第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （

第1章常用半导体器件一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分）1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（）4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正

1章常用半导体器件题解09677第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成

模拟电子技术第一章课件-1常用半导体器件常用半导体器件(题解38

第1章常用半导体器件一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分）1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（）4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正

第5章 常用半导体元件 习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于 和 之间，二极管是将 封装起来，并分别引出 和 两个极。2．二极管按半导体材料可分为 和 ，按内部结构可分为＿ 和 ，按用途分类有 、 、 四种。3．二极管有 、 、 、 四种状态，PN 结具有 性，即 。4．用万用表（R ×1K 档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度 ，

第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ √ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ × ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ √ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动

第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×"表示判断结果填入空内。（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体.（）（2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()（3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）(4）处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。（)（5）结型场效应管外加

第一章 常用半导体器件（童诗白）自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形

第二章常用半导体器件及应用一、习题2.1填空1. 半导材料有三个特性，它们是、、。2. 在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。3. 二极管的主要特性是。4．在常温下，硅二极管的门限电压约为V，导通后的正向压降约为V；锗二极管的门限电压约为V，导通后的正向压降约为V。5．在常温下，发光二极管的正向导通电压约为V，考虑发光二极管的发光

常用半导体器件及应用单元测验(附答案)

第7章 常用半导体器件 习题参考答案7-1 计算图所示电路的电位U Y （设D 为理想二极管）。（1）U A ＝U B ＝0时；（2）U A ＝E ，U B ＝0时；（3）U A ＝U B ＝E 时。解：此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。从图中可以看出A 、B 两点电位的相对高低影响了D A 和D B 两个二极管的导通与关断。当A 、B 两点

第5章常用半导体元件习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于和之间，二极管是将封装起来，并分别引出和两个极。2．二极管按半导体材料可分为和，按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。3．二极管有、、、四种状态，PN 结具有性，即。4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。5．使用二极管时

第二章常用半导体器件及应用一、习题填空1. 半导材料有三个特性，它们是、、。2. 在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。3. 二极管的主要特性是。4．在常温下，硅二极管的门限电压约为 V，导通后的正向压降约为 V；锗二极管的门限电压约为 V，导通后的正向压降约为 V。5．在常温下，发光二极管的正向导通电压约为 V，考虑发光二极管的

第1章常用半导体器件一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分）1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（）4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正

第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （

第 7 章 常用半导体器件习题参考答案7-1 计算图所示电路的电位U Y （设 D 为理想二极管） 。（ 1） U A ＝ U B ＝ 0 时；（ 2） U A ＝E ， U B ＝ 0 时；（ 3） U A ＝ U B ＝ E 时。解：此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。从图中可以看出 A 、B 两点电位的相对高低影响了D A 和 D B 两

第二章常用半导体器件及应用一、习题2.1填空1. 半导材料有三个特性，它们是 ________ 、______ 、______ 。2. 在本征半导体中加入_____ 元素可形成N型半导体，加入_________ 元素可形成P型半导体。3. 二极管的主要特性是______________ 。4. ________________________________

第二章常用半导体器件及应用一、习题2.1填空1. 半导材料有三个特性，它们是、、。2. 在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。3. 二极管的主要特性是。4．在常温下，硅二极管的门限电压约为V，导通后的正向压降约为V；锗二极管的门限电压约为V，导通后的正向压降约为V。5．在常温下，发光二极管的正向导通电压约为V，考虑发光二极管的发光

第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （