明材料，可制成透明衬底提高出光效率。
生长InGaN和InGaAlN的衬底主要有蓝宝石（Al2O3）、碳化硅和硅。蓝宝石衬底的优点是透明，有利于提高发光效率，目前仍是InGaN外延生长的主要衬底。缺点是有较大的晶格失配；硬度高，造成加工成本高昂；热导率较低，不利于器件的热耗散，对制造功率LED不利。碳化硅衬底有较小的晶格失配，硬度低，易于加工，导热率较高，利于制作功率器件。
3、LED的发光有源层??PN结是如何制成的？哪些是常用来制造LED的半导体材料？
LED的实质性结构是半导体PN结。PN结就是指在一单晶中，具有相邻的P区和N区的结构，它通常在一种导电类型的晶体上以扩散、离子注入或生长的方法产生另一种导电类型的薄层来制得的。
常用来制造LED半导体材料主要有砷化镓、磷化镓、镓铝砷、磷砷化镓、铟镓氮、铟镓铝磷等Ⅲ?Ⅴ族化合物半导体材料，其它还有Ⅳ族化合物半导体碳化硅，Ⅱ?Ⅵ族化合物硒化锌等。
4、MOCVD是什么？
MOCVD是Metel-Organic Chemical Vapor Deposition的简称，即金属有机物化学气相淀积，它是外延生长的一项技术，它是利用特制的设备，以金属有机物源（MO源）作原料，用氢气或氮气作为载气，通入液体中携带出蒸汽，与Ⅴ族的氢化物混合，再通入反应室，在加热的衬底表面发生反应，外延生长化合物晶体薄膜。由于MOCVD的晶体生长反应是在热分解中进行的，所以又叫热分解法。经实用表明，这是一种具有高可靠性、控制厚度精确、组成掺杂浓度精度高、垂直性好、灵活性大、非常适合于进行Ⅲ?Ⅴ族化合物半导体及其固溶体的外延生长的方法，也可应用于Ⅱ?Ⅵ族化合物等材料的生长，目前是生产AlGaInP红色和黄色LED和InGaN蓝色、绿色和白色LED的可工业化方法。现人们通常也把这种特制的设备笼统地叫作MOCVD。
5、什么是MO源？
MO源即Metel Organic源，金属有机物源，它是MOCVD外延生长的原材料。Ⅱ、Ⅲ族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物，如Ga（CH3）3，In（CH3）3，Al（CH3）3，Ga（CH3）3，Zn（CH3）3等，它们大多数是高蒸汽压的液体或固体。
MOCVD外延生长的工艺流程是怎样的？
6、什么是LED的内量子效率？
当在LED的PN结上施加正向电压时，PN结会有电流流过。电子和空穴在PN过渡层中复合会产生光子，然而并不是每一对电子?空穴对复合都会产生光子，由于LED的PN结，作为杂质半导体，存在着材料品质缺陷、位错等因素，以及工艺上的种种缺陷，会产生杂质电离、本征激发散射和晶格散射的问题，使电子从激发态跃迁到基态时会与晶格原子或离子交换能量而发生无辐射跃迁，也就是不产生光子，这部分能量不转换成光能而转换成热能损耗在PN结内，于是就有一个复合载流子转换成光子的转换效率问题存在，可以用式1表示这一转换效率，并符号ηint表示。
ηint=（复合载流子产生的光子数/复合载流子总数）×100? （1）
我们无法去计数式（1）中的复合载流子总数和产生的光子总数。一般是通过测量LED输出的光功率来评价这一效率，这个效率ηint就称为内量子效率。
7、LED PN结有源发出的光子能否100?逸出到空气中？
8、有哪些生长LED有源层的外延方法？它们个自有什么特点？
有气相外延（VPE）、液相外延（LPE）、金属有机物化学气相淀积（MOCVD）、分子束外延（MBE）。它们生长LED有源层的材料分别有气相外延GaAsP、GaP，液相外延GaP、GaAlAs，金属有机物化学气相淀积InGaAlP、IGanN，分子束外延ZnSe等。
气相外延比较简单便，往往在外延生长后要再通过用扩散的方法制作PN 结，所以效率低。液相外延已能一炉生长60?100片，生产效率较高，通过镓的重复使用成本已降的很低，可以制造高亮度GaP绿色发光器件和一般亮度GaP红色发光器件，也可用它制造超高亮度GaAlAs发光器件。金属有机物化学气相淀积法是目前生产超高亮度InGaN蓝、绿色LED和InGaAlP红、黄色LED的主要方法，它既能精确控制厚度，又能精密控制外延层的组成。分子束外延目前主要用于研制白色发光二极管，效果很好，能生长小于10埃的外延层，缺点是生长速度慢，每小时约1微米，装片容量也颇少，生产效率较低。
9、当前，生产超高亮LED的外延方法主要有几种？
当前，生产超高亮LED的外延方法主要有两种，即液相外延生产AlGaAs LED和金属有机物化学气相淀积（MOCVD）生产AlGaAs、AlGaInP、InGaN LED。其中尤以MOCVD方法为主。
10、当前，用作半导体照明光源的高效LED的外延层结构有何创新？
为了提高LED的发光效率，对其外延结构进行了许多改进，目前都已应用到产品上，对LED发光效率的提高起到了极重要的作用。分别是：①单量子阱（SQW）结构；②多量子阱（MQW）结构；③分布布拉
格反射（DBR）结构；④透明衬底技术（TS）；⑤镜面衬底法（MS）；⑥透明胶质粘结型；⑦纹理表面结构。
芯片相关知识
1、LED芯片的制造流程是怎样的？
LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。
渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。合金化的时间和温度通常是根据半导体材料特性与合金炉形式等因素决定。当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。
2、LED芯片制造工序中，哪些工序对其光电性能有较重要的影响？
一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，芯片制造不对其产生根本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。
比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降V F偏高的主要原因。
在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。
另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。如果是背面也会造成压降偏高。
在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。
3、LED芯片为什么要分成诸如8mil、9 mil、…，13∽22 mil，40 mil等不同尺寸？尺寸大小对LED 光电性能有哪些影响？
LED芯片大小根据功率可分为小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根据客户要求可分为单管级、数码级、点阵级以及装饰照明等类别。至于芯片的具体尺寸大小是根据不同芯片生产厂家的实际生产水平而定，没有具体的要求。只要工艺过关，芯片小可提高单位产出并降低成本，光电性能并不会发生根本变化。芯片的使用电流实际上与流过芯片的电流密度有关，芯片小使用电流小，芯片大使用电流大，它们的单位电流密度基本差不多。如果10mil芯片的使用电流是20mA的话，那么40mil芯片理论上使用电流可提高
16倍，即320mA。但考虑到散热是大电流下的主要问题，所以它的发光效率比小电流低。另一方面，由于面积增大，芯片的体电阻会降低，所以正向导通电压会有所下降。
