精品工艺流程实验
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工业水热合成工艺流程工业水热合成是一种重要的化学合成方法,用于制备各种有机化合物和材料。
它是在高温高压下,通过水热反应来实现的。
本文将详细介绍工业水热合成的流程。
一、实验准备1. 确定所需合成物的化学结构和性质。
2. 准备所需原料和试剂。
3. 检查实验设备和仪器是否完好,并进行必要的清洗和校准。
二、反应体系的设计1. 根据合成物的性质,选择适当的反应容器和反应条件。
2. 确定反应体系中所需的溶剂、催化剂等辅助剂。
3. 根据反应物的摩尔比例,计算出所需各组分的量。
三、反应条件控制1. 将反应容器装入高温高压釜中,并密封好。
2. 调整釜内压力和温度至目标值,并保持稳定。
3. 在适当时间内进行搅拌或加热,以促进反应进行。
四、反应过程监测1. 定期取样,并通过适当的分析方法对样品进行分析。
2. 监测反应物浓度、产物生成速率等参数的变化。
3. 根据监测结果,调整反应条件和时间,以优化合成过程。
五、产物分离和纯化1. 将反应混合物进行冷却或减压处理,以使产物析出或挥发。
2. 使用适当的分离技术(如过滤、结晶、蒸馏等),将产物与副产物分离。
3. 对所得产物进行洗涤、干燥和纯化处理,以获得高纯度的目标化合物。
六、产物性质表征1. 使用适当的分析方法(如质谱、核磁共振等)对所得产物进行表征。
2. 测定产物的纯度、结构和性质,并与理论值进行比较。
3. 根据表征结果,评估合成过程的效果,并对其进行改进。
七、实验记录与数据分析1. 记录实验过程中的操作步骤、观察结果和实验数据。
2. 对实验数据进行统计和分析,评估合成过程的可重复性和稳定性。
3. 根据实验记录和数据分析,总结出合成工艺流程,并提出改进建议。
八、安全与环保考虑1. 在实验过程中,严格遵守安全操作规程,确保人员和设备的安全。
2. 对产生的废弃物进行妥善处理,以减少对环境的影响。
3. 优化合成工艺,降低能耗和废物排放量,实现可持续发展。
以上就是工业水热合成的详细流程。
ao工艺实验室具体流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。
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黄麻碱氧一浴一步法脱胶漂白短流程工艺黄麻纤维主要成分为纤维素、半纤维素和木质素。
黄麻纤维具有较高强度和吸湿性,是热和电良好绝缘体,天然纤维中是最易生物降解,其降解或燃烧时不产生有毒气体[1-3]。
黄麻机械、化学加工工艺发展,已能纺制优质黄麻及其他纤维混纺织物,同时黄麻粗硬手感也到了改善,使这类织物时装、行李袋、毯、毛毯等多种领域都有较大发展潜力。
麻类纺织产品质量优劣,主要取决于麻脱胶。
长期以来,原麻脱胶一直沿用自然发酵法和化学法进行[4]。
自然法脱胶受环境影响大,耗费时间长,含杂多,质量难以保证;现工厂常用化学脱胶法能耗高.时间过长,对纤维造成不必要损伤,成本高。
本工艺采用碱和双氧水一浴一步法对黄麻进行脱胶漂白,碱和双氧水互相作用,碱既起到去除黄麻纤维中胶质、半纤维素、木质素及其他杂质作用,又为双氧水分解提供了一个碱性环境;双氧水酸性介质中很稳定,分解速率非常低,而碱性介质中可以被碱活化,双氧水分子发生离解,可以漂白黄麻纤维。
同时尤为重要是可以氧化木质素,木质素被氧化后可以溶解于实验条件中高温强碱液中。
有助于更好去除木质素。
1 实验条件及工艺流程1.1 原料使用栉梳机梳理后呈散状黄麻原麻,原麻中胶质经梳理已去一部分。
1.2 试剂氢氧化钠、双氧水(30%)、MgS04·7H20、强碱浴双氧水稳定剂、浓硫酸(98%)。
1.3 仪器普通烧杯、恒温水浴锅、温度计、量筒、锥形瓶、强力仪、烘箱、普通天平、光电天平、称量瓶、砂芯漏斗等。
1.4 工艺流程黄麻原麻除杂→原麻浸酸→水洗→碱氧→浴→敲麻→水洗→酸洗→水洗→晾干1.5工艺条件1.5.1各工序作用(1)除杂:手工原麻中大杂质。
(2)原麻浸酸:温度40~50℃,时间60min,浴比为1∶20,酸液质量浓度:1ml/L。
(3)水洗:用自来水冲洗至pH值7左右。
(4)碱氧一浴:常压,浴比为1∶20,MgS04·7H20质量浓度为0.1%,其余条件与正交实验表相符合。
