【精选】电解二氧化硅制备高纯硅

【精选】电解二氧化硅制备高纯硅

2020-01-04
采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是的。

采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是()的。(A)结晶形态(B)非结晶形态(C)可能是结晶形态的,也可能是非结晶形态的(D)以上都不对多选题下列物质中是结晶形态二氧化硅的有()。(A)硅土(B)石英(C)磷石英(D)玻璃(E)水晶判断题结晶形态二氧化硅是由Si-O四面体在空间规则排列所构成的。( )非结晶态二氧化硅的网络疏松,不均匀而且存在孔洞。( )结

2020-11-22
高纯硅的制备

高纯硅的制备一般首先由硅石(SiO2)制得工业硅(粗硅),再制成高纯的多晶硅,最后拉制成半导体材料硅单晶。工业上是用硅石(SiO2)和焦炭以一定比例混合,在电炉中加热至1600~1800C而制得纯度为95%~99的粗硅,其反应如下:SiO2+2C=Si+2CO粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂质,这些杂质多以硅化构成硅酸盐的形式存在,为了进一步提高工业

2024-02-07
超细二氧化硅的制备

超细二氧化硅的制备

2024-02-07
二氧化硅的工业化生产

二氧化硅的工业化生产1.1二氧化硅的种类二氧化硅也称硅质原料,不仅包括天然矿物,也包括各种合成产品,其产品可分为结晶态和无定形态两类。二氧化硅天然矿物通常包括结晶态二氧化硅矿物石英砂、脉石英、粉石英和无定形硅矿物硅藻土。合成产品主要是白炭黑(无定形二氧化硅),包括气相白炭黑(气相二氧化硅)、沉淀白炭黑(沉淀二氧化硅)。石英是二氧化硅天然矿物的主要矿物组分,化

2024-02-07
纳米二氧化硅的制备

纳米二氧化硅的制备专业:凝聚态学号:51110602021 作者:张红敏摘要本文简单综述了一下纳米二氧化硅的各种制备方法,包括化学沉淀法、气相法、溶胶-凝胶法、微乳液法、超重力法、机械粉碎法,并对未来制备纳米二氧化硅的方法提出了一点展望。关键词:纳米二氧化硅,制备,展望1. 引言纳米二氧化硅为无定型白色粉末,是一种无毒、无味、无污染的无机非金属材料,其颗粒尺

2024-02-07
高纯硅的制备

高纯硅的制备一般首先由硅石(SiO2)制得工业硅(粗硅),再制成高纯的多晶硅,最后拉制成半导体材料硅单晶。工业上是用硅石(SiO2)和焦炭以一定比例混合,在电炉中加热至1600~1800℃而制得纯度为95%~99%的粗硅,其反应如下:SiO2+2C=Si+2CO粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂质,这些杂质多以硅化构成硅酸盐的形式存在,为了进一步提高工

2024-02-07
高纯硅的制备

高纯硅的制备文件编码(GHTU-UITID-GGBKT-POIU-WUUI-8968)高纯硅的制备一般首先由(SiO2)制得工业硅(粗硅),再制成高纯的,最后拉制成硅单晶。工业上是用(SiO2)和以一定比例混合,在中加热至1600~1800℃而制得纯度为95%~99%的粗硅,其反应如下:SiO2+2C=Si+2CO粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂质,

2024-02-07
高纯硅的制备

高纯硅的制备一般首先由硅石(SiO2)制得工业硅(粗硅),再制成高纯的多晶硅,最后拉制成半导体材料硅单晶。工业上是用硅石(SiO2)和焦炭以一定比例混合,在电炉中加热至1600~1800℃而制得纯度为95%~99%的粗硅,其反应如下:SiO2+2C=Si+2CO粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂质,这些杂质多以硅化构成硅酸盐的形式存在,为了进一步提高工

2024-02-07
高纯纳米二氧化硅制备与问题分析刘晓辉

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2024-02-07
半导体器件工艺sio2的制备及检测

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2024-02-07
二氧化硅讲义

二氧化硅介绍及生产过程一.二氧化硅的种类1.1二氧化硅也称硅质原料,不仅包括天然矿物,也包括各种合成产品,其产品可分为结晶态和无定形态两类。二氧化硅天然矿物通常包括结晶态二氧化硅矿物石英砂、脉石英、粉石英和无定形硅矿物硅藻土。合成产品主要是白炭黑(无定形二氧化硅),包括气相白炭黑(气相二氧化硅)、沉淀白炭黑(沉淀二氧化硅)。1.2 二氧化硅的性质1.2.1

2024-02-07
高纯硅的制备

高纯硅的制备一般首先由硅石(SiO2)制得工业硅(粗硅),再制成高纯的多晶硅,最后拉制成半导体材料硅单晶。工业上是用硅石(SiO2)和焦炭以一定比例混合,在电炉中加热至1600~1800℃而制得纯度为95%~99%的粗硅,其反应如下:SiO2+2C=Si+2CO粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂质,这些杂质多以硅化构成硅酸盐的形式存在,为了进一步提高工

2024-02-07
高纯二氧化硅的制备与应用_雷清普

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2024-02-07
高纯硅制备的化学原理

高纯硅制备的化学原理(1)高纯硅的制备一般首先由硅石(SiO2)制得工业硅(粗硅),再制成高纯的多晶硅,最后拉制成半导体材料硅单晶。工业上是用硅石(SiO2)和焦炭以一定比例混合,在电炉中加热至1600~1800℃而制得纯度为95%~99%的粗硅,其反应如下:SiO2+2C=Si+2CO粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂质,这些杂质多以硅化构成硅酸盐的

2024-02-07
电解二氧化硅制备高纯硅

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2024-02-07