电子科大微电子工艺练习题

今年考上了电子科大，微固专业，作为回报，我简单说一下吧。我初试分数不高，外校考生，初试分数340+，而今年线是340，可以说希望不大。但是既然过线，就要努力试试吧。我比较走运，其实大多数考到340+的，很容易在复试时被淘汰。不过，既然上了分数线，就别太灰心。电子科大是一个非常公平的学校，你是人才，他们一定会招你，你把总分搞上去，还有机会，他们的复试公平公正。

电子科大微电子工艺(第六章)刻蚀分解

电子科大微电子工艺(第七章)金属化

电子科大微电子工艺(第五章)光刻工艺

电子科大微电子工艺(第九章)工艺集成介绍

LTCC技术研究-电子科大

电子科大微电子工艺金属化[1]

电子科技大学微电子专业开设课程

后摩尔时代的新型微电子器件摘要随着半导体产业的不断发展，摩尔定律已经无法正确的对其进行预测，它的局限性在如今的后摩尔时代逐渐体现出来，微电子技术中的任何物理过程都必须遵守物理规律的限制，这些物理规律的存在使得摩尔定律陷入了瓶颈期。摩尔定律的逐渐失效预示着后摩尔时代的到来，所谓的后摩尔时代，就是业者不再以追求更大效能的芯片为尚，而是强调多元化与实用性的原则。也

电子科技大学微电子器件

微电子工艺流程(PDF 44页)

电子科大微电子工艺(第四章)淀积wg3-4-4

电子科大微电子工艺(第五章)光刻工艺

电子科大微电子工艺(第二章)氧化

电子科大微电子工艺复习提纲.pdf

电子科大微电子工艺(第九章)工艺集成介绍

SerDes发展研究一．SerDes概述1.1 串行传输与并行传输随着集成电路设计和制造技术的飞速发展，系统级芯片（SOC）设计规模越来越大，片内连线的长度也相应的增长。随之而来的问题就是如何解决片内相距较远的高速模块间的高速数据同步传输。并行数据传输只适用于片内短距离模块之间的通信，对于长距离模块间的数据通信，并行结构由于需要耗费更多的面积和功耗且相邻通路

电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。一、填空题（共44分，每空1分）1、PN结的内建电势也称为扩散电势，是指耗尽区中从（）处到（）处的电位差。掺杂浓度越高，内建电势将越（）。2、根据耗尽近似和中性近似，在PN结势垒区内，（）已完全耗尽；而在势垒区之外，（）浓度

微电子工艺(电子科技大学微电子与固体电子学院本科微电子工艺课件)