S olutions&Tips技术应用
86内存技术比较
下一代内存技术则会有DDR5、HBM、HMC等，它们还会根据不同应用范围衍生出多个版本。预测DDR、HBM
及HMC三强争霸的结局还太早了，要想分出胜负我们还得掂量掂量这三者在性能、功耗及成本上的表现。
编/蓝色
从Haswell-E处理器开始，内存就开
始从DDR3向DDR4升级，经过2年多时间
的磨合，到了今年D D R4内存也可以说是
白菜价了。2015年AMD推出了Fiji核心的
Fury系列显卡，它使用的是HBM显存，与
之前的GDDR5显存不同，HBM可以说是普
通人接触到的第一款3D堆栈内存，它代表
着未来，而DDR内存则是主流代表，下一
步是DDR5内存，再加上美光、Intel主导的
HMC内存，这三者以及它们的衍生品可以
说是2020年之前内存/显存技术角逐天下的
主角了。
下一代内存技术则会有D D R5、
HBM、HMC等，它们还会根据不同应用
范围衍生出多个版本。预测DDR、HBM及
HMC三强争霸的结局还太早了，要想分出
胜负我们还得掂量掂量这三者在性能、功
耗及成本上的表现。
DDR5
2014年随着Hasewll-E处理器及X99
主板的问世，D D R4内存首次进入桌面市
场，不过X99平台是面向发烧级玩家的，
到了2015年Intel又推出了Skylake处理器，
这才算是走入主流市场。经过这两年的发
展，DDR4内存已经从王谢堂前燕飞入寻常
百姓家了，性价比完全不输D D R3内存。
D D R4的技术原理方面，简单来说就是在
基础频率无法大幅提升的情况下，D D R4
通过翻倍提升显存核心的Bank（内存库）
数量变相提高了数据吞吐率，其数据频率
可从前代的0.8-2.1Gbps大幅提升到1.6-
3.2Gbps，进而提高了内存带宽。此外，
DDR4内存的电压也从前代的1.5V降低到了
1.2V，提高了能效，而随着工艺的进步，
DDR4内存的核心容量也从之前4Gb提升到
了8Gb、16Gb，可以轻松实现单条64GB以
及128G B内存，这些都是它比D D R3内存
先进的地方。目前高频DDR4内存频率已经
达到了4.26Gbps，差不多又到了一个极限
了，下一步该准备DDR4的继任者了，不出
意外的话，其命名就是DDR5，技术路线也
类似DDR3到DDR4那样，核心频率同样不
会有大幅提高，能做文章的地方还是数据
预取位宽、内存库数量等。
序：不得不说的话（高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版） 作为电脑中必不可少的三大件之一（其余的两个是主板与CPU），内存是决定系统性能的关键设备之一，它就像一个临时的仓库，负责数据的中转、暂存…… 不过，虽然内存对系统性能的至关重要，但长期以来，DIYer并不重视内存，只是将它看作是一种买主板和CPU时顺带买的“附件”，那时最多也就注意一下内存的速度。这种现象截止于1998年440BX主板上市后，PC66/100的内存标准开始进入普通DIYer的视野，因为这与选购有着直接的联系。一时间，有关内存时序参数的介绍文章大量出现（其中最为著名的恐怕就是CL参数）。自那以后，DIYer才发现，原来内存也有这么多的学问。接下来，始于2000年底/2001年初的VIA芯片组4路交错（4-Way Interleave）内存控制和部分芯片组有关内存容量限制的研究，则是深入了解内存的一个新开端。本刊在2001年第2期上也进行了VIA内存交错控制与内存与模组结构的详细介绍，并最终率先正确地解释了这一类型交错（内存交错有多种类型）的原理与容量限制的原因。从那时起，很多关于内存方面的深入性文章接踵而至，如果说那时因此而掀起了一股内存热并不夸张。大量的内存文章让更多的用户了解了内存，以及更深一层的知识，这对于DIY当然是一件好事情。然而，令人遗憾的是这些所谓的内存高深技术文章有不少都是错的（包括后来的DDR 与RDRAM内存的介绍），有的甚至是很低级的错误。在这近两年的时间里，国内媒体上优秀的内存技术文章可谓是寥若晨星，有些媒体还编译国外DIY网站的大篇内存文章，但可惜的是，外国网站也不见得都是对的（这一点，国内很多作者与媒体似乎都忽视了）。就这样，虽然打开了一个新的知识领域，可“普及”的效果并不那么好，很多媒体的铁杆读者高兴地被带入内存深层世界，但也因此被引向了新的误区。 不过，从这期间（2001年初至今）各媒体读者对这类文章的反映来看，喜欢内存技术的玩家大有人在且越来越多，这是各媒体“培养”的成果。这些用户已经不满足如何正确的使用内存，他们更渴望深入的了解这方面原来非常贫乏的知识，这些知识可能暂时不会对他们在使用内存过程中有什么帮助，但会大大满足他们的求知欲。在2001年初，我们揭开VIA芯片组4路交错内存控制和部分芯片组有关内存容量限制之迷时，还是主要围绕着内存使用的相关话题来展开，而且在这期间有关内存技术的话题，《电脑高手》也都是一笔带过。但在今天，在很多人希望了解内存技术而众多媒体的文章又“力不从心”时，我们觉得有必要再次站出来以正视听，也就是说，我们这次的专题不再以内存使用为中心，更多的是纯技术性介绍，并对目前现存的主要内存技术误区进行重点纠正。 