16.1答案A.1
解：线圈电流：
S R
U I = 磁通势： R NU NI F S =
= 总磁阻：
S
S l R 0m μδμ+= 磁通：
m
R NI =Φ 由磁路欧姆定律计算气隙磁位差：
S
R NI R U 0m μδδδ?=Φ= 答案A.2
解：磁路平均半径为
cm 5.22/)(21=+=r r r
铁心平均长度
m 10561.1)2(1-?=-=δπr l
铁心截面积半径为：
cm 5.02/)(23=-r r
铁心截面积
2523m 10854.7-?=?=r S π
铁心磁阻：
H 1 10163.310854.710450010561.16571
0m ?=?????==---πμμS l
R r 修正后的气隙截面积
2523m 10171.8)(-?=+?=δπδr S
气隙磁阻
H 1 10739.910
171.8104100.16573
0?=????==---πμδ
δδS R
总磁阻
H 110902.1210)739.9163.3( 66m m ?=?+=+=δδR R R
答案A.3
解：回路内磁通：
Wb 10062.110171.83.145--?=??==ΦδδS B
铁心内磁感应强度：
T 353.110854.710062.15
4
=??=Φ=--S B 铁心内磁场强度：
A/m 10153.210
4500353.1370?=??==-πμμr B H 铁心的磁位差：
A 1.33610561.110153.213m =???==-Hl U
气隙的磁位差： A 5.10341010
43.13700≈??===--πδμδδδB H U 由基尔霍夫磁位差定律得：
A 6.13705.10341.336m =+=+=δU U NI
A 371.1106.13703
≈=
I 答案A.4
解：若气隙长度增大一倍，气隙磁感强度不变，则气隙磁位差也增大一倍。 即
A 206925.10340=?==δδH U
铁心磁位差近似不变即：
A 1.336~~m Hl U = 由基尔霍夫磁位差定律得：
A 1.2405A )20691.336()(m =+=+=?+δU U I I N
1034.5A A )6.13701.2405(=-=?I N
A 034.1A/5.1034==?N I
答案A.5
《电路分析基础》练习题及答案一．填空题（每空分） 1)电压和电流的参考方向一致，称为关联参考方向。 2)电压和电流的参考方向相反，称为非关联参考方向。 3)电压和电流的负值，表明参考方向与实际方向不一致。 4)若P>0（正值），说明该元件消耗（或吸收）功率，该元件为负载。 5)若P<0（负值），说明该元件产生（或发出）功率，该元件为电源。 6)任一电路中，产生的功率和消耗的功率应该相等，称为功率平衡定律。 7)基尔霍夫电流定律（KCL）说明在集总参数电路中，在任一时刻，流出（或流出）任一 节点或封闭面的各支路电流的代数和为零。 8)基尔霍夫电压定律（KVL）说明在集总参数电路中，在任一时刻，沿任一回路巡行一 周，各元件的电压代数和为零。 u(t)，与流过它的电流i无关的二端元件称为电压源。 9)端电压恒为 S ，与其端电压u无关的二端元件称为电流源。 10)输出电流恒为6VΩΩscΩ Ω 11)几个电压源串联的等效电压等于所有电压源的电压代数和。 12)几个电流源并联的等效电流等于所有电流源的电流代数和。 13)某元件与理想电压源并联，其等效关系为该理想电压源。 14)某元件与理想电流源串联，其等效关系为该理想电流源。 15)两个电路的等效是指对外部而言，即保证端口的伏安特性（VCR）关系相同。 16)有n个节点，b条支路的电路图，必有n－1 条树枝和b－n+1条连枝。 17)有n个节点，b条支路的电路图，其独立的KCL方程为n－1个，独立的KVL方程数 为b－n+1。 18)平面图的回路内再无任何支路的闭合回路称为网孔。 19)在网孔分析法中，若在非公共支路有已知电流源，可作为已知网孔电流。 20)在节点分析法中，若已知电压源接地，可作为已知节点电压。 21)叠加定理只适用线性电路的分析。
10、时序电路按(输出与现态和输入的关系)可分为：Mealy型和Moore型 二、判断题（下列各题，你认为正确的，请在题末的括号内打“√”，错的打“×”，并更正。每小题2分，共10分） 1、如果逻辑函数表达式在一定条件下可变成X+X‘或者X X’的形式，则该函数表达式可能产生冒险。（√） 2、本质冒险产生的原因：经过激励逻辑和反馈通路的传播延迟的最小值大于通过“输入逻辑”的最大定时偏移。（√） 3、CMOS反向门比非反向门所用的晶体管要少。（√）
4、如果竞争的结果导致电路最终进入同一稳定总态，则称为临界竞争。（×） 5、门电路的扇出是表示输出电压与输入电压之间的关系。（×） 门电路所具有的输入端的数目称为扇入。 扇出是指该门电路在不超过其最坏情况负载规格下能驱动的输出端个数。 三、简答题（每题5分，共10分） 1、请列出3种“曾经是模拟的”现在却“已经成为数字的”系统，并简述为什么会有这种转变。 2、采用CMOS晶体管实现的“与非门”和“或非门”，哪个速度快？为什么？ 四、应用题（共70分） 1、已知接收端收到的汉明码码字a7a6a5a4a3a2a1=1100010，问在最多一位错的情况下发送端发送的码字是什么？（5分） 答：第三位出错，应该是1100110 2、用卡诺图化简下列函数：（5分） 3、旅客列车分为特快A，直快B和慢车C，它们的优先顺序为：特快、直快、慢车。