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DS1302中文资料_数据手册_参数

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DS1302涓流充电计时芯片 6 13 CE和时钟控制驱动CE输入高电平会启动所有数据传输. CE输入有两个功能.首先，CE打开控制逻辑允 许访问地址/命令序列的移位寄存器.其次，CE信号提供了一种终止单字节或多字节CE数据传输的方法.时钟周期是一系列的上升沿， 然后是下降沿. DS1302对于数据输入，数据在过程中必须有效时钟的上升沿和数据位在时钟的下降沿输出.如果CE输入低，所有数据 传输终止，I / O引脚进入高阻状态.图4显示了数据传输.在通电时，CE 在V CC > 2.0V 之前必须为逻辑0 . 而且，当CE被驱动到逻 辑1状态时，SCLK必须处于逻辑0.数据输入在输入写命令字节的8个SCLK周期之后，数据字节在下一个的上升沿输入八个SCLK周期. 如果DS1302无意中出现其他SCLK周期，则会被忽略.数据以输入开始位0.数据输出在输入一个读命令字节的八个SCLK周期后，一个 数据字节在该输出的下降沿输出接下来的八个SCLK周期.请注意，要传输的个数据位发生在后一位之后的个下降沿的命令字节被写 入.额外的SCLK周期会在无意中发生数据字节时重新传输只要CE仍然很高.该操作允许连续突发模式读取能力.另外，I / O引脚是三态 的，在SCLK的每个上升沿发表.数据从位0开始输出.突发模式通过寻址31位十进制数可以为时钟/日历或RAM寄存器指定突发模式 （地址/命令位1至5 =逻辑1）. DS1302如前所述，位6指定时钟或RAM，位0指定读取或写.时钟/日历寄存器中的位置9到31或位置31中 没有数据存储容量 RAM寄存器.在突发模式下读取或写入个寄存器，以便数据到达被转移.但是，在突发模式下写入RAM时，不需要为数据写入全部31个字节转让.无论是否写入全部31个 字节，写入的每个字节都将传输到RAM.时钟/日历时间和日历信息是通过读取适当的寄存器字节获得的.表3说明了RTC寄存 DS1302有主电源的情况下维护时间和日期.该 DS1302采用V CC1 或V CC2中 的较大者工作 . 当V CC2 大于V CC1 +时 0.2V，V CC2 为 DS1302供电. 当V CC2 小于V CC1时 ，V CC1 为 DS1302. 2 X1 3 X2标准32.768KHZ石英晶体的连接.内部振荡器是设计用于使用具有6PF 的指定负载电容的晶体进行操作.有关晶体选择和晶体布局注意事项的更多信息，请参阅应用笔记58：达拉斯实时时钟的晶体注意事 项 .该 DS1302也可以由外部32.768KHZ振荡器驱动.在这配置，X1引脚连接到外部振荡器信号和X2引脚漂浮. 4 GND地面五 CE输入.在 读取或写入期间，CE信号必须置为高电平.这个针有一个内部40K Ω（典型值）下拉电阻接地.注意：以前的数据表修订简称CE RST. 引脚的功能没有改变. 6 I / O输入/推挽输出. I / O引脚是3线的双向数据引脚接口.该引脚有一个内部40K Ω（典型值）下拉电阻接地. 7 SCLK输入. SCLK用于同步串行接口上??的数据移动.这个引脚有一个内部40K Ω（典型值）下拉电阻接地. 8 V CC1单电源和电池供电 系统中的低功耗操作以及低功耗，电池备份.在使用涓流充电器的系统中，可充电电池能源连接到此引脚. UL认可，以确保逆向充电 电流与锂电池一起使用

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ds1302中文手册

ds1302中文手册


×±±VCC2VCC1ò÷á
2.12
±/úàרBurst
±/úüרàפ×÷ ×8±/ú÷00 ò¨4
±¨±/úà×±±¤èá8±/ ú÷¨°ü¨÷à×÷
m
2.13
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RAMRAMò°318×
P&S ×
:±±×15 ° :(86) (0278749350087493506 :70020 :(86) (027) 87491166, 87493497 ±à :430079 P & S :
==99-10-28==
P&S
×
==13-7==
2.14
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RAMüרàפ×÷00òò31 RAM ÷¨4
2.15
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32.768kHz§¨DaiwaDT26SSeikoDS-VT-200òàú¨2 3¨X1X2±DS1302ù§¨¨CL±6pF§Dallas° ÷DS9032
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0112 0023
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1
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DS1302时钟芯片功能简介(版权归DALLas公司)

DS1302时钟芯片功能简介(版权归DALLas公司)

1 DS1302 简介：DS1302是美国DALLAS 公司推出的一种高性能、低功耗的实时时钟芯片，附加31字节静态RAM，采用SPI 三线接口与CPU 进行同步通信，并可采用突发方式一次传送多个字节的时钟信号和RAM 数据。

实时时钟可提供秒、分、时、日、星期、月和年，一个月小与31天时可以自动调整，且具有闰年补偿功能。

工作电压宽达2.5～5.5V。

采用双电源供电（主电源和备用电源），可设置备用电源充电方式，提供了对后背电源进行涓细电流充电的能力。

DS1302的外部引脚分配如图1所示及内部结构如图2所示。

DS1302用于数据记录，特别是对某些具有特殊意义的数据点的记录上，能实现数据与出现该数据的时间同时记录，因此广泛应用于测量系统中。

图1 DS1302的外部引脚分配图2 DS1302的内部结构各引脚的功能为：V cc1：主电源；Vcc2：备份电源。

当Vcc2>Vcc1+0.2V 时，由Vcc2向DS1302供电，当Vcc2< Vcc1时，由Vcc1向DS1302供电。

SCLK：串行时钟，输入，控制数据的输入与输出；I/O：三线接口时的双向数据线；CE：输入信号，在读、写数据期间，必须为高。

该引脚有两个功能：第一，CE 开始控制字访问移位寄存器的控制逻辑；其次，CE 提供结束单字节或多字节数据传输的方法。

DS1302有下列几组寄存器：①DS1302有关日历、时间的寄存器共有12个，其中有7个寄存器（读时81h～8Dh，写时80h～8Ch），存放的数据格式为BCD 码形式，如图3所示。