在最后要强调的是，本专题以技术为主，由于篇幅的原因，不可能从太浅的方面入手，所以仍需要有一定的技术基础作保证，而对内存感兴趣的读者则绝不容错过，这也许是您最好的纠正错误认识的机会！ 在本专题里，当讲完内存的基本操作之后，我们会给大家讲一个仓库的故事，从中相信您会更了解内存这个仓库是怎么工作的，希望您能喜欢。 SDRAM内存模组的物理Bank与芯片位宽 虽然有关内存结构与时序的基础概念，在本刊2001年第2期的专题中就已有阐述，但在这里为了保证专题的可读性，我们需要再次加强这方面的系统认识。正确并深刻理解内存的基础概念，是阅读本专题的第一条件。因为即使是RDRAM，在很多方面也是与SDRAM相似的，而至于DDR与DDR-Ⅱ、QBM等形式的内存更是与SDRAM有着紧密的联系。 SDRAM内存模组与基本结构
在运用技术指标时，经常会遇到走势与指标背离的现象。背离,简单地说，就是走势不一致，指标的背离指指标的走向与价格走向不是相问的趋势或方向。通常指标背离有两种，一是顶背离，一是底背离。顶背离通常出现在价格上升过一段距离之后的高档位罝，当天通银价格的高点比前一次高，而指标的高点却比指标的前一次的高点低，也就是指标处于高位，并形成一峰比一略低的两个峰，而此时天通银价格却对应的是一峰比一峰高，表示该指标怀疑目前的上涨是外强中干，暗示天通银价格可能很快就会反转下跌，这就是所谓的顶背离。是比较强烈的卖出提升信号。一次背离后就转向的有，但更多的是两次三次才转向。当然在极强的市场中。可出现四次背离，最多到第四次才转向的也有，但这是极其少见的。 反之，底背离一般出现在天通银价格的低档位置，当天通银价格的低点比前一次的低点低，而指标的低点却比前一次的高，也就是说指标不支持天通银价格继续下跌，暗示天通银价格会反转上涨。这就是底背离，是可以开始买进的提升信号。 2、指标的交叉 指标的交叉指指标中的两条线（经常是快慢不同周期的）发生了相交现象。常说的金叉和死叉就厉这类情况。 3、指标的高低 指标的高低（或是位置）是指报标处于高位和低位或进入超买区和超卖区。4、指标的转折 指标的转折指指标的曲线没生调头，有时是一个趋势的结束和另一个趋势的开始。
指标的钝化（或是肓点）在一些极端的市场悄况下指标已大去了作用。每种指标都有自己的肓点，也就是指标失效的时候。在实际中应该不断地总结，并找到盲点所在。这对在技术指标的使用中少犯错误是很有益处的。遇到技术指标失效，要把它放罝在一边，去考虑别的技术指标。一般说来，参考众多的技术指标，在任何时候都会有几个能对我们进行有益的指导和帮助。 5、指标的形态 指标的形态是指指标形成的曲线所呆现的某种形态，如整理形态、突破形态。钜丰金业友情提示：投资有风险，入市需谨慎！
Samsung 具体含义解释 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（显存颗粒）。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第8位——为一个数字，表示内存的物理Bank，即颗粒的数据位宽，有3和4两个数字，分别表示4Banks和8Banks。对于内存而言，数据宽度×芯片数量＝数据位宽。这个值可以是64或128，对应着这条内存就是1个或2个bank。例如256M内存32×4格式16颗芯片：4×16=64，双面内存单bank；256M内存 16M×16格式 8颗芯片：16×8=128，单面内存双bank。所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系。另外，要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主板就会认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是一般还是可以正常使用。 第9位——由一个字符表示采用的电压标准，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。与DDR的2.5V电压相比，DDR2的1.8V是内存功耗更低，同时为超频留下更大的空间。 第10位——由一个字符代表校订版本，表示所采用的颗粒所属第几代产品，M 表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒，而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。 第11位——连线“-”。 第12位——由一个字符表示颗粒的封装类型，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装，而FBGA是主流（之前称为mBGA）。其实进入DDR2时代，颗粒的封装基本采用FBGA了，因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz，DDR最高频率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就无法实现了。 第13位——由一个字符表示温控和电压标准，“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常规的1.8V电压标准；“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低电压版，适合超频，