4、LED大功率芯片一般指多大面积的芯片？为什么？
用于白光的LED大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右，所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。由于量子效率一般小于20?大部分电能会转换成热能，所以大功率芯片的散热很重要，要求芯片有较大的面积。
5、制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的
要求？为什么？
普通的LED红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用GaP 、GaAs等化合物半导体材料，一般都可以做成N型衬底。采用湿法工艺进行光刻，最后用金刚砂轮刀片切割成芯片。GaN材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底，由于蓝宝石衬底是绝缘的，所以不能作为LED的一个极，必须通过干法刻蚀的工艺在外延面上同时制作P/N两个电极并且还要通过一些钝化工艺。由于蓝宝石很硬，用金刚砂轮刀片很难划成芯片。它的工艺过程一般要比GaP 、GaAs材料的LED多而复杂。
6、“透明电极”芯片的结构与它的特点是什么？
所谓透明电极一是要能够导电，二是要能够透光。这种材料现在最广泛应用在液晶生产工艺中，其名称叫氧化铟锡，英文缩写ITO，但它不能作为焊垫使用。制作时先要在芯片表面做好欧姆电极，然后在表面覆盖一层ITO再在ITO表面镀一层焊垫。这样从引线上下来的电流通过ITO层均匀分布到各个欧姆接触电极上，同时ITO由于折射率处于空气与外延材料折射率之间，可提高出光角度，光通量也可增加。
7、用于半导体照明的芯片技术的发展主流是什么？
随着半导体LED技术的发展，其在照明领域的应用也越来越多，特别是白光LED的出现，更是成为半导体照明的热点。但是关键的芯片、封装技术还有待提高，在芯片方面要朝大功率、高光效和降低热阻方面发展。提高功率意味着芯片的使用电流加大，最直接的办法是加大芯片尺寸，现在普遍出现的大功率芯片都在1mm×1mm左右，使用电流在350mA。由于使用电流的加大，散热问题成为突出问题，现在通过芯片倒装的方法基本解决了这一文题。随着LED技术的发展，其在照明领域的应用会面临一个前所未有的机遇和挑战。
8、什么是“倒装芯片(Flip?Chip)”？它的结构如何？有哪些优点？
蓝光LED通常采用Al2O3衬底，Al2O3衬底硬度很高、热导率和电导率低，如果采用正装结构，一方面会带来防静电问题，另一方面，在大电流情况下散热也会成为最主要的问题。同时由于正面电极朝上，会遮掉一部分光，发光效率会降低。大功率蓝光LED通过芯片倒装技术可以比传统的封装技术得到更多的有效出光。
现在主流的倒装结构做法是：首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸蓝光LED芯片，同时制备出比蓝光LED芯片略大的硅衬底，并在上面制作出供共晶焊接的金导电层及引出导线层（超声金丝球焊点）。然
后，利用共晶焊接设备将大功率蓝光LED芯片与硅衬底焊接在一起。这种结构的特点是外延层直接与硅衬底接触，硅衬底的热阻又远远低于蓝宝石衬底，所以散热的问题很好地解决了。由于倒装后蓝宝石衬底朝上，成为出光面，蓝宝石是透明的，因此出光问题也得到解决。
LED应用篇
1、单个LED的流明效率与用LED作光源构成的灯具的流明效率有什么异同？
针对某一个特定的LED，加上规定的正向偏置，例如加上IF＝20mA正向电流后（对应的VF≈3.4V），测得的辐射光通量Φ＝1.2lm，则这个LED的流明效率为：
η＝1.2lm×1000/3.4V×20mA＝1200/68≈17.6lm/W
显然，对于单个LED，如施加的电功率P e＝V F×I F，那么在这个功率下测得的辐射光通量折算为每瓦的流明值即为单个LED的流明效率。
但是，作为一个灯具，不论LED PN结上实际加上的功率V F×I F是多少，灯具的电功率总是灯具输入端口送入的电功率，它包括了电源部分（如稳压器、稳流源、交流整流成直流电源部分等）所消耗的功率。灯具中，驱动电路的存在使它的流明效率比测试单个LED的流明效率要下降。电路损耗越大，流明效率越低，因此，寻找一种高效率的LED驱动电路就显得极为重要。
2、为什么一只蓝光LED在涂上特殊的荧光粉构成的白光LED后，其辐射光通量会比蓝光高出几倍甚至十几倍？
从前面我们已经知道白光LED是用什么方法制造出来的，其中一种方法是在发蓝光的LED芯片上涂上一层YAG荧光粉，部分蓝光光子激发YAG荧光粉，形成光?光转换，荧光粉被激发产生黄光光子，蓝色光与黄色光混合变成白色光，成为白光LED。这种通过光?光转换后不同波长的光的混合，会使它的波谱变宽，白光LED一般具有比LED蓝光波谱宽得多的波谱。对于用蓝光芯片加YAG荧光粉制成的白光LED，与单色LED相比，人眼对它的视觉函数应当是各种波长成分视觉函数的积分平均值，此值可以通过计算得到约为296lm，即这种白光LED，当发射出光功率1W的白光时，其辐射光通量约为296lm，这个数值比发射光功率1W的蓝色LED的辐射光通量41增大了7.2倍。
3、什么是LED的结温？它是如何产生的？
LED的基本结构是一个半导体的PN 结。实验指出，当电流流过LED器件时，PN结的温度将上升，严格意义上说，就把PN结区的温度定义为LED的结温。通常由于器件芯片均具有很小的尺寸，因此我们也可把LED芯片的温度视之为结温。
窗口层衬底或结区的材料以及导电的银胶等均存在一定的电阻值，这些电阻值相互垒加，构成LED的串联电阻。当电流流过PN结时，同时也会流过这些电阻，从而也会产生焦尔热，引起芯片温度或结温升高；由于LED芯片材料于周围介相比，具有大得多的折射系数，致使芯片内部产生的大部分光无法顺利地溢出界面，而在芯片与介质界面产生全反射，返回芯片内部并通过多次内部反射最终被芯片材料或衬底吸收，并以晶格振动的形式变成热，促使结温升高。
4、为什么LED PN结上温度升高会引起它的光电参数退化？
PN结作为杂质半导体在其工作过程中，同样存在杂质电离、本征激发、杂质散射和晶格散射等问题，从而使复合栽流子转换成光子的数量和效能发生变化。当PN结的温度（例如环境温度）升高时，PN结内部杂质电离加快，本征激发加速。当本征激发产生的复合载流子的浓度远远超过杂质浓度时，本征载流子的数量增大的影响较之迁移率减小的半导体电阻率变化的影响更为严重，导致内量子效率下降，温度升高又导致电阻率下降，使同样I F下，V F降低。如果不用恒流源驱动LED，则V F降将促使I F指数式增加，这个过程将使LED PN 结上温升更加快，最终温升超过最大结温，导致LED PN结失效，这是一个正反馈的恶性过程。
PN结上温度升高，使半导体PN结中处于激发态的电子?空穴复合时从高能级向低能级跃迁时发射出光子的过程发生退化。这是由于PN结上温度升高时，半导体晶格的振幅增大，使振动的能量也发生增加，当它超过一定值时，电子?空穴从激发态跃迁到基态时回与晶格原子（或离子）交换能量，于是成为无光子辐射的跃迁，LED的光学性能退化。
