半导体物理第八章

半导体物理第八章课件

半导体物理第八章

第8章 半导体表面与MIS 结构许多半导体器件的特性都和半导体的表面性质有着密切关系，例如，晶体管和集成电路的工作参数及其稳定性在很大程度上受半导体表面状态的影响；而MOS 器件、电荷耦合器件和表面发光器件等，本就是利用半导体表面效应制成的。因此．研究半导体表面现象，发展相关理论，对于改善器件性能，提高器件稳定性，以及开发新型器件等都有着十分重要的意义。§8

半导体物理分章答案第八章

半导体物理_第八章

半导体物理课件-第八章-1

第8章 半导体表面与MIS 结构许多半导体器件的特性都和半导体的表面性质有着密切关系，例如，晶体管和集成电路的工作参数及其稳定性在很大程度上受半导体表面状态的影响；而MOS 器件、电荷耦合器件和表面发光器件等，本就是利用半导体表面效应制成的。因此．研究半导体表面现象，发展相关理论，对于改善器件性能，提高器件稳定性，以及开发新型器件等都有着十分重要的意义。§8

半导体物理 第八章

半导体物理 第八章4

华南理工大学半导体物理第八章课件

半导体物理学第八章

《半导体物理》习题答案第八章

尼曼半导体物理与器件第八章

半导体物理学第七版刘恩科编著第八章习题

第8章(刘恩科)半导体物理

第8章 半导体表面与MIS 结构2.对于电阻率为8cm Ω⋅的n 型硅，求当表面势0.24s V V =-时耗尽层的宽度。解：当8cm ρ=Ω⋅时：由图4-15查得1435.810D N cm -=⨯∵22D d s rs qN x V εε=-，∴1022()rs s d D V x qN εε=-代入数据：11141352219145211.68.851

半导体物理学第八章

半导体物理2013(第八章)

半导体物理第八章-2014