常用内存数据库介绍（一） 博客分类： 内存数据库 数据结构Oracle企业应用网络应用设计模式 （注：部分资料直接来源于Internet） 1. 内存数据库简介 1.1 概念 一、什么是内存数据库 传统的数据库管理系统把所有数据都放在磁盘上进行管理，所以称做磁盘数据库（DRDB:Disk-Resident Database）。磁盘数据库需要频繁地访问磁盘来进行数据的操作，由于对磁盘读写数据的操作一方面要进行磁头的机械移动，另一方面受到系统调用（通常通过CPU中断完成，受到CPU时钟周期的制约）时间的影响，当数据量很大，操作频繁且复杂时，就会暴露出很多问题。 近年来，内存容量不断提高，价格不断下跌，操作系统已经可以支持更大的地址空间（计算机进入了64位时代），同时对数据库系统实时响应能力要求日益提高，充分利用内存技术提升数据库性能成为一个热点。 在数据库技术中，目前主要有两种方法来使用大量的内存。一种是在传统的数据库中，增大缓冲池，将一个事务所涉及的数据都放在缓冲池中，组织成相应的数据结构来进行查询和更新处理，也就是常说的共享内存技术，这种方法优化的主要目标是最小化磁盘访问。另一种就是内存数据库 (MMDB:Main Memory Database，也叫主存数据库)技术，就是干脆重新设计一种数据库管理系统，对查询处理、并发控制与恢复的算法和数据结构进行重新设计，以更有效地使用CPU周期和内存，这种技术近乎把整个数据库放进内存中，因而会产生一些根本性的变化。两种技术的区别如下表：
内存数据库系统带来的优越性能不仅仅在于对内存读写比对磁盘读写快上，更重要的是，从根本上抛弃了磁盘数据管理的许多传统方式，基于全部数据都在内存中管理进行了新的体系结构的设计，并且在数据缓存、快速算法、并行操作方面也进行了相应的改进，从而使数据处理速度一般比传统数据库的数据处理速度快很多，一般都在10倍以上，理想情况甚至可以达到1000倍。 而使用共享内存技术的实时系统和使用内存数据库相比有很多不足，由于优化的目标仍然集中在最小化磁盘访问上，很难满足完整的数据库管理的要求，设计的非标准化和软件的专用性造成可伸缩性、可用性和系统的效率都非常低，对于快速部署和简化维护都是不利的。 2. 内存数据库历史和发展 一、雏形期 从上个世纪60年代末到80年代初。在这个时期中，出现了主存数据库的雏形。1969年IBM公司研制了世界上最早的数据库管理系统------基于层次模型的数据库管理系统IMS，并作为商品化软件投入市场。在设计IMS时，IBM考虑到基于内存的数据管理方法，相应推出了IMS/VS Fast Path。Fast Path是一个支持内存驻留
指标分析与运用 (一) MACD指标(Moving Average Convergence Divergence) MACD指数平滑异同移动平均线为GERALD APPLE所创，其利用两条长、短期的平滑平均线，计算其二者之差离值，作为研判行情买卖之依据。 买卖原则： 1. DIF、MACD在0以上，大势属多头市场，DIF向上突破MACD，可作买，若DIF 向下跌破MACD，只可作原单的平仓，不可新卖单进场。 2. DIF，MACD在0以下，大势属空头市场，DIF向下跌破MACD，可作买，若DIF 向上突破MACD，只可作原单的平仓，不可新买单入场。 3. 牛离差：股价出现二或三个近期低点而MACD并不配合出现新低，可作买。 4. 熊离差：股价出现二或三个近期高点而MACD并不配合出现新高，可作卖。 5. 高档两次向下交叉大跌，低档两次向上交叉大涨。 (二)DMI指标 DMI(Directional Muvement Index)指标系由J.Wells Wilder于1978年在"New Concepts in Technical TradingSystems"一书中首先提出，DMI指标提示投资人不要在盘整世道中入场交易，一旦市场变得有利润时，DMI立刻引导投资者进场，并且在适当的时机退场，实为近年来受到相当重视的指标之一。 买卖原则： 1. +DI上交叉-DI时作买。 2. +DI下交叉-DI时作卖。 3. ADX于50以上向下转折时，代表市场趋势终了。 4. 当ADX滑落到_+DI之下时，不宜进场交易。 5. 当ADXR介于20-25时，宜采用TBP及CDP中之反应秘诀为交易参考。 (三)DMA指标