同一时间内，只能有一趟列车从车站开出，即只能给出一个开车信号，试设计满足上述要求的开车信号控制电路。（10分） （1）列出真值表（5分） （2）写出最简的输出逻辑表达式（5分） 4、运用一个MSI器件实现余3码向8421BCD码的转换。（10分） 5、运用“圈到圈”逻辑设计思想，采用74X138译码器和适当的逻辑门设计一个1位十进制数2421码的奇偶位产生电路（假定采用奇检验）。（10分） 注：此题中用的不熟74138。我们在做时要用两个74138级联。详见教材P274 6、分析下图所示的时钟同步状态机（状态Q1Q2=00 ~ 11使用状态名A ~ D）。（10分） 1）作出状态/输出表（5分）。 2）说明它是Mealy机还是Moore机（2分） 3）说明这个电路能对何种输入序列进行检测。（3分） 答案没有找到。同类型题7.12 7、作“0101”序列检测器的Mealy型状态表和Moore型状态表。凡收到输入序列为“0101”时，输出为1；并规定检测的“0101”序列不重叠。典型输入输出序列如下：（10分）
. 数字电子技术基础期末考试试卷 一、填空题 1. 时序逻辑电路一般由 和 两分组成。 2. 十进制数（56）10转换为二进制数为 和十六进制数为 。 3. 串行进位加法器的缺点是 ，想速度高时应采用 加法器。 4. 多谐振荡器是一种波形 电路，它没有稳态，只有两个 。 5. 用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M= 。 二、化简、证明、分析综合题： 1．写出函数F (A,B,C,D) =A B C D E ++++的反函数。 2．证明逻辑函数式相等：()()BC D D B C AD B B D ++++=+ 3．已知逻辑函数F= ∑（3,5,8,9，10，12）+∑d(0,1,2) （1）化简该函数为最简与或式： （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 4．555定时器构成的多谐振动器图1所示，已知R 1=1K Ω，R 2=8.2K Ω，C=0.1μF 。试求脉冲宽度 T ，振荡频率f 和占空比q 。 ………………………密……………………封…………………………装…………………订………………………线……………………… 系别 专业（班级） 姓名 学号
图1 5．某地址译码电路如图2所示，当输入地址变量A7-A0的状态分别为什么状态 时，1Y 、6Y 分别才为低电平（被译中）。 图2 6．触发器电路就输入信号的波形如图3所示，试分别写出D 触发器的Q 和Q1的表达式，并画出其波形。 图3 ………………封…………………………装…………………订………………………线………………………
D= Q n+1= Q1= 7. 已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表； ⑤电路功能。图4 三、设计题：（每10分，共20分） 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A、B、C输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2）画出逻辑电路图。 2．试用74161、3-8译码器和少量门电路，实现图5所示波形VO1、VO2，其中CP为输入波形。要求： （1）列出计数器状态与V01、V02的真值表；
电子电路基础知识 电路基础知识(一) 电路基础知识（1）——电阻 导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。 第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。 第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1型普通碳膜电阻a1} 二、电阻器的分类 1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。 2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。
4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 三、主要特性参数 1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。 允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级 3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。 线绕电阻器额定功率系列为（W）：、、、、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500 非线绕电阻器额定功率系列为（W）：、、、、1、2、5、10、25、50、1004、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。 5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。 6、温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。 阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。 7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。 8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。