实验工艺流程的五大步骤英文回答:The five major steps in an experimental process are as follows:1. Planning: This is the initial stage where I determine the objectives and goals of the experiment. I carefully plan and design the experiment, considering factors such as the variables to be tested, the equipment and materials needed, and the overall methodology. For example, if I want to investigate the effect of temperature on the growth of plants, I would plan how to control and measure the temperature, select the appropriate plant species, and decide on the duration of the experiment.2. Preparation: In this step, I gather all the necessary materials and equipment required for the experiment. I ensure that everything is ready and in proper working condition. For instance, if I am conducting achemical reaction, I would collect the required chemicals, measuring instruments, and safety equipment such as gloves and goggles.3. Execution: This is where the actual experiment takes place. I carefully follow the planned procedure and perform the necessary measurements and observations. I record all the data accurately and make any necessary adjustments during the experiment. For example, if I am testing the effectiveness of a new drug, I would administer the drug to the test subjects and monitor their response over aspecific period of time.4. Analysis: Once the experiment is completed, I analyze the collected data using statistical methods and other analytical techniques. I look for patterns, trends, and relationships in the data to draw meaningful conclusions. For instance, if I am testing the impact of different fertilizers on crop yield, I would compare the data from different treatments and determine whichfertilizer resulted in the highest yield.5. Conclusion: In this final step, I interpret the results of the experiment and draw conclusions based on the analysis. I evaluate whether the experiment supports or rejects the initial hypothesis and discuss any limitations or uncertainties in the findings. I also suggest further areas of research or improvements for future experiments. For example, if the experiment shows that the new drug has a significant effect on reducing symptoms, I would conclude that the drug is effective and may recommend furthertesting in clinical trials.中文回答:实验工艺流程的五个主要步骤如下:1. 计划,这是实验的初始阶段,我确定实验的目标和目的。
半导体工艺课程设计微孔实验工艺流程Studying semiconductor fabrication is an essential aspect of any semiconductor engineering curriculum. 半导体工艺学习是半导体工程课程中一个至关重要的方面。
Understanding the processes involved in creating semiconductor devices allows students to develop a comprehensive understanding of the technology and its applications. 理解半导体设备制造过程可以帮助学生全面了解技术及其应用。
One common experiment in semiconductor process design courses is the fabrication of micro-holes on a semiconductor wafer. 在半导体工艺课程设计中,一个常见的实验是在半导体晶圆上制作微孔。
This experiment provides students with hands-on experience in working with semiconductor materials and equipment. 这个实验为学生提供了与半导体材料和设备一起工作的实践经验。
The first step in designing a micro-hole fabrication process is to select the appropriate semiconductor wafer material. 设计微孔制作工艺的第一步是选择适当的半导体晶圆材料。
Different semiconductor materials have unique properties that can affect the fabrication process and the performance of the final device. 不同的半导体材料具有不同的特性,可以影响制作过程和最终器件的性能。
家具制造工艺————小板凳的制作
实验报告
课程名称家具制造工艺
实验名称小板凳的制作
实验地点学9406
木制小板凳制作
三、实验仪器
平刨机、砂轮机、台锯、木材倒角机、刻度尺、打孔机等
四、实验步骤
1.首先根据事先规定的尺寸对材料进行开料
2.开料完成后对原材料进行平刨,打磨等处理
3.对处理过的材料进行倒角处理,防止太过锋利而划伤
4.以上步骤完成后就要开始计算榫眼位置了,并在木材上相应位置画出标记线方便打孔
5.使用打孔机进行木材的打孔
6.上述步骤全部完成后就要开始对小板凳的组装了,椅腿与横撑之间使用圆棒榫连接,凳面与椅腿采用铁钉固定。
7.最后,小板凳就做完了
六、实验结果
通过对小板凳的制作,我们大致了解了家具的制造工艺及其流程,也有许多需要注意的点,比如在开料时我们应当留适当的余量,平衡掉加工时的损耗,在开榫眼是需要确定位置,不然会无法组装等。
工艺流程实验范文工艺流程实验是一种广泛应用于工程和科学领域的实验方法,它用于研究和优化工业生产中的各种工艺及其相关参数。
本文将介绍一种典型的工艺流程实验,主要包括实验目的、实验步骤、实验装置与方法、实验结果与分析等内容。
一、实验目的本实验的目的是通过对其中一工艺流程进行实验研究,探索并确定最佳的工艺参数。
通过实验,我们可以了解不同工艺参数对生产效率、能耗、产物质量等指标的影响程度,从而得出最佳的操作参数组合,为工业生产提供科学依据。
二、实验步骤1.准备实验样品或原料,根据工艺流程的要求进行调配和混合。
2.设计实验方案,确定实验的因素和水平。
常见的因素包括温度、压力、时间、物料比例等。
3.设置实验装置,根据工艺流程的特点选择合适的设备。
例如,对液体流程可以使用反应釜或者管道系统;对气体流程可以使用气体循环系统等。
4.进行实验前的准备工作,包括准确测量和称重实验样品、准确记录实验条件等。
5.开始实验,根据实验方案调节实验装置,设定工艺参数,如控制温度、压力等。
6.根据时间计划,进行实验的持续时间。
实验过程中,要不断记录实验条件和观察实验现象。
7.实验结束后,根据实验记录和观察结果,整理和分析实验数据。
8.根据实验结果,得出结论并提出优化建议。
如果实验结果符合预期,可以确定最佳的工艺参数组合。
三、实验装置与方法实验装置的选择应根据具体的工艺流程来确定,下面以液体流程实验为例进行介绍。
1.反应釜:根据实验规模选择合适的容量大小。
釜内可设有加热、冷却、搅拌等功能。
2.反应管道:根据实验需要选择合适的管径、材料和长度。
可安装流量计、压力计等传感器。
3.温度控制系统:选择合适的温度控制设备,如电加热器或冷却器。
