半导体制造技术深紫外DUV

半导体制造技术第十章PPT

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✓版上缺陷可以修补✓蒙膜(pellicle)保护防止颗 粒玷污高透明度（散射小） 热膨胀小光刻胶10～15nmARC（antireflection coating） 80nmCr

反应的实质，打破C-F、Si-Si键，形成挥发性的Si-F硅卤化物。CΘF +Si ΘSi = Si-F + 17kcal/mol反应需要一个净正能量，CF4本身不

半导体制造工艺基础第五章 刻蚀原理12湿法腐蚀的缺点在大规模集成电路制造中，湿法腐蚀正被干法刻蚀 所替代： （1）湿法腐蚀是各向同性，干法可以是各向异性 （2）干法腐蚀能达到高的分

• 後段（BackEnd）---后工序3.构装• 三、IC构装制程 • IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路 目的：是為了製造出所生產的電路

W1 + DWIin VA + V 1 VB VCVD + V 2Iout__Redrawn from Microelectronics Manufactu

第四章 光刻 (上)22对遮蔽式曝光，最小线宽（临界尺寸）可用下式表示其中，λ是曝光光源的波长，g是掩模版与晶片间的间隙距离。当λ与g半导体制备工艺基础第四章 光刻 (上)7• 4

双极型集成电路 中等速度、驱动能力强、模拟精度高、功耗比 较大 CMOS集成电路低的静态功耗、宽的电源电压范围、宽的输出电压幅 度（无阈值损失），具有高速度、高密度潜力；可与 TT

学习情景三常州信息职业技术学院学习情景三➢ 在半导体器件和集成电路制造中，选用铝 材料作为蒸发源；原因：铝和P型和N型硅都能形成低电阻的欧姆接触，而且对二氧化硅附着力强，易于 蒸发

by Michael Quirk and Julian Serda(m) 10-14 10-12 10-10 10-8 10-6 10-4 10-2 10 0 10 2 10 41

C(x, t) Cserfc[ 2x] Dterfc--余误差函数Dt --扩散长度图为余误差函数分布扩散的时间越长杂质扩散的 越深有限源扩散t＝0时的初始条件C（x，0）＝0，边

CVD 气流动力学CVD气流动力学对淀积出均匀的膜很重要。 所谓气体流动，指的是反应气体输送到硅片表 面的反应区域（见下图）。CVD气体流动的主 要因素包括，反应气体从主气流中到硅

58 140.12 59 140.91 60 144.24 61 147 62 150.35 63 151.96 64 157.25 65 158.92 66 162.50 67

27生长过程(掌握)1.籽晶熔接: 加大加热功率，使多晶硅完全熔化，并挥发 一定时间后，将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分 钟，俗称“烤晶”，以除去表面挥发性杂质同时可减少 热冲