电子束曝光EBL培训

电子束曝光技术课程1

电子束曝光技术

集成技术中心技术报告电子束曝光技术中国科学院半导体研究所 半导体集成技术工程研究中心韩伟华Email: weihua@提要„ 设备的组成、性能及相关工艺设备 „ 电子束曝光设备的操作程序 „ 电子束曝光的关键技术¾¾ ¾ ¾ ¾ ¾ ¾曝光模板的设计 电子束光刻胶的厚度控制 电子束的聚焦 坐标系的建立与写场对准 纳米套刻技术 电子束扫描方式与曝光 电子束剂量

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基于扫描电镜的电子束曝光系统Raith

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1 引言在过去的几年中，微电子技术已发展到深亚微米阶段，并正在向纳米阶段推进。在此期间，与微电子领域相关的微/纳加工技术得到了飞速发展，如图形曝光（光刻）技术、材料刻蚀技术、薄膜生成技术、离子注入技术和粘结互连技术等。在这些加工技术中，图形曝光技术是微电子制造技术发展的主要推动者，正是由于曝光图形的分辨率和套刻精度的不断提高，促使集成电路集成度不断提高和制备

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VOYAGER普通用户操作说明和高级用户维护细则（20171212 整理）一、普通用户进入：Raith service administer 和Voyager 的工作界面是常开的。用户不再细分，统一用管理员指定电压/光阑组合进行操作。50KeV 对于A2 950K/200K的PMMA Area Dose 最佳值342.5μC/cm2, 500也可以。1.找样