半导体器件试题库常用单位：在室温（T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为 n i = 1.5×1010/cm 3电荷的电量q= 1.6×10-19C µn =1350 2cm /V s ⋅ µp =500 2cm /V s ⋅ε0=8.854×10-12 F/m 一、半导体物理基础部分（一）名词解释题杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主

第1章常用半导体器件一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分）1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（）4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正

第二章1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm，求零偏压下的总耗尽层宽度、建电势和最大电场强度。解：)0(,22≤≤-=x x qax dxd p S εψ)0(,22n SD x x qN dx d ≤≤-=εψ 0),(

第1章常用半导体器件一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分）1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（）4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正

第5章 常用半导体元件 习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于 和 之间，二极管是将 封装起来，并分别引出 和 两个极。2．二极管按半导体材料可分为 和 ，按内部结构可分为＿ 和 ，按用途分类有 、 、 四种。3．二极管有 、 、 、 四种状态，PN 结具有 性，即 。4．用万用表（R ×1K 档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度 ，

半导体器件物理复习题完整版模板

第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ √ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ × ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ √ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动

第1章常用半导体器件一．选择题1、半导体导电的载流子是____C____，金属导电的载流子是_____A__。A．电子B．空穴C．电子和空穴Ｄ．原子核2、在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是___A_____型半导体。A. PB. NC. PND. 电子导电3、纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是____B____型半导体。A. PB. NC. PND.

精心整理电子元器件基础知识考试试题及答案部门：姓名得分：一、填空题（每题5分，共30分）1.电阻器是利用材料的电阻特性制作出的电子元器件，常用单位有欧姆（Ω）、千欧（K Ω）和兆欧（M Ω），各单位之间的转换关系为1M Ω=103K Ω＝106Ω。2.电阻器阻值的标示方法有直标法、数字法和色标法。3.电感器是用导线在绝缘骨架上单层或多层绕制而成的，又叫电感线

第5章常用半导体元件习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于和之间，二极管是将封装起来，并分别引出和两个极。2．二极管按半导体材料可分为和，按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。3．二极管有、、、四种状态，PN 结具有性，即。4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。5．使用二极管时

第7章 常用半导体器件 习题参考答案7-1 计算图所示电路的电位U Y （设D 为理想二极管）。（1）U A ＝U B ＝0时；（2）U A ＝E ，U B ＝0时；（3）U A ＝U B ＝E 时。解：此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。从图中可以看出A 、B 两点电位的相对高低影响了D A 和D B 两个二极管的导通与关断。当A 、B 两点

第5章常用半导体元件习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于和之间，二极管是将封装起来，并分别引出和两个极。2．二极管按半导体材料可分为和，按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。3．二极管有、、、四种状态，PN 结具有性，即。4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。5．使用二极管时

第一章题解－1第一章 常用半导体器件习 题1.1 选择合适答案填入空内。（1）在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体，加入 元素可形成P 型半导体。A. 五价B. 四价C. 三价 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1m A

第二章常用半导体器件及应用一、习题填空1. 半导材料有三个特性，它们是、、。2. 在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。3. 二极管的主要特性是。4．在常温下，硅二极管的门限电压约为 V，导通后的正向压降约为 V；锗二极管的门限电压约为 V，导通后的正向压降约为 V。5．在常温下，发光二极管的正向导通电压约为 V，考虑发光二极管的

第1章常用半导体器件一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分）1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（）4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正

第 7 章 常用半导体器件习题参考答案7-1 计算图所示电路的电位U Y （设 D 为理想二极管） 。（ 1） U A ＝ U B ＝ 0 时；（ 2） U A ＝E ， U B ＝ 0 时；（ 3） U A ＝ U B ＝ E 时。解：此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。从图中可以看出 A 、B 两点电位的相对高低影响了D A 和 D B 两

第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （

西安邮电大学 微电子学系 商世广半导体器件试题库常用单位：在室温（T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为 n i = 1.5×1010/cm 3电荷的电量q= 1.6×10-19C µn =1350 µp =500 2cm /V s ⋅2cm /V s⋅ε0=8.854×10-12 F/m一、半导体物理基础部分（一）名词解释题杂质补偿：半导体内同时含有

第4章常用半导体器件-选择复习题1．半导体的特性不包括。A. 遗传性B.光敏性C.掺杂性D. 热敏性2．半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为。A.漂移运动B. 扩散运动C.有序运动D.同步运动3．N型半导体中的多数载流子是。A.自由电子B.电子C.空穴D.光子4．P型半导体中的多数载流子是。A.空穴B.电子C. 自由电子D.光子5．本征半导体中掺

半导体器件物理复习题一． 平衡半导体： 概念题：1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义）所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。 2. 本征半导体：本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。 3. 受主（杂质）原子：形成P 型半导体材料而