1．【2018新课标1卷】焦亚硫酸钠（Na2S2O5）在医药、橡胶、印染、食品等方面应用广泛。回答下列问题：（1）生产Na2S2O5，通常是由NaHSO3过饱和溶液经结晶脱水制得。写出该过程的化学方程式__________。（2）利用烟道气中的SO2生产Na2S2O5的工艺为：①pH=4.1时，Ⅰ中为__________溶液（写化学式）。②工艺中加入Na2C

第10章 工艺流程模拟

第10章Aspen工艺流程模拟

工艺流程模拟课件PPT(共44页)

ISE TCAD 课程设计教学大纲ISE TCAD 环境的熟悉了解一．GENESISe ——ISE TCAD 模拟工具的用户主界面1） 包括GENESISe 平台下如何浏览、打开、保存、增加、删除、更改项目；增加实验；增加实验参数；改变性能；增加工具流程等；2） 理解基本的项目所需要使用的工具，每个工具的具体功能及相互之间的关系。二．工艺流程模拟工具LIGM

工艺流程模拟计算1、工艺流程模拟目的（1）物料衡算物料衡算就是根据质量守恒定律确定原料和产品间的定量关系，计算出原料和辅助材料的用量、各种中间产品、副产品、成品的产量和组成以及三废的排放量。物料平衡是进行工艺设计和设备设计的基础，通常在完成物料衡算的基础上才能进行能量衡算，进行工艺方案的比选，指导设备的工艺计算及选型、仪表选型、管道尺寸计算等，完成化工过程的

该工艺过程的进料条件： 物 流 1 ： 纯 乙 苯 ， 摩 尔 流 率 为 45.35kmol/hr ， 温 度 为 25℃，压力为0.1MPa； 物 流 14 ： 纯 水 ， 摩

◆Ｔｈｅ Ｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃ Ｄａｔａｂａｓｅｓ ｏｆ ＰＴＡ Ｐｒｏｃｅｓｓ １１１ｅ ｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃ ｄａｔａｂａｓｅｓ ａｒｅ ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ ｆ

10.1 带循环的工艺流程模拟撕裂流与计算顺序的关系在默认状态下，Aspen总是取撕裂流数为最小 时的计算顺序最小切断物流数时的计算顺序并不一定是最佳 的计算顺序10.1 带循环的

电气与自动化工程学院实训评分表课程名称：PLC控制技术实训实训题目：机械滑台工艺流程控制系统设计班级：电气101学号：160710118姓名：陆敬博指导老师：许仙珍2013 年7 月 4 日常熟理工学院电气与自动化工程学院《PLC控制技术实训》题目：机械滑台工艺流程控制系统设计姓名：陆敬博学号：160710118班级：电气101指导教师：许仙珍起止日期：20

2015中考化学试题分类汇编——工艺流程题1.（安徽）我国制碱工业先驱侯德榜发明了“侯氏制碱法”。其模拟流程如下：(1)反应①的化学方程式________________，反应②的基本反应类型为_______。(2)工业上用分离液态空气 的方法制取氢气，属于_______变化（填“物理”或“化学”）。(3)操作a 的名称是_____，实验室进行此操作所需的玻

ISE TCAD课程设计教学大纲ISE TCAD环境的熟悉了解一．GENESISe——ISE TCAD模拟工具的用户主界面1）包括GENESISe平台下如何浏览、打开、保存、增加、删除、更改项目；增加实验；增加实验参数；改变性能；增加工具流程等；2）理解基本的项目所需要使用的工具，每个工具的具体功能及相互之间的关系。二．工艺流程模拟工具LIGMENT/DIO

在 大 多 数 过 程 模 拟 软 件 中 ( 包 括 ASPEN 、 PRO/II) ，某一时间只计算(模拟)一个单元(采用序贯模块法) ，单元和物流计算的先后次序称为计算顺序。

PRO/II与石油化工工艺过程模拟计算一、PRO/II简介1.1、概述PRO/II软件是美国SIMSCI公司推出的微机版本石油化工工艺流程模拟软件，该软件具备有丰富的物性数据库和热力学方程供用户描述不同状态下的流体热力学过程，对多种炼油、化工工艺过程具有广泛的适应性。该软件不仅可以作为新设计炼油、化工工艺装置的工艺流程模拟软件，同时作为装置标定计算、设备核算

aspen高级教程第10章 工艺流程模拟

工艺流程模拟课件

第10章Aspen工艺流程模拟素材

工艺流程实验模板ISE TCAD课程设计教学大纲ISE TCAD环境的熟悉了解一．GENESISe——ISE TCAD模拟工具的用户主界面1）包括GENESISe平台下如何浏览、打开、保存、增加、删除、更改项目; 增加实验; 增加实验参数; 改变性能; 增加工具流程等;2）理解基本的项目所需要使用的工具, 每个工具的具体功能及相互之间的关系。二．工艺流程模拟

化工工艺流程模拟实验PPT下载

实验二NMOS工艺流程模拟及电学参数提取模拟实验一、实验目的1. 熟悉Silvaco TCAD的仿真模拟环境；2.掌握基本的nmos工艺流程，以及如何在TCAD环境下进行nmos工艺流程模拟；3.掌握器件参数提前方法，以及不同工艺组合对nmos晶体管的阈值电压、薄层电阻等电学参数的影响；二、实验要求①仔细阅读实验内容，独立编写程序，掌握基本的TCAD使用；②