! CMOS Low Power Consumption ! APPLICATIONS ! Dropout Voltage 160V @ 100mA " Battery powered equipment 400mV @ 200mA " Reference voltage sources ! Output Current more than 250mA <5.0V type> " Cameras, Video cameras ! Highly Accurate + 2% " Portable AV systems
! Output Voltage Range 1.2V to 5.0V
" Mobile phones ! Current Limiter Circuit Built-in " Communication tools ! Low ESR Ceramic Capacitor Compatible " Portable games
! GENERAL DESCRIPTION ! FEATURES
The MX6600T series are precise, low power consumpt ion, Maximum Output Current 250mA (5.0V type)
high voltage, positive voltage regulators manufactured using Dropout Voltage
160mV@100mA (5.0V type) CMOS and laser trimming technologies. The series provides Maximum Operating Voltage 6.0V large currents with a significantly small dropout voltage. Output Voltage Range
1.2V to 5.0V The MX6600T series consists of a current limiter circuit, (100mV increments) a driver transistor, a precision reference voltage and an error Highly Accurate
+ 2% correction circuit.
Low Power Consumption 1.0 μA (TYP .) The series is compatible with low ESR ceramic capacitors. Operational Temperature Range
- 40O C to 85O C The current limiter's foldback circuit also operates as a short Ultra Small Packages SOT-23 protect for the output current limiter and the output pin.
SOT-89
Output voltage can be set internally by laser trimming technologies. It is selectable in 100mV increments within a range of 1.2V to 5.0V.
Low ESR ceramic capacitor compatible
SOT-23, SOT-89, TO-92 and USP-6B packages are available.
! TYPICAL APPLICATION CIRCUIT ! TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
SOT-23 (TOP VIEW)
0.30.60.91.21.5
3
456
Input Voltage VIN (V)
S u p p l y C u r r e n t I D D (μA )
TAIWAN
! PIN ASSIGNMENT
PIN NUMBER
SOT-23 SOT-89 TO-92 (T) TO-92 (L)
USP-6B
PIN NAME
FUNCTIONS 1 1 1 2 2 VSS Ground 3 2 2 1 4 VIN Power Input 2 3 3 3 6 VOUT
Output
SOT-23(TOP VIEW)SOT-89(TOP VIEW)
VSS
VIN
VOUT
TAIWAN
" SOT-23
" SOT-89
TAIWAN
TAIWAN
VIEW)
(TOP
VIEW)
(TOP
SOT-23
Represents three pins regulator
SYMBOL
PRODUCT SERIES
VOLTAGE : 0.1 ~ 3.0V VOLTAGE : 3.1 ~ 6.0V
5 6 MX6600Txxxxx
Ta=25O C
PARAMETER SYMBOL RATINGS UNITS Input Voltage VIN 6.0 V Output Current IOUT 500 *
mA Output Voltage
VOUT
VSS – 0.3 ~ VIN + 0.3
V
SOT-23 250 SOT-89 500 USP-6B 100 Power Dissipation
TO-92
Pd 300
mW
Operating Temperature Range Topr - 40 ~ + 85 O
C Storage Temperature Range
Tstg
- 55 ~ + 125
O
C
* IOUT=Pd / (VIN-VOUT)
! ELECTRICAL CHARACTERISTICS
"
O
==
=
= (note 2) VOUT(E) = Effective output voltage (I.e. the output voltage when "VOUT(T)+1.0V" is provided at the VIN pin while maintaining a certain IOUT value.) (note 3) Vdif={VIN1(NOTE5)-VOUT1(NOTE4) }
(note 4) VOUT=A voltage equal to 98% of the output voltage whenever an amply stabilized IOUT {VOUT(T)+1.0V} is input. (note 5) VIN=The Input Voltage when VOUT appears as Input Voltage is gradually decreased. (note 6) Unless otherwise stated, VIN=VOUT(T)+1.0V.
TAIWAN
Circuit 1 Circuit 2 TAIWAN
(1) Output Voltage vs. Output Current
V IN =2.2V V IN =4.0V
MX6600T-1202
MX6600T-3002
TAIWAN
(3) Output Voltage vs. Input Voltage 0.00.51.01.52.02.53.03.54.00100200300400500600V IN =4.0V
Output Current I OUT (mA)O u t p u t V o l t a g e V O U T (V )
0.0
0.51.01.52.02.53.03.5
4.00
100200300400500600
V IN =4.0V
Output Current I OUT (mA)
O u t p u t V o l t a g e V O U T (V )
012
34560100200300400500Output Current I OUT (mA)O u t p u t V o l t a g e V O U T (V )V IN =6.0V 01234560
100200300400500
V IN =6.0V
Output Current I OUT (mA)
O u t p u t V o l t a g e V O U T (V )
MX6600T-5002
MX6600T-3002
(2) Output Voltage vs. Output Current
TAIWAN
MX6600T-3002
MX6600T-5002
(3) Output Voltage vs. Input Voltage (Continued)
(4) Dropout Voltage vs. Output Current
TAIWAN
PRODUCT IDENTIFICATION SYSTEM
To order or obtain information, e.g., on pricing or delivery, refer to the factory or the listed sales office .
