当前主流内存型号及价格
型号总容参考报价金士顿DDR 266 128M 价格面议金士顿DDR2 800 1G 100
金士顿DDR2 800 2G 190
金士顿DDR2 800（HyperX）1G 190
金士顿DDR2 800（HyperX）2G 335
金士顿DDR2 800（笔记本）1G 110
金士顿DDR2 800（笔记本）2G 190
金士顿DDR2 800（窄板）2G 150
金士顿DDR2 800（KAC-MEMG/笔记本）2G 170
金士顿DDR2 800（窄板）1G 105
金士顿DDR2 800（单条）4G 320
金士顿DDR3 1066（笔记本）1G 185
金士顿DDR3 1066 2G 109
金士顿DDR3 1066（笔记本）2G 129
金士顿DDR2 1066（HPX8500D2/自动超频双通道套装HyperX/）2G 365
金士顿DDR3 1333 1G 85
金士顿DDR3 1333 2G 75
金士顿DDR3 1333 4G 136
金士顿DDR3 1333环保条2G 价格面议金士顿DDR3 1333（笔记本）1G 85
金士顿DDR3 1333（笔记本）2G 77
金士顿DDR3 1333（笔记本）4G 143
金士顿DDR3 1333（宽版、尔必达颗粒）4G 153
金士顿DDR3 1333（骇客神条套装）4G 215
金士顿DDR3 1333（KVR1333D3N9/8G）8G 即将上市金士顿DDR3 1333（宽版单面）2G 价格面议金士顿Alpha系列DDR3 1333（笔记本）2G 150
金士顿HyperX PnP DDR3 1600（KHX1600C9D3P1K2）8G 330
金士顿HyperX DDR3 1600（KHX1600C9D3X2K2）4G 175
金士顿DDR3 1600（LoVo HyperX系列/KHX1600C9D3LK2/4GX）4G 389
金士顿DDR3 1600（KHX12800D3/2G双通道套装HyperX）2G 130
金士顿DDR3 1600（阿凡达单通道骇客神条HyperX）2G 390
金士顿DDR3 2000骇客神条（KHX2000C9D3T1K3）6G 1899
金士顿骇客神条HyperX DDR3 1600（Kingston KHX1600C9AD3）2G 价格面议金士顿系统指定内存DDR2 667（联想笔记本专用）2G 299
金士顿系统指定内存DDR3 1333（联想笔记本专用）2G 119
金士顿系统指定内存DDR3 1066（联想笔记本专用）4G 219
金士顿系统指定内存DDR3 1066（联想笔记本专用）2G 109
金士顿系统指定内存DDR3 1333（联想台式机专用）2G 129
金士顿系统指定内存DDR3 1333（惠普笔记本专用）4G 199
金士顿系统指定内存DDR2 800（苹果笔记本专用）1G 169
金士顿系统指定内存DDR2 800（苹果笔记本专用）2G 289
金士顿系统指定内存DDR3 1333 （苹果笔记本专用）4G 219
金士顿系统指定内存DDR3 1066（宏碁笔记本专用）4G 199
金士顿系统指定内存DDR2 800（宏碁笔记本专用）2G 270
金士顿系统指定内存DDR3 1333（宏碁台式机专用）2G 129
金士顿系统指定内存DDR3 1333（戴尔笔记本专用）2G 119
金士顿系统指定内存DDR3 1333（戴尔笔记本专用）4G 199
金泰克DDR2 800（速虎-游戏版）2G 170
金泰克DDR2 800（战虎网吧）2G 246
金泰克DDR2 1066（速虎-游戏版）2G 195
金泰克DDR3 1066（磐虎/笔记本）4G 218
金泰克DDR3 1333（磐虎）1G 61
金泰克DDR2 1333（战虎网吧）2G 120
金泰克DDR3 1333（磐虎-笔记本）4G 157
金泰克DDR3 1333（速虎-游戏版）4G 165
金泰克DDR3 1333（磐虎）4G 106
金泰克DDR3 1600（磐虎）4G 205
金泰克DDR3 1600（速虎-游戏版）4G 247
金泰克DDR2 800（磐虎系列）2G 即将上市金泰克DDR2 1600（磐虎系列）2G 即将上市
威刚DDR 333(笔记本) 512M 113
威刚DDR 333(笔记本) 1G 238
威刚DDR 400（万紫千红）1G 230
威刚DDR2 800（万紫千红）1G 95
威刚DDR2 800（笔记本）1G 110
威刚DDR2 800（万紫千红）2G 190
威刚DDR2 800（笔记本）2G 165
威刚DDR2 800+ (极速飞龙) 2G 328
威刚DDR3 1066（笔记本）1G 118
威刚DDR2 1066G（游戏威龙）2G 261
威刚DDR3 1066（笔记本）2G 200
威刚DDR3 1333（万紫千红）1G 53
威刚DDR3 1333（笔记本）1G 75
威刚DDR3 1333（万紫千红）2G 73
威刚DDR3 1333（万紫千红）4G 135
威刚DDR3 1333（笔记本）4G 137
威刚DDR3 1333（万紫千红）8G 780
威刚DDR3 1333（单条-笔记本）8G 800
威刚DDR3 1333G（游戏威龙）2G 125
威刚DDR3 1333+ (极速飞龙) 1G 154
威刚DDR3 1333+ (极速飞龙) 2G 230
威刚DDR3 1600G（游戏威龙双通道）4G 190
威刚DDR3 1600+（极速飞龙）1G 166
威刚DDR3 1600G（游戏威龙）1G 154
三星DDR2 800（笔记本）2G 200
三星DDR2 800 2G 180
三星DDR3 1066（M471B5273CH0-CF8）笔记本4G 139
三星DDR3 1333（窄版）2G 88
三星DDR3 1333（笔记本-酷黑版）2G 90
三星DDR3 1333（笔记本）4G 165
三星DDR3 1333（窄版）4G 160
三星DDR3 1600（MV-3T2G3/CN）笔记本2G 103
三星DDR3 1600（MV-3V4G3/CN）4G 165
三星DDR3 1600（MV-3T4G3/CN）（笔记本）4G 165