加热器可通过控制电流大小来调节温度,冷却器可通过控制冷却介质的流量和温度来调节温度。
4.流量计:用于测量流体的流量,常见的类型有涡街流量计、电磁流量计等。
5.压力计:用于测量管道内部或反应釜内的压力。
常见的类型有差压式压力计、电容式压力计等。
金工工艺品制作设计方案材料卓越方案实验班万雄 U202111334 零件简介:我要做的是一个"笔筒帆船〞,总共有四种零件,分别为:笔筒底座,仅用来插一支笔的笔筒套〔两个〕,能插上帆的支柱和船帆。
第一个零件:笔筒底座注:此处用的材料为 LY12;采用的是数控铣床或者是普通铣床加工;同时应用扩孔或者铰孔来保证孔的精度要求,外表则是先用粗铣再用精铣来保证零件外表的粗糙度要求。
零件一是整个"帆船笔筒〞的底座。
加工流程:1.用110*50*20的块料,用垫铁和平口钳进展装夹,夹持深度约为15mm。
2.用数控铣刀∅60直径来铣上平面,大约铣深2mm。
3.再用铣刀精铣上平面到铣深5mm。
4.反面装夹,同样先粗铣在精铣直到规定的尺寸,注意到其只需一个大平面精铣就够了。
5.用立铣刀对零件的四周进展粗铣和精铣,分屡次粗铣、低进刀的精铣,直到将四周铣刀规定的尺寸6.在铣完六个平面后,用尺子找出3个要用到的圆心,做好标记。
7.将零件放置于台式钻床上面进展加工,全部夹在平面下部,用直径为10的钻头加工∅10孔,孔深为5mm【或者用键槽铣刀加工,这样可以防止孔的锥度】最终加工出来的零件如下列图:第二个零件:笔筒套其零件图如下所示:注:此零件是用于与零件一底座上的孔相配合,对零件下端的圆柱面的外表粗糙度的有要求及圆柱的直径的精度有要求,材料是LY12,数量是两个。
加工流程如下:1、下料,取用∅25*80的铝棒,用切断刀〔车床〕切断或用锯切。
2、夹一头深35mm,平端面,粗车外圆至∅21*40,钻孔∅10到15mm深。
3、掉头夹住∅21*35铝棒的外圆,平端面,车外圆至∅21*40,同时钻孔∅10到15mm深。
4、用切断刀切断铝棒,使两边长分别为38mm。
5、再分别车端面到∅35,车外圆至∅5mm。
6、按照上述的加工规程再加工第二个两件即可。
【工艺参数如下:粗车:ap=2~3mm,f=0.3~0.4mm/r,n=500r/min;精车:ap=0.1~0.2mm,f=0.05~0.1mm/r,n=500r/min】最终加工出来的零件如下所示:第三个零件:船帆的支柱注:此处的零件是一个支撑住,下端与底座配合,上端与"帆船笔筒的〞帆相配合,材料是LY112,数量为一个,工序根本上是采取通过车床来完成加工,局部面需要注意其粗糙精度,上面的槽通过钳工来完成。
一、实验目的本实验旨在研究并制备一种新型环保材料,通过对原材料的选择、处理和反应条件的优化,实现材料的绿色、高效制备。
通过本实验,了解新型环保材料的制备工艺流程,掌握相关实验技术和操作方法。
二、实验原理新型环保材料主要是指具有环保性能、资源节约和可持续发展的材料。
本实验所选材料以天然高分子为原料,通过化学改性、复合等技术制备而成。
在制备过程中,采用绿色、环保的工艺路线,减少对环境的影响。
三、实验材料与仪器1. 实验材料:(1)天然高分子:纤维素、淀粉等;(2)改性剂:交联剂、稳定剂等;(3)复合剂:纳米材料、生物活性物质等。
2. 实验仪器:(1)搅拌器;(2)反应釜;(3)离心机;(4)干燥箱;(5)分析仪器:红外光谱仪、扫描电子显微镜等。
四、实验步骤1. 原材料预处理(1)将天然高分子原料进行粉碎、筛选,得到一定粒度的粉末;(2)对粉末进行脱色、除杂等处理,提高原料纯度。
2. 化学改性(1)将预处理后的天然高分子原料与改性剂按一定比例混合;(2)在搅拌器的作用下,加热反应,使改性剂与天然高分子发生化学反应;(3)通过反应时间的控制,得到具有特定性能的改性材料。
3. 复合(1)将改性材料与复合剂按一定比例混合;(2)在搅拌器的作用下,加热反应,使复合剂与改性材料发生复合反应;(3)通过反应时间的控制,得到具有环保性能的新型材料。
4. 分离与干燥(1)将复合反应后的物料进行离心分离,得到固体和液体两部分;(2)将固体物料进行干燥处理,得到环保材料产品。
5. 性能测试(1)采用红外光谱仪对材料进行结构分析;(2)利用扫描电子显微镜观察材料表面形貌;(3)测试材料的各项性能指标,如力学性能、环保性能等。
五、实验结果与分析1. 原材料预处理通过预处理,提高了天然高分子原料的纯度和粒度,为后续反应提供了良好的基础。
2. 化学改性在改性过程中,通过控制反应时间,得到了具有特定性能的改性材料,为后续复合提供了有利条件。