Device:MX6600T: Low Quiescent Current LDO T ape and Reel:T ape and Reel only applies to SOT-23 and SOT-89 devices Standard Output Voltage: *
120= 1.2V 180= 1.8V 250= 2.5V 300= 3.0V 330= 3.3V 500
= 5.0V
* Custom output voltages available upon request. Contact your local Microchip sales office for more information
T olerance:
2=2%
T emperature Range:E
=-40°C to +125°C (Extended)
Package:
TO =3-lead TO-92MB =3-lead SOT89TT =3-lead SOT23
PART NO.XXX Voltage MX6600T
X Tolerance
X Temp.Range
XX Package
Output
TAIWAN
! CMOS Low Power Consumption ! APPLICATIONS ! Dropout Voltage 160V @ 100mA " Battery powered equipment 400mV @ 200mA " Reference voltage sources ! Output Current more than 250mA <5.0V type> " Cameras, Video cameras ! Highly Accurate + 2% " Portable AV systems ! Output Voltage Range 1.2V to 5.0V " Mobile phones ! Current Limiter Circuit Built-in " Communication tools ! Low ESR Ceramic Capacitor Compatible " Portable games ! GENERAL DESCRIPTION ! FEATURES The MX6600T series are precise, low power consumpt ion, Maximum Output Current 250mA (5.0V type) high voltage, positive voltage regulators manufactured using Dropout Voltage 160mV@100mA (5.0V type) CMOS and laser trimming technologies. The series provides Maximum Operating Voltage 6.0V large currents with a significantly small dropout voltage. Output Voltage Range 1.2V to 5.0V The MX6600T series consists of a current limiter circuit, (100mV increments) a driver transistor, a precision reference voltage and an error Highly Accurate + 2% correction circuit. Low Power Consumption 1.0 μA (TYP .) The series is compatible with low ESR ceramic capacitors. Operational Temperature Range - 40O C to 85O C The current limiter's foldback circuit also operates as a short Ultra Small Packages SOT-23 protect for the output current limiter and the output pin. SOT-89 Output voltage can be set internally by laser trimming technologies. It is selectable in 100mV increments within a range of 1.2V to 5.0V. Low ESR ceramic capacitor compatible SOT-23, SOT-89, TO-92 and USP-6B packages are available. ! TYPICAL APPLICATION CIRCUIT ! TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS SOT-23 (TOP VIEW) 0.30.60.91.21.5 3 456 Input Voltage VIN (V) S u p p l y C u r r e n t I D D (μA ) TAIWAN
毕业设计文献综述 电子信息科学与技术 集成电路低功耗设计方法研究 摘要:随着IC制造工艺达到纳米级，功耗问题已经与面积、速度一样受到人们关注，并成为制约集成电路发展的关键因素之一。同时，由于电路特征尺寸的缩小，之前相比于电路动态功耗可以忽略的静态漏功耗正不断接近前者，给电路低功耗设计提出了新课题，即低漏功耗设计。本文将分析纳米工艺下芯片功耗的组成和对低漏功耗进行研究的重要性，然后介绍目前主要的低功耗设计方法。此外，由于ASIC技术是目前集成电路发展的趋势和技术主流，而标准单元是ASIC设计快速发展的重要支撑，本文在最后提出了标准单元包低漏功耗设计方法，结合电路级的功耗优化技术，从而拓宽ASIC功耗优化空间。 关键字：低功耗，标准单元，ASIC设计 前言： 自1958年德克萨斯仪器公司制造出第一块集成电路以来，集成电路产业一直以惊人的速度发展着，到目前为止，集成电路基本遵循着摩尔定律发展，即集成度几乎每18个月翻一番。 