三星DDR3 1600（MV-3V2G3/CN）2G 90
三星DDR3 1600（笔记本）2G 180
三星DDR3 1600（笔记本）1G 即将上市三星DDR3 1600 1G 即将上市
宇瞻DDR 400（笔记本）1G 280
宇瞻DDR 400（经典系列）1G 240
宇瞻DDR2 800（经典系列）1G 85
宇瞻DDR2 800（经典系列）2G 190
宇瞻DDR2 800（黑豹金品）1G 139
宇瞻DDR2 800（黑豹金品）2G 289
宇瞻DDR2 800（单条）4G 1140
宇瞻DDR2 800（笔记本）1G 110
宇瞻DDR2 800（笔记本）2G 190
宇瞻DDR2 800 黑豹系列（笔记本）2G 225
宇瞻DDR2 800 单条（笔记本）4G 950
宇瞻DDR3 1066（黑豹金品）1G 169
宇瞻DDR2 1066（笔记本）2G 400
宇瞻DDR3 1066 经典系列（笔记本）1G 109
宇瞻DDR3 1066 经典系列（笔记本）2G 179
宇瞻DDR3 1066 黑豹系列（笔记本）2G 255
宇瞻DDR3 1333（笔记本）1G 120
宇瞻DDR3 1333（经典系列）2G 73
宇瞻DDR3 1333 经典系列（笔记本）2G 75
宇瞻DDR3 1333（笔记本）4G 137
宇瞻DDR3 1333（经典系列）4G 133
宇瞻DDR3 1333（猎豹二代/PC3-10600）2G 269
宇瞻DDR3 1333（黑豹金品）1G 210
宇瞻DDR3 1333（黑豹金品）2G 125
宇瞻DDR3 1333 单条（黑豹金品）4G 200
宇瞻DDR3 1600（黑豹金品）2G 105
宇瞻DDR3 1600（黑豹玩家）4G 189
宇瞻DDR3 2133（雪豹单条）4G 价格面议宇瞻AP256HP415A 256M 价格面议宇瞻AP256HP423A 256M 价格面议宇瞻AP256HP719A 256M 价格面议宇瞻AP512HP632A 512M 价格面议宇瞻AP512HPCE467A 512M 价格面议宇瞻AP512HP483A 512M 价格面议宇瞻AP512HP7720A 512M 价格面议
金邦DDR2 800（千禧条）1G 95
金邦DDR2 800（千禧条）2G 190
金邦DDR2 800（白金条）2G 210
金邦DDR2 800（黑龙条）2G 270
金邦DDR2 800（白金条/笔记本）2G 305
金邦DDR2 800（蓝色PCB千禧条/笔记本）2G 350
金邦DDR2 1066（白金条）1G 110
金邦DDR2 1066（白金条）2G 300
金邦DDR2 1066（千禧条）2G 355
金邦DDR3 1066（千禧条/笔记本）2G 215
金邦DDR3 1333（千禧条）1G 135
金邦DDR3 1333（千禧条）2G 72
金邦DDR3 1333（黑龙条）2G 105
金邦DDR3 1333（白金条）2G 210
金邦DDR3 1333（黑龙条/笔记本）2G 115
金邦DDR3 1333（白金条/笔记本）2G 290
金邦DDR3 1333（千禧条）4G 135
金邦DDR3 1333（黑龙条）4G 180
金邦DDR3 1333（白金条）4G 195
金邦DDR3 1600（白金条）2G 105
金邦DDR3 1600（黑龙条）2G 180
金邦DDR3 1600（千禧条）2G 245
金邦DDR3 1600（黑龙EVO ONE系列）2G 135
金邦DDR3 1600（黑龙EVO ONE系列）4G 220
金邦竞赛Enhance CORSA 4GB DDR3 1600 4G 380
金邦极速ValuePlus 2GB DDR3 1600 2G 285
金邦极速ValuePlus 4GB DDR3 1600 4G 585
南亚易胜DDR 400 1G 198
南亚易胜DDR2 800 1G 113
南亚易胜DDR2 800（笔记本）1G 120
南亚易胜DDR2 800 2G 180
南亚易胜DDR2 800(笔记本) 2G 190
南亚易胜DDR3 1066 1G 165
南亚易胜DDR3 1066（笔记本）1G 125
南亚易胜DDR2 1066 2G 300
南亚易胜DDR3 1066（笔记本）2G 265
南亚易胜DDR3 1333 1G 87
南亚易胜DDR3 1333（笔记本）1G 90
南亚易胜DDR3 1333（笔记本）2G 78
南亚易胜DDR3 1333 4G 130
南亚易胜DDR3 1333（笔记本）4G 130
南亚易胜游戏版DDR3 1333 2G 279
南亚易胜DDR3 1600 1G 188
芝奇DDR2 800（笔记本F2-6400CL5S-2GBSK）2G 399
芝奇DDR2 800（F2-6400CL5S-2GBPQ）2G 299
芝奇DDR3 1333（F3-10600CL9S-2GBNT）2G 99
芝奇DDR3 1333（F3-10666CL9S-4GBRL）4G 169
芝奇DDR3 1600（F3-12800CL9S-4GBRL）4G 800
芝奇DDR3 1600（F3-12800CL9S-4GBXL）4G 935
Anucell DDR3 1333（亚洲龙）2G 64 Anucell DDR3 1333（亚洲龙）4G 117
海盗船DDR3 1333（VS2GB1333D3）2G 132
海盗船DDR3 1333（CMXG2GX3M1A1333C9）2G 184
海盗船DDR3 1333（CM3X2G1333C9NX）2G 199
海盗船DDR3 1600（CM3X2G1600C9NX）2G 79
海盗船DDR3 1600（CM3X2G1600C9B6）2G 99
海盗船DDR3 1600（CMX4GX3M1A1600C9）4G 189
海盗船DDR3 1600（CMZ4GX3M1A1600C9）4G 299
海盗船DDR3 1600（CMZ8GX3M1A1600C10）8G 699
海盗船DDR3 2000 2G 即将上市
现代DDR 400 1G 195
现代DDR3 1066（笔记本）1G 120
现代DDR3 1066（笔记本）2G 265