电路分析基础试题库汇编及答案 一．填空题（每空1分） 1-1.所谓电路，是由电的器件相互连接而构成的电流的通路。 1-2.实现电能输送和变换的电路称为电工电路；实现信息的传输和处理的电路称为电子电路。 1-3. 信号是消息或信息的表现形式，通常是时间的函数。 2-1.通常，把单位时间内通过导体横截面的电荷量定义为电流。 2-2.习惯上把正电荷运动方向规定为电流的方向。 2-3.单位正电荷从a点移动到b点能量的得失量定义为这两点间的电压。 2-4.电压和电流的参考方向一致，称为关联参考方向。 2-5.电压和电流的参考方向相反，称为非关联参考方向。 2-6.电压和电流的负值，表明参考方向与实际方向一致。 2-7.若P>0（正值），说明该元件消耗（或吸收）功率，该元件为负载。 2-8.若P<0（负值），说明该元件产生（或发出）功率，该元件为电源。 2-9.任一电路中，产生的功率和消耗的功率应该相等，称为功率平衡定律。 2-10.基尔霍夫电流定律（KCL）说明在集总参数电路中，在任一时刻，流出（或流出）任一节点或封闭面的各支路电流的代数和为零。 2-11.基尔霍夫电压定律（KVL）说明在集总参数电路中，在任一时刻，沿任一回路巡行一周，各元件的电压代数和为零。 2-12.用u—i平面的曲线表示其特性的二端元件称为电阻元件。 2-13.用u—q平面的曲线表示其特性的二端元件称为电容元件。 2-14.用i— 平面的曲线表示其特性的二端元件称为电感元件。 u(t)，与流过它的电流i无关的二端元件称为电压源。 2-15.端电压恒为 S i(t)，与其端电压u无关的二端元件称为电流源。 2-16.输出电流恒为 S 2-17.几个电压源串联的等效电压等于所有电压源的电压代数和。 2-18.几个同极性的电压源并联，其等效电压等于其中之一。
中南大学信息院《数字电子技术基础》 期终考试试题（110分钟）（第一套） 一、填空题：（每空1分，共15分） 1. 逻辑函数Y = AB-^C的两种标准形式分别为 （）、（）。 2. 将2004个“1 ”异或起来得到的结果是（）。 3. 半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是（）、（）、（）。 4. 8位D/A转换器当输入数字量10000000为5v。若只有最低位为高电平，则 输出电压为（）v；当输入为10001000,则输出电压为（）V。 5. 就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言，（）的抗干扰 能力强，（）的转换速度快。 6. 由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲 的整形电路。 7. 与PAL相比，GAL器件有可编程的输出结构，它是通过对（）进行编程设定其（）的工作模式来实现的，而且由于采用 了（）的工艺结构，可以重复编程，使它的通用性很好，使用更为方 便灵活。 二、根据要求作题：（共15分） 1. 将逻辑函数P=AB+AC写成“与或非”表达式，并用“集电极开路与非门” 来实现。 2. 图1、2中电路均由CMOS门电路构成，写出P、Q的表达式，并画出对应A、B、C的 P、Q波形。
A B C p 三、分析图3所示电路：（10分） 1）试写出8选1数据选择器的输出函数式； 2）画出A2、A1、A0从000-111连续变化时，Y的波形图; 3）说明电路的逻辑功能。
四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路（采用8421 BCD码）。要求只设定一个输出，并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图o （15分） 五、已知电路及CP. A的波形如图4（a）（b）所示，设触发器的初态均为“0”，试画出输出端B和C的波形。（8分）
电子电路基础知识点总结 1、 纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空 穴的数量相等的。 2、 射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于 1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器 （ 射极跟随器 ）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为 0,其共模抑制比为乂。 般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在 数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 限幅电路是一种波形整形电路， 因它削去波形的部位不同分为 4、 5、 上限幅、 下限幅和双向限幅电路。 6、 主从 JK 触发器的功能有保持、计数、置 0、置 1 。 7、 多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、 带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路 和比较放大电路分组成。 9、 时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还 与输出端的原状态有关。 10、 当PN 结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由 少数载流子形成的。