随着制造工艺的发展，IC设计已经进入了纳米级时代：目前国际上能够投入大规模量产的最先进工艺为40nm，国内的工艺水平正将进入65nm；2009年，Intel酷睿i系列创纪录采用了领先的32nm 工艺，并且下一代22nm工艺正在研发中。但伴随电路特征尺寸的减小，电路功耗数值正呈指数上升，集成电路的发展遭遇了功耗瓶颈。功耗问题已经同面积和速度一样受到人们重视，成为衡量IC设计成功与否的重要指标之一。若在设计时不考虑功耗而功利地追求集成度的提高，则可能会使电路某些部分因功耗过大引起温度过高而导致系统工作不稳定或失效。如Intel的1.5GHz Pentium Ⅳ处理器，拥有的晶体管数量高达4200万只，功率接近95瓦，整机生产商不得不为其配上了特大号风扇来维持其正常工作。功耗的增大不仅将导致器件的可靠性降低、芯片的稳定性下降，同时也给芯片的散热和封装带来问题。因此，功耗已经成为阻碍集成电路进一步发展的难题之一，低功耗设计也已成为集成电路的关键设计技术之一。 一、电路功耗的组成 CMOS电路中有两种主要的功耗来源，动态功耗和静态功耗。其中，动态功耗包括负载电容的充放电功耗(交流开关功耗)和短路电流引起的功耗；静态功耗主要是由漏电流引起的功耗，如图1所示。
Nordic超低功耗蓝牙芯片nRF8001 11月18日，2010年中国无线世界暨物联网大会在京正式举行，C114中国通信网为本届会议的独家战略合作媒体，进行现场全程直播报道。 主持人：下面有请来自Nordic Semiconductor ASA的Sebastien Mackaie-Blanchi先生做演讲，题目是《纽扣电池续航的蓝牙技术》。 Sebastien Mackaie-Blanchi：今天早晨大家听到了关于蓝牙技术的演进路线，下面我给大家更多地介绍一下蓝牙技术低功耗的特点，特别是在纽扣上面低功耗的技术。 今天我给大家介绍一下纽扣电池为什么需要蓝牙技术呢？在设计这样的设备的时候要有什么考虑呢？ 首先我们可以看到纽扣电池已经存在很多年了，比如像你的手表上也会用到纽扣电池，有一些体育运动设备，比如说测量仪表也会使用这个纽扣技术，现在蓝牙技术，特别是4.0的规范给我们提供了很多可能性。无论是什么样的规范我们都在看，而且蓝牙技术也是其中一个选择。蓝牙的低功耗技术将会更好地支持我们的纽扣电池，比如说一些玩具、体育用品以及其他的东西，可能使用的不仅仅是蓝牙技术。我们来看一看到底这个纽扣电池是什么样的呢？它有不同的类型，它们有时候容量很大，有时候容量很小。 请看一下我们的CR1216，它是25毫安，它的容量非常好，这是表标准使用的纽扣电池。大家可以看到，它的平均电流对寿命有着非常大的影响。其中一个非常重要的特征请大家记住，基于25毫安，如果使用这样的功耗的话，每天24小时运行，每周7天来运行，它可以用一年的时间，我们要保证它的平均电流要尽量地低，如果要使用一年的时间，你要保证它的电流要低于25毫安，而且它的峰值电流也是非常重要的，有的时候峰值电流可能是比较高的，如果峰值电流比较高的话，会影响电池的容量。如果它的峰值电流越高的话，它的电池寿命越短。大家在使用纽扣电池的时候，如果它的峰值电流低的话，也意味着它的功耗比较低。在温度不同的情况下使用，它的寿命也是不一样的。所以说在设计纽扣电池的时候我们要考虑两个重要的指标，一个是平均电流，一个是峰值电流。 我们有一个中心的设备，大家可以看到在中间，还有其他的一些外设设备，关键的是可以看到中间的设备它将会保证和传感器的连接，将这个设备连接的时候，中央的设备将会是连接的核心，因为中心的设备将会影响连接的参数，它会决定比如说和传感器多长时间交换一下数据，要和交换器交换多少数据。所以不仅要看传感器的问题，也取决于你的设备，它是不是使用屏幕或者是其他的功能，它的功耗肯定会有所不同。关键的要素在于，如果来看手机的话，它有应用在运行，它就会决定你的连接参数，它会确定出来多快的时间会影响你的功耗。蓝牙技术应该尽量少地使用电能，它们也可以增加包交换的时延，它并不是针对大流量的应用设计的。所以说纽扣电池并不是要以这样的应用，我们只是针对一些非常简单的应用，尽量频率要少的交换数据，比如一些远程的控制或者是其他的一些非常简单的设备。像耳机之类的，这些可能只能使用可充电电池而不能使用纽扣电池。如果从一个设备到另外一个设
TMR 超低功耗全极磁开关 概述 是一款集成了隧道磁阻（TMR ）传感器和CMOS 技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的全极磁开关。采用高精度推挽式半桥TMR 磁传感器和CMOS 集成电路，包括TMR 电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS 输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源，并允许宽的工作电压范围。以低电压工作、1微安级的供电电流、高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。采用两种封装形式：SOT23-3和TO-92S 。 功能框图 产品特性 ? 隧道磁电阻 (TMR) 技术 ? 1.5微安超低功耗 ? 高频率响应可达1kHz ? 全极磁开关 ? 高灵敏度，低开关点 ? 宽工作电压范围 ? 卓越的温度稳定性 ? 优越的抗外磁场性能 典型应用 ? 流量计，包括水表、气表和热量表 ? 接近开关 ? 速度检测 ? 线性及旋转位置检测 磁开关MRS201MRS201MRS201MRS201MRS201MRS201
管脚定义 TO-92S SOT23-3 极限参数 性能参数(V CC = 3.0V, T A = 25°C) 注：在以上测试中，电源和地之间需连接一个0.1μF的电容。
磁特性(V CC = 3.0V, T A = 25°C) 电压和温度特性 输出和磁场关系 注：上电时，在工作磁场为零时，输出信号为高电平。 磁场感应方向磁场强度
MRS201应用指南 封装尺寸 SOT23-3封装图： 平行于TMR 传感器敏感方向的磁场超过工作点门限︱B OPS ︱(︱B OPN ︱)时，输出低电平。当平行于TMR 传感器敏感方向的磁场低于释放点︱B RPS ︱(︱B RPN ︱)时，输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差B H 。 为了降低外部噪音，推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容（靠近传感器）。如应用电路图所示，典型值为0.1μF 。 MRS201