现代DDR4 2400 2G 即将上市
AMD DDR3 1333（AE32G1339U1）2G 即将上市AMD DDR3 1333（AE34G1339U2）4G 即将上市AMD DDR3 1600（AE32G1609U1）2G 即将上市AMD DDR3 1600（AE34G1609U）4G 即将上市
瑞势DDR 400 512M 114
瑞势DDR 400（笔记本）512M 120
瑞势DDR2 800 1G 110
瑞势DDR2 800（笔记本）1G 120
瑞势DDR2 800 2G 195
瑞势DDR2 800（笔记本）2G 205
瑞势DDR3 1066 1G 即将上市瑞势DDR3 1066（笔记本）1G 90
瑞势DDR3 1333 4G 142
瑞势DDR3 1333 2G 81
瑞势DDR3 1333（笔记本）2G 85
瑞势DDR3 1600 4G 即将上市瑞势DDR3 1600（笔记本）4G 295
记忆数码DDR2 800（笔记本/小白龙系列）1G 122
记忆数码DDR2 800（小白龙系列）2G 183
记忆数码DDR2 800（笔记本/小白龙系列）2G 192
记忆数码DDR2 800（紫金诚系列）2G 310
记忆数码DDR3 1333（紫金诚系列）2G 75
记忆数码DDR3 1333（小白龙系列）1G 93
记忆数码DDR3 1333（笔记本/小白龙系列）1G 104
记忆数码DDR3 1333（小白龙系列）2G 95
记忆数码DDR3 1333（笔记本/小白龙系列）2G 95
记忆数码DDR3 1333 4G 105
记忆数码DDR3 1333 DT（小白龙系列）4G 199
记忆数码DDR3 1333（笔记本）4G 165
记忆数码DDR3 1600 2G 699
黑金刚DDR3 1333 4G 146
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2005-2006年中国内存市场年度分析报告 一、市场概述 在2005年，内存市场产能过剩的问题突显出来，并直接导致内存价格的雪崩，尤其在2005年3月份与4月份，价格崩盘最为突出。虽然在2005年最后一个季度内存价格出现反弹的迹象，但在产能未被市场消化的状态下，价格走低仍是趋势。此外，2005年内存市场还出现以下特征： 价位拉低，占据市场主流的内存容量迅速更替。 内存市场厂商的扩容导致产量过剩，造成内存价格在2005年出现大幅度跌落。价格的崩盘直接导致市场主流容量产品的更替，512MB内存在5月份顺利晋升市场主流。 此外，提高缓存速度的需求，导致大容量内存关注日渐上扬，但价格上不占据优势使其在性价比上暂时不能与512MB产品相提并论，因而整体关注度上升幅度不大。 上游厂商支持难以替代市场主导，DDRⅡ产品在2005年发展裹足不前。 虽然DDRⅡ代内存具有高频率的特征，但是从产品技术特征上来看，延迟弊病导致频率为533MHz的DDRⅡ代内存与频率为400MHz的DDR一代产品在性能上差距不大；而频率为667MHz的DDRⅡ代产品由于价格高，在DIY市场难以打开局面，且此类产品多为OEM大单，在市场上的普及力度较低。 此外，由于整体市场上游厂商中仅Intel部分产品支持DDRⅡ代内存，而AMD在2005年度不支持此类产品，造成其在DIY市场也不能为用户所接受。虽然在本年度AMD宣称将出支持DDRⅡ的CPU产品，但在短时间内，DDRⅡ代内存仍不能取代DDR一代产品。而内存厂商的不主推，这也导致其2005年度市场上关注度较低。 利润空间缩减，上游颗粒厂商生产转型。 价格的雪崩导致内存利润空间缩减，而数码产品在市场上对闪存记忆体需求的增加，使得闪存产品成为市场发展的热点。在这种市场状况下，三星、英飞凌、现代等上游内存颗粒厂商产能转型，开始向闪存方向发展。
如何看懂内存条上的型号 参数内存条都是以（厂家名）（容量）（容量系数）（类型）（速度）的形式来表示的。中间可能夹着电压（3.3/5V）特殊标识在里面。 要知道它是什麽内存，只要从“-”标记往前数，第一个数字就是内存类型标识，0是普通FP，单数是EDO，双数是SDRAM。 以？？064v160j10-10？？为例。? ?就是厂家；64=64Mbit容量（是bit，不是Byte）；v表示3.3V的内存；16是跟容量相关的系数。表示这块小芯片的位数是16，所以64位总线的Pentium机至少要用4片这样的小芯片才能构成可用的SIMM内存条。这时候这条由4片小芯片构成的SIMM内存条容量是64bit*4/8=32MB（也就是我们所说的32M一条的内存）。如果SIMM内存条上有16片这样的小芯片，就是128M一条的内存条。另一方面，如果SIMM内存条上只有2片这样的小芯片，就必须两条SIMM 内存条同时使用才能满足总线宽度。16bit*2片*两条=64bit（总线宽度）。而32bit总线的486，只要有两片这样的小芯片就可以构成完整可用的SIMM 内存组了。这时候SIMM的容量是64bit*2/8=16MB。0j是厂家的内部标识，没有固定的判别方法。10是双数，所以这是一条SDRAM。 再举一个实例：我的一条内存上印着HY57V168010ATC-10。 HY是指由韩国现代生产； V是表示3.3V工作电压； 16表示容量是16Mbit； 8表示小芯片是16/8=2M*8bit； 10表示是SDRAM； -10表示速度为10ns； 57和ATC都是厂家的内部标识，通常包括内存的封装方式、内存刷新时块的大小等等。 据此，大家可以算出：如果SIMM条上只有4片这样的小芯片，就只有8bit*4=32bit宽度，486上可以单用一条，容量是16Mbit*4/8=8MB；而586上必须用两条，容量是16Mbit*8/8=16MB；如果SIMM条上有16片这样的小芯片，就是一条可以在586上单用的32M条。 （转载自https://www.doczj.com/doc/5c7969346.html,）