内存数据库(sqllite)使用介绍 数据库的发展 数据库技术的发展，已经成为先进信息技术的重要组成部分，是现代计算机信息系统和计算机应用系统的基础和核心。数据库技术最初产生于20世纪60年代中期，根据数据模型的发展，可以划分为三个阶段：第一代的网状、层次数据库系统；第二代的关系数据库系统；第三代的以面向对象模型为主要特征的数据库系统。 第一代数据库的代表是1969年IBM公司研制的层次模型的数据库管理系统IMS和70年代美国数据库系统语言协商CODASYL下属数据库任务组DBTG提议的网状模型。层次数据库的数据模型是有根的定向有序树，网状模型对应的是有向图。这两种数据库奠定了现代数据库发展的基础。这两种数据库具有如下共同点：1.支持三级模式（外模式、模式、内模式）。保证数据库系统具有数据与程序的物理独立性和一定的逻辑独立性； 2.用存取路径来表示数据之间的联系； 3.有独立的数据定义语言； 4.导航式的数据操纵语 言 第二代数据库的主要特征是支持关系数据模型（数据结构、关系操作、数据完整性）。 关系模型具有以下特点：1.关系模型的概念单一，实体和实体之间的连系用关系来表示； 2.以关系数学为基础； 3.数据的物理存储和存取路径对用户不透明； 4.关系数据库语言是 非过程化的。 第三代数据库产生于80年代，随着科学技术的不断进步，各个行业领域对数据库技术提出了更多的需求，关系型数据库已经不能完全满足需求，于是产生了第三代数据库。主要有以下特征：1.支持数据管理、对象管理和知识管理；2.保持和继承了第二代数据库系统的技术；3.对其它系统开放，支持数据库语言标准，支持标准网络协议，有良好的可移植性、可连接性、可扩展性和互操作性等。第三代数据库支持多种数据模型（比如关系模型和面向对象的模型），并和诸多新技术相结合（比如分布处理技术、并行计算技术、人工智能技术、多媒体技术、模糊技术），广泛应用于多个领域（商业管理、GIS、计划统计等），由此也衍生出多种新的数据库技术。 分布式数据库允许用户开发的应用程序把多个物理分开的、通过网络互联的数据库当作一个完整的数据库看待。并行数据库通过cluster 技术把一个大的事务分散到cluster中的多个节点去执行，提高了数据库的吞吐和容错性。多媒体数据库提供了一系列用来存储图像、音频和视频对象类型，更好地对多媒体数据进行存储、管理、查询。模糊数据库是存储、组织、管理和操纵模糊数据库的数据库，可以用于模糊知识处理。 内存数据库的起因，分类 一、雏形期 从上个世纪60年代末到80年代初。在这个时期中，出现了主存数据库的雏形。1969年IBM 公司研制了世界上最早的数据库管理系统------基于层次模型的数据库管理系统IMS，并作为商品化软件投入市场。在设计IMS时，IBM考虑到基于内存的数据管理方法，相应推出了IMS/VS Fast Path。Fast Path是一个支持内存驻留数据的商业化数据库，但它同时也可以很好地支持磁盘驻留数据。在这个产品中体现了主存数据库的主要设计思想，也就是将需要频繁
第二章计算与计算机已完成成绩：75.0分 1 【多选题】 在微处理器的发展过程中，科学家主要从哪些方面来提高处理器的性能（）。 A、处理器的集成度 B、主频速度 C、机器字长 D、存储材料 E、寄存器数量 F、缓存大小 正确答案： ABC 2 【多选题】 计算机执行程序，以下说法正确的是（）。 A、当用户要执行一个程序时，操作系统将首先把程序调入计算机内存。 B、计算机执行一个程序就是CPU执行程序中的每一条指令。 C、用户程序是在操作系统中运行的。 D、程序的运行不受操作系统的控制。 E、程序运行过程中可以直接使用所需的存储器和CPU资源。 F、CPU根据指令寄存器读取要执行的下一条指令。 正确答案： AB 3 【多选题】 在计算机主板上，都有一块BIOS芯片，保存了一组重要的程序，包括（）。 A、POST加电自检程序 B、BIOS设置程序 C、系统自举装载程序 D、中断服务程序 E、操作系统 F、编译程序 正确答案： ABCD 4 【多选题】
我们说二进制是现代电子计算机的重要理论基础之一，是因为（）。 A、二进制运算规则简单，记数和计算功能物理实现容易 B、二进制数据容易阅读容易编程 C、二进制数是人类社会普遍采用的进位数制 D、十进制不能进行逻辑运算 E、计算机采用何种进制都是一样的 正确答案： A 5 【多选题】 设计算机字长为16位，一个数的补码为10000000 00000000，则该数字的真值是（）。 A、-32768 B、32768 C、-0 D、+0 正确答案： A 6 【多选题】 一般认为，世界上第一台电子数字计算机是（）。 A、电子数字积分计算机ENIAC B、通用机电式计算机Mark-1 C、巨人计算机 D、ABC计算机 E、通用自动计算机UNIVAC 正确答案： A 7 【多选题】 计算机主板集成了组成计算机的主要电路，主要包括（）。 A、CPU插槽 B、内存储器插槽 C、芯片组
详解内存工作原理及发展历程 RAM（Random Access Memory）随机存取存储器对于系统性能的影响是每个PC 用户都非常清楚的，所以很多朋友趁着现在的内存价格很低纷纷扩容了内存，希望借此来得到更高的性能。不过现在市场是多种内存类型并存的，SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等等，如果你使用的还是非常古老的系统，可能还需要EDO DRAM、FP DRAM（块页）等现在不是很常见的内存。 虽然RAM的类型非常的多，但是这些内存在实现的机理方面还是具有很多相同的地方，所以本文的将会分为几个部分进行介绍，第一部分主要介绍SRAM 和异步DRAM（asynchronous DRAM），在以后的章节中会对于实现机理更加复杂的FP、EDO和SDRAM进行介绍，当然还会包括RDRAM和SGRAM等等。