PST72XX Series 0.5A Low Power LDO Features ●Low voltage drop:0.17V@100mA ●High input voltage:15V ●Low temperature coefficient ●Large Output Current:>0.5A ●Low Quiescent Current:1.0uA ●Output voltage accuracy:tolerance±2%●Built-in current limiter ●SOT89,SOT89-5,SOT23-3and SOT23-5 packages Applications ●Battery-powered equipment ●Hand-Hold Equipment ●GRS Receivers ●Wireless LAN General Description The PST72XX series is a group of positive voltage output,three-pin regulators,that provide a high current even when the input/output voltage differential is small.Low power consumption and high accuracy is achieved through CMOS and laser trimming technologies.The consists of a high-precision voltage reference,an error amplification circuit,and a current limited output driver.Transient response to load variations have improved in comparison to the existing series.SOT89,SOT89-5,SOT23-3 and SOT23-5packages are available. Selection Table Part No.Output Voltage Package Marking PST7218xx 1.8V SOT89 SOT89-5 SOT23 SOT23-5 SOT23-5B Refer to Marking rule 7228xx 2.8V 7230xx 3.0V 7233xx 3.3V 7236xx 3.6V 7240xx 4.0V 7245xx 4.5V 7250xx 5.0V Order Information PST72①②③④ Designator Symbol Description 1②Integer Output Voltage(1.8~5.0V) ③ P Package:SOT89 P5Package:SOT89-5 M Package:SOT23-3 M5Package:SOT23-5 M5B Package:SOT23-5B ④R RoHS/Pb Free G Halogen Free PST72XX PST PST PST PST PST PST PST
收稿日期:2006 08 02; 定稿日期:2006 10 09 基金项目:国家自然科学基金资助项目(60475018);国家高技术研究发展计划资助项目(2003A A IZ1100) 一种0.2 mV 20 MHz 600 W 比较器 孙 彤,李冬梅 (清华大学微电子学研究所,北京 100084) 摘 要: 提出了一种低功耗中速高精度比较器。比较器采用3级前置放大器加锁存器的多级结构,应用失调校准技术,用于一个电压2.5V 、速度1MS/s 、精度12位的逐次逼近型A/D 转换器。该比较器采用UM C 0.18 m 混合模式3.3V CMOS 工艺设计制造。仿真结果表明,在2.5V 电 压下,速度可以达到20M H z,准确比较0.2m V 电压,并能有效校准20m V 输入失调,功耗仅为600 W,版图面积为620 m 190 m 。 关键词: 比较器;弱正反馈;失调校准;逐次逼近 中图分类号: T N431.1 文献标识码: A 文章编号:1004 3365(2007)02 0270 04 A 0.2 mV 20 MHz 600 W Comparator SUN To ng ,LI Dong mei (Dep t.of Electronic En gineer ing ,T sing hua Univ ersity ,Be ij ing 100084,P.R.China) Abstract: A low pow er,mo der ate speed and high r eso lutio n co mpar ator is presented,in w hich a multi stag e st ructur e co nsisting of thr ee pr e amplifier s and a latch is ado pt ed,and an offset cancellatio n technique is used.De sig ned and fabr icated in U M C s 0.18 m mix ed mo de 3.3V CM O S t echnolog y,the co mpar ator is used in a 2.5V,1M S/s,12 bit successive appr ox imatio n analog t o digital conv er ter.Simulatio n r esults show that it can distinguish 0.2mV at 20M H z under 2.5V supply vo ltag e,and can calibr ate 20mV input offset effectively ,w ith o nly 600 W po wer co nsumpt ion.T he com par ator occupies a chip ar ea of 620 m 190 m. Key words: Comparato r;Weak po sitiv e feedback;O ffset cancellatio n;Successive appr ox imatio n EEACC : 2570D 1 引 言 比较器是A/D 转换器中的核心单元,其精度、速度、失调、功耗等指标对整个A/D 转换器的性能 有重要影响。