半导体制程简介专题培训课件

光刻与刻蚀
• 干法刻蚀：利用等离子体将不要的材料去除（亚微 米尺寸下刻蚀器件的最主要方法）。
• 干法刻蚀种类很多，如光挥发、气相腐蚀、等离子 体腐蚀等。
• 其优点是：各向异性好，选择比高，可控性、灵活 性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化， 无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。
• 缺点是：成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有 纯化学过程（如屏蔽式，下游式，桶式），纯物理 过程（如离子铣），物理化学过程，常用的有反应 离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP。
薄膜沉积
• 化学气象沉积指利用化学反应的方式在反应室内将 反应物（通常为气体)生成固态的生成物，并沉积 在硅片表面的一种薄膜沉积技术。
• 气相淀积具有很好的台阶覆盖特性 • APCVD = Atmospheric Pressure CVD，常压CVD • LPCVD = Low Pressure CVD，低压CVD • PECVD = Plasma Enhanced CVD，等离子体CVD • HDPCVD = High-Density CVD，高密度CVD
晶体生长与圆晶制造晶体生长与圆晶制造 Nhomakorabea 热氧化
• SiO2的基本特性
• 杂质阻挡特性好 • 硅和SiO2的腐蚀选择特性好
热氧化
• 反应方程：
• Si(固体)+O2(气体)SiO2 • Si(固体)+2H2O (气体)SiO2 +H2(气体)
热氧化
• 硅热氧化工艺，可分为：干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化。 干氧氧化是以干燥纯净的氧气作为氧化气氛，在高温下氧直 接与硅反应生成二氧化硅。水汽氧化是以高纯水蒸汽为氧化 气氛，由硅片表面的硅原子和水分子反应生成二氧化硅。水 汽氧化的氧化速率比干氧氧化的为大。而湿氧氧化实质上是 干氧氧化和水汽氧化的混合，氧化速率介于二者之间。

課本P.273
回目次
13-1
半導體製程簡介
二、半導體製程
矽晶圓製作IC 2. IC中的線路及元件製作
IC依功能及使用目的，進行線路及半導體元件的 設計並製作於晶圓表層。
過程：薄膜製作→微影製程→蝕刻→離子植入。
重複上述過程，進行不同位置的線路及元件製作。
課本P.273
回目次
13-1
半導體製程簡介
影像呈現的形式
正片光罩：線路部分透光（其餘部分不透光） 負片光罩：線路部分不透光（其餘皆透光）
課本P.275
回目次
13-1
半導體製程簡介
(2)微影製程：
將光罩上的線路、元件圖案，投影至晶圓表面，以 便後續蝕刻出圖案。
微影製程步驟
光阻塗布 曝光 顯影
課本P.275
回目次
13-1
半導體製程簡介
課本P.270
回目次
13-1
半導體製程簡介
二、半導體製程
矽晶圓製作IC
矽在地球上的含量占25%，僅次於氧。
將矽砂經過一連串的精煉過程後，可以製作成 半導體材料及IC，流程如圖13－4所示。
課本 P.270~271
回目次
13-1
半導體製程簡介
二、半導體製程
矽晶圓製作IC 1.晶棒與晶圓
(1)現況概述： 由矽砂提煉成矽晶棒的最後一關，使用柴氏或稱 CZ製程（Czochralski process），操作方法如圖13－5所示。
第十三章 新興製造技術
13-1 半導體製程簡介 13-2 微細製造簡介
13-3 其他製造技術
總目次
13-1
半導體製程簡介
一、概述
1.半導體、電路與積體電路 材料以導電能力，可以分為

光阻区 (PR)
ADI_CD
ADI_CD
光阻 区 (PR)
ETCH (蚀刻) Module
Process Procedures (制程步骤): (a) Dry Etching (气相蚀刻) 化学反响后成气体去除 (b) WET_PR_stripping (光阻去除, 硫酸槽) (c) CD measurement (蚀刻后量測) 简称AEI_CD (d) After Etch Inspection (蚀刻后检查) 简称 AEI
半导体 Semiconductor
分别式电路 Discrete Circuit
ITANIUM MICROPROCESSOR ( 1.72 Billion Transistors 90nm 595 mm2)
To make wafers, polycrystalline silicon is melted. The melted silicon is used to grow silicon crystals (or ingots) that are sliced into wafers. 首先溶化多晶硅，生成晶柱，然后切割成晶圆。
Building an IC Chip
Tape-out (used to be a lot of information—put on tape) Like a blueprint for wafer production
Hierarchy of IC Chip
Multilevel Metallization
芯片分类
DRAM 动态随机存储器
MPUs 微处理器
Computer 电脑
ASIC 特定用途集成电路
DSPs 数字信号处理器
Consumer 消费

半导体基础知识ppt培 训课件
目录
• 半导体简介 • 半导体材料 • 半导体器件 • 半导体制造工艺 • 半导体技术发展趋势 • 案例分析
半导体简介
01
半导体的定义
总结词
半导体的定义
详细描述
半导体是指在常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，常见的半导体材 料有硅、锗等。
半导体的特性
总结词
化合物半导体具有宽的禁带宽度和高 的电子迁移率等特点，使得化合物半 导体在光电子器件和高速电子器件等 领域具有广泛的应用。
掺杂半导体
掺杂半导体是在纯净的半导体中掺入其他元素，改变其导电 性能的半导体。
掺杂半导体的导电性能可以通过掺入不同类型和浓度的杂质 来调控，从而实现电子和空穴的平衡，是制造晶体管、集成 电路等电子器件的重要材料。
掺杂的目的是形成PN结、调控载流 子浓度等，从而影响器件的电学性能。
掺杂和退火的均匀性和控制精度对器 件性能至关重要，直接影响最终产品 的质量和可靠性。
半导体技术发展趋势
05
新型半导体材料
硅基半导体材料
宽禁带半导体材料
作为传统的半导体材料，硅基半导体 在集成电路、微电子等领域应用广泛。 随着技术的不断发展，硅基半导体的 性能也在不断提升。
半导体制造工艺
04
晶圆制备
晶圆制备是半导体制造的第一步，其目的是获得具有特定晶体结构和纯度的单晶硅 片。
制备过程包括多晶硅的提纯、熔炼、长晶、切磨、抛光等步骤，最终得到可用于后 续工艺的晶圆。
晶圆的质量和表面光洁度对后续工艺的成败至关重要，因此制备过程中需严格控制 工艺参数和材料质量。
薄膜沉积
输入 标题
详细描述
集成电路的制作过程涉及微电子技术，通过一系列的 工艺步骤，将晶体管、电阻、电容等电子元件集成在 一块硅片上，形成复杂的电路。