尺寸缩小有其物理限制
不过,制程并不能无限制的缩小,当我们将晶体管缩小到20 奈米左右时,就会遇到量子物理中的问题,让晶体管有漏电的现象,抵销缩小L 时获得的效益。作为改善方式,就是导入FinFET(Tri-Gate)这个概念,如右上图。在Intel 以前所做的解释中,可以知道藉由导入这个技术,能减少因物理现象所导致的漏电现象。
更重要的是,藉由这个方法可以增加Gate 端和下层的接触面积。在传统的做法中(左上图),接触面只有一个平面,但是采用FinFET(Tri-Gate)这个技术后,接触面将变成立体,可以轻易的增加接触面积,这样就可以在保持一样的接触面积下让Source-Drain 端变得更小,对缩小尺寸有相当大的帮助。
最后,则是为什么会有人说各大厂进入10 奈米制程将面临相当严峻的挑战,主因是1 颗原子的大小大约为0.1 奈米,在10 奈米的情况下,一条线只有不到100 颗原子,在制作上相当困难,而且只要有一个原子的缺陷,像是在制作过程中有原子掉出或是有杂质,就会产生不知名的现象,影响产品的良率。
如果无法想象这个难度,可以做个小实验。在桌上用100 个小珠子排成一个10×10 的正方形,并且剪裁一张纸盖在珠子上,接着用小刷子把旁边的的珠子刷掉,最
后使他形成一个10×5 的长方形。这样就可以知道各大厂所面临到的困境,以及达成这个目标究竟是多么艰巨。
随着三星以及台积电在近期将完成14 奈米、16 奈米FinFET 的量产,两者都想争夺Apple 下一代的iPhone 芯片代工,我们将看到相当精彩的商业竞争,同时也将获得更加省电、轻薄的手机,要感谢摩尔定律所带来的好处呢。
在前面已经介绍过芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样,先有晶圆作为地基,再层层往上迭的芯片制造流程后,就可产出必要的IC 芯片。然而,没有设计图,拥有再强制造能力都没有用,因此,建筑师的角色相当重要。但是IC 设计中的建筑师究竟是谁呢?接下来要针对IC 设计做介绍。
在IC 生产流程中,IC 多由专业IC 设计公司进行规划、设计,像是联发科、高通、Intel 等知名大厂,都自行设计各自的IC 芯片,提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为IC 是由各厂自行设计,所以IC 设计十分仰赖工程师的技术,工程师的素质影响着一间企业的价值。然而,工程师们在设计一颗IC 芯片时,究竟有那些步骤?设计流程可以简单分成如下。
设计第一步,订定目标
半导体基础知识和半导体器件工艺 第一章半导体基础知识 通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类为导体,它可以很好的传导电流,如:金属类,铜、银、铝、金等;电解液类:NaCl水溶液,血液,普通水等以及其它一些物体。第二类为绝缘体,电流不能通过,如橡胶、玻璃、陶瓷、木板等。第三类为半导体,其导电能力介于导体和绝缘体之间,如四族元素Ge锗、Si硅等,三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等,二、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。 物体的导电能力可以用电阻率来表示。电阻率定义为长1厘米、截面积为1平方厘米的物质的电阻值,单位为欧姆*厘米。电阻率越小说明该物质的导电性能越好。通常导体的电阻率在10-4欧姆*厘米以下,绝缘体的电阻率在109欧姆*厘米以上。 半导体的性质既不象一般的导体,也不同于普通的绝缘体,同时也不仅仅由于它的导电能力介于导体和绝缘体之间,而是由于半导体具有以下的特殊性质: (1) 温度的变化能显著的改变半导体的导电能力。当温度升高时,电阻率会降低。比如Si在200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的这个特性制成自动控制用的热敏组件(如热敏电阻等),但是由于半导体的这一特性,容易引起热不稳定性,在制作半导体器件时需要考虑器件自身产生的热量,需要考虑器件使用环境的温度等,考虑如何散热,否则将导致器件失效、报废。 (2) 半导体在受到外界光照的作用是导电能力大大提高。如硫化镉受到光照后导电能力可提高几十到几百倍,利用这一特点,可制成光敏三极管、光敏电阻等。 (3) 在纯净的半导体中加入微量(千万分之一)的其它元素(这个过程我们称为掺杂),可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特征。例如在原子密度为5*1022/cm3的硅中掺进大约5X1015/cm3磷原子,比例为10-7(即千万分之一),硅的导电能力提高了几十万倍。 物质是由原子构成的,而原子是由原子核和围绕它运动的电子组成的。电子很轻、很小,带负电,在一定的轨道上运转;原子核带正电,电荷量与电子的总电荷量相同,两者相互吸引。当原子的外层电子缺少后,整个原子呈现正电,缺少电子的地方产生一个空位,带正电,成为电洞。物体导电通常是由电子和电洞导电。 前面提到掺杂其它元素能改变半导体的导电能力,而参与导电的又分为电子和电洞,这样掺杂的元素(即杂质)可分为两种:施主杂质与受主杂质。 将施主杂质加到硅半导体中后,他与邻近的4个硅原子作用,产生许多自由电子参与导电,而杂质本身失去电子形成正离子,但不是电洞,不能接受电子。这时的半导体叫N型半导体。施主杂质主要为五族元素:锑、磷、砷等。 将施主杂质加到半导体中后,他与邻近的4个硅原子作用,产生许多电洞参与导电,这时的半导体叫p型半导体。受主杂质主要为三族元素:铝、镓、铟、硼等。 电洞和电子都是载子,在相同大小的电场作用下,电子导电的速度比电洞
初级质量工程师《质量专业相关知识》试题1 2016初级质量工程师《质量专业相关知识》试题1 一、单项选择题(每题的备选项中,只有一个最符合题意) 1.关于我国法定计量单位,下列说法不正确的是()。 A.《计量法》的颁布第一次以法律形式统一了全国的计量单位制度 B.我国法定计量单位都是SI的单位 C.所有SI单位都是我国法定计量单位 D.我国采用国际单位制(SI) 答案:B 2.根据计量的四大特点,指测量结果可重复、可复现、可比较的是()。 A.准确性 B.一致性 C.溯源性 D.法制性 答案:B 3.计量的准确性是指测量结果与被()的一致程度。 A.测量基准 B.测量量值 C.测量真值