高速比较器速度较快,可以达到1.8GH z [1],一般采用锁存器(latch)结构,但是失调比较大,精度在8位以下,用于闪烁(Flash)、流水线(Pipeline)等高速A/D 转换器[2 4]。高精度比较器可以分辨较小的电压,但是速度相对比较慢,一般采用多级结构,而且通常采用失调校准技术[5, 6] ,可以 应用于较高精度的逐次逼近型A /D 转换器。 本文设计的比较器用于一个逐次逼近型A/D 转 换器,该A/D 转换器正确的电源电压为2.5V 、采样率1MS/s 、12位精度,计划使用UMC 0.18 m 混合模式(mixed mode)3.3V CMOS 工艺制造。为了满 足该A/D 转换器的性能指标,需要一种中速高精度的比较器。本文对该比较器进行了论述,第二部分详细分析了该比较器的结构,第三部分列出了仿真结果,第四部分给出了该比较器的版图。 2 比较器结构 对于电源电压为2.5V 、速度1M S/s 、精度12位的逐次逼近型A/D 转换器,要求比较器至少能够分辨1/2LSB,即0.3mV 电压,速度在12M H z 以 第37卷第2期2007年4月 微电子学Microelectronics V ol 37,!2A pr 2007
超低功耗、低压差、小封装LDO 上海英联电子科技有限公司杨永华徐宁一、前言 传统的LDO功耗较大，静态工作电流在100uA左右。对于电池供电的设备，由于大部分时间处于休眠状态，MCU的工作电流仅为几微安，传统LDO的功耗显然不能满足设计要求。 上海英联电子采用低功耗的CMOS工艺，推出了UM1550、UM1560系列，8V静态工作电流仅为2.5uA（V IN=8V），输入电压范围很宽，1.8V～ 8V，输出电流可达250mA。1.8V的超低输入电压，250mV的低压差（I OUT=200mA）可最大限度的使用电池。该系列产品可用于电池供电和电源供电两种模式，为客户省去一个LDO，最小封装仅为DFN 1mmX1mm，降低成本、节省空间、延长电池的使用寿命。 二、UM1550、UM1560的重要参数 英联的UM1550、UM1560系列是超低静态工作电流的电压稳压器,可使用1μF以上的陶瓷电容器作为输出电容。输入电压范围：1.8V～8V，输出电压范围为1.2V～5V。 UM1550系列提供两种封装供客户选择，SOT23-3、SOT89-3、DFN 1X1、DFN 2X2，与市面同类型芯片兼容。UM1560系列带有使能管脚，封装为SOT23-5、DFN 1X1、DFN 2X2。其主要参数如表1所示： 表1 特性参数表 Symbol Parameter Test conditions Min Typ Max Unit V IN Input Voltage Range 1.8 8 V V OUT Output Voltage Range 1.2 5.0 V I Q Quiescent Current I OUT=0mA,V IN=8.0V 2.5 3.5 μA △V DO Dropout Voltage IOUT=200mA 250 330 mV V IH SHDN Input Hi gh Voltage VIN=1.8V to 8V 1.2 I SHDN SHDN Input Current SHDN=VIN or GND 1 μA I OUT Output C urrent 250 mA I LIIMT Current Limit R L=1Ω 280 360 500 mA 1、静态电流Iq 静态电流为输出电流与输如电流的差，LDO的效率与输入、输出电压和静态工作电流有关。效率可由以下公式算出： 效率=Vo×Io (Io+Iq)×Vin×100% 由公式可看出，当LDO处于轻负载情况下，静态电流就显得尤为重要，Iq值越小，效率越高。图1为UM1550、UM1560系列LDO在不同输入电压情况下的Iq值。
为了延长电池寿命，放大器必须提供非常低的待机功耗工作方式、低电压工作和满电源摆幅(R-R)输出能力。便携式应用设计工程师，尤其是医用设备市场中的设计工程师，都在承受着低成本和延长电池寿命同时不牺牲精度的持续压力。美国模拟器件公司(ADI)公司的最新放大器为业界提供高精度、低功耗、小尺寸和低价格的最完美的结合。 ADI日前发布一系列低成本放大器，它们在低电压和最低功耗条件下工作，但是不牺牲需要精密信号调理的便携式应用所要求的精度。ADI此次推出的产品包括： 自稳零放大器：AD8538在当今市场的自稳零放大器中具有业界最佳的精度功耗比，所以适合用于要求低失调电压以及低失调电压时间漂移和温度漂移的信号路径。 精密运算放大器：AD8613系列运算放大器提供业界低噪声、低功耗、低电压和低价格的最完美结合。 “降低成本并且延长电池寿命――而不牺牲精度――是便携式医用应用设计工程师所面临的最大难题。”ADI公司精密信号处理部产品线总监Steve Sockolov先生说。这些新的放大器扩展了我们的产品种类，并且满足了对提供适合便携式医用设备精度的低电压放大器不断增长的需求。最新自稳零放大器适合高端便携式医用设备设计，并且低噪声运算放大器系列产品为从双节电池到多节电池供电设备的模拟前端提供了一个低成本解决方案。 AD8538仅需要150μA的电源电流，所以其低温漂是同类器件的1/3――相当于需要1mA 以上电源电流的产品所能达到的温漂性能水平。AD8538的低功耗和高精度性能使其很适合于很多市场，例如医用设备、压力传感器和温度传感器以及汽车电子设备。 AD8538的失调漂移仅为0.01μV/°C，在低电源电流条件下提供业界最低的失调漂移。与延缓新产品面世时间并且需要比较复杂和费用高的硬件和软件――分立的系统级自动校准方法相比，AD8538为设计工程师节省了大量的成本和时间。这款器件卓越的精度――最大1 2μV的失调和仅为1μVp-p的低频噪声――能够完成高精度和稳定的系统设计，没有使用需要外部自动校准解决方案带来的成本、尺寸和复杂性问题。 