另外，PN结上温度升高还会引起杂质半导体中电离杂质离子所形成的晶格场使离子能级裂变，能级分裂受PN结温度影响，这就意味着由于温度影响晶格振动，使其晶格场的对称性发生变化，从而引起能级分裂，导致电子跃迁时产生的光谱发生变化，这就是LED发光波长随PN 结温升而变化的原因。
综合上述，LEN PN结上温升会引起它的电学、光学和热学性能的变化，过高的温升还会引起LED封装材料（例如环氧、荧光粉等）物理性能的变化，严重时导致LED失效，所以降低PN结温升，是应用LED 的重要关键所在。
5、为什么说提高光效可降低结温？
通常将单位输入电功率所产生的光能称之为光电转换效率简称光效。根据能量守恒定律，LED的输入功率最终将通过光与热两种形式释放出来，光效越高放出的热量越少，LED芯片的温升就越小，这就是提高光效可降低结温的基本原理。
6、如何实现LED的调光、调色？
由于LED的发光强度I V（或光辐射通量）与它的工作电流I F在一定电流范围内呈县性关系，即随着电流I F增大，I V也随之增大，因此，改变LED的I F，就可以改变它的发光强度，实现调光。
由色度学原理可以知道，如果将红、绿、蓝三原色作混合，在适当的三原色亮度比的组合下，理论上可以获得无数种色彩，这就可以用三种发光波长的LED，只要具有例如：470nm（蓝色）、525 nm（绿色）和620 nm（红色）的三种波长的LED通过点亮和I F控制，就可以实现色彩的调控，即调色。
7、什么是静电破坏？哪些类型的LED容易受静电破坏导致失效？
静电实际是由电荷累积构成。人们在日常生活中，特别是在干燥天气环境中，当用手去触摸门窗类物品时会感觉“触电”，这就是门窗类物品静电积累到一定程度时对人体的“放电”。对于羊毛织品、尼龙化纤物品，静电积累的电压可高达一万多伏特，电压十分高，但静电功率不大，不会威胁生命，然而对于某些电子器件却可以致命，造成器件失效。
LED中用GN基构成的器件，由于是宽禁带半导体材料，它的电阻率较高，对于InGaN/AlGaN/GaN的双异质结蓝色光LED，其InGaN的有源层的厚度一般只有几十纳米，再由于这种LED的两个正、负电极
在芯片同一面上，之间距离很小，若两端的静电电荷累积到一定值时，这一静电电压会将PN击穿，使其漏电增大，严重时PN结击穿短路，LED失效。
正因为存在静电威胁，对于上述结构的LED芯片和器件在加工过程中对加工厂地、机器、工具、仪器，包括员工服装均要采取防静电措施，确保不损伤LED。另外，在芯片和器件的包装上也要采用防静电材料。
芯片是什么芯片的工作原理芯片基础知识介绍 芯片是什么芯片的工作原理芯片基础知识介绍一、芯片基础知识介绍我们通常所说的“芯片”是指集成电路,它是微电子技术的主要产品.所谓微电子是相对'强电'、'弱电'等概念而言,指它处理的电子信号极其微小.它是现代信息技术的基础,我们通常所接触的电子产品,包括通讯、电脑、智能化系统、自动控制、空间技术、电台、电视等等都是在微电子技术的基础上发展起来的。我国的信息通讯、电子终端设备产品这些年来有长足发展,但以加工装配、组装工艺、应用工程见长,产品的核心技术自主开发的较少,这里所说的'核心技术'主要就是微电子技术.就好像我们盖房子的水平已经不错了,但是,盖房子所用的砖瓦还不能生产.要命的是,'砖瓦'还很贵.一般来说,'芯片'成本最能影响整机的成本。微电子技术涉及的行业很多,包括化工、光电技术、半导体材料、精密设备制造、软件等,其中又以集成电路技术为核心,包括集成电路的设计、制造。集成电路(IC)常用基本概念有:晶圆,多指单晶硅圆片,由普通硅沙拉制提炼而成,是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至更大规格.晶圆越大,同一圆片上可生产的IC 就多,可降低成本;但要求材料技术和生产技术更高。前、后工序:IC制造过程中, 晶圆光刻的工艺(即所谓流片),被称为
前工序,这是IC制造的最要害技术;晶圆流片后,其切割、封装等工序被称为后工序。光刻:IC生产的主要工艺手段,指用光技术在晶圆上刻蚀电路。线宽:4微米/1微米/0.6微未/0.35微米/035微米等,是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度,是IC工艺先进水平的主要指标.线宽越小,集成度就高,在同一面积上就集成更多电路单元。封装:指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接。存储器:专门用于保存数据信息的IC。逻辑电路:以二进制为原理的数字电路。二、电脑芯片的工作原理是什么？是怎样制作的？芯片简单的工作原理：芯片是一种集成电路，由大量的晶体管构成。不同的芯片有不同的集成规模，大到几亿；小到几十、几百个晶体管。晶体管有两种状态，开和关，用1、0 来表示。多个晶体管产生的多个1与0的信号，这些信号被设定成特定的功能（即指令和数据），来表示或处理字母、数字、颜色和图形等。芯片加电以后，首先产生一个启动指令，来启动芯片，以后就不断接受新指令和数据，来完成功能。最复杂的芯片（如：CPU芯片、显卡芯片等）生产过程：1.将高纯的硅晶圆，切成薄片；2.在每一个切片表面生成一层二氧化硅；3.在二氧化硅层上覆盖一个感光层，进行光刻蚀； 4.添加另一层二氧化硅，然后光刻一次，如此添加多层； 5.整片的晶圆被切割成一个个独立的芯片单元，进行封装。一个是电源灯（绿色），一个是硬盘灯（红色），你的电脑开机，
信息系统运行维护内容 Company number：【WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998】
信息系统运行维护内容 按照GB/T 22032-2008 的规定，信息技术运行维护（简称：IT 运维）是信息系统全生命周期中的重要阶段，对系统主要提供维护和技术支持以及其它相关的支持和服务。运维阶段包括对系统和服务的咨询评估、例行操作、响应支持和优化改善以及性能监视、事件和问题识别和分类，并报告系统和服务的运行情况。 一、运维服务类型主要包括以下三种类型： 1、基础服务 确保计算机信息系统安全稳定运营，必须提供的基础性的保障和维护工作。 2、性能优化服务 计算机信息系统在运营过程中，各项应用（硬件基础平台、系统平台、存储平台、应用系统平台、安全平台等）、各项业务的性能、效能的优化、整合、评估等服务。 3、增值服务 保证计算机信息系统运营的高效能、高效益，最大限度的保护并延长已有投资，在原有基础上实施进一步的应用拓展业务。 二、运维主要服务工作方式主要包括响应服务、主动服务两类。
1、响应式服务 响应式服务是指，用户向服务提供者提出服务请求，由服务提供者对用户的请求做出响应，解决用户在使用、管理过程中遇到的问题，或者解决系统相关故障。 响应式服务采用首问负责制。第一首问为本单位信息中心。信息中心负责接受用户服务请求，并进行服务问题的初步判断。如果问题能够解决则直接给客户反馈，否则提交到首问服务外包商。对于明确的问题，信息中心将问题直接提交到相应的服务外包商。 首问外包服务商在信息中心的支持下，负责对问题进行排查，力争将问题精确定位到某具体环节。问题定位后将其转发给相应的服务外包商。如果问题范围较大，涉及到多个服务外包商时，由信息中心进行协调，在首问外包服务商统一指导下进行联合作业，直至问题解决完毕。 问题处理完成后，由责任服务外包商、首问服务外包商填写相应服务表单，并由首问外包服务商提交给信息中心，信息中心再向最终用户反馈。 服务外包商首先通过电话/电子邮件/远程接入等手段进行远程解决，如果能够解决问题，则由工程师负责填写服务单，季度汇总后提交信息中心签字备案。 远程方式解决无效时，服务外包商工程师进行现场工作。根据故障状况，工程师现场能解决问题的，及时解决