D.测量标准 答案:C 解析:计量的准确性是指测量结果与被测量真值的一致程度。 4.使计量的准确性和一致性得到技术保证的是计量()特点。 A.准确性 B.一致性 C.溯源性 D.法制性 答案:C 解析:溯源性使计量的准确性和一致性得到技术保证。 5.代表着计量的公益性的是()类计量。 A.科学计量 B.工程计量 C.法制计量 D.计量管理 答案:C 解析:法制计量是指由政府或授权机构根据法制、技术和行政的需要进行强制管理的一种社会公用事业。 6.根据其作用与地位,计量可分为三类,其中()代表计量的基础性这方面。A.科学计量 B.工程计量 C.法制计量 D.法律计量
解析:科学计量是指基础性、探索性、先行性的计量科学研究,它通常采用最新的科技成果来准确定义和实现计量单位,并为最新的科技发展提供可靠的测量基础。 7.计量是实现(),保障量值准确可靠的活动。 A.量值传递 B.测量统一 C.单位统一 D.定量确认 答案:C 解析:计量的定义:计量是实现单位统一,保障量值准确可靠的活动。 8.实现单位统一、保障量值准确可靠的活动,被称为()。 A.计量 B.测量 C.检定 D.校准 答案:A 9.企业中的实用计量是属于()。 A.科学计量 B.工程计量 C.法制计量 D.计量管理
1.1 半导体基础知识概念归纳 本征半导体定义:纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 电流形成过程:自由电子在外电场的作用下产生定向移动形成电流。 绝缘体原子结构:最外层电子受原子核束缚力很强,很难成为自由电子。 绝缘体导电性:极差。如惰性气体和橡胶。 半导体原子结构:半导体材料为四价元素,它们的最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚,也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧。 半导体导电性能:介于半导体与绝缘体之间。 半导体的特点: ★在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。 ★在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。 晶格:晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,称为晶格。 共价键结构:相邻的两个原子的一对最外层电子(即价电子)不但各自围绕自身所属的原子核运动,而且出现在相邻原子所属的轨道上,成为共用电子,构成共价键。 自由电子的形成:在常温下,少数的价电子由于热运动获得足够的能量,挣脱共价键的束缚变成为自由电子。 空穴:价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。 电子电流:在外加电场的作用下,自由电子产生定向移动,形成电子电流。 空穴电流:价电子按一定的方向依次填补空穴(即空穴也产生定向移动),形成空穴电流。 本征半导体的电流:电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同,它们运动方向相反。 载流子:运载电荷的粒子称为载流子。 导体电的特点:导体导电只有一种载流子,即自由电子导电。 本征半导体电的特点:本征半导体有两种载流子,即自由电子和空穴均参与导电。 本征激发:半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。 复合:自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴,
半导体基础知识(详细篇) 2.1.1概念 根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导体、绝缘体和半导体。 1. 导体:容易导电的物体。如:铁、铜等 2. 绝缘体:几乎不导电的物体。如:橡胶等 3. 半导体:半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物体。在一定条件下可 导电。 半导体的电阻率为10-3?109 cm 典型的半导体有硅 Si 和锗Ge 以 及砷化傢GaAs 等。 半导体特点: 1) 在外界能源的作用下,导电性能显著变化。光敏元件、热敏元件属于此 类。 2) 在纯净半导体内掺入杂质,导电性能显著增加。二极管、三极管属于此 类。 2.1.2本征半导体 1. 本征半导体一一化学成分纯净的半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度 要达到99.9999999%常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。电子 技术中用的最多的是硅和锗。 硅和锗都是4价元素,它们的外层电子都是4个。其简化原子结构模型如下 图: 外层电子受原子核的束缚力最 小, 成为价电子。物质的性质是由价 电子决 定的。 2. 本征半导体的共价键结构 本征晶体中各原子之间靠得很近, 相邻原子的吸引,分别与周围的四个原子 的价电子形成共价键。 外层电子受原子核的束缚力最小, 的。 使原分属于各原子的四个价电子同时受到 共价键中的价电
3.共价键 共价键上的两个电子是由相邻原子各用 一个电子组成的,这两个电子被成为束缚电子。 束缚电子同时受两个原子的约束,如果没有足 够的能量,不易脱离轨道。因此,在绝对温度 T=0° K (-273° C )时,由于共价键中的电子 被束缚着,本征半导体中没有自由电子,不导 电。只有在激发下,本征半导体才能导电 4. 电子与空穴 当导体处于热力学温度0°K 时,导体中没有自由电子。当温度升高或受到 光的照射时,价电子能量增高,有的价电子可以挣脱原子核的束缚,而参与导电, 成为自由电子。这一现象称为本征激发,也称热激发。 自由电子产生的同时,在其原来的共价键中就出现了一个空位, 原子的电中 性被破坏,呈现出正电性,其正电量与电子的负电量相等,人们常称呈现正电性 的这个空位为空穴。 电子与空穴的复合 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的, 称为电子空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去, 称为复合,如图所示。本征激发和复 合在一定温并为它们所束缚,在空间形成排列有序的晶体。如下图所 硅晶体的空间排列与共价键结构平面示意图 空A * 电 子为这些原子所共有,