AD8613，AD8617和AD8619分别是具有R-R输入和输出特性的单运算放大器、双运算放大器和四运算放大器。与同类器件相比，它们提供降低了50%的噪声和降低了30%的功耗并且提高了两倍的精度。AD861x系列完全保证电源电压降低到1.8V正常工作，使其适合电池供电设备，例如温度监测器和二氧化碳检测器，这里电源管理和可靠性是至关重要的。 AD8613系列器件仅需38μA的电源电流最大值和1.8V～5V的工作电压。这些器件在消费类医用设备和低成本工业应用中达到高精密度水平，具有仅为2mV最大值的低失调电压、1pA最大值的超低输入偏置电流，以及22nV/√Hz的低噪声。AD8613系列很适合要求在整个信号通路中放大并维持低噪声的便携式应用。其R-R输出特性使其适合在低功耗12位和16位应用中驱动模数转换器(ADC)和缓冲数模转换器(DAC)。
LD27L2 双通道精密运算放大电路 1、概述 LD27L2是一款有极低失调电压、高输入阻抗、轨对轨的运算放大器电路。主要应用于各种需要使用精密运算放大器的领域，其特点如下： z极低的输入失调电压，典型条件下小于1mV； z超低功耗，静态工作电流小于3uA z宽电压工作范围，1.8V~6.0V z高输入阻抗，典型为1013Ω； z超低的失调点偏移 z单位增益带宽14KHz z封装形式：SOP8 2、功能框图与引脚说明 2. 1、功能框图
2. 2、引脚排列图 2. 3、引脚说明与结构原理图 序号管脚名功能描述 1 OUT1 运放1的输出端 2 IN1‐ 运放1的反向输入端 3 IN1+ 运放1的正向输入端 4 GND 电源地 5 IN2+ 运放2的正向输入端 6 IN2‐ 运放2的反向输入端 7 OUT2 运放2的输出端 8 VDD 电源输入端
3、电特性 3. 1、极限参数 参 数 名 称 符 号 额 定 值 单 位 最大电源电压 IVsmax 6 V 输入电压范围 V I GND-0.3~VDD V 差分输入电压 VDD-GND V 工作环境温度 T amb -40~+85 ℃ 贮存温度 T stg -55~+125 ℃ 3. 2、电特性（VDD=2.2~5V ，T A =25℃） 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件规 范 值 单 位最小 典型最大 工作电压 V DD 1.8 - 6.0 V 静态工作电流 I DD - 0.8 3 uA 输入失调电压 V OS - 1 2 mV 输入失调温度系数 -40℃~+85℃ - 1.3 - uV/℃电源抑制 V PSRR - 85 90 dB 输入偏置电流 I B - 1 - pA 输入失调电流 I OS - 1 - pA 共模输入阻抗 Z CM - 1013- Ω 差模输入阻抗 Z DIFF - 1013- Ω 共模输入电压 V CMR GND-0.3- VDD+0.3 V 共模抑制比 CMRR VDD=5V 60 90 - dB 单位增益带宽 B I VI=10mV 14 KHz 输出短路电流 I SC VDD=2.2V - 3 - mA VDD=5V - 20 - mA
超低功耗电路的设计原则及设计分析 以手机为代表的电池供电电路的兴起,为便携式仪表开创了一个新的纪元。超低功耗电路系统(包括超低功耗的电源、单片机、放大器、液晶显示屏等)已经对电路设计人员形成了极大的诱惑。毫无疑问,超低功耗电路设计已经对低功耗电路提出了挑战,并将扩展成为电子电路中的一个重要应用领域。 虽然超低功耗设计仍然是在CMOS集成电路(IC)基础上发展起来的,但是因为用户众多,数千种专用或通用超低功耗IC不断涌现,使设计人员不再在传统的CMOS型IC上下功夫,转而选择新型超低功耗IC,致使近年来产生了多种超低功耗仪表。电池供电的水表、暖气表和煤气表近几年能够发展起来就是一个证明。目前,电池供电的单片机则是超低功耗IC的代表。 本文将对超低功耗电路设计原则进行分析,并就怎样设计成超低功耗的产品作一些论述,从而证明了这种电路在电路结构和性价比等方面对传统电路极具竞争力。 1 CMOS集成电路的功耗分析 无论是低功耗还是超低功耗IC,主要还是建立在CMOS电路基础上的。虽然超低功耗IC 对单元电路进行了新形式的设计,但作为功耗分析,仍然离不开CMOS电路基本原理。以74系列为代表的TTL集成电路,每门的平均功耗约为10mW;低功耗的TTL集成电路,每门平均功耗只有1mW。74系列高速CMOS电路,每门平均功耗约为10μW;而超低功耗CMOS 通用小规模IC,整片的静态平均功耗却可低于10μW。传统的单片机,休眠电流常在50μA～2mA范围内;而超低功耗的单片机休眠电流可达到1μA以下。 CMOS电路的动态功耗不仅取决于负载,而且就电路内部而言,功耗与电源电压、集成度、输出电平以及工作频率都有密切联系。因此设计超低功耗电路时不得不对全部元件的内外性质做仔细分析。 CHMOS或CMOS电路的功耗特性一般可以表示为: P=PD+PA
GS6001.6002.6004描述 GS6001系列的增益带宽乘积为1MHz，转换速率为0.8V /μs，在5V时的静态电流为75μA/放大器。GS6001系列旨在在低压和低噪声系统中提供最佳性能。它们可将轨到轨的输出摆幅转换成重负载。输入共模电压范围包括地，对于GS6001系列，最大输入失调电压为3.5mV。它们的额定温度范围为扩展的工业温度范围（-40℃至+ 125℃）。工作范围为1.8V至6V。 GS6001单个采用绿色SC70-5和SOT23-5封装。 GS6002 Dual采用绿色SOP-8和MSOP-8封装。 GS6004 Quad具有绿色SOP-14和TSSOP-14封装。 应用： ASIC输入或输出放大器 ?传感器接口 ?医学交流 ? 烟雾探测器 ? 音频输出 ?压电换能器 ?医疗仪器 ?便携式系统 特征： ?+ 1.8V?+ 6V单电源供电 ?轨到轨输入/输出 ?增益带宽乘积：1MHz（典型值） ?低输入偏置电流：1pA（典型值） ?低失调电压：3.5mV（最大值） ?静态电流：每个放大器75μA（典型值） ?嵌入式射频抗电磁干扰滤波器 ?工作温度：-40°C?+ 125°C ?包装： GS6001提供SOT23-5和SC70-5封装 GS6002提供SOP-8和MSOP-8封装 GS6004提供SOP-14和TSSOP-14封装