2005-2006年中国内存市场年度分析报告 一、市场概述 在2005年，内存市场产能过剩的问题突显出来，并直接导致内存价格的雪崩，尤其在2005年3月份与4月份，价格崩盘最为突出。虽然在2005年最后一个季度内存价格出现反弹的迹象，但在产能未被市场消化的状态下，价格走低仍是趋势。此外，2005年内存市场还出现以下特征： 价位拉低，占据市场主流的内存容量迅速更替。 内存市场厂商的扩容导致产量过剩，造成内存价格在2005年出现大幅度跌落。价格的崩盘直接导致市场主流容量产品的更替，512MB内存在5月份顺利晋升市场主流。 此外，提高缓存速度的需求，导致大容量内存关注日渐上扬，但价格上不占据优势使其在性价比上暂时不能与512MB产品相提并论，因而整体关注度上升幅度不大。 上游厂商支持难以替代市场主导，DDRⅡ产品在2005年发展裹足不前。 虽然DDRⅡ代内存具有高频率的特征，但是从产品技术特征上来看，延迟弊病导致频率为533MHz的DDRⅡ代内存与频率为400MHz的DDR一代产品在性能上差距不大；而频率为667MHz的DDRⅡ代产品由于价格高，在DIY市场难以打开局面，且此类产品多为OEM大单，在市场上的普及力度较低。
此外，由于整体市场上游厂商中仅Intel部分产品支持DDRⅡ代内存，而AMD在2005年度不支持此类产品，造成其在DIY市场也不能为用户所接受。虽然在本年度AMD宣称将出支持DDRⅡ的CPU产品，但在短时间内，DDRⅡ代内存仍不能取代DDR一代产品。而内存厂商的不主推，这也导致其2005年度市场上关注度较低。 利润空间缩减，上游颗粒厂商生产转型。 价格的雪崩导致内存利润空间缩减，而数码产品在市场上对闪存记忆体需求的增加，使得闪存产品成为市场发展的热点。在这种市场状况下，三星、英飞凌、现代等上游内存颗粒厂商产能转型，开始向闪存方向发展。 •内存市场结构分析 二、市场结构分析 (一) 品牌格局 1、整体市场品牌格局 在ZDC统计中显示，关注比例的悬殊使得整体内存市场呈现出四级格局。金士顿以超过40个百分点的关注比例主导市场，独处第一级格局；位居三甲之列的现代与胜创这两大厂与金士顿差距较大，但二者关注比例接近，并在市场上形成相互对抗之势；宇瞻、威刚与三星这三大厂商形成第三级格局；其它厂商关注比例骤然下跌，以市场补充的形式形成一级格局。
Samsung 具体含义解释 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（显存颗粒）。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第8位——为一个数字，表示内存的物理Bank，即颗粒的数据位宽，有3和4两个数字，分别表示4Banks和8Banks。对于内存而言，数据宽度×芯片数量＝数据位宽。这个值可以是64或128，对应着这条内存就是1个或2个bank。例如256M内存32×4格式16颗芯片：4×16=64，双面内存单bank；256M内存 16M×16格式 8颗芯片：16×8=128，单面内存双bank。所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系。另外，要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主板就会认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是一般还是可以正常使用。 第9位——由一个字符表示采用的电压标准，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。与DDR的2.5V电压相比，DDR2的1.8V是内存功耗更低，同时为超频留下更大的空间。 第10位——由一个字符代表校订版本，表示所采用的颗粒所属第几代产品，M 表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒，而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。 第11位——连线“-”。 第12位——由一个字符表示颗粒的封装类型，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装，而FBGA是主流（之前称为mBGA）。其实进入DDR2时代，颗粒的封装基本采用FBGA了，因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz，DDR最高频率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就无法实现了。 第13位——由一个字符表示温控和电压标准，“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常规的1.8V电压标准；“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低电压版，适合超频，
如何选购内存 有关内存的常见技术指标 接下来我们来谈谈有关内存的人们普遍关心的各种技术指标，一般包括引脚数、容量、速度、奇偶校验等。内存条通常有8MB、16MB、32MB、64MB、128MB、256MB等容量级别，其中64MB内存已成为当前的主流配置。内存条芯片的存取时间是内存的另一个重要指标，其单位以纳秒（ns）表示。内存条有无奇偶校验位是人们常常忽视的问题，奇偶校验对于保证数据的正确读写起到很关键的作用，尤其是在进行数据量非常大的计算中。标准型的内存条有的有校验位，有的没有；非标准的内存条均有奇偶校验位。 对于SDRAM，我们必须通过至少3个参数来评估其性能的好坏。 （1）系统时钟循环周期---他表示了SDRAM能运行的最大频率。譬如：一块系统时钟频率为10ns的SDRAM的芯片，他可以运行在100MHz的频率下。绝大多数的SDRAM芯片能达到这个要求。显然，这个数字越小，SDRAM芯片所能运行的频率就越高。对于现代（Hyundai）PC-100 SDRAM，它的芯片上所刻的-10代表了其运行的时钟周期为10ns，他可以跑100MHz的外频。根据现代的产品数据表我们可以知道这种芯片的存取数据的时间（以下会讲到该指标）为6ns。 （2）存取时间---类似于EDO/FPM DRAM，他代表了读取数据所延迟的时间。绝大多数SDRAM芯片的存取时间为6，7，8或10ns。可是千万不要和系统时钟频率所混淆。