11、 半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、 利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、 硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压 管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流 电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的 倍，对全波整流电路而言较为倍。 15、处于放大状态的NPN 管，三个电极上的电位的分布必须符合 UC>UB>UE 而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合 UE>UE>UC 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射 结正偏。 16、 在 P 型半导体中，多数载流子是空穴，而 N 型半导体中，多 数载流子是自由电子。 晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时， 三极管应始终工作在放大区。 般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。 14、 17、 二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、 当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、 20、
审核人： 试卷分类（A 卷或B 卷） B 学期： 2010 至 2011 学年度 第 一 学期 课程： 数字电路与逻辑设计 课程代号： 005A1080 使用班级： 信息工程学院08级 姓名： 学号： 一、基本题（30 1. 用公式法化简函数C B C A C B A Y ++??=1（5分） 答案：C B A B A C C B C A C B A Y +)+?(=++??=1（1分）=C B A B C +)+(（1分） =C B A C B C ++?（1分） =)++(B A B C （1分）=C （1分） 2. 试用卡诺图法将下面逻辑函数化成最简与－或式。（必须画出卡诺图，圈“1”，8分） ∑ ∑)13,12,11,10,8 ,7,4,2(+15,14,9,6,10(= 2d m Y ）， 答案： C B BC Y ?+=2 3. 已知7400为四个2输入与非门，其20=OL I ，1=OH I ，2=IL I ，μA 50=IH I ，计算7400最多可驱动几个同类门。（6分） 答案：IL OL ≥I N I L ，(2分)；IH H OH 2≥I N I ，（2分）；故10=H N （2分） 4. 画出图1.1所示D 触发器对应、、D 的Q 端波形。（4分） 答案： 5. 8位数模转换器0832构成的电路如图1.2所示。（1）写出输出电压O v 的计算公式；（2）若输入数 AB CD 00011110 1000 11 01 1 1 1111 × ×××× ×××1.1图Q PR PR (a)
字量为100000时，输出模拟电压O v 为3.6V ，计算输入数字量为10101000时，输出电压时多少?（7分） 答案：（1）=O v -（3分） （2）=6.3-78 REF 2×2 V ； =REF V -7.2V （2分） 输入数字量为10101000时， =O v -V 725.4=)2+2+2(2 2.73578 （2分） 二（10分）、 图2 （a ）由集成3线-8线译码器74138构成的逻辑电路，试分析其逻辑功能。要求：（1）写出输出端的逻辑表达式；（2）写出输出和输入真值表；（3）说明电路的作用。74138的功能表如图（b ）所示。 答案：（1）74211+++=m m m m Y （2分） 76532+++=m m m m Y （2分） （2）（4分） （3）此电路为全加器。（2分） 三、（14分） 集成8选1数据选择器74151的逻辑符号如图3所示，试用74151和逻辑门实现下面逻辑函数： ∑ 14,13,9,7,3,10(= ),,,(2），m D C B A Y 要求：（1）确定地址输入；（2）写出数据输入端方程；（3）画出实现电路连线图。 答案：（1）设A A =2，B A =1，C A =0（3分） （2）D ABC D C AB D C B A BCD A CD B A D C B A D C B A D C B A Y ++?++?+??+???=),,,(2 D m D m D m D m D m D m D m ?+?+?+?+?+?+?=7643100（3分） V O v 2 .1图 G 1G 2A G 2B 1X +10X 11 0的功能表138HC 74i Y i m 的最小项组合、、为注：012i A A A m 2 图(a) (b)A B Y 10000001111110000000C 11 1111 111Y 200 00 11 11001 输 入输 出
