《模拟电子技术》期末考试试卷一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。（

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id =20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波

《模拟电子技术》考试试卷（01）一、填空题（本大题共4小题，每空1分，共10分）1．PN结正向偏置时，反向偏置时，所以PN结具有导电性。2．有三个单管BJT放大电路，已知其电压增益分别为A v1＝20，A v2＝－10，A v3＝1，则可知它们分别为放大电路、放大电路、放大电路。3．乙类互补功率放大电路存在失真，可以利用类互补功率放大电路来克服。4．负反馈将

模拟电子技术基础一．计算分析题1．已知放大电路如图8所示，三极管的β=50，U BE =。回答下列问题：（1）求I CQ =？U CEQ =？（2）画微变等效电路 （3）求？==io u U U A ？==s o usm U U A （4）R i =？R o =？图8(1)I CQ ≈I EQ = (mA)+V RC eRR RC C+_ _R eUU o

20XX年模拟电子技术基础模拟试题一、（5分）判断下列说法是否正确，用“√”“×”表示判断结果填入空内。（1）PN结不加外部偏置电压时，扩散电流等于漂移电流。（）（2）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（3）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（）（4）结型场效应管的输入电阻大于MOS管的输入电阻。( )（5）互补对称功放电

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id =20μV ；共模输入电压u Ic =90μV 。4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器

东北大学考试试卷（A 卷） 2004—2005 学年第 2 学期课程名称：模拟电子技术N ⒈型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的。 答（ ）A 、电子B 、空穴C 、三价元素D 、五价元素2．其它条件不变，若放大器输入端电阻减小应引入 答（ ）A 、电压负反馈B 、电流负反馈C 、串联负反馈D 、并联负反馈3．正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是

1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直流电压），它的电压增益为（ C ）a、700b、650c、100d、-1002.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中频时的（ B ）a、05.b、0.7c、0.9d、13.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了(

东 北 大 学 继 续 教 育 学 院模拟电子技术基础I 试 卷（作业考核 线下） B 卷（共 4 页）总分题号 一二三四五六七八九十得分注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。杜绝打印，抄袭作业。一、(10分)半导体器件的分析。判断图中各电路里的二级管是导通还是截止，并计算电压U ab 。设图中的二级管都是理想的。二、（10分）电路如图所示，设输

1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直流电压),它的电压增益为( Ｃ)ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０02.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中频时的( Ｂ）ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了

《模拟电子技术》期末考试试卷一．填空（25 分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是电子，掺杂越多，则其数量一定越多，相反，少数载流子应是空穴，掺杂越多，则其数量一定越少。（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做单向导电特性。（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子扩散形成较大的正向电流。（4）硅二极管的导通电压

《模拟电子技术》期末考试试卷一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开；4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。5、三

Hz，上限频率为________Hz解：依题意得：（1）第1级电路是积分电路，第2级电路是迟滞比较器。 （2）门限电压V U U R R R U Z Z T 261544±=±=+±=V U T 21-=，V U T 22=电压传输特性如下图所示：（3）⎰⎰⎰=-=-=t I I I O dt u dt u dt u CR u 01120020011O u

2.18 某放大电路如图 2.50 所示。图中Rb1 = Rb2 = Rb3 = 200kΩ，Re1 = 2.7kΩ，RL = 5.1kΩ，晶体管T的β = 60， rbe = 1

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100V ，u I 2=80V 则差模输入电压u Id =20V ；共模输入电压u Ic =90V 。4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑

模拟电子技术基础试卷一附答案一．（10分）设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出图（a）电路在v i=5sinωt V时的输出v o波形以及图（b）电路的输出电压V o1。（a）（b）二.（10分）放大电路如图所示。已知：R b1=62K，R b2=15K，R s=10K，R c=3K，R e=1K，R L=3K，C

1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。A. 五价B. 四价C. 三价2、稳压管的稳压区是其工作在。A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿3、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏4、（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。A. 增大B

1东北大学考试试卷B ）课程名称：模拟电子技术⒈下面4种组合管中，连接正确的复合管有 （ ）2．稳压管的稳压区是其工作在 （ ） A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿3. 正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是 （ ）A. B. C.4．要使负载变化时，输出电压变化较小，且放大器吸收电压信号源的功率也较少，可以采（ ）A. 电压串联负反馈B.电压并联负

东北大学继续教育学院模拟电子技术基础IX试卷（作业考核线上2）A 卷（共6 页）总分题号一二三四五六七八九十得分一、(40分) 单项选择题（选一个正确答案填入括号里，每题2分）型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的。（ C ）A、电子B、空穴C、三价元素D、五价元素2.稳压管的稳压区是其工作在（ C ）。A、正向导通B、反向截止C、反向击穿3.二极管电

《模拟电子技术》期末考试试卷一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开；4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。5、三