许多人都把存取时间当作这块SDRAM 芯片所能跑的外频。对于高士达（Goldstar）PC-100 SDRAM，它的芯片上所刻的-7代表了其存取时间为7ns。然而他的系统时钟频率仍然为10ns，外频为100MHz。 （3）CAS(纵向地址脉冲)反应时间---CAS的延迟时间。某些SDRAM能够运行在CAS Latency(CL)2或3模式。也就是说他们读取数据所延迟的时间既可以是二个时钟周期也可以是三个时钟周期。我们可以把这个性能写入SDRAM的EEPROM中，这样PC的BIOS会检查此项内容，并且以CL=2模式这一较快的速度运行。 然而，以上三个性能指标是互相制约的。换句话说，当你有较快的存取时间，你就必须牺牲CAS latency的性能。因此，评估和比较SDRAM的性能时，我们必须综合考虑以上三个指标不能仅从芯片上所刻的-6，-7，-8或-10来评价。也就是一旦芯片厂商称其产品为PC-100。其芯片符合PC-100的标准。那幺-6，-7，-10就只是一个符号。并不说明-6比-7快。因此，三星（SAMSUNG）为了防止人们的误解，不再用这个数据代表存取时间，而用字母表示存取时间。 下面是一个评估SDRAM性能的简单例子。 对于100MHz的系统来说，一个系统时钟周期为10ns。 粗略的计算一下：读区数据的总延迟时间=CAS Latency 延迟+ 存取时间。 例如：Hyundai PC-100 SDRAM，存取时间为8ns，CL2模式。因此，总的延迟时间为=2 x 周期+ 存取时间=2 x 10 ns + 8 ns = 28 ns 如果SDRAM运行在CL3模式下，存取时间为6ns。这样，总的时间延迟为=3 x 10 ns + 6 ns = 36 ns 显然，当SDRAM运行在CL2模式下，其速度完全快于CL3模式。 内存的选购 市场上常见的SDRAM品牌有现代、三星、LG、NEC、东芝、西门子、TI(德州仪器)等等。购买时应注意观察芯片表面印字是否清晰，标称速度为多少以及产地。需要特别说明的是上面所说的品牌仅仅是指内存芯片，而不是整个内存条，将内存芯片封装在电路板上制成内存条的工作是由其它厂商完成的。例如著名的美国金仕顿内存只是封装其它厂商的优质内存芯片制成的，它本身并不生产内存芯片。所以，即使采用同一品牌芯片的内存条，由于封装厂商不一，质量也会存在很大差异，这可以从电路板的工艺上看出。好的电路板，外观看上去颜色均匀、表面光滑、边缘整齐无毛边，采用六层板结构且手感较重。主流的LGS内存已经被HY内存取代，虽然牌子换了，但是东西还是一样的，常见的型号是GM72V66841ET7J，是8×8 的颗粒。记得一年前买的内存颗粒型号是GM72V66841CT7J，和现在的内存一样。目前市场上的PC-133条子的CAS参数基本上都是3，想买真正CAS参数为2的PC133内存条还要等一段时间。KINGMAX内存和樵风）的金条也是不错的选择，是那种内存都采用专利的封装技术，所以不会碰到假货。
金士顿 1.KVR代表kingston value RAM 2.外频速度单位：兆赫 3.一般为X 4. 64为没有ECC；72代表有ECC 5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存 6. 一般为C C3：CAS=3； C2.5：CAS=2.5； C2：CAS=2 7.分隔符号 8.内存的容量 我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例： 编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是.金士顿ValueRAM 外频400MHZ 不带有ECC校验 CAS=2.5 256M内存 HY（现代HYNIX） 现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大. HY的编码规则： HY 5X X XXX XX X X X X－XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义： 1、HY代表现代. 2、一般是57，代表SDRAM. 3、工艺：空白则是5V, V是3V, U是2.5V. 4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M，8K刷新；129：128M，4K刷新. 5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位. 6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK； 7、I／O界面：一般为0 8、产品线：从A－D系列 9、功率：空白则为普通，L为低功耗. 10、封装：一般为TC（TSOP） 11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：
我们关注哪些厂商 在本站前不久的内存评测与优化专题中，经常会提到一些内存芯片编号， 最近在一些论坛中也发现了类似的话题，因此就有了写一篇这方面文章的想法。在下文中，我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。所有 相关资料截止至2004年4月6日，由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新 换代，厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务，所以若发现新 产品的编号与我介绍的有所不同，请以当时的新规则为准。 这里要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位 的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正 的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自 己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再 自己或找代工厂封装。