《党政领导干部选拔任用工作条例》知识测试题(二) 姓名:单位: 职务:得分: 一、填空题(每题1分,共20分): 1、《党政领导干部选拔任用工作条例》于年月发布。 2、《党政领导干部选拔任用工作条例》是我们党规范选拔任用干部工作的一个重要法规,内容极为丰富,共有章条。 3、干部的四化是指革命化、知识化、年轻化、专业化。 4、,按照干部管理权限履行选拔任用党政领导干部的职责,负责《条例》的组织实施。 5、党政领导班子成员一般应当从后备干部中选拔。 6、民主推荐部门领导,本部门人数较少的,可以由全体人员参加。 7、党政机关部分专业性较强的领导职务实行聘任制△I称微分电阻 RBB---8、政协领导成员候选人的推荐和协商提名,按照RE---政协章程和有关规定办理。 Rs(rs----串联电阻 Rth----热阻 结到环境的热阻
动态电阻 本机关单位或本系统 r δ---衰减电阻 r(th--- Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 、对决定任用的干部,由党委(党组)指定专人同本人 tg---电路换向关断时间 12 Tj---和不同领导职务的职责要求,全面考察其德能勤绩廉toff---。 tr---上升时间13、民主推荐包括反向恢复时间 ts---存储时间和温度补偿二极管的贮成温度 p---发光峰值波长 △λ η---
15、考察中了解到的考察对象的表现情况,一般由考察组向VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降(正向峰值电压) 、正向压降(正向直流电压) △政府、断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---17、人民代表大会的临时党组织、人大常委会党组和人大常委会组成人员及人大代表中的党员,应当认真贯彻党委推荐意见 VGRM---门极反向峰值电压,带头(AV 履行职责交流输入电压 最大输出平均电压
初级质量专业相关知识真题2006年 一、单项选择题 每题的备选项中,只有1个最符合题意。 1. 以下关于质量的论述中,属于休哈特的理念的是。 A.产品质量不是检验出来的,而是生产出来的,质量控制的重点应放在制造阶段 B.质量不好主要是公司管理系统的问题而不是员工造成的 C.质量源于顾客的需求 D.质量不仅指产品质量,还指全公司的工作质量 答案:A [解答] 休哈特提出第一张控制图,即“休哈特”提出产品质量不是检验出来的,而是生产出来的,把质量管理从事后把关提升到了事前控制,被誉为“统计质量控制之父”。本教材介绍了四位著名质量专家,应对他们从不同角度总结的质量管理理念进行区分,这样能够迅速找到正确答案。BD关于质量的论述属于戴明的理念,C关于质量的论述属于朱兰的理念。 2. 以下关于产品的陈述,不正确的是。 A.产品是指“过程的结果” B.产品有四种通用的类别 C.产品类别的区分取决于其主导成分 D.每个产品只有一种具体的类别 答案:D [解答] 本题为反向答辩题,首先应辨清四大类别产品(硬件、软件、流程性材料和服务)的概念、特点及其特性,然后采取排除法找到符合题干的答案。 3. 顾客满意的程度是建立在其对产品和服务的体验上,这表明了顾客满意特性
A.层次性 B.相对性 C.阶段性 D.主观性 答案:D [解答] 顾客满意具有四大特性,即ABCD所表示的特性,每一特性与其相关含义紧密相连,顾客对产品和服务体验满意的程度一定是顾客亲身经历的主观体验,所以应选择D“主观性”为正确项。 4. 以下描述正确的是。 A.我国只有国家标准,分为强制性标准和推荐性标准 B.我国强制性国家标准的代号为“GB/T” C.强制性标准可分为全文强制和条文强制两种形式 D.地方标准不是强制性标准 答案:C [解答] 本题考查质量标准化的相关基础知识。如我国标准的分级、各级标准代号和我国标准的性质及分类形式,因此本题描述正确的是C“强制性标准可分为全文强制和条文强制两种形式”。而ABD为干扰项。 5. 《卓越绩效评价准则》国家标准的结构包括七大类目,以下不属于七大类目的是。 A.方针目标 B.顾客与市场 C.资源 D.经营结果
第一章半导体基础知识 〖本章主要内容〗 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义,工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管(BJT和FET)的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。〖本章学时分配〗 本章分为4讲,每讲2学时。 第一讲常用半导体器件 一、主要内容 1、半导体及其导电性能 根据物体的导电能力的不同,电工材料可分为三类:导体、半导体和绝缘体。半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料,半导体的电阻率为10-3~10-9 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别:当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化;往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时,会使它的导电能力具有可控性;这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。 2、本征半导体的结构及其导电性能 本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%,常称为“九个9”,它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。 