晶片相关知识讲述
第一节：LED 制程简介； 第二节：晶片的制做原理及组成原料； 第三节：晶片的特性及发光原理； 第四节：常用晶片的种类； 第五节：晶片的分片方式； 第六节：晶片的正确使用及影响因素。
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第一节：LED 制程简介
发光二极体：Light Emitting Diode（LED）是一种具有两个电极端 子、在电子间施加电压，通过电流会立即发光的光电元件。 由于 LED 是自体发光，用手触摸并不会有热的感觉，且寿命可达 十万个小时以上。 LED 依制作流程可分为上、中、下游与应用四个部份。 上游制程主要是单晶棒经由切割、研磨、抛光，而形成单晶片。 单晶片为磊晶成长用基板。 磊晶片透过不同磊晶成长法，制造Ⅲ Ⅴ族化合物半导体，如：磷 化镓 （GaP） 砷化镓 、 （GaAs） 磷砷化镓(AsGaP) 、 、 砷化铝镓 （AlGaAs） 、 磷化铝铟镓（AlGaInP） 、氮化铟镓（GaInN）等磊片，然后进入中游制 程。 下游制程主要是封装完成 LED 成品。将晶粒粘著（Dice Bond） 、打 线（Wire Bond）后，置入树脂的模具中，封装完成不同基本零件或模组， 等树脂硬化后取出剪脚，完成 LED 成品。若依封装成品可分为灯泡型 (Lamp) 、 数 字 / 字 元 显 示 型 (Digital/Character) 、 表 面 粘 著 型 (Surface Mount) 、点矩阵型 (Dot Matrix) 、集束型(Chuster)等。而使用 LED 成 品制作成显示器材，则属于应用层面。 应用：户外显示屏幕、第三煞车灯、交通记号等。 LED 具有低耗电量、低发热量、使用寿命长、反应速率快、耐震性 高等特性、是符合环保要求的光电元件。应用于资讯、通讯、消费性电 子等方面。
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文件编号： 受控状态：■受控□非受控 保密级别：□公司级□部门级■项目级□普通级 采纳标准：GB/T 19001-2000 idt ISO 9001 : 2000 标准 质量记录编号：分发编号: 电子运维知识库管理系统 建设方案 Version 1 。0 2007。12 Written By Creator @ 湖南科创信息技术股份有限公司 All Rights Reserved
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1. 概述 1.1. 建设背景 现湖南E-OMS 系统已初步形成了面向日常运维事务、对日常运维工作进行监督和管理的具有湖南移动自身特色的电子化运维的平台性系统，成为湖南移动网络部日常工作、网络维护不可或缺的系统。 随着E-OMS系统的完善，电子化运维的使用人员对资源的优化，使用的方便程度提出了越来越高的要求，迫切需要建设一套电子运维知识库系统，来提高运维工作效率，以便于日常工作管理。 1.2. 建设原则 按照集团公司的规划，知识库系统采用独立部署，统一建设的原则，达到应用统一和信息共享的目的。由于客服目前已经依据集团规划，建设了一套知识库系统，因此不允许再进行重复性的建设。 1.3. 建设内容 根据前面所述的系统的建设背景及原则，我们提出：依托客服现有的知识库系统，建设电子运维知识库管理系统。通过对现有客服知识库系统的改造来满足电子运维对知识库的需求，同时也大大降低了成本，加快了建设的速度。 总体建设方式如下： 1、在现有知识库中新增电子运维专用数据节点，同时分配给电子运维专用的账号及权限，以便进行管理。 2、通过对现有知识库系统知识搜索功能的改造，增强现有知识库的搜索引擎功能。 3、在现有知识库系统上，增加新的业务接口，满足电子运维对知识库的需求。
ICL7107电路图 ICL7107 安装电压表头时的一些要点：按照测量＝±199.9mV 来说明。 1.辨认引脚：芯片的第一脚，是正放芯片，面对型号字符，然后，在芯片的左下方为第一脚。 也可以把芯片的缺口朝左放置，左下角也就是第一脚了。 许多厂家会在第一脚旁边打上一个小圆点作为标记。 知道了第一脚之后，按照反时针方向去走，依次是第 2 至第40 引脚。（1 脚与40 脚遥遥相对）。 2.牢记关键点的电压：芯片第一脚是供电，正确电压是DC5V 。第36 脚是基准电压，正确数值是100mV，第26 引脚是负电源引脚，正确电压数值是负的，在－3V 至－5V 都认为正常，但是不能是正电压，也不能是零电压。芯片第31 引脚是信号输入引脚，可以输入±199.9mV
的电压。在一开始，可以把它接地，造成“0”信号输入，以方便测试。 3.注意芯片27,28,29 引脚的元件数值，它们是0.22uF,47K,0.47uF 阻容网络，这三个元件属于芯片工作的积分网络，不能使用磁片电容。芯片的33 和34 脚接的104 电容也不能使用磁片电容。 4.注意接地引脚：芯片的电源地是21 脚，模拟地是32 脚，信号地是30 脚，基准地是35 脚，通常使用情况下，这 4 个引脚都接地，在一些有特殊要求的应用中（例如测量电阻或者比例测量），30 脚或35 脚就可能不接地而是按照需要接到其他电压上。－－本文不讨论特殊要求应用。 5.负电压产生电路：负电压电源可以从电路外部直接使用7905 等芯片来提供，但是这要求供电需要正负电源，通常采用简单方法，利用一个+5V 供电就可以解决问题。比较常用的方法是利用ICL7660 或者NE555 等电路来得到，这样需要增加硬件成本。我们常用一只NPN 三极管，两只电阻，一个电感来进行信号放大，把芯片38 脚的振荡信号串接一个20K －56K 的电阻连接到三极管“B”极，在三极管“C”极串接一个电阻（为了保护）和一个电感（提高交流放大倍数），在正常工作时，三极管的“C”极电压为 2.4V － 2.8V 为最好。这样，在三极管的“C”极有放大的交流信号，把这个信号通过 2 只4u7 电容和 2 支1N4148 二极管，构成倍压整流电路，可以得到负电压供给ICL7107 的26 脚使用。这个电压，最好是在－3.2V 到－4.2V 之间。 6.如果上面的所有连接和电压数值都是正常的，也没有“短路”或者“开路”故障，那么，电路就应该可以正常工作了。利用一个电位器和指针万用表的电阻X1 档，我们可以分别调整出50mV,100mV,190 mV 三种电压来，把它们依次输入到ICL7107 的第31 脚，数码管应该对应分别显示50.0,100.0,190.0 的数值，允许有 2 －3 个字的误差。如果差别太大，可以微调一下36 脚的电压。 7.比例读数：把31 脚与36 脚短路，就是把基准电压作为信号输入到芯片的信号端，这时候，数码管显示的数值最好是100.0 ，通常在99.7 －100.3 之间，越接近100.0 越好。这个测