《数字电子技术》习题 一. 单项选择题： 1．十进制数128的8421BCD码是（）。 A.10000000 B. 000100101000 C.100000000 D.100101000 2.已知函数F的卡诺图如图1-1, 试求其最简与或表达式 3. 已知函数的反演式为 ，其原函数为（）。 A． B． C． D． 4．对于TTL数字集成电路来说，下列说法那个是错误的：（A）电源电压极性不得接反，其额定值为5V； （B）不使用的输入端接1； （C）输入端可串接电阻，但电阻值不应太大； （D）OC门输出端可以并接。 5．欲将正弦信号转换成与之频率相同的脉冲信号，应用 A.T，触发器 B.施密特触发器 C.A/D转换器 D.移位寄存器 6．下列A/D转换器中转换速度最快的是（）。 A.并联比较型 B.双积分型 C.计数型 D.逐次渐近型 7. 一个含有32768个存储单元的ROM，有8个数据输出端，其地址输入端有（）个。 A. 10 B. 11 C. 12 D. 8
8.如图1-2，在TTL门组成的电路中，与非门的输入电流为I iL≤–1mA?I iH≤20μA。G1输出低电平时输出电流的最大值为 I OL(max)=10mA，输出高电平时最大输出电流为 I OH(max)=–0.4mA 。门G1的扇出系数是（）。 A. 1 B. 4 C. 5 D. 10 9.十数制数2006.375转换为二进制数是： A. 11111010110.011 B. 1101011111.11 C. 11111010110.11 D. 1101011111.011 10. TTL或非门多余输入端的处理是: A. 悬空 B. 接高电平 C. 接低电平 D.接”1” 二.填空题(每小题2分，共20分) 1.CMOS传输门的静态功耗非常小，当输入信号的频率增加时，其功耗将______________。 2. 写出四种逻辑函数的表示方法： __________________________________________________________ _____; 3.逻辑电路中,高电平用1表示,低电平用0表示,则称为___逻辑; 4. 把JK触发器改成T触发器的方法是_____________。 5. 组合逻辑电路是指电路的输出仅由当前的_____________决定。 6. 5个地址输入端译码器，其译码输出信号最多应有 _____________个。 7. 输入信号的同时跳变引起输出端产生尖峰脉冲的现象叫做 _____________。 8．一片ROM有10根地址线，8根数据输出线，ROM共有________个存储单元。 9．N个触发器组成的计数器最多可以组成_____________进制的计数器。 8. 基本RS触发器的约束条件是_____________。 三．电路分析题（36分）
电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器（射极跟随 器）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0,其共模抑制比为 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK 触发器的功能有保持、计数、置0、置 1 。 7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由 少数载流子形成的
11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的 1 倍，对全波整流电路而言较为 1.2 倍。 15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE而PNP管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合 UE>UE>UC总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。 16、在P型半导体中，多数载流子是空穴，而N型半导体中，多数载流子是自由电子。 17、二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管应始终工作在放大区。 20、一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。
、填空题 1 已知图中U i = 2V, U2= -8V，贝y U B=_-10_ 2. 电路的三种工作状态是通路、断路、短路 3. 有三个6Q的电阻，若把它们串联，等效电阻是18 Q;若把它们并联，等效电阻2Q；若两个并联后再与第三个串联，等效电阻是_9—Q。 4. 用电流表测量电流时，应把电流表串联在被测电路中；用电压表 测量电压时，应把电压表与被测电路并联。 5. 电路中任意一个闭合路径称为回路；三条或三条以上支路的交点称为节点。 6. 电路如图所示，设U=12V I=2A、R=6Q，贝S U B= -24 V 7. 直流电路如图所示，R所消耗的功率为2W则R的阻值应为2—Q &电路中电位的参考点发生变化后，其他各点的电位均发生变化 9. 在直流电路中，电感可以看作_短路—，电容可以看作_断路— 9.我国工业交流电采用的标准频率是50 Hz 10. 三相对称负载作三角形联接时，线电流I I与相电流I P间的关系是: I P= . 3 I L。