pcb板制作工艺流程实验报告Introduction:PCB (Printed Circuit Board) fabrication is a crucial process in the manufacturing of electronic devices. It involves the design, layout, and production of the circuit board that connects various electronic components. In this report, I will discuss the detailed process of PCB fabrication and its significance in the electronics industry.PCB Design:The first step in PCB fabrication is the design phase. This involves creating a schematic diagram of the circuit and converting it into a layout design using specialized software. The layout design includes the placement and routing of components, traces, and vias on the board. This process requires careful consideration of factors such as signal integrity, power distribution, and thermalmanagement.中文回答:PCB板制作工艺流程实验报告。
引言:PCB(印刷电路板)制作是电子设备制造中的关键过程。
工艺技术研发流程工艺技术研发流程是通过一系列实验和测试来不断改进和创新产品的生产工艺,以提高产品质量和生产效率。
下面是一个简单的工艺技术研发流程的介绍。
首先,确定研发目标。
这一步需要明确要解决的问题或改进的方向,比如提高产品的稳定性、降低生产成本等。
通过设定明确的目标,可以为后续的研发过程提供指导。
第二步,进行理论研究。
在这一步中,研发团队会对相关的理论知识进行学习和研究,找出可能的解决方案或者改进措施。
这可以通过文献阅读、专家咨询等方式来完成。
第三步,设计实验方案。
根据之前的理论研究,研发团队需要设计一系列的实验来验证理论的可行性或者效果的好坏。
实验方案的设计需要考虑到实际操作的可行性和经济性。
第四步,实验室测试。
这一步主要是在实验室中进行小规模的测试,以验证理论的可行性。
通过严格控制实验条件和记录测试结果,可以得到准确的数据和结论。
第五步,中试生产。
当在实验室测试阶段验证了理论的可行性后,就可以开始中试生产。
中试生产是在较小规模上生产产品,并对生产过程进行模拟,以验证在实际生产环境中的可行性和效果。
第六步,大规模生产。
在中试生产阶段,如果验证了改进措施或创新工艺的有效性和经济性,就可以进行大规模生产。
在这个阶段,需要进一步优化生产过程,并进行大量生产测试,以确保生产的稳定性和质量。
第七步,监测和改进。
在大规模生产阶段,需要对生产过程进行持续的监测和改进。
可以通过监测数据和生产线上的问题来找出存在的问题,并及时进行改进。
这个过程是持续的,可以通过控制参数的变化和优化生产流程来提高产品的质量和效率。
以上是一个简单的工艺技术研发流程的介绍。
在实际应用中,还会存在其他的复杂因素和环节。
然而,通过以上的流程,可以帮助企业不断推进技术创新和研发,提高产品的竞争力和市场份额。
利用某高钾明矾石制备硫酸钾的工艺流程一、实验材料和设备准备1. 实验材料:- 高钾明矾石:高钾明矾石是一种含有钾、铝和硫酸盐的矿石,是制备硫酸钾的原料。
- 硫酸:用于反应的溶剂。
2. 实验设备:- 研钵和研杵:用于粉碎高钾明矾石。
- 烧杯:用于溶解高钾明矾石。
- 搅拌器:用于搅拌反应溶液。
- 过滤器:用于过滤产物。
- 热板:用于加热反应溶液。
二、实验步骤1. 准备高钾明矾石:将高钾明矾石粉碎成细粉,以便更好地与硫酸反应。
粉碎后的矿石需通过筛网进行筛选,去除粗颗粒。
2. 反应溶液的制备:将一定质量的粉碎后的高钾明矾石加入烧杯中,加入适量的硫酸,搅拌均匀,形成悬浮液。
3. 反应过程:- 加热反应溶液:将烧杯放置在热板上,用中小火加热溶液,使其保持适当温度,促进反应进行。
- 搅拌反应溶液:用搅拌器搅拌反应溶液,增加反应速度和均匀度。
4. 过滤产物:在反应结束后,将反应溶液倒入过滤器中,过滤掉未反应的固体残渣。
过滤后得到的溶液中含有硫酸钾。
5. 结晶硫酸钾:将过滤后的溶液放置在容器中,静置一段时间,硫酸钾会逐渐结晶出来。
可以通过控制结晶的条件(如温度、时间等)来控制结晶的粒度和纯度。
6. 分离结晶硫酸钾:将结晶得到的硫酸钾用玻璃棒或其他工具小心地分离出来,并用干燥纸或滤纸吸去表面的水分。
7. 干燥硫酸钾:将分离得到的硫酸钾放置在通风处进行自然干燥,或者使用烘箱进行加热干燥,直至完全干燥。
三、注意事项1. 安全操作:在实验过程中,要注意安全操作,避免接触皮肤和眼睛,避免吸入粉尘或溶液。