信息系统运行维护方案 2012年8月 目录 第一章目标............................................................................................................................................. 第一节运行维护服务目标......................................................................................................... 第二节运行维护内容及步骤.................................................................................................... 第二章运行维护服务具体内容 ........................................................................................................ 第一节驻点服务........................................................................................................................... 第二节运维服务........................................................................................................................... 第三节服务方式建议.................................................................................................................. 第四节运维服务内容.................................................................................................................. 1.预防性维护服务 ............................................................................................................. 2.中心机房设备维护服务 ............................................................................................... 3.台式PC机类维护服务.................................................................................................. 4.笔记本计算机维护服务 ............................................................................................... 5.服务器维护服务 ............................................................................................................. 6.工作站软件维护 ............................................................................................................. 7.语音（电话）信息点维护........................................................................................... 8.病毒防护与监控服务.................................................................................................... 9.运维期结束前.................................................................................................................. 第三章XX 运行维护服务预算 .......................................................................................................... 第一章目标 第一节运行维护服务目标
石英晶体基本常识 一、基础概念 1、石英晶体谐振器:利用石英晶体的逆电压效应制造具有选择频率和稳定频率的无线电元件。 电介质由于外界的机械作用，(如压缩?伸拉)而在其內部产生变化，产生表面电荷的现象，叫压电效应，如果将具有压电效应的介质至于外电场中，由于电场的作用，会引起介质內部正负电荷中心位移，而这一位移产生效应为逆压电效应 2、晶片的主要成分SiO2（二氧化硅）密度：2.65g/cm3分子量：60.06 3、振动模式晶体分为以下两类： AT 基频：BT 在振动模式最低阶次的振动频率 CT DT 3次 泛音：5次晶体振动的机械谐波，泛音频率与基频频率之比， 7次接近整倍数，又不是整倍数。 9次 AT与BT如何区分 1)通过测量晶片厚度 AT厚度t=1670/F0 F0-晶体标称频率 BT厚度t=2560/F0 2)通过温选根据晶片的拟合曲线来确定 3)通过测量晶体的C0、C1、TS、L、T来确定 4、按规格分为：HC-49S，HC-49U，HC-49S/SMD，表晶(3*8、2*6)，UM系列等 HC-49S HC-49U HC-49S/SMD 表晶 陶瓷SMD 钟振UM系列 5、标称频率：晶体技术条件中所给定的频率，如4.000MHz，12.000MHz，25.000MHz等 6、调整频差：在规定条件下，基准温度时，工作频率相对于标称频率所允许的偏离值(如： ±30ppm、±25ppm)
7、串联谐振频率(FR)：晶体本身固有的频率 8、负载谐振频率(FL)：在规定条件下，晶体与一负载电容相并联或相串联，其组合阻抗呈现 出来的谐振频率。 9、负载电容：在振荡电路中晶体两脚之间所有的等效电容量之和.在通常情况下IC厂家在规格书中都会给出推荐的晶体匹配电容. 说明：负载电容CL是组成振荡电路时的必备条件。在通常的振荡电路中，石英晶体谐振器作为感抗，而振荡电路作为一个容抗被使用。也就是说，当晶体两端均接入谐振回路中，振荡电路的负阻抗-R和电容CL即被测出，这时，这一电容称为负载电容。负载电容和谐振频率之间的关系不是线性的，负载电容小时，频率偏差量大，当负载电容提高时，频率偏差量减小。当振荡电路中的负载电容减少时，谐振频率发生较大的偏差，甚至当电路中发生一个小变化时，频率的稳定性就受到巨大影响。负载电容可以是任意值，但10-30PF会更佳。 10、温度频差(F/T)：在规定条件下，工作温度范围内，相对于基准温度时工作频率允许的偏离 值 11、基准温度：25±2℃，湿度：50%±10% 12、谐振电阻(RR)：在规定条件下，晶振在谐振频率时的等效电阻 13石英晶体谐振器等效电路 石英晶体谐振器的振动实质上是一种机械振动。实际上，石英晶体谐振器可以被一个具有电子转换性能的两端网络测出。这个回路包括L1、C1，同时C0作为一个石英晶体的绝缘体的电容被并入回路，与弹性振动有关的阻抗R1是在谐振频率时石英晶体谐振器的谐振阻抗。(见图1)