这类的芯片并不是主流（除了自己，其他模组厂商不可 能用），厂商也没从公布完整详细的编号规则，有时不是厂商某一级别的技术 人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。因此，本文所介绍的内容不包括它们，请读者见谅。 那么，现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢？我们可以先看看下面 这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。 从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中 国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、 冲电气（Oki，日本）。
主流DDR2内存颗粒 主流DDR2内存颗粒 目前，市面上的内存就制造上主要分为两大类。一类来自采用现代、三星、英飞凌等国际半导体芯片制造商生产的的内存芯片，然后打造自己品牌的产品，比如目前金士顿、威刚等品牌的内存都属于此类内存模块。二类就是DRAM大厂的原厂内存。由于DRAM大厂的原厂内存更多的是被整机厂商使用，而直接在国内零售市场和最终用户见面的机会并不多，目前国内的消费者能够买到的原厂内存一般只有三星“金条”与英飞凌原厂内存。 由于原厂内存一般都具有极佳的PCB设计和制造品质使其拥有品质优秀、兼容性好、超频能力强、稳定性一流等特点，因此吸引了大批超频玩家通过各种渠道去获得这些原厂内存条来满足自己PC的超频需要。 不过，无论是什么品牌的内存模块，都离不开内存颗粒，这往往是对内存性能的最大决定因素。由于当前可以生产内存颗粒的厂商不多，因此我们很容易从内存颗粒上辨别出所选择内存模块的规格、性能。 三星(Samsung) 三星有GC和ZC(G为FBGA封装方式,Y为FBGA-LF)系列，另外还有SC和YC，并采用90nm生产工艺，使相同晶元可以生产出更多的颗粒，从而降低了成本。YC是外形最小的一种封装方式，性能表现也最好，现在市面上很少见到。目前较常见到的有GCCC(多用于DDR2-400)、GCD5/ZCD5(多用于DDR2-533)、GCD6/GCE6(多用于DDR2-667)、GCF7/GCE7(多用于DDR2-800)等；这些内存颗
粒在超频方面同样有着不容小视的实力，且仍保持低延迟风格。不过经过编号更改后(由SAMSUNG改为SEC)，默认时序参数已设定得较为保守，不过某些DDR2-533默认延迟仍设定在4-4-4-10上。通常情况下三星DDR2-533内存时序参数可以稳定在3-3-3-4上，优势明显，这也是为什么三星颗粒品质较好的一个原因。GCCC和GCD5颗粒大都具备在5-5-5-15参数下超频至DDR2-800以上水平。使用三星ZCD5颗粒的DDR2-533内存在不加电压超频情况下，能够以4-4-4-X的时序稳定工作在DDR2-667模式，更具备挑战DDR2-900的实力，且售价也较高，三星原厂条多选用这种颗粒。 三星DDR2内存颗粒的第一排编号通常由K4开头，代表Memory DRAM的意思 第三位“T”代表内存为DDR2内存 第四、第五位代表容量，其中51代表512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量 第六、第七位代表位宽，08：×8位宽，如果是04则位宽
如何辨别内存条的型号及大小 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DD R500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133M Hz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（1 00MHz），延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。 D部分编号12个小部分分解示意图
采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存。 第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD =3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR内存，分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新。 第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32b it。
1、FPM内存 FPM是Fast Page Mode（快页模式）的简称，是较早的PC机普遍使用的内存，它每隔3个时钟脉冲周期传送一次数据。现在早就被淘汰掉了。 2、EDO内存 EDO是Extended Data Out（扩展数据输出）的简称，它取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存取时间，使存取速度提高30％，达到60ns。EDO内存主要用于72线的SIMM内存条，以及采用EDO内存芯片的PCI显示卡。这种内存流行在486以及早期的奔腾计算机系统中，它有72线和168线之分，采用5V工作电压，带宽32 bit，必须两条或四条成对使用，可用于英特尔430FX/430VX甚至430TX芯片组主板上。目前也已经被淘汰，只能在某些老爷机上见到。 3、SDRAM内存 SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与EDO内存相比速度能提高50％。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可用作主存，在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM曾经是长时间使用的主流内存，从430TX芯片组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的普及，SDRAM 也正在慢慢退出主流市场。 