基于单片机实现直流电机PWM调速系统

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1. 系统硬件电路的设计1.1 系统总体设计框图及单片机系统的设计1.1.1 系统总体设计框图图1.1系统总体设计框图键盘向单片机输入相应控制指令,由单片机通过P1.0与P1.1其中一口输出与转速相应的PWM 脉冲,另一口输出低电平,经过光耦传递、信号放大,驱动H 型桥式电动机控制电路,实现电动机转向与转速的控制。

1.2 键盘电路与单片机的电路设计(1)键盘电路的设计在单片机应用系统中,通常需要有人机对话功能,它包括人对应用系统的状态干预、数据的输入,需要用到键盘电路;以及应用系统向人报告运行状态与运行结果,需要显示电路 。

非编码式键盘只简单地提供行和列的矩阵,与全编码键盘相比,它更加经济实用且简化了硬件的外围电路;行列式键盘占用的I /O 口也较少,使用起来比独立式键盘方便。

因此,系统选用非编码式键盘。

此处选用3×8阵列,第1行是8个命令键和状态输入,它们分别是:启动键、停车键、读拨盘键和1个备用状态;第2,3行16个状态则作为电动机转速值的BCD 码输入。

(2)8051单片机的基本组成8051单片机由CPU 和8个部件组成,它们都通过片内单一总线连接,其基本结构依然是通用CPU 加上外围芯片的结构模式,但在功能单元的控制上采用了特殊功能寄存器的集中控制方法。

其基本组成如下图所示:PWM 变换电路单片机 键盘 隔离电路 驱动电路 M图1.2 8051单片机基本组成(3)CPU及8个部件的作用功能介绍如下中央处理器CPU:它是单片机的核心,完成运算和控制功能。

内部数据存储器:8051芯片中共有256个RAM单元,能作为存储器使用的只是前128个单元,其地址为00H—7FH。

通常说的内部数据存储器就是指这前128个单元,简称内部RAM。

特殊功能寄存器:是用来对片内各部件进行管理、控制、监视的控制寄存器和状态寄存器,是一个特殊功能的RAM区,位于内部RAM的高128个单元,其地址为80H—FFH。

内部程序存储器:8051芯片内部共有4K个单元,用于存储程序、原始数据或表格,简称内部ROM。

并行I/O口:8051芯片内部有4个8位的I/O口(P0,P1,P2,P3),以实现数据的并行输入输出。

串行口:它是用来实现单片机和其他设备之间的串行数据传送。

定时器:8051片内有2个16位的定时器,用来实现定时或者计数功能,并且以其定时或计数结果对计算机进行控制。

中断控制系统:该芯片共有5个中断源,即外部中断2个,定时/计数中断2个和串行中断1个。

振荡电路:它外接石英晶体和微调电容即可构成8051单片机产生时钟脉冲序列的时钟电路。

系统允许的最高晶振频率为12MHz。

3.8051单片机引脚图图1.38051单片机引脚图表1.1功能表(4)接线分析P0.7---P0.0:这8个引脚共有两种不同的功能,分别使用于两种不同的情况。

第一种情况是8051不带片外存储器,P0口可以作为通用I/O口使用,P0.7---P0.0用于传送CPU的I/O数据。

第二种情况是8051带片外存储器,P0.7---P0.0在CPU访问片外存储器时先是用于传送片外存储器的低8位地址,然后传送CPU对片外存储器的读写数据。

P2.7---P2.0:这组引脚的第一功能可以作为通用的I/O使用。

它的第二功能和P0口引脚的第二功能相配合,用于输出片外存储器的高8位地址,共同选中片外存储器单元,但是并不能像P0口那样还可以传送存储器的读写数据。

P3.7---P3.0:这组引脚的第一功能为传送用户的输入/输出数据。

它的第二功能作为控制用,每个引脚不尽相同,如下表所示:P3口的位第二功能注释P3.0 RXD 串行数据接收口P3.1 TXD 串行数据发送口P3.2 ______0INT外中断0输入P3.3 ______1INT外中断1输入P3.4 T0 计数器0计数输入P3.5 T1 计数器1计数输入P3.6 _____WR外部RAM写选通信号P3.7 ____RD外部RAM读选通信号表1.3 P3口功能表V CC 为+5V电源线,VSS为接地线。