Linux运维工作需要了解的知识一、什么是大型网站运维？ 首先明确一下，全文所讲的”运维“是指：大型网站运维，与其它运维的区别还是蛮大的；然后我们再对大型网站与小型网站进行范围定义，此定义主要从运维复杂性角度考虑，如网站规范、知名度、服务器量级、pv量等考虑，其它因素不是重点；因此，我们先定义服务器规模大于1000台，pv每天至少上亿（至少国内排名前10），如sina、baidu、 QQ，https://www.doczj.com/doc/7813220956.html,等等；其它小型网站可能没有真正意义上的运维工程师，这与网站规范不够和成本因素有关，更多的是集合网络、系统、开发工作于一身的“复合性人才”，就如有些公司把一些合同采购都纳入了运维职责范围，还有如IDC网络规划也纳入运维职责。所以，非常重要一定需要明白：运维对其它关联工种必须非常了解熟悉：网络、系统、系统开发、存储，安全,DB等；我在这里所讲的运维工程师就是指专职运维工程师。 我们再来说说一般产品的“出生”流程： 1、首先公司管理层给出指导思想，PM定位市场需求（或copy成熟应用）进行调研、分析、最终给出详细设计。 2、架构师根据产品设计的需求，如pv大小预估、服务器规模、应用架构等因素完成网络规划,架构设计等（基本上对网络变动不大，除非大项目） 3、开发工程师将设计code实现出来、测试工程师对应用进行测试。 4、好，到运维工程师出马了。首先明确一点不是说前三步就与运维工作无关了，恰恰相反，前三步与运维关系很大：应用的前期架构设计、软/硬件资源评估申请采购、应用设计性能隐患及评估、IDC、服务性能安全调优、服务器系统级优化（与特定应用有关）等都需运维全程参与，并主导整个应用上线项目；运维工程师负责产品服务器上架准备工作，服务器系统安装、网络、IP、通用工具集安装。运维工程师还需要对上线的应
目录 1.1网络故障处理基本思路和方法 (2) 1.1.1PTN与MSTP告警对比 (2) 1.1.2常见告警故障处理方法 (4) 1.1.3以太网业务丢包类故障处理方法 (6) 1.1.4OAM/PING调试法 (6) 1.1.5环回逐段定位法 (9) 1.2PTN网络例行监控 (10)
1.1 网络故障处理基本思路和方法 PTN的组网、业务配置愈发复杂，需分组厂商网管尽快做好SDH－Like功能。为尽快恢复业务，将检测的故障点最小化，需了解SDH原理、IP网络原理知识、告警信号流及告警产生机理、PTN设备和网管基本操作、常用仪表的基本操作，了解网络拓扑，业务配置，设备运行状态。 ?告警、性能分析法 ?OAM/PING调试法 ?环回法 PTN对于Tunnel的故障可用MPLS OAM来检测，MPLS OAM包括CV/FFD、Ping和Traceroute。通过CV（Connectivity Verification）/FFD（Fast Failure Detection）检测可以检测LSP的连通性。CV检测和FFD检测的过程基本一致，其不同在于CV检测发送CV报文的频率固定为1帧/s并且不可设置，而FFD检测发送FFD报文的频率是可以自行定义的。MPLS Ping/Traceroute为用户提供了发现LSP错误、并及时定位失效节点的机制。MPLS Ping/Traceroute使用MPLS Echo Request和MPLS Echo Reply检测LSP的可用性。MPLS Echo Request中携带需要检测的FEC（Forwarding Equivalence Class）信息，和其他属于此FEC的报文一样沿LSP发送，从而实现对LSP的检测。 为了更好的理解PTN，我们就把PTN与熟悉的SDH的业务层面告警类比一下，与大家共享。 1.1.1 PTN与MSTP告警对比 对应于业务模型，PTN的告警分为物理层、数据链路层、Tunnel层、PW层、仿真业务层五个层次。对应SDH的物理层、再生段复用段层、服务层、路径层。上层功能的实现依赖于相邻下层提供的服务。低层与高层同时有故障产生时，低层故障的消除是处理高层故障的基础，物理层故障引发的告警屏蔽其它层故障引发的告警。SDH的告警与PTN的最根本的区别在于SDH的告警都是由字节承载上报的，而PTN告警则是由协议控制上报的；但都有其相似之处,如下图：
摄像机芯片的基础知识 CMOS类： 常见的CMOS芯片有三种：1：彩色为OV7910和PC1030N；2：黑白为OV5116。以上三款芯片一般无PAL制 与NTSC制之分，它们的封装形式全为贴片式的。OV7910为1/3 inch芯片，OV5116 和PC1030N为1/4inch芯片，目前的流行的是韩国的PC1030N芯片。 CCD类： 常见的CCD芯片有四个品牌：SAMSUNG（三星），LIFE GOOD（LG），PANASONIC（松下），SHARP（夏普）， SONY（索尼）。 黑白摄像机的制式有：CCIR（中国也使用该制式）与EIA两种。彩色摄像机的制 式有：PAL制（中国也使用该制式）和NTSC制（常见的有NTSC358和NTSC443 两种，象美国，加拿大，中国台湾，日本，韩国，菲律宾及多伦多和俄罗斯都使 用NTSC358，也有些将NTSC358叫NTSC 1，将NTSC443叫NTSC 2）。 本厂的黑白CCD有LG和SONY 两种，它们的芯片组成模式为（LG的现在已经很少使用）：LG 1/3 EIA：Ai5412 + Ai1001S + Ai4402 + Ai325KBL ☆ 1/3 CCIR：Ai5412 + Ai1001S + Ai4402+ Ai329NB ☆ SONY 1/3 CCIR CXD2463R + CXA1310AQ+ ICX405AL 1/3 EIA CXD2463R + CXA1310AQ+ ICX404AL 本厂的彩色CCD为SHARP和SONY两种，它们的芯片组成模式为： SHARP： 1/4 NTSC：1-- LR38603A + AA87221 + IR3Y48A +RJ2411 （如DF-SP58） 1/4 PAL：1-- LR38603A + AA87221 + IR3Y48A + RJ2421（如DF-SP58） 1/3 NTSC：1-- LR38603A + AA87222 + + IR3Y48A + RJ2311（如0025） 1/3 PAL：1-- LR38603A + AA87222 + IR3Y48A + RJ2321（如0025） SONY彩色420线： 普通照度（3141与3142一样可通用）： 1/3 PAL：1-- CXD3142R + AA87222 + CXA2096N + ICX405AK（如DF-SN59） NTSC：1--CXD3141R + AA87222 + CXA2096N + ICX404AK（如DF-SN59） 1/4 PAL：CXD3142R + AA87222 + CXA2096N + ICX227AK（如DF-SN59） NTSC：CXD3141R + AA87222+ CXA2096N + ICX226 AK SONY彩色480线： 1/3 PAL CXD2480R + CXA2006Q +CXD2163R+ ICX409AK ☆ 1/3 NTSC CXD2480R + CXA2006Q +CXD2163R + ICX408AK☆ 1/4 PAL：CXD3142R + AA87222 + CXA2096N + ICX643AK（如DF-SN59）（38 / 32单板） 1/3 PAL：CXD4103R + AA87222 + LVC14A+ CXA2096N + ICX409AK（如FD0052E）（38 / 32双板）SONY彩色520线： 1/3 PAL：CXD3172R + CXA2096N + ICX409AK（如FD0038H）（38×38单板） 视频放大IC：2274 、AI171、AA8631、AA88641三种 备注：目前在所有的CCD中，只有SONY的ICX405AK在电脑显示器上的右边有一个黄色的细竖条，而在一般的监视器上看不到的。后面打“☆”号的为目前已经很少用的方案,带下画线的是CCD。 发布：审核：批准： 深圳迪飞达电子有限公司 2009-05-11