2. 溶液浓度:控制反应溶液的浓度,过浓的溶液可能会导致结晶困难。
3. 结晶条件:控制结晶的条件,如温度、时间等,可以影响结晶的质量和纯度。
4. 硫酸钾的保存:制备得到的硫酸钾应储存在干燥、通风的地方,避免受潮和污染。
通过以上工艺流程,可以利用高钾明矾石制备出纯度较高的硫酸钾。
硫酸钾在农业、化工等领域有着广泛的应用,该工艺流程可以为相关领域的生产提供一种有效的制备方法。
实验室滴水架安装工艺流程一、材料准备1. 钢架:选择质量优良、稳固耐用的钢架,确保承重能力足够。
2. 滴水板:根据实验室需要,选用适当尺寸和材质的滴水板。
3. 固定螺丝和螺母:选择合适的规格和材质的螺丝和螺母,确保安装牢固可靠。
二、准备工作1. 清理工作台:将工作台上的杂物清理干净,确保安装过程中没有阻碍。
2. 测量标记:根据实验室需要,确定滴水架安装的位置,使用量具进行测量并标记。
三、安装滴水板1. 安装支架:根据标记的位置,将钢架固定在工作台上。
确保钢架平稳,无晃动。
2. 固定滴水板:将滴水板放置在钢架上,调整位置使其与实验台面齐平。
使用螺丝和螺母将滴水板固定在钢架上。
四、安装滴水管1. 测量切割:根据实验室需要,测量滴水管的长度,并使用工具将滴水管切割至合适的尺寸。
2. 连接滴水管:将滴水管连接到滴水板上预留的接口处,确保连接紧密,无漏水现象。
五、安装滴水瓶1. 准备滴水瓶:选择合适的滴水瓶,根据实验需要调整滴水速度,并确保滴水瓶干净无杂质。
2. 安装滴水瓶:将滴水瓶固定在滴水板上,调整位置使得滴水能够准确滴入实验器具中。
六、检查和测试1. 检查安装牢固:检查滴水架的各个部件是否固定牢固,无松动现象。
2. 测试滴水效果:打开滴水瓶,观察滴水是否均匀、稳定,滴水量是否符合实验要求。
七、完善和调整1. 调整滴水速度:根据实验需要,适当调整滴水瓶的滴水速度,确保实验过程中滴水量的准确控制。
2. 完善附属装置:根据实验室需要,可根据滴水架的安装位置和使用情况,添加附属装置,如防溅板等,以提高实验的安全性和效率。
八、清理和维护1. 定期清理:定期清理滴水板和滴水管,防止堵塞和污染。
2. 维护检查:定期检查滴水架的各个部件是否正常,如有损坏或松动的情况及时修复或更换。
总结:实验室滴水架的安装工艺流程包括材料准备、准备工作、安装滴水板、安装滴水管、安装滴水瓶、检查和测试、完善和调整以及清理和维护等步骤。
人生长激素的生产工艺生长素分为植物生长素和高等动物、人生长激素。
植物体内的生长素,其化学成分是吲哚乙酸。
而高等动物和人体内的生长激素,其化学成分是蛋白质,不同种属的哺乳动物的生长激素间有明显的种属特异性,只有灵长类的生长激素对人有活性。
因而动物的生长激素一般不能用在人身上。
人生长激素是脑垂体前叶分泌细胞分泌的蛋白质,是由一条191个氨基酸的多肽链,所构成的蛋白质,分子中有两个二硫键,相对分子质量21700,等电点4.9,沉降系数S202.179,N端的1-134氨基酸段肽链为活性所必需,C端的一段肽链可能起保护作用,使w生长激素在血循环中不致被酶破环。
人生长激素分子相当稳定,其活性在冰冻条件下可保持数年,在室温放置48h无变化。
一、生长激素发展历程:1:科学家早家1920年就知道了生长激素的存在,但直到1958年才被用于临床治疗。
直到1986年美国礼来大药厂通过基因工程方法,成功地制造出了191个氨基酸的HGH。
2:1985年,基于对HGH的多年研究和广泛深入的临床实验,美国威斯康辛医学院的罗德曼博士在《美国抗衰老协会杂志》上首次正式提出一个有关人体衰老原因的崭新理论。
3:1990年7月5日美国威斯康辛医学院的Daniel Rudman罗德曼医师在《新英格兰医学杂志》上发表了他那一篇震惊医学界的论文——Effects of human growth hormone in men over 60 years old(人类生长激素在60岁以上老年人中的应用),这篇论文可以说是HGH应用到抗衰老研究医学史上的一座里程碑。
4:1996年,爱德门钱博士在自己亲身体验到HGH的卓越效果后,扩展使用到超过800个患者,包括电影明星、大公司高级主管、甚至许多著名的医生、专家、学者,均达到惊人的效果。
1996年8月美国FDA(美国食品药品监督管理局)终于正式批准HGH在临床上使用,用来治疗所有缺乏HGH的病人,也包括正常成年人。
ISE TCAD 课程设计教学大纲ISE TCAD 环境的熟悉了解一.GENESISe ——ISE TCAD 模拟工具的用户主界面1) 包括GENESISe 平台下如何浏览、打开、保存、增加、删除、更改项目;增加实验;增加实验参数;改变性能;增加工具流程等;2) 理解基本的项目所需要使用的工具,每个工具的具体功能及相互之间的关系。