ALE/_________PROG:地址锁存允许/编程线,配合P0口引脚的第二功能使用,在访问片外存储器时,8051CPU在P0.7---P0.0引脚线上输出片外存储器低8位地址的同时还在ALE/_________PROG线上输出一个高电位脉冲,其下降沿用于把这个片外存储器低8位地址锁存到外部专用地址锁存器,以便空出P0.7---P0.0引脚线去传送随后而来的片外存储器的读写数据。

在不访问片外存储器时,8051自动在ALE/_________PROG线上输出频率为1/6 f OSC的脉冲序列。

该脉冲序列可以用作外部时钟源或者作为定时脉冲源使用。

____EA / V PP:允许访问片外存储器/编程电源线,可以控制8051使用片内ROM还是片外ROM。

如果____EA=1,那么允许使用片内ROM;如果____EA=0,那么允许使用片外ROM。

________PSEN:片外ROM选通线,在执行访问片外ROM的指令MOVC时,8051自动在________PSEN线上产生一个负脉冲,用于片外ROM芯片的选通。

其他情况下,________PSEN线均为高电平封锁状态。

RST/VPD:复位备用电源线,可以使8051处于复位工作状态。

XTAL1和XTAL2:片内振荡电路输入线,这两个端子用来外接石英晶体和微调电容,即用来连接8051片内OSC的定时反馈电路。

石英晶振起振后,应能在XTAL2线上输出一个3V左右的正弦波,以便于8051片内的OSC电路按石英晶振相同频率自激振荡,电容C1、C2可以帮助起振,调节它们可以达到微调fOSC的目的。

1.2.1 PWM的基本原理PWM(脉冲宽度调制)是通过控制固定电压的直流电源开关频率,改变负载两端的电压,从而达到控制要求的一种电压调整方法。

PWM可以应用在许多方面,比如:电机调速、温度控制、压力控制等等。

在PWM驱动控制的调整系统中,按一个固定的频率来接通和断开电源,并且根据需要改变一个周期内“接通”和“断开”时间的长短。

通过改变直流电机电枢上电压的“占空比”来达到改变平均电压大小的目的,从而来控制电动机的转速。

也正因为如此,PWM又被称为“开关驱动装置”。

如下图所示:图1.9 时序图设电机始终接通电源时,电机转速最大为Vmax,设占空比为D= t1 / T,则电机的平均速度为Va = Vmax* D,其中Va指的是电机的平均速度;Vmax是指电机在全通电时的最大速度;D = t1 / T是指占空比。

由上面的公式可见,当我们改变占空比 D = t1 / T时,就可以得到不同的电机平均速度Vd ,从而达到调速的目的。

严格来说,平均速度Vd与占空比D并非严格的线性关系,但是在一般的应用中,我们可以将其近似地看成是线性关系。

1.3隔离电路设计该隔离电路采用东芝TLP521-4型砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管的可光电藕合器件,通过对其输入端的控制,可使光耦按工作需要打开或关闭。

当在输入控制端加高电平时,光耦正常工作。

广泛作用在各种电路之间的信号传输,使之前端与负载完全隔离,目的在于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。

TLP521-4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装1.4 功率放大驱动电路设计该驱动电路采用了IR2110集成芯片,该集成电路具有较强的驱动能力和保护功能。

1.4.1 芯片IR2110性能及特点IR2110是美国国际整流器公司利用自身独有的高压集成电路以及无闩锁CMOS技术,于1990年前后开发并且投放市场的,IR2110是一种双通道高压、高速的功率器件栅极驱动的单片式集成驱动器。

它把驱动高压侧和低压侧MOSFET 或IGBT所需的绝大部分功能集成在一个高性能的封装内,外接很少的分立元件就能提供极快的功耗,它的特点在于,将输入逻辑信号转换成同相低阻输出驱动信号,可以驱动同一桥臂的两路输出,驱动能力强,响应速度快,工作电压比较高,可以达到600V,其内设欠压封锁,成本低、易于调试。

