常用功率场效应管参数大全

四、高频场效应管

场效应管分类型号简介封装DISCRETEMOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETEMOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETEMOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRET

场效应管的分类和作用分别是什么?根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件概念:场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点:具有输

IRF系列场效应管参数明细型号厂家用途构造沟道方式v111(V) 区分ixing(A) pdpch(W) waixing IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE

用场效应管参数大全宏瑞电子|家电维修|电子技术|家电维修技术2009-12-0620:30:24作者:zhangzi来源:文字大小:[大][中][小]型号材料管脚用途参数3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W4405/R95242E3C NMOS GDS开关600V11A150W0.362SJ117PMOS GDS音频功放开关400V2A40W2SJ

型号材料管脚用途参数IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5IRFPG42

常用场效应管和晶体管参数大全关键字：常用场效应管和晶体管参数大全IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFP9140 100V 19

场效应管参数大全

型号材料管脚用途参数3DJ6NJ 低频放大NMOS GDS 开关2SJ117 PMOS GDS 音频开关 400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速开关 140V8A100W50/2SJ122 PMOS GDS 高速开关 60V10A50W60/2SJ136 PMOS GDS 高速开关 60V12A40W 70/2SJ143 PMOS GDS 开

型号材料管脚用途参数3D J6N J低频放大20V0.35M A0.1W4405/R95242E3C N M O S G D S开关600V11A150W0.362S J117P M O S G D S音频功放开关400V2A40W2S J118P M O S G D S高速功放开关140V8A100W50/70n S0.52S J122P M O S G

型号材料管脚用途参数3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W4405/R95242E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0・52SJ122 PMOS GDS 咼速功放开关60V10A50W60

2.2场效应管功能及参数介绍开关电源的基本电路由“交流一直转换电路”, “开关型功率变换器”, “控制电路”和整流稳波电路”而组成.输入的电网电压通过“交流一直流转换电路”中的整流和稳器转换成直流电,该直流电源作为“开关型功率变换器”的输入电源,经过“开关型功率更换器”将直流电转变为高频脉冲电波电压输出给“整流滤波电路”,变成平滑直流供给负载,控制电路则起着

常用场效应管参数常用全系列场效应管MOS 管型号参数封装资料(2008-05-17 13:21:38)转载标签：分类：电气知识mos（和谐社会）场效应管开关管型号参数封装it场效应管分类型号简介封装DISCRETEMOS FET2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETEMOS FET2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISC

（IRF系列）型号厂家用途构造沟道方式v111(V)区分ixing(A) pdpch(W)waixingIRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 I

场效应管全参数大全2

场效应管的分类场效应管（FET）是一种电压控制电流器件。其特点是输入电阻高，噪声系数低，受温度和辐射影响小。因而特别使用于高灵敏度、低噪声电路中。场效应管的种类很多，按结构可分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）.结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。绝缘栅场效应管主要指金属--氧化物--半导体场效应管（MOS管）。MOS管又分

常用场效应管参数表（IRF系列）

型号材料管脚用途参数3DJ6NJ 低频放大 NMOS GDS 开关2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/2SJ143 PMOS

常用部分场效应管型号用途参数