3、半导体的本征激发与复合现象 当导体处于热力学温度0 K时,导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时,价电子能量增高,有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电,成为自由电子。这一现象称为本征激发(也称热激发)。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的,称为电子空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去,称为复合。 在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡,此时,载流子浓度一定,且自由电子数和空穴数相等。 4、半导体的导电机理 自由电子的定向运动形成了电子电流,空穴的定向运动也可形成空穴电流,因此,在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子(即载流子),这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子(共价键中的束缚电子)依次填补空穴而形成电流。由于电子带负电,而电子的运动与空穴的运动方向相反,因此认为空穴带正电。
质量专业综合知识(大纲) 第一章质量管理概论 第一节质量的基础知识 掌握质量的概念(含相关术语:组织、过程、产品、要求、顾客、体系、质量特性等) 熟悉质量特性的内涵 熟悉质量概念的发展 一、质量的概念 质量活动的产生:人类社会自从有了生产活动,特别是以交换为目的的商品生产活动,便产生了质量的活动。 质量管理活动:围绕着质量形成全过程的所有管理活动。 质量是构成社会财富的关键内容,是经济发展的战略问题。 质量的概念最初仅用于产品,以后逐渐扩展到服务、过程、体系和组织,以及以上几项的组合。 1、质量的概念 质量:一组固有特性满足要求的程度。 (1)“特性”:指“可区分的特征。可以有各种类的特性,如: 物的特性,如:机械性能; 感官的特性,如:气味、噪音、色彩等; 行为的特性,如:礼貌; 时间的特性,如:准时性、可靠性; 人体工效的特性:如生理的特性或有关人身安全的特性; 功能的特性:如飞机的最高速度。 A.特性可分为固有的和赋予的 固有特性就是指某事或某物中本来就有的,尤其是那种永久的特性,如:螺栓的直径、机器的生产率或接通电话的时间等技术特性。 赋予特性不是固有的,不是某事物本来就有的,而是完成产品后因不同的要求而对产品所增加的特性,如产品的价格、硬件产品的供货时间和运输要求(如:运输方式)、售后服务要求(如:保修时间)等特性。 固有与赋予特性的相对性:不同产品的固有特性和赋予特性不同,某种产品赋予特性可能是另一种产品的固有特性(转换)。 (2)关于“要求” 要求指“明示的、通常隐含的或必须履行的需求或期望”。 明示的:可以理解为规定的要求,如在文件中阐明的要求或顾客明确提出的要求。 通常隐含的是指组织、顾客和其它相关方的惯例或一般做法,所考虑的需求或期望是不言而喻的,如“化妆品对顾客皮肤的保护性等。一般情况下,顾客或相关方的文件,如标准中不会对这类要求给出明确有规定,组织应根据自身产品的用途和特性进行识别,并做出规定。 必须履行的是指法律法规要求的或有强制性标准要求的。组织在产品的实现过程中必须执行这类标准。 要求要以由不同的相关方提出,不同的相关方对同一产品的要求可能是不相同的。要求可以是多方面的,如需要指出,可以采用修饰词表示,如产品要求、质量管理要求、顾客要求等。 (3)质量具有经济性、广义性、时效性、相对性 质量的经济性:由于要求汇集了价值的表现,价廉物美实际上是反映人们的价值取向,物有所值,就是表明质量有经济性的表征。顾客对经济性的考虑是一样的。
半导体基础知识(详细篇) 概念 根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导体、绝缘体和半导体。 1. 导体:容易导电的物体。如:铁、铜等 2. 绝缘体:几乎不导电的物体。如:橡胶等 3. 半导体:半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物体。在一定条件下可导电。半导体的电阻率为10-3~109 Ω·cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 半导体特点: 1) 在外界能源的作用下,导电性能显著变化。光敏元件、热敏元件属于此类。 2) 在纯净半导体内掺入杂质,导电性能显著增加。二极管、三极管属于此类。 本征半导体 1.本征半导体——化学成分纯净的半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到%,常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。电子技术中用的最多的是硅和锗。 硅和锗都是4价元素,它们的外层电子都是4个。其简化原子结构模型如下图:
外层电子受原子核的束缚力最小,成为价电子。物质的性质是由价电子决定的。 外层电子受原子核的束缚力最 小,成为价电子。物质的性质是由价 电子决定的。 2.本征半导体的共价键结构 本征晶体中各原子之间靠得很近,使原分属于各原子的四个价电子同时受到相邻原子的吸引,分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有,并为它们所束缚,在空间形成排列有序的晶体。如下图所示: 硅晶体的空间排列与共价键结构平面示意图 3.共价键
共价键上的两个电子是由相邻原子各用 一个电子组成的,这两个电子被成为束缚电 子。束缚电子同时受两个原子的约束,如果没 有足够的能量,不易脱离轨道。因此,在绝对 温度T=0°K(-273°C)时,由于共价键中的 电子被束缚着,本征半导体中没有自由电子,不导电。只有在激发下,本征半导体才能导电 4.电子与空穴 当导体处于热力学温度0°K时,导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时,价电子能量增高,有的价电子可以挣脱原子核的束缚,而参与导电,成为自由电子。这一现象称为本征激发,也称热激发。 自由电子产生的同时,在其原来的共价键中就出现了一个空位,原子的电中性被破坏,呈现出正电性,其正电量与电子的负电量相等,人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。 电子与空穴的复合 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的,称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去,称为复合,如图所示。本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。 空穴的移动