对于其中同你的观点相悖的地方，欢迎大家一起进行技术方面的探讨。 存储原理： 为了便于不同层次的读者都能基本的理解本文，所以我先来介绍一下很多用户都知道的东西。RAM主要的作用就是存储代码和数据供CPU在需要的时候调用。但是这些数据并不是像用袋子盛米那么简单，更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样，不但要放进去还要能够在需要的时候准确的调用出来，虽然都是书但是每本书是不同的。对于RAM等存储器来说也是一样的，虽然存储的都是代表0和1的代码，但是不同的组合就是不同的数据。 让我们重新回到书和书架上来，如果有一个书架上有10行和10列格子（每行和每列都有0-9的编号），有100本书要存放在里面，那么我们使用一个行的编号＋一个列的编号就能确定某一本书的位置。如果已知这本书的编号87，
成也指标，败也指标。很多人赚钱了归功于技术指标，亏钱了则归罪于技术指标。那么，技术指标到底是天使还是魔鬼？利用技术指标能赚钱吗？如何利用技术指标赚钱呢？ 一、技术指标是投资者的工具和帮手 随着科技的进步和电脑的普及应用，技术指标在黄金市场的分析中占有越来越重要的位置。而作为分析工具的技术指标也随着人们重视程度的提高其本身的功能也越来越强大。如何科学的看待、合理的运用技术指标为我们在市场中赚钱成为一个不可忽视的重要问题。 这些技术指标的设计初衷，就是帮助投资者发现金融市场运动的规律，在实际操作中，这些技术指标也起到了这样的作用。例如：MA可以帮助投资者发现市场的平均成本，一组MA的交叉则可以提供基本的买卖信号，多条MA则可以揭示市场的运行状态等等。 因此，技术指标在帮助投资者发现金融市场的运动规律方面，可以发挥非常重要的作用，极大地降低了投资者研究市场规律时所花费的成本，是非常有用的工具和帮手。 但工具只是工具，运用之妙，存乎一心。怎样使用、怎样用好、怎样用这些工具赚钱，实际是由投资者自己的研究水平决定的。对于掌握了技术指标的运用之妙的投资者来讲，它是天使，而对于尚未掌握的投资者来讲，过于迷信技术指标就会使其成为承担不应该的罪名。 二、技术指标可以帮助投资者赚钱
以MACD为例，MACD（平滑异同平均线指标）是一个趋势跟踪类型的技术指标，虽然说它的反映有些滞后性，但是在实际的运用中是最常用的一个。无论从指标的设计思路还是具体的实际应用，都能够很好的跟踪价格发展的趋向；RSI（相对强弱指标）主要是从价格运行的动能方面来考虑的一个技术指标，它主要是观察价格在趋势中所显示出来的动力和能量，通过数值的形式表达出来；KDJ（随机指标）属于衡量空间势能方面的技术指标，它能够给出我们关于价格在未来走势上的落差方面的指引。 对于喜欢作趋势交易的投资者，MACD是一个非常有用的趋势跟踪工具。而对于喜欢作短线交易的投资者，RSI和KDJ则是很好的时机信号工具。 三、怎样利用简单的技术指标赚钱 在技术指标的选择和运用上，要坚持实用性和简单性并重的原则，同时通过不同指标的组合来扬长避短。 任何指标都不是完美的，都会不可避免的出现指标本身的缺陷和不足！如指标的钝化（RSI；KDJ）；指标的滞后（MA；MACD）等等现象。如果在具体的运用中不知道指标本身的优缺点，往往就会发生反被指标牵着鼻子走的现象－－技术分析是一把双刃剑！因此，我们可以通过对不同指标的组合运用来扬长避短。 在具体的应用中，向大家推荐两种组合：一是趋势跟踪类的指标和动能指标配合起来应用（MACD＋RSI），为的是能够更好的把握趋势；二
反射内存网络（RFM网络）是基于环状/星状、高速复制的共享内存网络。它支持不同总线结构的多计算机系统，并且可以使用不同的操作系统来共享高速的，稳定速率的实时数据。 反射内存可广泛用于各种领域，例如实时的飞行仿真器、核电站仿真器、电讯、高速过程控制（轧钢厂和制铝厂）、高速测试和测量以及军事系统。 与那些需要为附加的软件开发时间，测试，维护，文档，以及额外的CPU要求提供开销的传统的连接方法相比，RFM产品的网络提供了性价比极为优越的高性能的选择。 反射内存的优点： ■ 高速的、基于2.12G波特率的网络，最大传输速率可达174Mbyte/s； ■ 简单易用； ■ 与操作系统和处理器无关； ■ 彻底省去软件开发开销和周期； ■ 可以实现实时连接的稳定的数据传输； ■ 可以与通用的计算机和总线连接； ■ 比标准通信和技术更为优越； ■ 极短的数据传输延迟； ■ 简单的软件，较低的管理费用和较高的抗干扰能力； ■ 节点间距离可达10公里（单模）/300米（多模）。 反射内存实时网的特点 VMIC反射内存是一种通过局域网在互连的计算机间提供高效的数据传输的技术，强实时网络设计人员已经越来越多地采用这种技术。VMIC反射内存实时局域网的概念十分简单，就是设计一种网络内存板，在分布系统中实现内存至内存的通信，并且没有软件开销。每台结点机上插一块反射内存卡，卡上带有双口内存，各层软件既可以读也可以写这些内存，当数据被写入一台机器的反射内存卡的内存中后，反射内存卡自动地通过光纤传输到其他连在网络上的反射内存卡的内存里，通常，只需几百纳秒的时间延迟，所有的反射内存卡上的内存将写入同样的内容。而各成员在访问数据时，只要访问本地的反射内存卡中的内存即可。VMIC反射内存具有以下主要特点：（1）高速度和高性能 VMIC5565系列，传输速度达到174M字节/秒。使用光纤，可以连接更多节点（最大到256个节点），具有很高的抗干扰能力。测试结果表明，从数据写入RAM到传到另一个结点的反射内存卡上，只有不到400纳秒的时延。 （2）使用方便 反射内存卡通过向每个节点机提供一套相同的数据备份使得各节点可以并发的访问相同的内
