四探针测量金属薄膜电阻率

实验三(I)探针测量半导体或金属薄膜电阻率一.实验目的1.熟悉四探针测量半导体或金属薄膜电阻率的原理2.掌握四探针测量材料电阻率的方法二.实验原理薄膜材料是支持现代高新技术不断发展的重要材料之一,已经被广泛地应用在微电子器件、微驱动器/ 微执行器、微型传感器中。金属薄膜的电阻率是金属薄膜材料的一个重要的物理特性,是科研开发和实际生产中经常要测量的物理特性,对

2021-03-25
探针测量半导体或金属薄膜电阻率

实验三(I)探针测量半导体或金属薄膜电阻率一.实验目的1.熟悉四探针测量半导体或金属薄膜电阻率的原理2.掌握四探针测量材料电阻率的方法二.实验原理薄膜材料是支持现代高新技术不断发展的重要材料之一,已经被广泛地应用在微电子器件、微驱动器/ 微执行器、微型传感器中。金属薄膜的电阻率是金属薄膜材料的一个重要的物理特性,是科研开发和实际生产中经常要测量的物理特性,对

2024-02-07
最新四探针法测电阻率

四探针法测电阻率实验四探针法测电阻率1.实验目的:学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。2.实验内容①硅单晶片电阻率的测量:选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片,改变条件(光照与否),对测量结果进行比较。②薄层电阻率的测量:对不同尺寸的单面扩散片和双面扩散片的薄层电阻率进行测量。改变条件进行测量(与①相同),对结果进行比较。3.实

2024-02-07
四探针法测电阻率要点

实验 四探针法测电阻率1.实验目的:学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。2.实验内容① 硅单晶片电阻率的测量:选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片,改变条件(光照与否),对测量结果进行比较。② 薄层电阻率的测量:对不同尺寸的单面扩散片和双面扩散片的薄层电阻率进行测量。改变条件进行测量(与①相同),对结果进行比较。3. 实验原理:

2024-02-07
(完整word版)四探针法测电阻率

实验 四探针法测电阻率1.实验目的:学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。2.实验内容① 硅单晶片电阻率的测量:选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片,改变条件(光照与否),对测量结果进行比较。② 薄层电阻率的测量:对不同尺寸的单面扩散片和双面扩散片的薄层电阻率进行测量。改变条件进行测量(与①相同),对结果进行比较。3. 实验原理:

2021-03-22
荧光探针简介

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2024-02-07
2 、四探针法测电阻率

2 、四探针法测电阻率

2024-02-07
金属片式探针

金属片式探针金属片式探针Accuprobe提供各种片式探针供半导体,混合集成电路和激光调整等应用检测环境.金属片式探针适配于大量不同的探针电路卡,可提供可靠的,可重复检修的电子器件检测. Accuprobe提供多种标准工作深度金属片式探针供半导和混合集成电路检测.Accuprobe 标准金属片针适用于各式直经的针尖直径(0.006-0.015“).客户可顶够

2024-02-07
生物分析中探针知识

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2024-02-07
分子探针简介ppt课件

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2024-02-07
四探针法测电阻率

实验 四探针法测电阻率1.实验目的:学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。2.实验内容① 硅单晶片电阻率的测量:选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片,改变条件(光照与否),对测量结果进行比较。② 薄层电阻率的测量:对不同尺寸的单面扩散片和双面扩散片的薄层电阻率进行测量。改变条件进行测量(与①相同),对结果进行比较。3. 实验原理:

2024-02-07
荧光探针

荧光探针的种类、研究热点与研究进展19920102203495 宋菊平【摘要】:荧光探针在化学传感、光学材料及生物检测和识别等领域得到了广泛的应用,并成为实现上述功能的一种主要的技术手段。最近,无机发光量子点、荧光聚合物纳米微球、复合荧光二氧化硅纳米粒子等荧光纳米探针的相继出现,为生物分析提供了新的发展领域,成为了近年来研究的热点。而一些传统的探针,也得到了

2024-02-07
分子探针简介5

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2024-02-07
探针法测电阻率word版

实验 四探针法测电阻率1.实验目的:学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。2.实验内容① 硅单晶片电阻率的测量:选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片,改变条件(光照与否),对测量结果进行比较。② 薄层电阻率的测量:对不同尺寸的单面扩散片和双面扩散片的薄层电阻率进行测量。改变条件进行测量(与①相同),对结果进行比较。3. 实验原理:

2024-02-07