质量工程师 (中级) 《质量专业综合知识》 目录
第一节质量的基本知识 一、质量的概念 二、质量概念的发展 第二节质量管理的基本知识 一、管理概述 二、质量管理 三、质量管理的发展 四、质量管理培训 五、质量信息管理 第三节方针目标管理 一、方针目标管理的基本知识 二、方针目标管理的实施 第四节质量经济性分析 一、质量的经济性 二、质量成本 三、质量成本构成 四、劣质成本 第五节质量与标准化 一、我国标准的体制 二、标准的制定 三、标准化的常用形式 四、企业标准化 五、采用国际标准和国外先进标准 六、世界贸易组织与贸易技术壁垒(WTO/TBT)协议 一、产品质量法 二、职业道德与专业能力要求 1 习题及答案 第一节供应商管理 一、供应链管理概述 二、供应商选择 三、供应商管理的契约要求 四、供应商的质量控制 五、供应商的业绩评定与动态管理第二节顾客满意 一、顾客与顾客要求 二、顾客满意 三、顾客要求的确认 四、顾客满意度测量 第三节顾客关系管理 一、顾客关系管理的含义 二、顾客关系管理技术 2 习题及答案 第一节质量管理体系的基本知识 一、概述 二、质量管理八项原则 三、 ISO 9000族质量管理体系标准第二节质量管理体系的基本要求 一、范围 二、质量管理体系总要求和文件要求 三、管理职责 四、资源管理 五、产品实现 六、测量、分析和改进 第三节质量管理体系的建立与实施 一、基本原则 二、主要活动 三、质量管理体系方法 第四节质量管理体系审核 一、质量管理体系审核的基本概念 一、质量管理体系审核的基本概念 二、质量管理体系审核的实施 3习题及答案 第一节质量检验概述 一、质量检验的基本知识 二、不同类别的产品质量检验 第二节质量检验机构
半导体 现在市场上的半导体大多是硅元素.但是半导体大多数都在过度元素部分找,详情见元素周期表。 不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。 本征半导体的导电能力很弱,热稳定性也很差,因此,不宜直接用它制造半导体器件。半导体器件多数是用含有一定数量的某种杂质的半导体制成。根据掺入杂质性质的不同,杂质半导体分为N型半导体和P型半导体两种。 什么是N型半导体?P型半导体? 在纯净的硅晶体(本征半导体)中掺入五价元素(如磷,锑,砷等),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。 在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼、铟等。),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。 主要的掺杂方法有离子注入和热扩散 原理 N型半导体 在本征半导体硅(或锗)中掺入微量的5价元素,例如磷,则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子,占据晶格上的某些位置。如图Z0103所示。 由图可见,磷原子最外层有5个价电子,其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构,多余的1个价电子在共价键之外,只受到磷原子对它微弱的束缚,因此在室温下,即可获得挣脱束缚所需要的能量而成为自由电子,游离于晶格之间。失去电子的磷原子则成为不能移动的正离子。磷原子由于可以释放1个电子而被称为施主原子,又称施主杂质。 在本征半导体中每掺入1个磷原子就可产生1个自由电子,而本征激发产生的空穴的数目不变。这样,在掺入磷的半导体中,自由电子的数目就远远超过了空穴数目,成为多数载流子(简称多子),空穴则为少数载流子(简称少子)。显然,参与导电的主要是电子,故这种半导体称为电子型半导体,简称N型半导体。 P型半导体
硼元素最外层只有三个电子,而硅最外层有四个电子,硼掺进去后,与硅就不能形成稳定的8个电子的结构,形成一个空穴。这个空穴相当于一个正电子。可在导体中运动。 在本征半导体硅(或锗)中,若掺入微量的3价元素,如硼,这时硼原子就取代了晶体中的少量硅原子,占据晶格上的某些位置,如图Z0104所示。由图可知,硼原子的3个价电子分别与其邻近的3个硅原子中的3个价电子组成完整的共价键,而与其相邻的另1个硅原子的共价键中则缺少1个电子,出现了1个空穴。这个空穴被附近硅原子中的价电子来填充后,使3价的硼原子获得了1个电子而变成负离子。同时,邻近共价键上出现1个空穴。由于硼原子起着接受电子的作用,故称为受主原子,又称受主杂质。 在本征半导体中每掺入1个硼原子就可以提供1个空穴,当掺入一定数量的硼原子时,就可以使半导体中空穴的数目远大于本征激发电子的数目,成为多数载流子(多子),而电子则成为少数载流子(少子)。显然,参与导电的主要是空穴,故这种半导体称为空穴型半导体,简称P型半导体。 P型半导体中,空穴浓度远大于自由电子浓度。空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。 为什么N型半导体一定要用5价元素?P型要用3价? 五价元素可提供一个自由电子,但如果用六价的就能提供两个,不是更好吗?六价的它容易与四价的半导体材料形成稳定的化合键如,SIO2。 那用七价的呢? 一些材料与七价元素形成的化合物不是固体。如SICL4是液体。 如果我们用一价元素代替三价元素制造P型半导体可行吗? 一价元素基本上都是金属,都不能与四价元素反应形成化合物。 什么是P-N结? 在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。两种半导体接触在一起的点或面构成P-N结。P-N结有单向导电的特性,即:正向导通,反向截止。 单向导电原理 ●在P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的 作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的。 ●N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。 ●当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩
