（Die Saw）晶片切割之目的乃是要將前製程加工完成的晶圓上一顆顆之芯片（Die）切割分離。首先要在晶圓背面貼上蓝膜（blue tape）並置於鋼製的圆环上，此一動作叫晶圓粘片（wafer mount），如圖一，而後再送至晶片切割機上進行切割。切割完後，一顆顆之芯片井然有序的排列在膠帶上，如圖二、三，同時由於框架之支撐可避免蓝膜皺摺而使芯片互相碰撞，而圆环

半导体制程简介

半导体制程简介

半导体制程简介wk.baidu.com6、最大的骄傲于最大的自卑都表示心灵的最软弱无力。——斯宾诺莎 7、自知之明是最难得的知识。——西班牙 8、勇气通往天堂，怯懦通往地狱。——塞

主要應用範圍: 金屬材料◆ 化學氣相沉積(CVD)主要應用範圍: 介電材料,導體材料, 半導體材料物理氣相沉積 -- 蒸鍍(Evaporation)晶片與晶座 蒸鍍室 蒸鍍源 坩堝

• Oxide CMP 的前一站是长Oxide的CVD区，后一站是Photo区。CMP 前CMP 后SMICW（钨） CMP流程-1Ti/TiNP+P+N-Well

5.0um NA NA NA 7半 导体元件制造过程前段（Front End）制程---前工序 晶圆处理制程（Wafer Fabrication； 简称 Wafer Fab）典型的

24~32Ceramic Plastic2.54 mm (100miles)Surface MountSOP Small Outline PackageQFP Quad-FlatP

半导体全制程介绍《晶圆处理制程介绍》基本晶圆处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之后，送到热炉管（Furnace）内，在含氧的环境中，以加热氧化（Oxidation）的方式在晶圆的表面形成一层厚约数百个的二氧化硅层，紧接着厚约1000到2000的氮化硅层将以化学气相沈积Chemical Vapor Deposition；CVP）的方式沈积（

WireBonding (焊线)Lithography (微影)Wafer Inspection (晶圆检查) 前段結束Molding (塑封)Laser mark (激光印字)L

《晶柱成长制程》硅晶柱的长成，首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中，并加入预先设定好的金属物质，使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质，接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶柱，以下将对所有晶柱长成制程做介绍。长晶主要程序︰融化（MeltDown）此过程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制高于摄氏1420度的融化温度之上，此阶段中最重要的参数为坩锅的位置与

13-1 半導體製程簡介(1)薄膜製作：①氣相沉積薄膜 C.磊晶 使沉積薄膜的結晶方向與基材（晶圓）相 同或直接相關的一種薄膜製作方法。 磊晶薄膜的雜質少，製成的元件效能較高。課本

• 多晶硅硅锭中晶体的晶向是杂乱无章的，如果使用它来 制作半导体器件，其电学特性将非常糟糕，所以必须把 多晶硅制作成单晶硅，这个过程可以形象地称作拉单晶 (Crystal Pull

(基本觀念) IC製程說明介紹半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為PDID：Plastic Dual Inline PackageSOP：Small Outline PackageSOJ：Small Outline J-Lead PackagePL

封裝 Packaging晶圓針測 Circuit Probing 1雷射修補 Laser Repair晶圓針測 Circuit Probing 2IV.半導體構裝訊號構裝之目的電能

銲線（wire bond） 銲線站乃是將晶粒上銲點透過極細的金線（18~50 um）連接到 導線架之內引腳，進而將IC晶粒的電路訊號傳輸至外界IC標準封裝基本製程簡介—銲線頭髮金線

半导体制程简介

半导体制程简介.

半导体封装制程及其设备介绍

《晶柱成長製程》矽晶柱的長成，首先需要將純度相當高的矽礦放入熔爐中，並加入預先設定好的金屬物質，使產生出來的矽晶柱擁有要求的電性特質，接著需要將所有物質融化後再長成單晶的矽晶柱，以下將對所有晶柱長成製程做介紹。長晶主要程序︰融化（MeltDown）此過程是將置放於石英坩鍋內的塊狀複晶矽加熱製高於攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中最重要的參數為坩鍋的位置與