作业1一、判断题(C第1-10题每题4分)1. 逆变器采用负载换流方式实现换流时，负载谐振回路不一定要呈电容性。(A) A (B) B2. 双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是?用电流有效值来表示的。(A) A (B) B3. 在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。(A) A (B) B4. 为避免三次谐波注入电网，晶

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

交通大学电力电子复习 一、 选择题1、下列电力电子器件中，存在电导调制效应的是（ABD ）A 、GOTB 、GTRC 、power MOSFETD 、IGBT2、单相桥式全控整流电路，阻感性负载R L 〉〉ω 。设变压器二次侧电压为U 2，则晶体管承受的最高正、反向电压分别为（D ） A 、2222,22U U B 、222,22U U C 、2222,2U

一、填空（每空1分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；图形符号为；可关断晶闸管GTO；图形符号为；功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、多

电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。4.按内部电子和

一、填空（每空1分）,1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：评計亡円斤*电力晶体管GTR ;图形符号为___________ ；' " '可关断晶闸管GTO ;图形符号为___________ ；功率场效应晶体管.MOSFET；图形符号为__________ ；绝缘栅双极型晶体管_IGBT 图形符号为__________ ；IGBT是一MOSFET和—GT

电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。4.按内部电子

交通大学电力电子复习 一、 选择题1、下列电力电子器件中，存在电导调制效应的是（ABD ）A 、GOTB 、GTRC 、power MOSFETD 、IGBT2、单相桥式全控整流电路，阻感性负载R L 〉〉ω 。设变压器二次侧电压为U 2，则晶体管承受的最高正、反向电压分别为（D ）A 、2222,22U U B 、222,22U UC 、2222,2U U

一、填空（每空1分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；图形符号为；可关断晶闸管GTO；图形符号为；功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、多

一、填空（每空1分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；图形符号为；可关断晶闸管GTO；图形符号为；功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、多

电力电子技术作业题一、选择题（每题20分）1．（）晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的( B )。A. 1～2倍B. 2～3倍C. 3～4倍D. 4～5倍2．（）选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以（ A ）。A. 1.5～2倍B. 2～2.5倍C. 2.5～3倍D. 3～3.5倍3.（）晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信

考试试卷(3)卷一、填空题：（本题共7小题，每空1分，共20分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET??；绝缘栅双极型晶体管 IGBT ；IGBT是??MOSFET 和??GTR 的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是???要有足够的触发功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和?触发脉冲要与晶

1.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力MOSFET 。2.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全

电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在开关状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。3.电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路。4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电

一、填空（每空1分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；图形符号为；可关断晶闸管GTO；图形符号为；功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、多

华南农业大学期末考试试卷（A卷）填空题（每题2分，10题共20分）1. 通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。选用时，额定电压要留有一点裕量，一般取额定电压为正常工作时的晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。2. 晶闸管额定电流为100A,通过半波交流电时，电流的波形系数为K f=1.57，电流的有效值

一、填空（每空1分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；图形符号为；可关断晶闸管GTO；图形符号为；功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为；绝缘栅双极型晶体管IGBT；图形符号为；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、多个

一、填空（每空1分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；图形符号为；可关断晶闸管GTO；图形符号为；功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、多

1．晶闸管导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？晶闸管的关断条件是什么？如何实现？晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多少？解：晶闸管导通的条件是：晶闸管阳极和阴极之间加正向阳极电压。门极和阴极之间加适当的正向阳极电压。导通后流过晶闸管的电流由主电路电源电压和负载大小决定。晶闸管的关断条件是：阳极电流小于维持电流。关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极－

一、填空题。1、电子技术包括（信息电子）技术和（电力电子）技术。2、电力电子器件可以分为（电真空器件）和（半导体器件）两类，目前广泛使用的是基于（半导体材料）的电力电子器件。3、电力电子器件工作在（开关）状态。4、电力电子器件的损耗包括（通态损耗）、（断态损耗）和（开关损耗）。5、按照电力电子器件能够被控制电路所控制的程度，可将电力电子器件分为（半控型器件）