一、半导体物理知识大纲 核心知识单元A:半导体电子状态与能级(课程基础 -------- 掌 握物理概念与物理过程、是后面知识的基础)半导体中的电子状态(第 1 章)半导体中的杂质和缺陷能级(第 2 章) 核心知识单元B:半导体载流子统计分布与输运(课程重点 ——掌握物理概念、掌握物理过程的分析方法、相关参数的计算方法) 半导体中载流子的统计分布(第 3 章)半导体的导电性 (第 4 章)非平衡载流子(第 5 章) 核心知识单元C:半导体的基本效应(物理效应与应用——掌握各种半导体物理效应、分析其产生的物理机理、掌握具体的应用)半导体光学性质(第10 章) 半导体热电性质(第11 章)半导体磁和压阻效应(第12 章)
二、半导体物理知识点和考点总结 第一章半导体中的电子状态 本章各节内容提要: 本章主要讨论半导体中电子的运动状态。主要介绍了半导体的几种常见晶体结构,半导体中能带的形成,半导体中电子的状态和能带特点,在讲解半导体中电子的运动时,引入了有效质量的概念。阐述本征半导体的导电机构,引入了空穴散射的概念。最后,介绍了Si、Ge和GaAs的能带结构。 在 1.1 节,半导体的几种常见晶体结构及结合性质。(重点掌握)在 1.2 节,为了深入理解能带的形成,介绍了电子的共有化运动。介绍半导体中电子的状态和能带特点,并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较,在此基础上引入本征激发的概念。(重点掌握)在 1.3 节,引入有效质量的概念。讨论半导体中电子的平均速度和加速度。(重点掌握) 在 1.4 节,阐述本征半导体的导电机构,由此引入了空穴散射的概念,得到空穴的特点。(重点掌握) 在 1.5 节,介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。(理解即可) 在1.6节,介绍Si、Ge的能带结构。(掌握能带结构特征)在1.7节,介绍山-V族化合物的能带结构,主要了解GaAs 的能带结构。(掌握能带结构特征) 本章重难点: 重点: 1、半导体硅、锗的晶体结构(金刚石型结构)及其特点;三五 族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。 2、熟悉晶体中电子、孤立原子的电子、自由电子的运动有何不 同:孤立原子中的电子是在该原子的核和其它电子的势场中 运动,自由电子是在恒定为零的势场中运动,而晶体中的电 子是在严格周期性重复排列的原子间运动(共有化运动) ,单 电子近似认为,晶体中的某一个电子是在周期性排列且固定不动的原
质量专业相关知识(初级)模拟试卷 姓名:得分: 一、单项选择题(共50题,每题1分。每题的备选项中,只有1个最符合题意) 1.我国标准分为()四级。 A.国际标准、国家标准、地方标准、企业标准 B.国家标准、行业标准、部颁标准、地方标准 C.国家标准、行业标准、地方标准、企业标准 D.国际标准、国家标准、行业标准、地方标准 2.《中华人民共和国产品质量法》是调整产品的生产者、销售者和消费者以及()之间,关于产品质量的权利、义务和责任关系的法律。 A.中国公民B. 政府有关部门 C.中外合资企业D. 企业与企业 3.下列论述中错误的是()。 A.特性可以是固有的或赋予的。 B.完成产品后因不同要求而对产品所增加的特性是固有特性 C.产品可能具有一类或多类别的固有特性 D.某些产品的赋予特性可能是另一些产品的固有特性 4.致力于制定质量目标,并规定必要的运行过程和相关资源以实现质量目标的活动,称之为()。 A.质量管理B. 质量策划 C.质量保证D. 质量控制 5.顾客对不熟悉的产品习惯于把它和同类产品相比较,这反映了顾客满意的()。A.广义性B. 层次性 C.相对性D. 主观性 6.某企业在其产品的包装上注明所采用的推荐性产品标准,但用户在使用中发现该产品的某项质量特性不符合该推荐性产品标准的要求,则该企业应()。 A.承担全部产品质量责任B. 不承担全部产品质量责任 C.承担部分产品质量责任D. 承担行政责任 7.国家实行产品质量监督检查制度,这属于一种()。 A.引导措施B. 许可制度 C.行政措施D. 法定要求 8.在过去一个世纪中,质量管理的发展大致经历了质量检验阶段、()、全面质量管理阶段三个阶段。 A.质量保证阶段B. 统计质量控制阶段 C.符合性质量阶段D. 标准化质量管理阶段 9.以现行产品标准作为判别质量合格的依据,这种质量的概念称为()。 A.符合性质量概念B. 适用性质量概念 C.广义质量概念D. 全面质量概念 10.企业的产品标准应在发布后()办理备案手续。 A.半年内B. 30日内 C.10日内D. 立即
GAS 系 统 基 础 知 识
概述 HOOK-UP专业认知 一、厂务系统HOOK UP定义 HOOK UP 乃是藉由连接以传输UTILITIES使机台达到预期的功能。HOOK UP是将厂务提供的UTILITIES ( 如水,电,气,化学品等),经由预留之UTILITIES连接点( PORT OR STICK),藉由管路及电缆线连接至机台及其附属设备( SUBUNITS)。 机台使用这些UTILITIES,达成其所被付予的制程需求并将机台使用后,所产生之可回收水或废弃物( 如废水,废气等),经由管路连接至系统预留接点,再传送到厂务回收系统或废水废气处理系统。HOOK UP 项目主要包括∶CAD,MOVE IN ,CORE DRILL,SEISMIC ,VACUU,GAS,CHEMICAL, D.I ,PCW,CW,EXHAUST,ELECTRIC, DRAIN. 二、GAS HOOK-UP专业知识的基本认识 在半导体厂,所谓气体管路的Hook-up(配管衔接)以Buck Gas (一般性气体如CDA、GN2、PN2、PO2、PHE、PAR、H2等)而言,自供气源之气体存贮槽出口点经主管线(Main Piping)至次主管线(Sub-Main Piping)之Take Off点称为一次配(SP1