内存数据库的原理及应用 摘要 近年来，数据库系统在各种领域中扮演了关键角色，但传统的基于磁盘的关系数据库系统却不能满足上述应用高性能、实时/近实时数据访问的要求，内存数据库系统则可以很好地满足各种应用系统的实时数据管理需求，本文主要阐述了内存数据库的基本概念，并对其和传统基于磁盘的数据库进行了比较，此外对其在内存中的数据管理方式有一定的介绍。 1.内存数据库概述以及内存数据库技术的发展 内存数据库，也称主存数据库，是一个较新的研究领域，目前对内存数据库尚无一定义。内存数据库的本质特征是其主拷贝或“工作版本”常驻内存。相对于磁盘，内存的数据读写速度要高出几个数量级，将数据保存在内存中相比从磁盘上访问能够极大地提高应用的性能。同时，内存数据库抛弃了磁盘数据管理的传统方式，基于全部数据都在内存中重新设计了体系结构，并且在数据缓存、快速算法、并行操作方面也进行了相应的改进，所以数据处理速度比传统数据库的数据处理速度要快很多。 内存数据库与磁盘数据库之间主要区别在于:内存数据库主数据库常驻内存，体系结构设计的优化目标是提高内存和CPU使用效率由于事务处理无需进行磁盘访问，使用内存数据库的应用系统性能得到极大提高。 随着电子技术的快速发展，计算机内存已越来越便宜，这使得计算机上配置的内存容量变得越来越大。现在一些商用的系统已配置几GB甚至更多的主存，另外，随着计算机及操作系统从32位向64位的发展，使理论上计算机可配置内存总数达B。从前，利用虚拟内存或内存交换技术来使大于地址空间或大于物理内存的程序可以运行，这些技术在当时乃至现在都具有重要的意义，然而，现在的问题是如何充分利用大内存，使程序运行更快。 随着计算机应用领域不断扩大和应用程度不断加深，人们对数据库技术提出了新的更高的要求。主存数据库技术，是随着存储技术的发展和现代应用的高性能需求产
笔记本内存知识大全----买本必看（二） 笔记本内存是笔记本电脑中的主要部件，它是相对于其他存储器而言的。我们平常使用的程序，如操作系统、、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。内存是连接CPU 和其他设备的通道，起到缓冲和数据交换作用！ 一:什么是SDRAM、DDR、DDR2、DDR3内存 在介绍DDR之前我们先明白什么是SDRAM，SDRAM是 Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写,中文叫同步动态随机存取存储器。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代 DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM后面将做详细介绍 DDR叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，就是双倍速率同步动态随机存储器的意思。 DDR2的定义： DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM ,即简称DDR2。DDR2和DDR一样，采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但是最大的区别在于，DDR2内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDR2拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDR2则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力。 DDR2内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输能力，而是，在采用更低发热量，更低功耗的情况下，反而获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ 限制。 外形，封装
内存芯片参数介绍 具体含义解释： 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit 的容量；56、55、57、5A代表256MBit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C 为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref； 257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、