二.工艺流程模拟工具LIGMENT/DIOS ,器件边界及网格加密工具MDRAW1) 掌握基本工艺流程,能在LIGMENT 平台下完成一个完整工艺的模拟; 2) 在运用DIOS 工具时会调用在LIGMENT 中生成的*_dio.cmd 文件; 3) 能直接编辑*_dio.cmd 文件,并在终端下运行;4) 掌握在MDRAW 平台下进行器件的边界、掺杂、网格的编辑。
三.器件仿真工具DESSIS ,曲线检测工具INSPECT 和TECPLOT 。
1) 理解DESSIS 文件的基本结构,例如:文件模块、电路模块、物理模块、数学模块、解算模块;2) 应用INSPECT 提取器件的参数,例如:MOSFET 的阈值电压(Vt )、击穿电压BV 、饱和电流Isat 等;3) 应用TECPLOT 观察器件的具体信息,例如:杂质浓度、电场、晶格温度、电子密度、迁移率分布等。
课程设计题目设计一 PN 结实验1) 运用MDRAW 工具设计一个PN 结的边界(如图所示)及掺杂; 2) 在MDRAW 下对器件必要的位置进行网格加密;3) 编辑*_des.cmd 文件,并在终端下运行此程序,考虑偏压分别在-2V ,0V ,0.5V时各自的特性;4) 应用TECPLOT 工具查看PN 结的杂质浓度,电场分布,电子电流密度,空穴电流密度分布。
提示:*_des.cmd 文件的编辑可以参看软件中提供的例子并加以修改。
所需条件:17103⨯=A N , 18103⨯=D N设计二 NMOS 管阈值电压Vt 特性实验1) 运用MDRAW 工具设计一个栅长为0.18m μ的NMOS 管的边界及掺杂;2) 在MDRAW 下对器件必要的位置进行网格加密;3) 编辑*_des.cmd 文件,并在终端下运行此程序; 4) 应用INSPECT 工具得出器件的Vt 特性曲线;注:要求在*_des.cmd 文件的编辑时必须考虑到器件的二级效应,如:DIBL 效应(drain-induced barrier lowering ),体效应(衬底偏置电压对阈值电压的影响),考虑一个即可。
提示:*_des.cmd 文件编辑重点在于考虑DIBL 效应时对不同Vd 下栅电压的扫描,考虑体效应时对不同衬底负偏压Vsub 下栅电压的扫描。
并在MDRAW 中改变栅长,如:0.14m μ,0.10m μ等,改变氧化层厚度,掺杂浓度重复上述操作,提取各自的阈值电压进行比较。
设计三 PMOS 管Id-Vg 特性实验1) 运用MDRAW 工具设计一个栅长为0.18m μ的PMOS 管的边界及掺杂;2) 在MDRAW 下对器件必要的位置进行网格加密;3) 编辑*_des.cmd 文件,并在终端下运行此程序,其中在Vd 为0V 时Vg 从-2V 扫到0V ;4) 应用INSPECT 工具得出器件的Id-Vg 特性曲线,提取阈值电压值。
提示:*_des.cmd 文件的编辑必须注意PMOS 管与NMOS 管的不同,沟道传输载流子为空穴。
注:尝试改变栅长,如:0.14m μ,0.10m μ,等,再次重复以上步骤。
设计四 NMOS 管I d-Vd 特性实验1) 运用MDRAW 工具设计一个栅长为0.18m μ的NMOS 管的边界及掺杂;2) 在MDRAW 下对器件必要的位置进行网格加密; 3) 编辑*_des.cmd 文件,并在终端下运行此程序; 4) 应用INSPECT 工具得出器件的I d-Vd 特性曲线。
提示:*_des.cmd 文件的编辑必须考虑不同栅电压下的Id-Vd (如:V V V V V V V V V V g g g g g 0.2,5.1,8.0,5.0,2.0=====),d V 扫描范围: 0V~2V ,最后得到一簇I d-Vd 曲线。
设计五 NMOS 管衬底电流特性实验1)运用MDRAW 工具设计一个栅长为0.18m μ的NMOS 管的边界及掺杂;2)在MDRAW 下对器件必要的位置进行网格加密; 3)编辑*_des.cmd 文件,并在终端下运行此程序;4)应用INSPECT 工具得出器件的I d-Vd 特性曲线,观察在DD 和HD 方法下不同的结果。
提示:*_des.cmd 文件的编辑中在漏电压为2V 时对栅电压进行扫描(从0V 到3V ) 注:考虑在DESSIS 中用扩散-漂移(DD :drift-diffusion :)的方法和流体力学(HD : hydrodynamics )的方法分别进行模拟,且考虑到电子要能达到衬底则设电子复合速度在衬底处为0 Electrode { ...{ Name="substrate" Voltage=0.0 eRecVelocity=0 } }设计六 SOI 的阈值电压Vt 特性实验1) MDRAW 工具设计一个SOI 的边界及掺杂(绝缘层厚度为50纳米,有效沟道长度为0.48m μ);2) 在DIOS 下对器件的工艺参数值进行规定,在MDRAW 中对网格进行再加密; 3) 编辑*_des.cmd 文件,并在终端下运行此程序,其中Vg 从0V 扫到3V ; 4) 应用INSPECT 工具得出器件的I d-Vg 特性曲线,并提取Vt 和gm (跨导)。