Hook-up),自Take Off出口点至机台(Tool)或设备(Equipment)的入口点,谓之二次配(SP2 Hook-up)。以Specialty Gas(特殊性气体如:腐蚀性、毒性、易燃性、加热气体等之气体)而言其供气源为气柜(Gas Cabinet)。自G/C出口点至VMB(Valve Mainfold Box.多功能阀箱)或VMP(Valve Mainfold Panel多功能阀盘)之一次测(Primary)入口点,称为一次配(SP1 Hook-up),由VMB或VMP Stick之二次侧(Secondary)出口点至机台入口点谓之二次配(SP2 Hook-up)。
9金属半导体与半导体异质结 一、肖特基势垒二极管 欧姆接触:通过金属-半导体的接触实现的连接。接触电阻很低。 金属与半导体接触时,在未接触时,半导体的费米能级高于金属的费米能级,接触后,半导体的电子流向金属,使得金属的费米能级上升。之间形成势垒为肖特基势垒。 在金属与半导体接触处,场强达到最大值,由于金属中场强为零,所以在金属——半导体结的金属区中存在表面负电荷。 影响肖特基势垒高度的非理想因素:肖特基效应的影响,即势垒的镜像力降低效应。金属中的电子镜像到半导体中的空穴使得半导体的费米能级程下降曲线。附图: 电流——电压关系:金属半导体结中的电流运输机制不同于pn结的少数载流子的扩散运动决定电流,而是取决于多数载流子通过热电子发射跃迁过内建电势差形成。附肖特基势垒二极管加反偏电压时的I-V曲线:反向电流随反偏电压增大而增大是由于势垒降低的影响。 肖特基势垒二极管与Pn结二极管的比较:1.反向饱和电流密度(同上),有效开启电压低于Pn结二极管的有效开启电压。2.开关特性肖特基二极管更好。应为肖特基二极管是一个多子导电器件,加正向偏压时不会产生扩散电容。从正偏到反偏时也不存在像Pn结器件的少数载流子存储效应。 二、金属-半导体的欧姆接触 附金属分别与N型p型半导体接触的能带示意图 三、异质结:两种不同的半导体形成一个结 小结:1.当在金属与半导体之间加一个正向电压时,半导体与金属之间的势垒高度降低,电子很容易从半导体流向金属,称为热电子发射。 2.肖特基二极管的反向饱和电流比pn结的大,因此达到相同电流时,肖特基二极管所需的反偏电压要低。 10双极型晶体管 双极型晶体管有三个掺杂不同的扩散区和两个Pn结,两个结很近所以之间可以互相作用。之所以成为双极型晶体管,是应为这种器件中包含电子和空穴两种极性不同的载流子运动。 一、工作原理 附npn型和pnp型的结构图 发射区掺杂浓度最高,集电区掺杂浓度最低 附常规npn截面图 造成实际结构复杂的原因是:1.各端点引线要做在表面上,为了降低半导体的电阻,必须要有重掺杂的N+型掩埋层。2.一片半导体材料上要做很多的双极型晶体管,各自必须隔离,应为不是所有的集电极都是同一个电位。 通常情况下,BE结是正偏的,BC结是反偏的。称为正向有源。附图: 由于发射结正偏,电子就从发射区越过发射结注入到基区。BC结反偏,所以在BC结边界,理想情况下少子电子浓度为零。 附基区中电子浓度示意图: 电子浓度梯度表明,从发射区注入的电子会越过基区扩散到BC结的空间电荷区,
一、半导体器件基本方程 1、半导体器件基本方程 泊松方程、电流密度方程、电子和空穴连续性方程的一维微分形式及其物理意义 2、基本方程的主要简化形式 泊松方程分别在N耗尽区和P耗尽区的简化形式 电流密度方程分别在忽略扩散电流和漂移电流时的简化形式 P型中性区电子净复合率、N型中性区空穴净复合率 P区电子和N区空穴的扩散方程及其定态形式 电子电流和空穴电流的电荷控制方程及其定态形式 注:第一章是整个课程的基础,直接考察的概率很小,一般都结合后面章节进行填空或者计算的考察,理解的基础上牢记各公式形式及其物理意义。 二、PN结 1、突变结与缓变结 理想突变结、理想线性缓变结、单边突变结的定义 2、PN结空间电荷区 理解空间电荷区的形成过程 注:自己用概括性的语句总结出来,可能考简述题。 3、耗尽近似与中性近似 耗尽近似、耗尽区、中性近似、中性区的概念 4、内建电场、耗尽区宽度、内建电势 内建电场、内建电势、约化浓度的概念 内建电场、耗尽区宽度、内建电势的推导 电场分布图的画法 内建电势的影响因素 Si和Ge内建电势的典型值 注:填空题可能考察一些物理概念的典型值,这部分内容主要掌握突变结的,可能考计算题,不会完全跟书上一样,会有变形,比如考察PIN结的相关计算;对于线性缓变结,只需记住结论公式即可。 5、外加电压下PN结中的载流子运动 正向电压下空穴扩散电流、电子扩散电流、势垒区复合电流的形成过程 反向电压下空穴扩散电流、电子扩散电流、势垒区产生电流的形成过程 正向电流很大反向电流很小的原因 6、PN结能带图 PN结分别在正向电压和反向电压下的能带图 注:所有作图题应力求完整,注意细节,标出所有图示需要的标识 7、PN结的少子分布 结定律:小注入下势垒区边界上的少子浓度表达式 少子浓度的边界条件 中性区内非平衡少子浓度分布公式 外加正反向电压时中性区中少子浓度分布图 注:书上给出了N区的推导,尽量自己推导一下P区的情况,加深理解 8、PN结的直流伏安特性
半导体基础知识和半导 体器件工艺 Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#
半导体基础知识和半导体器件工艺 第一章半导体基础知识 通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类爲导体,它可以很好的传导电流,如:金属类,铜、银、铝、金等;电解液类:NaCl水溶液,血液,普通水等以及其他一些物体。第二类爲绝缘体,电流不能通过,如橡胶、玻璃、陶瓷、木板等。第三类爲半导体,其导电能力介於导体和绝缘体之间,如四族元素Ge锗、Si矽等,三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等,二、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。 物体的导电能力可以用电阻率来表示。电阻率定义爲长1厘米、截面积爲1平方厘米的物质的电阻值,单位爲欧姆*厘米。电阻率越小说明该物质的导电性能越好。通常导体的电阻率在10-4欧姆*厘米以下,绝缘体的电阻率在109欧姆*厘米以上。 半导体的性质既不象一般的导体,也不同于普通的绝缘体,同时也不仅仅由於它的导电能力介於导体和绝缘体之间,而是由於半导体具有以下的特殊性质: (1) 温度的变化能显着的改变半导体的导电能力。当温度升高时,电阻率会降低。比如Si在200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的这个特性制成自动控制用的热敏元件(如热敏电阻等),但是由於半导体的这一特性,容易引起热不稳定性,在制作半导体器件时需要考虑器件自身産生的
