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TMS320F2812将flash中内容搬到ram中

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TMS320F2812将flash中内容搬到ram中
目前正在做一个基金项目，涉及到视觉图像处理方面的东东，在采集图像时用到了2812的两个外部中断，场中断XINT1,行中断NMI，本来行中断可以用XINT2的，但通过测试，XINT2有问题，所以只好用NMI了。

之前所做的一些处理工作，如图像数据采集、二值化处理、电机控制均是在线调试，调试通过后想脱机运行，但是在烧写flash时遇到了问题。

烧写进flash后，程序没有执行相应的功能，我当时就很纳闷，为什么在RAM里执行的好好的，但到了flash里却不执行了呢？这个问题困扰了我好几天。

后来我做了实验，进行了一些时间测试，我的测试条件是：系统时钟设置为60MHz，高速外围时钟为6MHz。

a.采用load program，测试行中断里这段程序for(buf=0;buf<20;buf++)的执行时间为5us；
b.相同的程序，烧写到flash后测得它的执行时间却达到了68us；
我看到这种结果后感到很吃惊，在flash里运行速度也太慢了吧，我一个行中断的时间只有64us，单纯的一个小延时就到到了68us，那其它的功能肯定别想实现了，这下我才明白为什么之前把程序烧到flash里没有运行结果了，因为行中断里面的代码执行时间已经远远超出64us了。

接下来摆在我面前的问题是如何解决这种高低速之间的矛盾，因为我的中断程序要进行图像采集，速度很快，而flash速度比较慢，所以接下来的任务就是如何实现把中断服务程序搬到RAM里面来运行。

翻了翻书，仔细研究了一下书中讲的如何将代码从flash搬到RAM里运行，按照自己的理解尝试了一下，最后终于成功了，我把我的搬运步骤列出来，跟大家一起分享一下。

第一阶段：修改2812_nonBIOS_flash.cmd文件
a.将初始化段中的.text, .cinit, .pinit, .const, .econst, .switch 块均放在FLASH_AB中；
b.将RAML1: origin=0x009000, length=0x001000 放在Page0区，之前的cmd里RAML1是放在Page1区；
c.将RAMH0: origin=0x3F8002, length=0x001FFE 放在Page1区，之前的cmd里RAMH0是放在Page0区,主要的目的是想增大数据存储区，让所有的动态变量全部放在RAMH0中，而之前的cmd中动态变量是被分配到RAML1中的，RAML1只有4K大小，影响采集的分辨率。

d.在SECTION的Data Memory中将.cio, .bss, .ebss, .sysmem, .esysmem 配置到
RAMH0中；
e.在的下面再添加下面这段：
secureRamFuncs : LOAD = FLASH_AB, PAGE=0
RUN = RAML0, PAGE = 0
RUN_START(_secureRamFuncs_runstart),
LOAD_START(_secureRamFuncs_loadstart),
LOAD_END(_secureRamFuncs_loadend)
secureRamFuncs这段之前的cmd中也有，这里也暂且把它列出来。

关键是要添加下面这段：
interruptRamFuncs : LOAD = FLASH_AB, PAGE = 0
RUN = RAML1, PAGE = 0
RUN_START(_interruptRamFuncs_runstart),
LOAD_START(_interruptRamFuncs_loadstart),
LOAD_END(_interruptRamFuncs_loadend)
以上是对cmd部分的修改。

第二阶段：修改DSP28_GlobalPrototypes.h文件
a.在文件的开始增加如下代码： #ifndef USER_NONBIOS_FLASH
#define USER_NONBIOS_FLASH
#endif
这段代码是借鉴一个例程上的，也可以不加。

b. 在// Global symbols defined in the linker command file 下面区域中添加如下代码
#ifdef USER_NONBIOS_FLASH
extern Uint16 secureRamFuncs_loadstart; // Used in flash example only
extern Uint16 secureRamFuncs_loadend; // Used in flash example only
extern Uint16 secureRamFuncs_runstart; // Used in flash example only
extern Uint16 interruptRamFuncs_loadstart;
extern Uint16 interruptRamFuncs_loadend;
extern Uint16 interruptRamFuncs_runstart;
#endif
关于secureRamFuncs的三个声明是之前就有的，后面的interruptRamFuncs的三个声明是自己加进去的，此时我才发现在cmd里面要用到这几个变量。

第三阶段：在DSP28_DefaultIsr.c 中添加以下两句代码：
#pragma CODE_SECTION(XINT1_ISR, "interruptRamFuncs");
#pragma CODE_SECTION(NMI_ISR, "interruptRamFuncs");
表示在interruptRamFuncs 块中为行、场中断服务程序分配空间。

第四阶段：正确书写memcpy函数
a. 首先进行系统控制寄存器的初始化，然后进行PIE控制寄存器的初始化以及PIE矢量表的初始化；
b. 在上述初始化后再进行拷贝工作，拷贝代码如下：
#ifdef USER_NONBIOS_FLASH
memcpy( &secureRamFuncs_runstart,
&secureRamFuncs_loadstart,
&secureRamFuncs_loadend - &secureRamFuncs_loadstart);
memcpy( &interruptRamFuncs_runstart,
&interruptRamFuncs_loadstart,
&interruptRamFuncs_loadend - &interruptRamFuncs_loadstart);
InitFlash();
#endif
当然也可以不要ifdef USER_NONBIOS_FLASH 和endif 这段，如果不要的话，在DSP28_GlobalPrototypes.h 就应把相应的定义全部去掉，这里我也是参考了下例程，想保持一种良好的习惯。

