表面复合对少子寿命测量影响的定量分析我们测量硅单晶、铸造多晶以及单晶硅片、多晶硅片的少子寿命，都希望得到与真实体寿命b τ相接近的测量值（表观寿命），而不是一个受表面影响很大的表面复合寿命s τ。因为在寿命测量中只有b τ才能真正反映半导体材料的内在质量，而表面复合寿命只能反映样品的表面状态，是随表面状态变化而变化的变数。通过仪器测量出的寿命值我们一般称为表

第三章：少数载流子寿命测试少数载流子寿命是半导体材料的一个重要参数，它在半导体发展之初就已经存在了。早在20世纪50年代，Shockley 和Hall等人就已经报道过有关少数载流子的复合理论[1-4]，之后虽然陆续有人研究半导体中少数载流子的寿命，但由于当时测试设备简陋，样品制备困难，尤其对于测试结果无法进行系统地分析。因此对于少数载流子寿命的研究并没有引起

少子寿命测试原理

表面复合对少子寿命测量影响的定量分析我们测量硅单晶、铸造多晶以及单晶硅片、多晶硅片的少子寿命，都希望得到与真实体寿命b t 相接近的测量值（表观寿命），而不是一个受表面影响很大的表面复合寿命s t 。因为在寿命测量中只有b t 才能真正反映半导体材料的内在质量，而表面复合寿命只能反映样品的表面状态，是随表面状态变化而变化的变数。通过仪器测量出的寿命值我们一般

WT-2000少子寿命测试仪的原理及性能

Abruptness of a-Si:H/c-Si interface revealed by carrier lifetime measurementsStefaan De Wolf and Michio KondoCitation: Appl. Phys. Lett. 90, 042111 (2007); doi: 10.1063/1.2432297Vi

高频光电导衰减法测量Si 中少子寿命预习报告：一，什么是少子寿命？少子，即少数载流子。少子寿命指少子的平均生存时间，寿命标志少子浓度减少到原值的1/e 所经历的时间。少数载流子寿命是与半导体中重金属含量、晶体结构完整性直接有关的物理量。它对半导体太阳电池的换能效率、半导体探测器的探测率和发光二极管的发光效率等都有影响。 二，如何测量少子寿命？测量非平衡少数载

在硅的各种加工过程中，硅表面上通常都有离子吸附，它们引起半导体内的表面势垒产生耗尽层或反型层。光照在半导体表面时，能量稍大于半导体禁带宽度的光子，将会把价带中的电子激发到导带，从而形成电子空穴对，并向低密度区扩散。由于表面上存在着耗尽区，其电场将电子-空穴分离，产生表面光电压（SPV ）。理论计算α-=++1Φ1()(1)effP A S V L L （1）

少子寿命测试方法

第三章：少数载流子寿命测试少数载流子寿命是半导体材料的一个重要参数，它在半导体发展之初就已经存在了。早在20世纪50年代，Shockley 和Hall等人就已经报道过有关少数载流子的复合理论[1-4]，之后虽然陆续有人研究半导体中少数载流子的寿命，但由于当时测试设备简陋，样品制备困难，尤其对于测试结果无法进行系统地分析。因此对于少数载流子寿命的研究并没有引起

少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。它相对于多子而言。半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。如，在 N型半导体中,空穴是少数载流子，电子是多数载流子；在P型半导

少子寿命测量

实验：半导体少子寿命的测量一．实验的目的与意义非平衡少数载流子（少子）寿命是半导体材料与器件的一个重要参数。其测量方法主要有稳态法和瞬态法。高频光电导衰退法是瞬态测量方法，它可以通过直接观测少子的复合衰减过程测得其寿命。通过采用高频光电导衰退法测量半导体硅的少子寿命，加深学生对半导体非平衡载流子理论的理解，使学生学会用高频光电导测试仪和示波器来测量半导体少子

少子寿命介绍

少子寿命检测设备结构原理及维护要点少子寿命设备的应用对于太阳能工业而言，少子寿命是一个非常重要的指标，它表征了硅料内部缺陷的多少，当然也就直接指出了太阳能电池品质的好坏。由于电池制造过程又是不可逆的，那么在电池工艺之前就了解其品质是极其重要的，少子寿命测量就为此提供了非常直观可靠的依据。其应用也很广泛，多晶铸锭去头尾、单晶硅棒截头尾、硅片少子寿命测量等，无论

1.少子寿命测试及微波光电导衰退法

少子寿命介绍

少子寿命

美国SINTON少子寿命测试仪准稳态光导寿命测试仪系统构成分为二大功能部分：一为准稳态光电导少子寿命测试部分；二为Suns-Voc功能测试部分；。。对三部分各自的技术指标及构成要求如下：1.准稳态光电导少子寿命测试部分：1）测量原理QSSPC（准稳态光电导）2）少子寿命测量范围100 ns-10 ms3）测试模式：QSSPC,瞬态，寿命归一化分析4）电阻率测

LT-100C数字式硅晶体少子寿命测试仪使用说明书广州市昆德科技有限公司目录1.概述 (1)2.设备的组成及技术指标 (2)3.仪器的使用 (3)4.寿命值的测试读数方法 (6)5.数字示波器的使用 (9)6.寿命测量准确度的校核方法 (12)7.仪器结构及维修 (13)8.整机体积、重量、电源 (14)1.概述1.1.LT-100C高频光电导少数载流子寿命