11. 电阻元件是耗能元件，电容元件是储能元件 12. 已知一正弦电压u=311sin(628t-60 o )V，则其最大值为311 V , 频率为100 Hz，初相位为-60 o 。 13. 在纯电阻交流电路中，已知电路端电压u=311sin(314t-60 o )V，电阻 R=10Q，则电流I=22A,电压与电流的相位差? = 0 o ，电阻消耗的功率P= 4840 W。 24 .表征正弦交流电振荡幅度的量是它的 _最大值表征正弦交流电随时间变 化快慢程度的量是_角频率3_；表征正弦交流电起始位置时的量称为它的—初相_。 25 .在RLC串联电路中，已知电流为5A,电阻为30 Q,感抗为40Q, 容抗为80Q，那么电路的阻抗为_50Q_,该电路为_容_性电路。电路中吸收的有功功率为_750W，吸收的无功功率为_1000var_。 26 .对称三相负载作丫接，接在380V的三相四线制电源上。此时负载 端的相电压等于1倍的线电压；相电流等于1倍的线电流；中线电流等于 寸3 0_。 27. 铁磁材料分为—软磁—材料、—硬磁_材料和—矩磁—材料三种。 28. 变压器除了可以改变_交变电压、—交变电流_之外还可以用来变换阻 抗。 29. 接触器的电磁机构由—吸引线圈_、_静铁心_和_动铁心_三部分组成。 30 .变压器运行中，绕组中电流的热效应所引起的损耗称为 _铜_损耗；交 变磁场在铁心中所引起的_磁滞—损耗和—涡流—损耗合称为_铁_损耗。 31、Y—△形降压启动是指电动机启动时，把定子绕组接成_Y形—，以降低启动电压，限制启动电流，待电动机启动后，再把定子绕组改接成_△形，使
审核人： 试卷分类（A 卷或B 卷） B 学期： 2010 至 2011 学年度 第 一 学期 课程： 数字电路与逻辑设计 课程代号： 005A1080 使用班级： 信息工程学院08级 姓名： 学号： 一、基本题（30 1. 用公式法化简函数B A B A Y ++??=1（5分） 答案：C B A A C C B C A C A Y +)+?(=++??=1（1分）=C B A C +) +(（1分） =C B A C B C ++?（1分） =)++(B A B C （1分）=C （1分） 2. 试用卡诺图法将下面逻辑函数化成最简与－或式。（必须画出卡诺图，圈“1”，8分） ∑ ∑)13,12,11,10,8 ,7,4,2(+15,14,9,6,10(= 2d m Y ）， 答案： C B BC Y ?+=2 3. 已知74LS00为四个2输入与非门，其20=OL I mA ，1=OH I mA ，2=IL I mA ，μA 50=IH I ，计算74LS00最多可驱动几个同类门。（6分） 答案：IL OL ≥I N I L ，10=≤ IL OL L I I N (2分)；IH H OH 2≥I N I ，10=2≤IH OH H I I N （2分）；故10=H N （2分） 4. 画出图1.1所示D 触发器对应CLK 、、D 的Q 端波形。（4分） 答案： AB CD 00011110 1000 11 01 1 1 1111 × ×××× ×××1.1图(a)
字量为100000时，输出模拟电压O v 为3.6V ，计算输入数字量为10101000时，输出电压时多少?（7分） 答案：（1）=O v -i i i D V 22 ∑ 7 8 REF （3分） （2）=6.3-7 8 REF 2×2V ； =REF V -7.2V （2分） 输入数字量为10101000时， =O v -V 725.4=)2+2+2(2 2 .73578（2分） 二（10分）、 图2（ a ）由集成3线-8线译码器74HC138构成的逻辑电路，试分析其逻辑功能。要求：（1）写出输出端的逻辑表达式；（2）写出输出和输入真值表；（3）说明电路的作用。74HC138的功能表如图（ b ）所示。 答案：（1）74211+++=m m m m Y （2分） 76532+++=m m m m Y （2分） （2）（4分） （3）此电路为全加器。（2分） 三、（14分） 集成8选1数据选择器74HC151的逻辑符号如图3所示，试用74HC151和逻辑门实现下面逻辑函数： ∑ 14,13,9,7,3,10(= ),,,(2），m D C B A Y 要求：（1）确定地址输入；（2）写出数据输入端方程；（3）画出实现电路连线图。 答案：（1）设A A =2，B A =1，C A =0（3分） （2）D ABC D C AB D C B A BCD A CD B A D C B A D C B A D C B A Y ++?++?+??+???=),,,(2 V O v 2 .1图 Y G 1G 2A G 2B 1X +10X 11 0的功能表138HC 74i Y i m 的最小项组合、、为注：012i A A A m 2 图(a)(b)A B Y 10000001111110000000C 11 1111111Y 200 00 11 11001输 入 输 出
