(第五章)光刻工艺

(第五章)光刻工艺

为提高成品率改善光刻工艺的一些方法作者：伍强詹思诚华虹 NEC 电子有限公司引言当最小线宽(Critical Dimension, CD) 和对准精度的变化大到一定程度，成品率将受到影响。在前道(Front-End-of-the-Line, FEOL)，诸如绝缘层和门电路层，最小线宽的变化会影响到晶体管的电学特征，如关闭电流Ioff 和漏极饱和电流Idsat

集成电路制造工艺光刻工艺流程作者：张少军陕西国防工业职业技术学院电子信息学院电子****班 24 号 710300 摘要：摘要：光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺，在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。关键词：光刻胶；曝光；烘焙；显影；前景Abst

毕业设计（论文）报告题目光刻工艺的研究系别尚德光伏学院专业微电子技术（液晶显示技术与应用）班级0902学生姓名赵俊学号090425指导教师丁兰2012年4月光刻工艺的研究摘要：光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。最重要的光刻工艺是在晶圆便面建立图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。最后的步骤则是光刻胶的显影到最终检验。本文主要

光刻工艺参考文档

编号：河南大学2010届本科毕业论文光刻技术研究论文作者姓名：张永攀作者学号：1023009650所在学院：物理院所学专业：电子信息科学与技术导师姓名：谷城导师职称：讲师2014 年 4 月 25 日光刻技术研究摘要光刻技术是集成电路制造中至关重要的一环，同时光刻技术的发展速度也在一定程度上决定了集成电路更新换代的周期，因此对光刻技术的研究对于集成电路的发展

第六章 光刻与刻蚀工艺

光刻工艺问答PHOTO 流程?答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。何为正光阻?答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部

UV压印光刻刻蚀工艺研究史永胜, 丁玉成, 卢秉恒, 刘红忠（西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室, 710049, 西安）摘 要：针对UV压印光刻和传统光学光刻不同的技术特点，提出压印光刻刻蚀工艺路线。本文对反应离子刻蚀和感应耦合等离子体刻蚀技术对阻蚀胶残留膜刻蚀进行了比较实验，确定了在第一步刻蚀中的刻蚀方式选择，并分析了压印光刻阻蚀膜残膜的反应离子

光刻工艺

集成电路光刻工艺设计集成电路称为IC（Integrated Circuit），集成电路装备也已成为高技术装备产业的典型代表，中国日渐发展成为世界集成电路制造业的重要区域。在实际的集成电路生产线上，具有相同电路性能的产品会存在多个不同的工艺流程（产品版本），生产过程中，产品工程师会根据产品检测人员的监测统计数据及客户的具体要求临时增加一些工序或者改变产品的工艺

半导体工艺之光刻+刻蚀