Features ?Single-Supply Operation from +1.8V ~ +6V ?Operating Temperature: -40°C ~ +125°C ?Rail-to-Rail Input / Output ?Small Package: ?Gain-Bandwidth Product: 1MHz (Typ.) GS6001 Available in SOT23-5 and SC70-5 Packages ?Low Input Bias Current: 1pA (Typ.) GS6002 Available in SOP-8 and MSOP-8 Packages ?Low Offset Voltage: 3.5mV (Max.) GS6004 Available in SOP-14 and TSSOP-14 Packages ?Quiescent Current: 75μA per Amplifier (Typ.) ?Embedded RF Anti-EMI Filter General Description The GS6001 family have a high gain-bandwidth product of 1MHz, a slew rate of 0.8V/ s, and a quiescent current of 75 A/amplifier at 5V. The GS6001 family is designed to provide optimal performance in low voltage and low noise systems. They provide rail-to-rail output swing into heavy loads. The input common mode voltage range includes ground, and the maximum input offset voltage is 3.5mV for GS6001 family. They are specified over the extended industrial temperature range (-40 to +125 ). The operating range is from 1.8V to 6V. The GS6001 single is available in Green SC70-5 and SOT23-5 packages. The GS6002 dual is available in Green SOP-8 and MSOP-8 packages. The GS6004 Quad is available in Green SOP-14 and TSSOP-14 packages. Applications ?ASIC Input or Output Amplifier ?Audio Output ?Sensor Interface ?Piezoelectric Transducer Amplifier ?Medical Communication ?Medical Instrumentation ?Smoke Detectors ?Portable Systems Pin Configuration Figure 1. Pin Assignment Diagram
描述： GS8551/GS8552/GS8554放大器是单/双/四电源，微功耗，零漂移CMOS运算放大器，这些放大器提供1.8MHz的带宽，轨至轨输入和输出以及1.8V至5.5V的单电源供电。 GS855X使用斩波稳定技术来提供非常低的失调电压（最大值小于5μV），并且在整个温度范围内漂移接近零。每个放大器的静态电源电流低至180μA，输入偏置电流极低，仅为20pA，因此该器件是低失调，低功耗和高阻抗应用的理想选择。 GS855X提供了出色的CMRR，而没有与传统的互补输入级相关的分频器。该设计为驱动模数转换器带来了卓越的性能 转换器（ADC），而不会降低差分线性度。 GS8551提供SOT23-5和SOP-8封装。 GS8552提供MSOP-8和SOP-8封装。GS8554 Quad具有绿色SOP-14和TSSOP-14封装。在所有电源电压下，-45oC至+ 125oC的扩展温度范围提供了额外的设计灵活性。 特点： + 1.8V?+ 5.5V单电源供电?嵌入式RF抗EMI滤波器 ?轨到轨输入/输出?小型封装： ?增益带宽乘积：1.8MHz（典型@ 25°C）GS8551采用SOT23-5和SOP-8封装?低输入偏置电流：20pA（典型值@ 25°C）GS8552采用MSOP-8和SOP-8封装?低失调电压：30μV（最大@ 25°C）GS8554采用SOP-14和TSSOP-14封装?静态电流：每个放大器180μA（典型值） ?工作温度：-45°C?+ 125°C ?零漂移：0.03μV / oC（典型值） 应用： 换能器应用 ?手持测试设备 ?温度测量 ?电池供电的仪器 ?电子秤
GS8591/GS8592/GS8594放大器是单/双/四电源，微功耗，零漂移CMOS运算放大器，这些放大器提供4.5MHz的带宽，轨至轨输入和输出以及1.8V至5.5V的单电源供电。 GS859X使用斩波稳定技术来提供非常低的失调电压（最大值小于50μV），并且在整个温度范围内漂移接近零。每个放大器550μA的低静态电源电流和20pA的极低输入偏置电流使这些器件成为低失调，低功耗和高阻抗应用的理想选择。 GS859X提供了出色的CMRR，而没有与传统的互补输入级相关的分频器。这种设计在驱动模数转换器（ADC）方面具有卓越的性能，而不会降低差分线性度。 GS8591提供SOT23-5和SOP-8封装。 GS8592提供MSOP-8和SOP-8封装。GS8594 Quad具有绿色SOP-14和TSSOP-14封装。在所有电源电压下，-45oC 至+ 125oC的扩展温度范围提供了额外的设计灵活性。 特性： + 1.8V?+ 5.5V单电源供电?嵌入式RF抗EMI滤波器 ?轨到轨输入/输出?小型封装： ?增益带宽乘积：4.5MHz（典型@ 25°C）GS8591采用SOT23-5和SOP-8封装?低输入偏置电流：20pA（典型值@ 25°C）GS8592采用MSOP-8和SOP-8封装 ?低失调电压：30μV（最大@ 25°C）GS8594采用SOP-14和TSSOP-14封装?静态电流：每个放大器550μA（典型值） ?工作温度：-45°C?+ 125°C ?零漂移：0.03μV / oC（典型值）