内存数据库 实时交易系统的催化剂 现在，支持实时应用程序（如证券交易系统）的基础架构软件已经面市。内存数据库（IMDB）是这种基础架构的核心部分。与IMDB 所替代的各种定制产品不同，基于IMDB技术的商用产品不仅仅具有高性能，还增加了消息处理接口、符合行业标准的API、事务处理、容错故障切换和恢复、事件发布和与后台RDBMS的连接。 今天，精简的开发团队有足够的能力处理应用程序级的更改。他们已不再需要在“应用程序底层”编写代码，而且与当今经过证实的可选商用方案相比，这也不再是一个审慎的策略。
内存数据库 实时交易系统的催化剂 现在，支持实时应用程序（如证券交易系统）的基础架构软件已经面市。内存数据库（IMDB）是这种基础架构的核心部分。与IMDB 所替代的各种定制产品不同，基于IMDB技术的商用产品不仅仅具有高性能，还增加了消息处理接口、符合行业标准的API、事务处理、容错故障切换和恢复、事件发布和与后台RDBMS的连接。 今天，精简的开发团队有足够的能力处理应用程序级的更改。他们已不再需要在“应用程序底层”编写代码，而且与当今经过证实的可选商用方案相比，这也不再是一个审慎的策略。 引言：对速度的需求永无止境 对于证券交易系统来说，持续的熊市并未减少交易处理量。当然，货币交易量大大减少了，这是因为美国市场在采用十进制最小报价单位之后平均价差变小了。但系统依旧忙于买卖盘传递、对盘和跟踪交易订单。事实上，纳斯达克报告的统计数据表明当前的股票交易量与2000年底股市动荡时期的交易量大致持平（参见图1）。 造成这种现象的原因是交易策略和习惯发生了某些重大改变，包括对冲基金的迅猛普及和程式交易的惊人增长。很多投资者采取短期买进卖出策略，这反映了股市的不稳定性。交易执行的速度和交易价格成为了最重要的问题。因此，处理投资者业务的交易系统的速度和 质量也成为了最重要的方面。
内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存
第二代DDR内存 DDR2 是DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存
DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。 三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。 内存SPD芯片 内存SPD芯片 SPD(Serial Presence Detect): SPD是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器）, 容量为256字节，里面主要保存了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度等。SPD的内容一般由内存模组制造商写入。支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料，并以此设定内存的工作参数。 启动计算机后，主板BIOS就会读取SPD中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分发挥内存条的性能。上述情况实现的前提条件是在BIOS设置界面中，将内存设置选项设为“By SPD”。当主板从内存条中不能检测到SPD信息时，它就只能提供一个较为保守的配置。 从某种意义上来说，SPD芯片是识别内存品牌的一个重要标志。如果SPD内的参数值设置得不合理，不但不能起到优化内存的作用，反而还会引起系统工作不稳定，甚至死机。因此，很多普通内存或兼容内存厂商为了避免兼容性问题，一般都将SPD中的内存工作参数设置得较为保守，从而限制了内存性能的充分发挥。更有甚者，一些不法厂商通过专门的读
中文全名：腾落指标 指标热键：ADL 原始参数值：无 指标应用法则： 1.指数一顶比一顶高，而ADL 一顶比一顶低时，指数向下反转机会大。 2.指数一底比一底低，而ADL 一底比一底高时，指数向上反转机会大。 3.ADL须与ADR、OBOS┅┅等指标配合使用。 中文全名：涨跌比率 英文全名：Advance/Decline Ratio 指标热键：ADR 原始参数值：10 指标应用法则： 1.ADR 一般常态分布于0.5～1.5之间。 2.ADR>1.5，大盘回档机会大。 3.ADR<0.65，大盘反弹机会大。 4.ADR<0.3或0.5，容易形成底部。 中文全名：成交金额 英文全名：AMOUNT 指标热键：AMT 原始参数值：无 指标应用法则：
1.成交金额大，代表交投热络，可界定为热门股。 2.底部起涨点出现大成交金额，代表攻击量。 3.头部地区出现大成交金额，代表出货量。 4.观察成交金额的变化，比观察成交手数更具意义，因为成交手数并未反应股价的涨跌之后所应支出的实际金额。 中文全名：振动升降指标 英文全名：Accumulation Swing Index 指标热键：ASI 原始参数值：无 指标应用法则： 1．ASI又名[实质线]，是一条比收盘价线更能代表真实行情的曲线。 2.ASI突破前一波高点后，第二天股价必突破前一波高点。 3.ASI跌破前一波低点后，第二天股价必跌破前一波低点。 4.ASI一般与股价走势维持同步波动，并非每一次行情都有领先作用，因此，使用者必须花费一些时间搜寻产生领先信号的个股。 中文全名：布林极限 英文全名：% Bollinger Bands 指标热键：BB 原始参数值：无