岗位职责: 1.负责运维部门工作，制定部门工作计划以及进度目标； 2.合理分配部门人员工作，公司所有相关IT设备的保管和维护工作； 3.负责运维体系建立和实施，设计并推进运维自动化； 4.保障部门运维安全，处理运维事故,优化各项维护工作流程，不断降低系统风险； 5.负责基础设施项目交付包括新的或改进的核心基础设施服务、网络、主机、安全等参与新IT基础设施的可行性研究。协助公司软件的选择和IT咨询服务； 6.制定系统及数据备份策略，加强系统及数据的日常备份，定期做灾难恢复演练，适当提供冗余，确保公司信息系统的可靠性和可恢复性； 7.制定信息技术管理政策、流程、标准并执行，包括信息安全管控、防病毒攻击策略的完善并执行； 8.全面负责公司机房服务器及IDC的服务器、防火墙、网络等各中IT设备架设与正常运行；负责应用系统的性能分析与系统架构优化，不断提高系统运行效率负；针对信息安全风险提供妥善解决方案； 9.协调部门内部关系，指导并考核员工的工作，提升工作效率； 10.协调部门和其他部门的工作以及关系； 任职要求 1.负责全面在技术上、流程上、制度上建立公司的运维规范和运维基础平台，保证公司各机房各服务器的稳定运营，保证公司产品运行的健壮性和稳定性。
2.负责在技术上带领运维团队进行技术攻关，钻研各个运维领域的技术，提升整个运维团队的技术深度。 3.与研发团队充分沟通，既从运维角度、也从软件研发角度，制订各种技术规范，使产品的运行更加稳定。 1.五年或者以上的大型互联网的系统运维经验，管理过大型机房、大量服务器及相关的硬件、软件设备。 2.精通常用的运维技术的其中一种或多种，例如大型网络的技术、Linux系统技术、Windows系统技术、数据库管理和运维技术、海量储存技术等，深刻明白各种系统背后的原理。 3.拥有技术钻研能力，可以进行技术攻关，熟悉各种软件体系结构，拥有设计高可用性系统架构的能力。 4.有团队管理的能力，拥有管理运维团队的经验。 5.拥有优秀的沟通能力和执行能力，能将运维规范落实到产品上线的各个流程，有效监督研发团队执行所制订的运维规范。
led芯片基础知识 一、led历史 50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，1962年，通用电气公司的尼克?何伦亚克（Nick HolonyakJr.）开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，即固体封装，所以能起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。 最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。经红色滤光片后，光损失90%，只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中，Lumileds公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。 二、LED芯片的原理 LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。 三、主要芯片厂商 德国的欧司朗,美国的流明、CREE、AXT，台湾的广稼、国联（FPD）、鼎元（TK）、华汕（AOC）、汉光（HL）、艾迪森、光磊（ED），韩国的有首尔，日本的有日亚、东芝，大陆的有大连路美、福地、三安、杭州士兰明芯、仿日亚等它们都是大家耳熟能详的芯片供应商，下面根据产地细分下。 台湾LED芯片厂商：晶元光电（Epistar）简称：ES、（联诠、元坤，连勇，国联），广镓光电（Huga），新世纪（Genesis Photonics），华上（Arima OptoELectronics）简称：AOC，泰谷光电（Tekcore），奇力，钜新，光宏，晶发，视创，洲磊，联胜（HPO），汉光（HL），光磊（ED），鼎元（Tyntek）简称：TK，曜富洲技TC，灿圆（FormosaEpitaxy），国通，联鼎，全新光电（VPEC）等。华兴（Ledtech Electronics）、东贝（UnityOptoTechnology）、光鼎（ParaLight Electronics）、亿光（Everlight Electronics）、佰鸿（Bright LED
IT运维的五大基础知识 IT运维管理基础知识一、微软系统 关于Windows的熟识是最基本的。当然,作为一个运维经理,可不是整天玩个Windows7或xp就可以交差的。你得掌握微软Active Directory及其顶层各种服务和使用的搭建。普通常用的有ISA、Exchange、SQL Server。随着Windows 2008的大放异彩,Hyper-V又成了微软工程师不得不掌握的重型武器。 IT运维管理基础知识二、Linux/BSD系统 虽然Ubuntu如今很火,但是在公司里运用的大多还都是Redhat系列和Suse系列。你得熟识DNS、NIS、Apache、SMB、 DHCP、Sendmail、FTP、MySQL这些惯例服务。假设公司的IT业务大规模对外,你还得学会LVS或Nginx等负载平衡技术。 友谊提示:假设你将去人人网或豆瓣等新锐公司,那你还得熟识Cassandra之类混合型的非联系的数据库技术;Memcache之类高功用散布式的内存对象缓存系统(它议
决在内存里维护一个一致的庞大的Hash表存储各种格式的数据)。 既然说了Linux,这里也顺带要提一下BSD,一样是开源的宠儿,BSD的安全性和高效让人印象深入,现在包含Yahoo、Sina在内的许多公司都会用它来跑使用。这类系统熟识之后,现在从事Solaris有关任务也会降低难度(一样的Unix血统)。假设有中间件要求的,可以适当接触Weblogic(Oracle系)或WebSphere(IBM系)、Jboss(红帽系)。这些东西在现在盛行的大型使用中十分普遍。 IT运维管理基础知识三、编程开发 混Windows系统的自觉一点学好Powershell吧。要是说前几年还得看看VBscript的话,将来就都是Powershell的天下了。 PowerShell是微软公司于2006年第四季度正式揭晓的。它的出现让Windows在运维方面拉近了与Unix, Linux等操作系统的间隔。现在支持.Net Framework 。可以运转在xp SP2之后各种操作系统上。可以同时支持WMI,COM,,ADSI 等已有的Windows维护模型。这项全新的技术提供了丰厚的控制与自 动化的系统维护才干;而“脚本言语”(scripting
