范德堡测试方法与变温霍尔效应摘要：本实验采用范德堡测试方法，测量样品霍耳系数及电导率随温度的变化，可以确定一些主要特性参数——禁带宽度，杂质电离能，电导率，载流子浓度，材料的纯度及迁移率，从而进一步探讨导电类型，导电机理及散射机制。关键词：霍尔效应、范德堡测试法、霍尔系数、电导率引言：对通电导体或半导体施加一与电流方向相垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上

实验8—1变温霍尔效应引言1879年，霍尔(E.H.Hall)在研究通有电流的导体在磁场中受力的情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应”。在半导体材料中，霍尔效应比在金属中大几个数量级，引起人们对它的深入研究。霍尔效应的研究在半导体理论的发展中起了重要的推动作用。直到现在，霍尔效应的测量仍是研究半导体性质的重要实验方法

学号：PB07203143 姓名：王一飞院（系）：物理系变温霍尔效应【实验目的】1、通过该实验，学习利用变温霍尔效应测量半导体薄膜的多种电学性质的方法。2、掌握霍尔系数、霍尔迁移率和电导率的测量方法，了解它们随温度的变化规律。3、测定样品的导电类型和载流子浓度，并计算出禁带宽度和杂质电离能等。【实验原理】1、半导体的能带结构和载流子浓度本征半导体中本征载流子

霍尔效应Hall Effect

变温霍尔效应摘要：本实验利用范德堡法测量变温霍尔效应，在80K-300K的温度范围内测量了碲镉汞单晶霍尔电压随温度变化，而后对数据进行了分析，做出ln|R H|−1/T图，找出了不同温度范围的图像变化特点，分析结果从而研究了碲镉汞的结构特点和导电机制。关键词：霍尔效应半导体载流子霍尔系数一、引言对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场，则在垂直于电流和

变温霍尔效应如果在电流的垂直方向加以磁场，则在同电流和磁场都垂直的方向上，将建立起一个电场，这种现象称为霍耳效应。霍尔效应是1879年霍耳在研究导体在磁场中受力的性质时发现的，对分析和研究半导体材料的电输运性质具有十分重要的意义。目前，霍耳效应不仅用来确定半导体材料的性质，利用霍耳效应制备的霍耳器件在科学研究、工业生产上都有着广泛的应用。通过变温霍尔效应测量

变温霍尔效应测试系统使用说明书一、概述本仪器系统由可换向永磁磁铁、SV－12变温恒温器、控温仪、CVM－200电输运性质测试仪、连接电缆和装在恒温器内冷指上的霍尔探头、标准样品组成。本仪器用于霍尔效应、载流子类型、载流子类型转变的演示和学生实验。也可焊脱恒温器内随机样品的引线，换上用户样品，用于科学研究；例如变温磁阻、超导、电阻温度特性、变温光电、变温磁光（

变温霍耳效应实验日期：2013.11.11 指导老师：王亚非【摘要】：本实验我们研究了样品（锑化铟）的霍尔系数随温度的变化情况。利用液氮控制样品的温度，通过测量不同温度下的霍尔电压来计算出变温情况下的霍尔系数，画出温度80-300k 范围内样品的()T ln 1/H H N RL H V T R T V V R T --+--、、和曲线来研究禁带宽度、载流子

变温霍尔效应【摘要】本实验采用范德堡测试方法，利用液氮对样品（锑化铟）的温度进行控制，测量了不同温度下样品的霍尔电压，画出了在80-300K温度范围内样品的ln|R H|−1T⁄和R H−T曲线，分析并得出了变温下样品霍尔系数的变化规律，估算出了电子迁移率与空穴迁移率的比值b≈24.17。同时对变温霍尔测量中出现的负效应E N+E RL的影响进行了分析。关键

学号：PB07203143姓名：王一飞院（系）：物理系变温霍尔效应调研报告1、霍尔测量控温系统的构成可换向永磁磁铁、变温恒温器、控温仪、电输运性质测试仪、连接电缆和装在恒温器内冷指上的霍尔探头、样品组成。变温恒温器可换向永磁铁控温仪CVM-200表2、PID工作原理在实验中，通常需要把某些物理量（如温度、压力、流量、液位等）维持在指定的数值上。当这些物理量偏

变温霍尔效应

变温霍尔效应测量半导体电学特性霍尔效应的测量是研究半导体性质的重要实验方法。利用霍尔系数和电导率的联合测量，可以用来确定半导体的导电类型和载流子浓度。通过测量霍尔系数与电导率随温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度系数等基本参数。本实验通过对霍尔样品在弱场条件下进行变温霍尔系数和电导率的测量，来确定半导体材料的各种性质。【实验目的】1

实验8.2 变温霍尔效应前言美国物理学家霍尔(Edwin Herbert Hall ，1855～1938) 1879年在研究载流导体在磁场中的受力情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这种现象称为“霍尔效应”.根据霍尔效应，人们用半导体材料制成霍尔元件，它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点，因此在测量

实验十九 霍尔效应－电导率的测定一、实验目的1. 掌握霍尔效应产生的原理。2. 了解变温霍尔效应测试系统的使用方法。3. 掌握测量材料电阻率的基本原理和方法。二、实验原理1. 霍尔效应霍尔效应是指在外加磁场下，处于导电状态的材料中的载流子由于受洛伦兹力的作用运动发生偏转，在垂直于磁场方向的材料的两端积聚异种电荷的现象。并且当外加磁场一定，电流不变以及温度恒定

实验四 霍尔效应一.实验目的1. 认识霍尔效应，理解产生霍尔效应的机理。2. 测绘霍尔元件的H S V I -、H M V I -曲线，了解霍尔电势差H V 与霍尔元件工作电流S I 、磁感应强度B 及励磁电流M I 之间的关系。3. 学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统。二.实验原理1．霍尔效应法测量磁场原理一块长方形金属薄片或者半导体薄片，若在某

变温霍尔效应对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现，这个现象于1879年为物理学家霍尔所发现，故称为霍尔效应。在20世纪的前半个世纪，霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发展，特别是在半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料电输运特征，至今仍然是半导体材料研制工作中必不可少的

半导体霍尔效应实验

霍尔效应

变温霍尔效应

变温霍尔效应实验指示书_2010_812705706