电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

2020-04-10
电力电子技术期末考试试题及答案 (1)

电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。4.按内部电子和空

2019-11-29
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。4.按内部电子和

2021-01-11
电力电子技术习题及答案

电力电子技术习题及答案

2020-08-20
电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。18.在如下器件:电力二极管(Power

2020-09-18
电力电子技术复习试题与答案

电力电子技术复习2011一、选择题(每小题10分,共20分)1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。A、180°,B、60°, c、360°, D、120°2、α为C度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。A,0度, B,60度, C,30度, D,120度,3、晶闸管触发电路中,若改变 B 的大小

2024-02-07
(完整版)电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子复习姓名:***电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路

2024-02-07
(完整版)电力电子技术试卷及答案..

、填空题(每空 1 分, 34 分)1、实现有源逆变的条件为和。2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。3、在有环流反并联可逆系统中,环流指的是只流经而不流经的电流。为了减小环流,一般采用α β状态。4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。5、给晶闸管阳极加上一定的电压;在门极加

2024-02-07
电力电子技术试题及答案(1)

《电力电子技术》试卷一.填空(共15分,1分/空)1.电力电子技术通常可分为()技术和()技术两个分支。2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为()型器件和()型器件两类,晶闸管属于其中的()型器件。3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时(变压器二次侧电压有效值为U,忽略主电路2各部分的电感),与电阻负载时相比,晶闸管提前了电角度δ停止导电,

2024-02-07
电力电子技术习题及答案

电力电子技术习题集习题一1. 试说明什么是电导调制效应及其作用。2. 晶闸管正常导通的条件是什么,导通后流过的电流由什么决定晶闸管由导通变为关断的条件是什么,如何实现3. 有时晶闸管触发导通后,触发脉冲结束后它又关断了,是何原因4.图1-30中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形,其最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值、有效值。如不考虑安全裕量,额定电

2024-02-07
电力电子技术试题及答案分章节的

电力电子技术试题(第一章)一、填空题1、普通晶闸管内部有PN结,,外部有三个电极,分别是极极和极。1、两个、阳极A、阴极K、门极G。2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时,门极上加上电压,晶闸管就导通。2、正向、触发。3、、晶闸管的工作状态有正向状态,正向状态和反向状态。3、阻断、导通、阻断。4、某半导体器件的型号为KP50—7的,其中KP表示该器件的名

2024-02-07
电力电子技术试题及答案

一、填空题(29分)1、双向晶闸管的触发方式有:I+ 触发:第一阳极T1接 正 电压,第二阳极T 2接 负 电压;门极G 接正 电压,T2接 负 电压。 I- 触发:第一阳极T1接 正 电压,第二阳极T2接 负 电压;门极G 接 负 电压,T2接 正 电压。 Ⅲ+触发:第一阳极T1接 负电压,第二阳极T2接正 电压;门极G 接正电压,T2接 负 电压。 Ⅲ-

2024-02-07
最全电力电子技术试题及答案

最全电力电子技术试题及答案1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法

2024-02-07
电力电子技术试题及答案

德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择(每题1.5分,共60分) 1、晶闸管内部有( )个PN 结。A 、1B 、2C 、3D 、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压( )越好。A 、越大B 、越小C 、不变D 、越稳定3、晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的( )来表示的。A 、有效值B 、最大值C 、平均值D 、瞬时

2024-02-07
电力电子技术试题及答案-(1)

电力电子技术试题及答案-(1)电力电子技术试题1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、多个晶闸管相并联时必须考虑均

2024-02-07
电力电子技术试题 全

1、和门极G。2、晶闸管的导通条件阳极加正电压、门极加正向电压;关断条件是阳极电流大于掣住电流、阳极电流小于维持电流或加反向电压。3、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为√2U2。三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为√6 U2。(电源电压为U2)4、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角,用α表示。5、同步电

2024-02-07
电力电子技术试卷及答案

一、填空题(每空1分,34分)1、实现有源逆变的条件为和。2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。3、在有环流反并联可逆系统中,环流指的是只流经而不流经的电流。为了减小环流,一般采用αβ状态。4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。5、给晶闸管阳极加上一定的电压;在门极加上电压,

2024-02-07
电力电子技术试题及答案(2)

《电力电子技术》试卷答案一、填空(每空1分,36分)1、请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管 GTR ;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体管 MOSFET ;绝缘栅双极型晶体管 IGBT ;IGBT是 MOSFET 和 GTR 的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是 要有足够的驱动功率 、 触发脉冲前沿陡幅值要高 和 触发脉冲要与晶闸管阳极电压同

2024-02-07
电力电子技术试题及答案(3)

考试试卷一、填空题(本题共17小题,每空1分,共20分)1、晶闸管是硅晶体闸流管的简称,常用的外形有与。2、选用晶闸管的额定电流时,根据实际最大电流计算后至少还要乘以。3、晶闸管的导通条件是。4、晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM与转折电压U BO在数值大小上应为U DSMU BO。5、从晶闸管的伏安特性曲线可知,晶闸管具有的特性。6、把晶闸管承受正压起到

2024-02-07
电力电子技术试题及答案

电力电子技术试题1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均

2024-02-07