设计七 SOI 的I d-Vd 特性实验1) MDRAW 工具设计一个SOI 的边界及掺杂(绝缘层厚度为50纳米,有效沟道长度为0.48m μ);2) 编辑*_des.cmd 文件,并在终端下运行此程序,其中在Vg 为3V 时漏电压Vd 从0V 扫到3.5V ;3) 应用INSPECT 工具得出器件的I d-Vd 特性曲线。
注:考虑在DESSIS 中用扩散-漂移(DD )的方法和流体力学(HD )的方法分别进行模拟,得到的结果有什么不同。
设计八 双极型晶体管ceo V 实验(ceo V 即基极开路,集电极-发射极击穿电压)1) MDRAW 工具设计一个双极型晶体管(平面工艺); 2) 在MDRAW 下对器件必要的位置进行网格加密;3) 编辑*_des.cmd 文件,并在终端下运行此程序,其中集电极偏压从0V 扫到90V ; 4) 应用INSPECT 工具得出器件基极开路时的Ic-Vc 特性曲线。
提示:*_des.cmd 文件的编辑要注意求解时同时考虑两种载流子,且在发射极和集电极偏压为零时对基极电压进行扫描,然后再对发射极电压进行扫描。
注:观察得到的Ic-Vc 特性曲线,出现了负阻特性!设计九 生长结工艺的双极型晶体管试验1)参看设计八的要求,主要根据图示在MDRAW 中画出边界,并进行均匀掺杂,其中E 、B 、C 三个区域都是在Si 上掺杂;2)画出V (X ),E (X ),估计耗尽层宽度; 3)设V V BC 4-=,V V BE 3.0=,画出V (X ),E (X ),p (x ),n (x ),及电流密度1810⨯,并计算E J ,B J ,C J ,推倒γ和β; 4)Ne=51810⨯,Nb=17102⨯,Nc=15104⨯ 单位:/3cm注:其它条件不变,在E 为:S i ,B 、C 都为Ge 时重复上述过程设计十NMOS 管等比例缩小定律的应用1) 根据0.18m μMODFET 的结构(如图所示),在MDRAW 下设计一个0.10m μMOSFET ,其中考虑栅长、氧化层厚度、掺杂浓度、结深的等比例缩小;2) 编辑*_des.cmd 文件,并在终端下运行此程序,其中在Vd 为0.1V 时Vg 从0V扫到2V ;3) 在INSPECT 中得到Id-Vg 曲线图,验证其特性参数(如:阈值电压Vt )的变化是否遵循等比例缩小定律。
提示:等比例缩小定律:1、CE 律(恒定电场等比例缩小)在MOS 器件内部电场不变的条件下,通过等比例缩小器件的纵向、横向尺寸,以增加跨导和减少负载电容,由此提高集成电路的性能。
为保证器件内部的电场不变,电源电压也要与器件尺寸缩小同样的倍数。
2、CV 律(恒定电压等比例缩小)即保持电源电压V DD 和阈值电压V T 不变,对其他参数进行等比例缩小。
CV 律一般只适用于沟道长度大于1um 的器件。
3、QCE 律是对CE 律和CV 律的折中,通常器件的尺寸缩小κ倍,但电源电压只是变为原来的λ/κ倍。
详见下表:参考:甘学温,黄如,刘晓彦,张兴 编著《纳米CMOS 器件》,科学出版社,2004设计十一 NMOS 亚阈值转移特性试验1) 运用MDRAW 工具设计一个NMOS 管的边界及掺杂; 2) 在MDRAW 下对器件必要的位置进行网格加密;3) 编辑*_des.cmd 文件,并在终端下运行此程序,其中在Vg = 0 V 时Vd 从0V 扫到2V ).4) 应用INSPECT 工具得出器件的亚阈值电压特性曲线,其中Y 轴坐标用对数坐标(方便观察亚阈值斜率),提取亚阈值斜率很亚阈值泄漏电流。
提示:改变沟道长度(0.18m μ,0.14m μ,0.10m μ,0.06m μ)或改变氧化层厚度ox t (10nm -100nm ),在INSPECT 中观察亚阈值电压特性曲线,并提取不同的亚阈值电压值进行比较。
设计十二二极管工艺流程实验1)编写*_dio.cmd文件(或在LEGMENT操作平台下)对二极管的整个工艺流程进行模拟:下面给出工艺参数:衬底掺杂:N-type wafer=Phos/5e14,Orientation=100;氧化淀积:200A;粒子注入:B/30K/5e12/T7;热退火:temperature=(1100),time=30mine,Atmosphere=Mixture.2)运行*_dio.cmd文件,观察其工艺执行过程。
3)在MDRAW工具中调入DIOS中生成的mdr_*.bnd和mdr_*.cmd文件,再对器件的网格进行更进一步的加密。
4)编辑*_des.cmd文件,并在终端下运行此程序,其中考虑二极管偏压分别在-2V,0V,0.5V时的输出特性,及其击穿特性;设计十三NMOS工艺流程实验1)编辑*_dio.cmd文件(或在LEGMENT操作平台下)对NMOS进行工艺流程模拟,工艺参数见注释;2)运行*_dio.cmd文件,观察其工艺执行过程。
3)在MDRAW工具中调入DIOS中生成的mdr_*.bnd和mdr_*.cmd文件,再对器件的网格进行更进一步的加密。