高压侧驱动采用外部自举电容上电,与其他驱动电路相比,它在设计上大大减少了驱动变压器和电容的数目,使得MOSFET和IGBT的驱动电路设计大为简化,而且它可以实现对MOSFET和IGBT的最优驱动,还具有快速完整的保护功能。

与此同时,IR2110的研制成功并且投入应用可以极大地提高控制系统的可靠性。

降低了产品成本和减少体积。

1.4.2 IR2110的引脚图以及功能引脚1(LO)与引脚7(HO):对应引脚12以及引脚10的两路驱动信号输出端,使用中,分别通过一电阻接主电路中下上通道MOSFET的栅极,为了防止干扰,通常分别在引脚1与引脚2以及引脚7与引脚5之间并接一个10KΩ的电阻。

引脚2(COM):下通道MOSFET驱动输出参考地端,使用中,与引脚13(Vss)直接相连,同时接主电路桥臂下通道MOSFET的源极。

引脚3(Vcc):直接接用户提供的输出极电源正极,并且通过一个较高品质的电容接引脚2。

引脚5(Vs):上通道MOSFET驱动信号输出参考地端,使用中,与主电路中上下通道被驱动MOSFET的源极相通。

与引脚6(VB):通过一阴极连接到该端阳极连接到引脚3的高反压快恢复二极管,与用户提供的输出极电源相连,对Vcc的参数要求为大于或等于—0.5V,而小于或等于+20V。

引脚9(VDD):芯片输入级工作电源端,使用中,接用户为该芯片工作提供的高性能电源,为抗干扰,该端应通过一高性能去耦网络接地,该端可与引脚3(Vcc)使用同一电源,也可以分开使用两个独立的电源。

引脚10(HIN)与引脚12(LIN):驱动逆变桥中同桥臂上下两个功率MOS 器件的驱动脉冲信号输入端。

应用中,接用户脉冲形成部分的对应两路输出,对此两个信号的限制为Vss -0.5V至Vcc+0.5V,这里Vss与Vcc分别为连接到IR2110的引脚13(Vss)与引脚9(VDD)端的电压值。

引脚11(SD):保护信号输入端,当该引脚为高电平时,IR2110的输出信号全部被封锁,其对应的输出端恒为低电平,而当该端接低电平时,则IR2110的输出跟随引脚10与12而变化。

引脚13(Vss):芯片工作参考地端,使用中,直接与供电电源地端相连,所有去耦电容的一端应接该端,同时与引脚2直接相连。

引脚8、引脚14、引脚4:为空引脚。

芯片参数:1.IR2110的极限参数和限制:最大高端工作电源电压VB: -0.3V至525V门极驱动输出最大(脉冲)电流IOMAX:2A最高工作频率fmax:1MHz工作电源电压Vcc:-0.3V至25V贮存温度Tstg:-55至150°C工作温度范围TA:-40至125°C允许最高结温Tjmax:150°C逻辑电源电压VDD :-0.3V至VSS+25V允许参考电压Vs临界上升率dVs/dt:50000V/μs高端悬浮电源参考电压Vs:VB -25V至VB+0.3V高端悬浮输出电压VHO :Vs-0.3V至VB+0.3V逻辑输入电压VIN :Vss-0.3V至VDD+0.3V逻辑输入参考电压Vss:Vcc-25V至Vcc+0.3V低端输出电压VLO:-0.3V至Vcc+0.3V功耗PD:DIP-14封装为1.6W2.IR2110的推荐工作条件:高端悬浮电源绝对值电压VB:Vs+10V至Vs+20V低端输出电压VLO:0至Vcc低端工作电源电压Vcc:10V至20V逻辑电源电压VDD: Vss+5V至Vss+20V逻辑电源参考电压Vss: -5V至+5V图1.13 IR2110芯片1.5 PWM变换主电路设计1.5.1 延时保护电路利用IR2110芯片的完善设计可以实现延时保护电路。