4、RDRAM内存 RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory（存储器总线式动态随机存储器）的简称，是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的内存，它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据，同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。最开始支持RDRAM 的是英特尔820芯片组，后来又有840，850芯片组等等。RDRAM最初得到了英特尔的大力支持，但由于其高昂的价格以及Rambus公司的专利许可限制，一直未能成为市场主流，其地位被相对廉价而性能同样出色的DDR SDRAM迅速取代，市场份额很小。 5、DDR SDRAM内存 DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（双数据率同步动态随机存储器）的简称，是由VIA等公司为了与RDRAM相抗衡而提出的内存标准。DDR
内存规格参数 内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存
第二代DDR内存 DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。
（1）CAS(Column Address Strobe) Latency：列地址选通脉冲延迟时间，即DDR－RAM内存接收到一条数据读取指令后要延迟多少个时钟周期才执行该指令。这个参数越小，内存的反应速度越快，可以设置为2.0、2.5、3.0。 （2）Row－active delay（tRAS）：内存行地址选通延迟时间，供选择的数值有1～15，数值越大越慢。 （3）RAS－to－CAS delay（tRCD）：从内存行地址转到列地址的延迟时间。即从DDR－RAM行地址选通脉冲(RAS， Row Address Strobe)信号转到列地址选通脉冲信号之间的延迟周期，也是从1～15可调节，越大越慢。 （4）Row－precharge delay（tRP）：内存行地址选通脉冲信号预充电时间。调节在刷新DDR－RAM之前，行地址选通脉冲信号预充电所需要的时钟周期，从1～7可调，越大越慢。 （5）物理Bank：内存与CPU之间的数据交换通过主板上的北桥芯片进行，内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，简称P-Bank）的位宽。以目前主流的DDR系统为例，CPU与内存之间的接口位宽是64bit，也就意味着CPU在一个周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据，那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条物理Bank。（6）逻辑Bank ：在芯片的内部，内存的数据是以位（bit）为单位写入一张大的矩阵中，每个单元我们称为CELL，只要指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地定位到某个CELL，这就是内存芯片寻址的基本原理。这个阵列我们就称为内存芯片的BANK，也称之为逻辑BANK（Logical BANK）。由于工艺上的原因，这个阵列不可能做得太大，所以一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制造，也就是说存在内存芯片中存在多个逻辑BANK，随着芯片容量的不断增加，逻辑BANK数量也在不断增加，目前从 32MB到1GB的芯片基本都是4个，只有早期的16Mbit和32Mbit
如何判断内存条类型 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B （133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。 D部分编号12个小部分分解示意图 采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生
产制造。第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存。 第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR内存，分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新。 第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit。 第6部分表示的是Bank数，由1个数字组成。有三种情况，分别是“1”代表2 bank，“2”代表4 bank，“4”代表8 bank。 第7部分代表接口类型，由一个数字组成。分为三种情况，分别是“1”代表SSTL_3，“2”代表SSTL_2；“3”代表SSTL_18。 第8部分代表该颗粒的版本，由一个字母组成，这部分的字母在26个字母中的位
深入了解内存 （SRAM、DRAM、SDRAM） 目录 第一章 RAM的基本原理 1.1 寻址原理概述 1.2 从“线”到“矩阵” 1.3 DRAM 基本存储单元结构 第二章 SRAM的基本原理 2.1 SRAM芯片的引脚定义 2.2 SRAM芯片的读写操作概述 第三章 DRAM的基本原理 3.1 多路寻址技术 3.2 DRAM的读取过程和各种延时 3.3 DRAM的刷新 3.4 快页模式DRAM 3.5 扩展数据输出DRAM 第四章 SDRAM的基本原理 4.1 SDRAM芯片的引脚定义 4.2 SDRAM芯片的初始化和模式寄存器的设置 4.3 SDRAM的指令例表 4.4 SDRAM的读取过程分析 4.5 SDRAM 的CAS 延迟 4.6 SDRAM的写入过程分析