Features ?Single-Supply Operation from +1.8V ~ +5.5V ?Embedded RF Anti-EMI Filter ?Rail-to-Rail Input / Output ?Small Package: ?Gain-Bandwidth Product: 4.5MHz (Typ. @25°C) GS8591 Available in SOT23-5 and SOP-8 Packages ?Low Input Bias Current: 20pA (Typ. @25°C) GS8592 Available in MSOP-8 and SOP-8 Packages ?Low Offset Voltage: 30μV (Max. @25°C) GS8594 Available in SOP-14 and TSSOP-14 Packages ?Quiescent Current: 550μA per Amplifier (Typ.) ?Operating Temperature: -45°C ~ +125°C ?Zero Drift: 0.03μV/o C (Typ.) General Description The GS859X amplifier is single/dual/quad supply, micro-power, zero-drift CMOS operational amplifiers, the amplifiers offer bandwidth of 4.5MHz, rail-to-rail inputs and outputs, and single-supply operation from 1.8V to 5.5V. GS859X uses chopper stabilized technique to provide very low offset voltage (less than 50μV maximum) and near zero drift over temperature. Low quiescent supply current of 550μA per amplifier and very low input bias current of 20pA make the devices an ideal choice for low offset, low power consumption and high impedance applications. The GS859X offers excellent CMRR without the crossover associated with traditional complementary input stages. This design results in superior performance for driving analog-to-digital converters (ADCs) without degradation of differential linearity. The GS8591 is available in SOT23-5 and SOP-8 packages. And the GS8592 is available in MSOP-8 and SOP-8 packages. The GS8594 Quad is available in Green SOP-14 and TSSOP-14 packages. The extended temperature range of -45o C to +125o C over all supply voltages offers additional design flexibility. Applications ?Transducer Application ?Handheld Test Equipment ?Temperature Measurements ?Battery-Powered Instrumentation ?Electronics Scales Pin Configuration Figure 1. Pin Assignment Diagram
浅谈低功耗控制电路和程序设计思路 一：首先了解芯片的内部功耗 芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节，其中晶片片制作过程尤为的复杂。首先是芯片设计，根据设计的需求，生成的"图样"开发一个手持设备，有一个设计重点问题是必须要重视和解决的。那就是在待机状态下如何做到最省电，即在待机状态下如何做到尽可能的低功耗，比如用芯唐科技的Cortex-M0内核的NUC100做手持电台的开发， 1、首先要了解的就是该芯片在深度休眠或睡眠模式下功耗是多少(即该模式下的工作电流时多大，注一般的芯片都是uA级别的)。 通过查看NUC100芯片资料(在每个芯片手册电气特性或DC电气特性一节会有说明)了解到该芯片的工作最大电流(体积小、低功耗、效率高、低闸极数、指令精简的处理器，8位机价格，32位机效能，C-语言，与Cortex-M3开发工具以及二进制程序代码兼容，便利的开发环境Keil?RVMDK和IAR EWARM,180uLL制程并运用ARM标准单元资源库，低闸极数的空间内，功耗低到85microwatts/MHz以下，NUC1xx系列包括：NUC100/ NUC120/NUC130/NUC140,NUC100Cortex?-M0内核系列最高可运行至50MHz外部时钟。)和深度休眠模式下的最低功耗(最低功耗有Ipwd1,Ipwd2,Ipwd3,Ipwd4,表示NUC100内部的模块工作需要外部提供四个VDD接口，计算功耗时要把他们累加起来，这里给出了每个VDD接口的休眠模式下最低功耗值，当然如果芯片可以关闭某个模块的对应的VDD,那就可以降低更多不必要的功耗了)