Q 1 CP Q 1 Q 0 &&D 1D 0第一组： 计算题 一、（本题20分） 试写出图示逻辑电路的逻辑表达式，并化为最简与或式。 解：C B A B A F ++=C B A B A F ++= 二、（本题25分） 时序逻辑电路如图所示，已知初始状态Q 1Q 0＝00。 （1）试写出各触发器的驱动方程； （2）列出状态转换顺序表； （3）说明电路的功能； 解：（1）100Q Q D =，101Q Q D =； （2）00→10→01 （3）三进制移位计数器
三、（本题30分） 由集成定时器555组成的电路如图所示，已知：R 1＝R 2＝10 k Ω，C ＝5μF 。 （1）说明电路的功能； （2）计算电路的周期和频率。 解：（1）多谐振荡器电路 （2）T 1＝7s ， T 2＝3.5s 四、（本题25分） 用二进制计算器74LS161和8选1数据选择器连接的电路如图所示， （1）试列出74LS161的状态表； （2）指出是几进制计数器； （3）写出输出Z 的序列。 "1" 解： （1）状态表如图所示 （2）十进制计数器 C R R CC u o
（3）输出Z的序列是0010001100 第二组： 计算题 一、（本题20分） 逻辑电路如图所示，试答：1、写出逻辑式并转换为最简与或表达式，2、画出用“与”门及“或”门实现的逻辑图。 B 二、（本题25分） 试用与非门设计一个三人表决组合逻辑电路(输入为A、B、C，输出为F)，要求在A有一票决定权的前提下遵照少数服从多数原则，即满足：1、A=1时，F一定等于1，2、A、B、C中有两2个以上等于1，则输出F=1。 试：（1）写出表决电路的真值表； （2）写出表决电路的逻辑表达式并化简； （3）画出用与非门设计的逻辑电路图。
知识| 电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器(射极跟随器)。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0，其共模抑制比为∞。 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK触发器的功能有保持、计数、置0、置1 。 7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由少数载流子形成的。 11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的1倍，对全波整流电路而言较为1.2倍。15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE，而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合UE>UE>UC。 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。
丨习题一】 I i -、判断题 ’ 1 .负载在额定功率下的工作状态叫满载。 （V ） 2 .电流方向不随时间而变化的电流叫稳恒电流。 3 .如果把一个6V 的电源正极接地，则其负极为 4 ?电路中某点的电位值与参考点选择的无关。 (X ) -6V o ( V (X ) 5 ?电路中某两点间电压的正负，就是指这两点电位的相对高低。 6 ?导体的长度增大一倍，则其电阻也增大一倍。 （V ） 7 .电源电动势的大小由电源本身性质决定，与外电路无关。 8 ?公式I U /R 可以写成R U /I ，因此可以说导体的电阻与它两端的电压成正比，与通过 它的电流成反比。（X ） 在电源电压一定的情况下，负载大就是指大负载。 ?电源电动势等于内外电压之和。 （V ） (V ) 9 . 10 11 12 13 14 （ 15 ?当电源的内电阻为零时， 电源电动势的大小就等于电源端电压。 （V ） .短路状态下，短路电流很大，电源的端电压也很大。 （ .开路状态下，电路的电流为零，电源的端电压也为零。 .电池存放久了，用万用表测量电压为，但接上灯泡却不发光，这主要是电源电动势变小了。 X ） .全电路电路中，若负载电阻变大，端电压将下降。 （X ） 1般来说，负载电阻减小，则电路输出的功率增加，电源的负担加重。 通过电阻上的电流增大到原来的 2倍时，它所消耗的功率也增大到原来的 110 V/50 W 16 . 17 . 18 .把“ 19 ?在电源电压一定的情况下，负载电阻越大，在电路中获得的功率也越大。 20 .把“ 25W/220V ”的灯泡接在1000W/220V 的发电机上，灯泡会被烧毁。 ”的灯泡接在 220 V 电压上时，功率还是 50 W O （ X （ (V ) 2 倍。(X ) ) X ) (X ) 二、选择题 1 . 1A 的电流在5min 时间内通过某金属导体横截面的电荷量为（ A. 1C B.5C C.60C D. 300C D ) 。 2 ?当参考点改变变时，下列电量也相应变化的是（ A.电压 C.电动势 B.电位 D.以上三者皆是 B )o 3 ?在电源内部， A.从电源正极指向负极 C.没有方向 电动势方向是（ B ）o B.从电源负极指向正极 D.无法确定 4 .如题图1 — 1所示，a , b 两点间的电压为（ A ）o D. 5V 3\ 2V a b 题图1 — 1
清华大学数字电路题库 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。 A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ）