第一章 RAM的基本原理 ● 1.1 寻址原理概述 RAM 主要的作用就是存储代码和数据供CPU 在需要的时候调用。但是这些数据并不是像用袋子盛米那么简单，更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样，不但要放进去还要能够在需要的时候准确的调用出来，虽然都是书但是每本书是不同的。对于RAM 等存储器来说也是一样的，虽然存储的都是代表0 和1 的代码，但是不同的组合就是不同的数据。 让我们重新回到书和书架上来，如果有一个书架上有10 行和10 列格子（每行和每列都有0-9 的编号），有100 本书要存放在里面，那么我们使用一个行的编号加一个列的编号就能确定某一本书的位置。如果已知这本书的编号87，那么我们首先锁定第8 行，然后找到第7 列就能准确的找到这本书了。在RAM 存储器中也是利用了相似的原理。 现在让我们回到RAM 存储器上，对于RAM 存储器而言数据总线是用来传入数据或者传出数据的。因为存储器中的存储空间是如果前面提到的存放图书的书架一样通过一定的规则定义的，所以我们可以通过这个规则来把数据存放到存储器上相应的位置，而进行这种定位的工作就要依靠地址总线来实现了。 对于CPU 来说，RAM 就象是一条长长的有很多空格的细线，每个空格都有一个唯一的地址与之相对应。如果CPU 想要从RAM 中调用数据，它首先需要给地址总线发送地址数据定位要存取的数据，然后等待若干个时钟周期之后，数据总线就会把数据传输给CPU。下面的示意图可以帮助你很好的理解这个过程。
当你拿到一条内存的时候，能看出它的容量吗？虽然我们可以把它插到机器上测试出来，但对于一个内行人来说，看一眼就能知道内存条的大小显然是有意义的，并且并不难做到。 通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量。虽然目前生产内存条的厂商有许多，但能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了，国内市场上主流内存条所用的内存颗粒，主要是一些国际性的大厂所生产。 下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。 三星内存颗粒 目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。 编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度
内存大全 Samsung 具体含义解释： 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。 64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”
代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存
当前主流内存型号及价格 型号总容参考报价金士顿DDR 266 128M 价格面议金士顿DDR2 800 1G 100 金士顿DDR2 800 2G 190 金士顿DDR2 800（HyperX）1G 190 金士顿DDR2 800（HyperX）2G 335 金士顿DDR2 800（笔记本）1G 110 金士顿DDR2 800（笔记本）2G 190 金士顿DDR2 800（窄板）2G 150 金士顿DDR2 800（KAC-MEMG/笔记本）2G 170 金士顿DDR2 800（窄板）1G 105 金士顿DDR2 800（单条）4G 320 金士顿DDR3 1066（笔记本）1G 185 金士顿DDR3 1066 2G 109 金士顿DDR3 1066（笔记本）2G 129 金士顿DDR2 1066（HPX8500D2/自动超频双通道套装HyperX/）2G 365 金士顿DDR3 1333 1G 85 金士顿DDR3 1333 2G 75 金士顿DDR3 1333 4G 136 金士顿DDR3 1333环保条2G 价格面议金士顿DDR3 1333（笔记本）1G 85 金士顿DDR3 1333（笔记本）2G 77 金士顿DDR3 1333（笔记本）4G 143 金士顿DDR3 1333（宽版、尔必达颗粒）4G 153 金士顿DDR3 1333（骇客神条套装）4G 215 金士顿DDR3 1333（KVR1333D3N9/8G）8G 即将上市金士顿DDR3 1333（宽版单面）2G 价格面议金士顿Alpha系列DDR3 1333（笔记本）2G 150 金士顿HyperX PnP DDR3 1600（KHX1600C9D3P1K2）8G 330 金士顿HyperX DDR3 1600（KHX1600C9D3X2K2）4G 175 金士顿DDR3 1600（LoVo HyperX系列/KHX1600C9D3LK2/4GX）4G 389 金士顿DDR3 1600（KHX12800D3/2G双通道套装HyperX）2G 130 金士顿DDR3 1600（阿凡达单通道骇客神条HyperX）2G 390 金士顿DDR3 2000骇客神条（KHX2000C9D3T1K3）6G 1899 金士顿骇客神条HyperX DDR3 1600（Kingston KHX1600C9AD3）2G 价格面议金士顿系统指定内存DDR2 667（联想笔记本专用）2G 299 金士顿系统指定内存DDR3 1333（联想笔记本专用）2G 119 金士顿系统指定内存DDR3 1066（联想笔记本专用）4G 219 金士顿系统指定内存DDR3 1066（联想笔记本专用）2G 109 金士顿系统指定内存DDR3 1333（联想台式机专用）2G 129 金士顿系统指定内存DDR3 1333（惠普笔记本专用）4G 199 金士顿系统指定内存DDR2 800（苹果笔记本专用）1G 169
内存型号说明： Samsung 具体含义解释： 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量； 56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36