图3DS1302有关日历、时间的寄存器小时寄存器（85h、84h）的位7用于定义DS1302是运行于12小时模式还是24小时模式。

当为高时，选择12小时模式。

在12小时模式时，位5是，当为1时，表示PM。

在24小时模式时，位5是第二个10小时位。

秒寄存器（81h、80h）的位7定义为时钟暂停标志（CH）。

当该位置为1时，时钟振荡器停止，DS1302处于低功耗状态；当该位置为0时，时钟开始运行。

时钟芯片DS1302资料

时钟芯片DS1302资料

DS1302 是美国DALLAS公司推出的一种高性能、低功耗、带RAM的实时时钟电路，它可以对年、月、日、周日、时、分、秒进行计时，具有闰年补偿功能，工作电压为2.5V～5.5V。

采用SPI三线接口与单片机进行同步通信，并可采用突发方式一次传送多个字节的时钟信号或RAM数据。

DS1302内部有一个31×8的用于临时性存放数据的RAM寄存器。

DS1302是DS1202的升级产品，与DS1202兼容，但增加了主电源/后背电源双电源引脚，同时提供了对后背电源进行涓细电流充电的能力，保证备用电力永久供电。

图3.4 DS1302的外部引脚分配图3.5 DS1302内部结构各引脚的功能为：（1）Vcc2：主电源；Vcc1：备份电源。

当Vcc2>Vcc1+0.2V时，由Vcc2向DS1302供电，当Vcc2<Vcc1时，由Vcc1向DS1302供电。

（2）SCLK：串行时钟输入，控制数据的输入与输出。

（3）I/O：三线接口时的双向数据线。

（4）RST：输入信号，在读、写数据期间，必须为高。

DS1302有下列几组寄存器：（1）DS1302有关日历、时间的寄存器共有12个，其中有7个寄存器（读时81h～8Dh，写时80h～8Ch），存放的数据格式为BCD码形式，如表3.1所示。

小时寄存器（85h、84h）的位7用于定义DS1302是运行于12小时模式还是24小时模式。

秒寄存器（81h、80h）的位7定义为时钟暂停标志（CH）。

当该位置为1时，时钟振荡器停止，DS1302处于低功耗状态；当该位置为0时，时钟开始运行。

控制寄存器（8Fh、8Eh）的位7是写保护位（WP），其它7位均置为0。

在任何的对时钟和RAM的写操作之前，WP位必须为0。

当WP位为1时，写保护位防止对任一寄存器的写操作。

（2）DS1302有关RAM的地址。

DS1302中附加31字节静态RAM的地址如表3.2所示。

（3）DS1302的工作模式寄存器。

中文DS1302充电

中文DS1302充电

DS1302充电选择一个二极管和一个电阻(2K) 充电电流约 2.2mA选择一个二极管和一个电阻(4K) 充电电流约 1.1mA选择一个二极管和一个电阻(8K) 充电电流约0.5mADS1302属于涓流充电,所以充电电流小，一个3.6V/80mA的充电电池使用2.2mA充满约36个小时涓流充电控制器2-3位: DS=01 为一个二极管DS=10 为二个二极管DS=00 无二极管,不能充电DS=11 无二极管,不能充电0-1位: RS=00 无电阻,不能充电RS=01 2KRS=10 4KRS=11 8K4-7位: TCS=1010 能充电其它组合都不能充电10100101 一个二极管电阻2K10100110 一个二极管电阻4K10100111 一个二极管电阻8K10101001 两个二极管电阻2K10101010 两个二极管电阻4K10101011 两个二极管电阻8K01011100 初始化电源图1给出了典型的涓流充电器电路，规定涓流充电器寄存器的高四位用于使能涓流充电器，低四位用于选择二极管压差和限流电阻。

下图中，可以在充电通路插入二极管，也可以不使用二极管，可选择的电阻值为250Ω、2kΩ或4kΩ。

有些器件提供了不同的二极管和电阻配置。

电容连接在V BACKUP与地之间(图2)。

用户根据所需要的最大充电电流选择二极管和电阻。

计算充电电流最大充电电流可按以下方法计算：假设3.3V的系统电源加在VCC上，涓流充电器已经使能，没有使用二极管、选择了2kΩ电阻。

当电容电压为零时可以计算出最大充电电流：IMAX = (VCC - 二极管压差)/R2= (3.3V-0V)/R2≈ (3.3V-0V)/2kΩ≈ 1.65mA随着VBACKUP电压的升高，充电电流逐渐减小。

计算备份时间下面，我们需要计算所需要的电容值。

给定所要求的备份时间，我们还需要了解其他几个参数：电容的起始电压和最终电压、从电容吸取的电流以及电容值。