DDRII内存技术详解 由于DDRII是在DDR-I的基础之上发展而来的，所以谈到DDRII，我们先简单说说DDR-I。DDR-I全名为Double Data Rate SDRAM ，简称为DDR，也称SDRAM Ⅱ，是SDRAM的更新产品。虽说DDR 的核心建立在SDRAM的基础上，但在速度和容量上有了提高。首先，它使用了更多、更先进的同步电路。其次，DDR使用了Delay-Locked Loop (DLL，延时锁定回路)来提供一个数据滤波信号。当数据有效时，存储器控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16位输出一次，并且同步来自不同的双存储器模块的数据。DDR 本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。至于地址与控制信号则与传统SDRAM相同，仍在时钟上升沿进行传输。此外，传统SDRAM 的DQS接脚则用来在写入数据时做数据遮罩用。由于数据、数据控制信号与DM同步传输，不会有某个数据传输较快，而另外的数据传输较慢的skew以及Flight Tim e不相同的问题。此外，DDR 的设计可让内存控制器每一组DQ/DQS/DM与DIMM 上的颗粒相接时，维持相同的负载，减少对主板的影响。在内存架构上，传统SDRAM 属于×8组式，即内存核心中的I/O寄存器有8位数据I/O，但对于×8组的DDR SDRAM而言，内存核心中的I/O寄存器却是16位的，即在时钟信号上升沿时输出8位数据，在下降沿再输出8位数据，一个时钟周期总共可传输16位数据。为了保持较高的数据传输率，电气信号必须要求能较快改变，因此，DDR 改为支持电压为2.5V的SSTL2信号标准。尽管DDR的内存条依然保留原有的尺寸，但是插脚的数目已经从168Pin增加到184Pin了。 由于DDR-I架构的局限性，当频率达到400MHz后，就很难再有所提升，所以很快就推出了DDR-Ⅱ。相对来说，作为DDR的接班人的DDR-Ⅱ在总体仍保留了DDR-I的大部分特性，相对DDR-I的设计变动并不大，主要进行了以下几点改进： 1、改进针脚设计 虽说DDR-Ⅱ是在DDR的基础之上改进而来的，外观、尺寸上与目前的DDR内存几乎一样，但为了保持较高的数据传输率，适合电气信号的要求，DDR-Ⅱ对针脚进行重新定义，采用了双向数据控制针脚，针脚数也由DDR的184Pin变为240Pin(注：DDR-II针脚数量有200Pin、220Pin、240Pin 三种，其中240Pin的DDR-Ⅱ将用于桌面PC系列。) 2、更低的工作电压 由于DDR-II内存使用更为先进的制造工艺（DDRII内存将采用0.09微米的制作工艺，其内存容量可以达到1GB到2GB，而随后DDRII内存将会在制造上进一步提升为更加先进的0.065微米制作工艺，这样DDRII内存的容量可以达到4GB。）和对芯片核心的内部改进，DDRII内存将把工作电压降到1.8V，这就预示着DDRII内存的功耗和发热量都会在一定程度上得以降低：在533MHz频率下的功耗只有304毫瓦（而DDR在工作电压为2.5V，在266MHZ下功耗为418毫瓦）。不过降低工作电压也来了一个问题：在DDR2初始的200-266MHz的时钟速度上，当模块中组装了32个DRAM芯片时，由于DDR2的核心电压只有1.8V，使得DDR2的边沿斜率比DDR慢。边沿斜率降低的结果是：同一个更高的电压信号相比，电压信号上升时间加长，这加大了制造上的难度。 3、更小的封装 目前DDR内存主要采用TSOP-Ⅱ封装,而在DDRⅡ时代，TSOP-Ⅱ封装将彻底退出内存封装市场，改用更先进的CSP（FBGA）无铅封装技术，它是比TSOP-Ⅱ更为贴近芯片尺寸的封装方法，并且由于在晶圆上就做好了封装布线，在可靠性方面可以达到了更高的水平。DDR II将有两种封装形式，如果数据位宽是4bit/8bit，则采用64-ball的FBGA封装，数据位宽是16bit，则采用84-ball的FBGA封装。 4、更低的延迟时间 在DDR2中，整个内存子系统都重新进行了设计，大大降低了延迟时间，延迟时间介于1.8ns到2.2ns之间（由厂商根据工作频率不同而设定），远低于DDR的2.9ns。由于延迟时间的降低，从而使DDR2可以达到更高的频率，最高可以达到1GHz以上的有效频率。而DDR1由于已经接近了其物理极限，其延迟时间无法进一步降低，这也是为什么DDR1的最大运行频率不能再有效提高的原因之一。 5、采用了4bit Prefect架构 DDR-Ⅱ在DDR的基础上之上新增4位数据预取的特性，这也是DDR II的关键技术之一。现在的DRAM内部都采用了4bank的结构，内存颗粒内部单元我们称之为Cell，它是由一组Memory Cell Array构成，也就是内存单元队列。目前内存颗粒的频率分成三种，一种是DRAM核心频率，一种是时钟频率，还有一种是数据传输率。