热量,需要考虑器件使用环境的温度等,考虑如何散热,否则将导致器件失效、报废。 (2) 半导体在受到外界光照的作用是导电能力大大提高。如硫化镉受到光照後导电能力可提高几十到几百倍,利用这一特点,可制成光敏三极管、光敏电阻等。 (3) 在纯净的半导体中加入微量(千万分之一)的其他元素(这个过程我们称爲掺杂),可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特徵。例如在原子密度爲5*1022/cm3的矽中掺进大约5X1015/cm3磷原子,比例爲10-7(即千万分之一),矽的导电能力提高了几十万倍。 物质是由原子构成的,而原子是由原子核和围绕它运动的电子组成的。电子很轻、很小,带负电,在一定的轨道上运转;原子核带正电,电荷量与电子的总电荷量相同,两者相互吸引。当原子的外层电子缺少後,整个原子呈现正电,缺少电子的地方産生一个空位,带正电,成爲电洞。物体导电通常是由电子和电洞导电。 前面提到掺杂其他元素能改变半导体的导电能力,而参与导电的又分爲电子和电洞,这样掺杂的元素(即杂质)可分爲两种:施主杂质与受主杂质。 将施主杂质加到矽半导体中後,他与邻近的4个矽原子作用,産生许多自由电子参与导电,而杂质本身失去电子形成正离子,但不是电洞,不能接受电子。这时的半导体叫N型半导体。施主杂质主要爲五族元素:锑、磷、砷等。 将施主杂质加到半导体中後,他与邻近的4个矽原子作用,産生许多电洞参与导电,这时的半导体叫p型半导体。受主杂质主要爲三族元素:铝、镓、铟、硼等。
1-1半导体的基本知识 课 题:半导体基本知识 教学目的、要求:1、了解半导体的导电特性; 2、掌握PN 结及其单向导电性。 教学重点、难点:1、PN 结形成的过程;(难点) 2、PN 结的单向导电性。(重点) 授 课 方 法:多媒体课件讲授,提纲及重点板书。 授 课 提 纲: 教 学 内 容: 组织教学 准备教学材料,清点学生人数。(课前2分钟) 引入新课 半导体器件是用半导体材料制成的电子器件。常用的半导体器件有二极管、三极管、场效应晶体管等。半导体器件是构成各种电子电路最基本的元件。 从本节课开始,我们先从半导体的基本知识开始,介绍常用的半导体器件。要求大家本征半导体的特点,掌握PN 结的形成及单向导电性。(2分钟) 进入新课 第一章 常用半导体器件 §1-1 半导体的基本知识【板书】 一、什么是半导体【板书】 1、物质按导电能力的分类【标题板书+内容多媒体】(8分钟) 自然界中的物质按其导电能力可以分为三大类:导体、绝缘体和半导体。物质的导电特性取决于原子结构。 ⑴导体:一般为低价元素,如铜、铁、铝等金属,其最外层电子受原子核的束缚力很小,因而极易挣脱原子核的束缚成为自由电子。因此在外电场作用下,这些电子产生定向移动形成电流,呈现出较好的导电特性。 ⑵绝缘体:高价元素(如惰性气体)和高分子物质(如橡胶,塑料)最外层电子受原子核的束缚力很强,极不易摆脱原子核的束缚成为自由电子,所以其导电性极差 , 可作为绝缘材料。 ⑶半导体:半导体材料最外层电子既不像导体那样极易摆脱原子核的束缚,成为自由电子,也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧,因此,半导体的导电特性介于二者之间。
我们知道,电子电路是由晶体管组成,而晶体管是由半导体制成的。所以我们在学习电子电路之前, 一定要了解半导体的一些基本知识。 这一章我们主要学习二极管和三极管的一些基本知识,它是本课程的基础,我们要掌握好在学习时我们把它的内容分为三节,它们分别是: 1、1 半导体的基础知识 1、2 PN结 1、3 半导体三极管 1、1 半导体的基础知识 我们这一章要了解的概念有:本征半导体、P型半导体、N型半导体及它们各自的特征。 一:本征半导体 纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。常用的半导体材料有:硅和锗。它们都是四价元素,原子结构的最外层轨道上有四个价电子,当把硅或锗制成晶体时,它们是靠共价键的作用而紧密联系在一起。 共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量,从而摆脱共价键的约束成为自由电子,同时在共价键上留下空位,我们称这些空位为空穴,它带正电。我们用晶体结构示意图来描述一下;如图(1)所示:图中的虚线代表共价键。 在外电场作用下,自由电子产生定向移动,形成电子电流; 同时价电子也按一定的方向一次填补空穴,从而使空穴产生定向移动,形成空穴电流。 因此,在晶体中存在两种载流子,即带负电自由电子和带正电空穴,它们是成对出现的。二:杂质半导体 在本征半导体中两种载流子的浓度很低,因此导电性很差。我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性,这种半导体被称为杂质半导体。 1.N型半导体 在本征半导体中,掺入5价元素,使晶体中某些原子被杂质原子所代替,因为杂质原子最外层有5各价电子,它与周围原子形成共价键后,还多余一个自由电子,因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度。但是,电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数,与掺杂无关。 在N型半导体中自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。 2.P型半导体 在本征半导体中,掺入3价元素,晶体中的某些原子被杂质原子代替,但是杂质原子的最外层只有3个价电子,它与周围的原子形成共价键后,还多余一个空穴,因此使其中的空穴浓度远大于自由电子的浓度。在P型半导体中,自由电子是少数载流子,空穴使多数载流子。 1、2 P—N结