LED芯片知识大解密 1、led芯片的制造流程是怎样的? LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下变成金属蒸气沉积在LED照明材料表面。一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。合金化的时间和温度通常是根据LED照明材料特性与合金炉形式等因素决定。当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。 2、LED芯片制造工序中，哪些工序对其光电性能有较重要的影响? 一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。 3、LED芯片为什么要分成诸如8mil、9 mil、…，13∽22 mil，40 mil等不同尺寸?尺寸大小对LED光电性能有哪些影响? LED芯片大小根据功率可分为小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根据客户要求可分为单管级、数码级、点阵级以及装饰照明等类别。至于芯片的具体尺寸大小是根据不同芯片生产厂家的实际生产水平而定，没有具体的要求。只要工艺过关，芯片小可提高单位产出并降低成本，光电性能并不会发生根本变化。芯片的使用电流实际上与流过芯片的电流密度有关，芯片小使用电流小，芯片大使用电流大，它们的单位电流密度基本差不多。如果10mil 芯片的使用电流是20mA的话，那么40mil芯片理论上使用电流可提高16倍，即320mA。但考虑到散热是大电流下的主要问题，所以它的发光效率比小电流低。另一方面，由于面积增大，芯片的体电阻会降低，所以正向导通电压会有所下降。 4、LED大功率芯片一般指多大面积的芯片?为什么? 用于白光的LED大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右，所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。由于量子效率一般小于20?大部分电能会转换成热能，所以大功率芯片的散热很重要，要求芯片有较大的面积。 5、制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求?为什么? 普通的LED红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用GaP 、GaAs等化合物LED照明材料，一般都可以做成N型衬底。采用湿法工艺进行光刻，最后用金刚砂轮刀片切割成芯片。GaN材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底，由于蓝宝石衬底是绝缘的，所以不能作为LED
修改记录： 最后修改时间：20171212 1BS和CS的区别以及优缺点 C/S又称Client/Server或客户/服务器模式。服务器通常采用高性能的PC、工作站或小型机，并采用大型数据库系统，如Oracle、Sybase、Informix或 SQL Server。客户端需要安装专用的客户端软件。 B/S是Brower/Server的缩写，客户机上只要安装一个浏览器（Browser），如Netscape Navigator或Internet Explorer，服务器安装Oracle、Sybase、Informix或 SQL Server等数据库。浏览器通过Web Server 同数据库进行数据交互。 C/S的优点是能充分发挥客户端PC的处理能力，很多工作可以在客户端处理后再提交给服务器。对应的优点就是客户端响应速度快。缺点主要只适用于局域网。 客户端需要对初装电脑安装专用的客户端软件，升级需要处理特别处理（重装软件或使用自动升级技术） 对客户端的操作系统一般会限制用windows，不支持linux等 B/S最大的优点就是可以在任何地方进行操作而不用安装任何专门的软件。只要有一台能上网的电脑就能使用，客户端零维护。系统的扩展非常容易，只要能上网，再由系统管理员分配一个用户名和密码，就可以使用了。甚至可以在线申请，通过公司内部的安全认证（如CA证书）后，不需要人的参与，系统可以自动分配给用户一个账号进入系统。但在做不同的浏览器的兼容性编码，并且不能实现复杂前面计算和展示。 2热插拔 热插拔（hot-plugging或Hot Swap）即带电插拔，热插拔功能就是允许用户在不关闭系统，不切断电源的情况下取出和更换损坏的硬盘、电源或板卡等部件，从而提高了系统对灾难的及时恢复能力、扩展性和灵活性等，例如一些面向高端应用的磁盘镜像系统都可
硅晶片断裂起始点分析基础知识 本文摘自Dan Pote的论文当硅晶片裂开后，一些重要的有关硅晶片曾遭受损伤的信息，仍然保留在断裂面上（如图1）， 断裂面的显微照片可以很清楚的观察这些信息。这篇文章将列举一些经常见到的硅晶片断裂面的显微照片，同时也将对这些断裂面进行解释，从而揭示出硅晶片断裂的形成过程。 肋骨纹 肋骨纹也经常被叫做蛤贝壳纹，见图3到图6。
肋骨纹通常出现在硅晶片裂纹的前端位置。肋骨纹垂直于硅晶片断裂的扩展方向且朝向硅晶片断裂的初始点。当正在扩展的断裂与晶片的侧壁交叉时，便在晶片的侧壁形成瓦纳线，瓦纳线是肋骨纹的典型特征。断裂速度不同会造成不同曲率的肋骨纹。Arrest线和Hesitation线也是十分重要的肋骨纹特征，它们是由于断裂暂时停止和开始而形成，它们很难与普通的肋骨纹区分。 River lines (河流线) River lines 外观像细线，并与硅晶片断裂方向一致。如图8至11所示。 River line实际上是许多断裂的硅晶位面平行断裂形成的。River line可能是一种能够判断硅晶片断裂起始点的最有用的证据。River line本身从尺寸和外观上都存在变化，并可以出现在硅晶片断裂面的任何位置。尽管LiF和其它一些结晶的River line被证明是由于螺旋位错引起，但不适用于硅晶片。
Tear Marks Tear mark是在断裂前端扩散到多个硅晶面上时形成的。如图12。 Tear mark也呈现细线特征。如图13/14。 Tear mark是由于断裂前端达到临界速度，同时遇到晶格变化后，断裂分散到不同的硅晶位面而形成的。辐射状的Tear线，辐射中心是断裂的起点。 如果Tear mark的截止形状像刺刀，此种断裂形貌我们可以称为长矛纹。长矛纹是由于形成Tear mark的源动力发生改变而形成的，如图15/16。 硅晶片断裂起点的判断 通过观察晶片断裂表面的信息来判定晶片断裂的起始点或起始位置，一台高倍率显微镜就可以满足搜集裂纹信息的要求，但更深入研究经常需要一台电子显微镜。 River Line (河流线) 和肋骨纹是大多数晶片断裂面所呈现的共同特征，这些特征足以确定断裂起始点。在垂直晶片方向断裂的断裂面，肋骨纹通常是唯一能证明断裂方向的证据。如果河流线和肋骨纹的纹路互相矛盾，应该通过River Line(河流线)将用来确定断裂起始点; River Line(河流线)经常发生弯曲而像肋骨纹，肋骨纹如果很密，就很像Tear