B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式 Y= A +
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体 三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数 相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是 空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是 电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电 压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后， 一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为 0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电 流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、 流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为 0.25mA ，流过V2的电流为 0.25mA ,输出电压U0为+5V。
《电路》试题六及参考答案 问题1、叠加定理、置换定理结合应用的典型例。 在图示电路中，若要求输出电压)(t u o 不受电压源2s u 的影响，问受控源的控制系数α应为何值？ 解：据叠加定理作出)(2t u s 单独作用时的分解电路图 （注意要将受控源保留），解出)(t u o '并令)(t u o '=0即解得满足不受)(2t u s 影响的α的值。这样的思路求解虽然概念正确，方法也无问题，但因α,L R 是字符表示均未 给出具体数值，中间过程不便合并只能代数式表示，又加之电路中含有受控源， 致使这种思路的求解过程非常繁琐。 根据基本概念再做进一步分析可找到比较简单的方法。因求出的α值应使 0)(='t u o ，那么根据欧姆定律知L R 上的电流为0，应用置换定理将之断开，如解1图所示。（这是能简化运算的关键步骤！） 电流 22 1.06 26//3s s u u i =++=' 电压 21 2.02s u i u -='-=' 由KVL 得 2 22221)2.04.0(1.062.06s s s s s o u u u u i u u u ααα-=?-+-='-+'=' 令上式系数等于零解得 2=α 点评：倘若该题不是首先想到应用叠加定理作分解图，再用置换定理并考虑欧姆定律将L R 作断开置换处理，而是选用网孔法或节点法或等效电源定理求解出 o u 表达式，这时再令表达式中与2s u 有关的分量部分等于零解得α的值，其解算 过程更是麻烦。灵活运用基本概念对问题做透彻分析，寻求解决该问题最简便的方法，这是“能力”训练的重要环节。 1 s u Ω 3Ω 6Ω21u 1 u αo u 2 s u Ω 6s i L R 图1Ω3Ω 6Ω 22 s u Ω 61 u '1u 'α解1图 i ' o u '
《数字电子技术基础》期终考试试题（110分钟）一、填空题：（每空1分，共15分） 1．逻辑函数Y A B C =+的两种标准形式分别为 （）、（）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（）。 3．半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是（）、（）、（）。 4．8位D/A转换器当输入数字量10000000为5v。若只有最低位为高电平，则输出电压为（）v；当输入为10001000，则输出电压为（）v。5．就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言，（）的抗干扰能力强，（）的转换速度快。 6．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。 7．与PAL相比，GAL器件有可编程的输出结构，它是通过对（）进行编程设定其（）的工作模式来实现的，而且由于采用了（）的工艺结构，可以重复编程，使它的通用性很好，使用更为方便灵活。 二、根据要求作题：（共15分） 1．将逻辑函数P=AB+AC写成“与或非”表达式，并用“集电极开路与非门” 来实现。 2．图1、2中电路均由CMOS门电路构成，写出P、Q 的表达式，并画出对应A、 B、C的P、Q波形。
三、分析图3所示电路：（10分） 1）试写出8选1数据选择器的输出函数式； 2）画出A2、A1、A0从000~111连续变化时，Y的波形图； 3）说明电路的逻辑功能。 四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路（采用8421BCD码）。要求只设定一个输出，并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。（15分） 五、已知电路及CP、A的波形如图4(a) (b)所示，设触发器的初态均为“0”，试画出输出端B和C的波形。（8分）