以上是我搬运中断服务程序到RAM运行的完整步骤，如果没有第三阶段，直接编译，会出现下面的warning: load address of uninitialized section interruptRamFuncs ignored。

我现在想起来了为什会出现这个warning,因为在主程序的memcpy 里使用了 interruptRamFuncs,
而 interruptRamFuncs 还没进行定义就使用，这是不符合规则的，#pragma的用法里有一条：在声明、使用XINT1_ISR 和 NMI_ISR 前必须用#pragma 进行定义。

完全按照以上四个阶段的操作来进行，编译没有错误，然后烧写进flash，程序能够运行，而且两个PWM口的输出逻辑完全符合我的预期，跟在线调试的结果一样。

最后脱机运行，我们的机器人终于可以动起来了。

困扰了很久的flash烧写终于有了一点小小成果，但是我仍然有点疑问，对下面这段拷贝代码：
memcpy( &secureRamFuncs_runstart,
&secureRamFuncs_loadstart,
&secureRamFuncs_loadend - &secureRamFuncs_loadstart);
InitFlash();
我看书上讲，如果要将代码从flash拷贝到RAM里运行，上面这几句是必须的。

我有点不太明白，这里的memcpy 到底拷贝的是哪部分的内容呢？希望各位朋友能够指教，一起交流交流。

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2.2 TMS320X2812基础-基本系统

2.2 TMS320X2812基础-基本系统

为什么只有 128脚？ F2812、 F2811、 F2810各采用 什么封装？
Top view
问题
1 找出电源引脚。注意它们的区别。 2 找出时钟引脚。 3 找出复位、测试引脚。
电源引脚(1)
电源引脚(2)
电源引脚(3)
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
问题
1 SS、DD、SSA、DDA等代表什么意思？ 2 为什么用SS、DD表示？
问题
比较与ARM JTAG的差别。
问题
电路中为什么要哪么多电容、电阻？ 如0.1uF、10uF，5.1kΩ、10kΩ。
外部接口引脚(3)
外部接口引脚(4)
问题
为什么没有看到GPIO引脚？
GPIO引脚(1)
GPIO引脚(2)
GPIO引脚(3)
GPIO引脚(4)
2 TMS320X2812基础 2-2
3
基本系统
硬件资源
全 功 能 框 图
Block Diagram
Program Bus
Event Manager A Boot Sectored A(18-0) 22 Flash Event Manager B 12-bit ADC Watchdog
32
操作码
8/16 32
Shift R/L (0-16)
乘法器结果
数据存储区
32
ALU (32)
32 ACC (32) AH (16) AL (16)
AL.LSB AH.MSB AH.LSB AL.MSB
操作数2 来至于寄存器
• 32
Shift R/L (0-16)
32
Data Bus
Pointer, DP and Memory
TMS320f280x 数据手册NEW

TMS320f280x 数据手册NEW

TMS320F2809, TMS320F2808, TMS320F2806, TMS320F2802, TMS320F2801TMS320C2802, TMS320C2801，and TMS320F2801x DSPs数据手册著作编号：SPRS230J2003年-2007年9月修正除非有其他说明，本文档中包含了自发布日起的产品数据信息。

同时，产品也与德州仪器的每期标准规范说明书一致。

对产品的处理不包括所有参数的测试。

目录修订历史1 F280x,C2801x,C280x DSPs1.1特点1.2商标2 介绍2.1 引脚分配2.2 信号描述3 功能概况3.1 内存映射3.2 简单描述3.2.1 C28X CPU3.2.2 存储器总线（哈佛总线结构）3.2.3 外设总线3.2.4 实时JTAG接口和分析3.2.5 FLASH存储器3.2.6 ROM存储器3.2.7 M0,M1 SARAMs3.2.8 L0,L1,H0 SARAMs3.2.9 BOOT ROM3.2.10 安全性3.2.11 外设中断扩展（PIE）模块3.2.12 外部中断（XINT1,XINT2,XNMI）3.2.13 振荡器和锁相环（PLL）电路3.2.14 看门狗3.2.15 外部时钟3.2.16 低功耗模式3.2.17 外设框架3.2.18 通用输入输出(GPIO)复用引脚3.2.19 32位CPU定时器（0，1，2）3.2.20 控制外设3.2.21 串口外设3.3 寄存器映射3.4 器件仿真寄存器3.5 中断3.5.1 外部中断3.6 系统控制3.6.1 OSC和PLL模块3.6.2 看门狗模块3.7 低功耗模式模块4 外设4.1 32位CPU定时器0/1/24.2 增强型PWM模块（ePWM1/2/3/4/5/6）4.3 高精度PWM（HRPWM）4.4 增强型CAP模块（eCAP1/2/3/4）4.6 增强型AD转换模块4.6.1 ADC不用时引脚连接4.6.2 ADC寄存器4.7 增强型CAN模块（e-CAN-A和eCAN-B）4.8 SCI模组（SCI-A,SCI-B）4.9 SPI模组（SPI-A,SPI-B,SPI-C,SPI-D）4.10 I2C总线4.11 GPIO复用引脚5 器件支持5.1 器件和开发工具名称5.2 文档支持6 电路规范6.1 绝对最大额定值6.2 推荐运行条件6.3 电气特性6.4 电流消耗6.4.1 减小电流消耗6.4.2 电流消耗图表6.5 DSP无信号缓冲区时的引脚冲突连接6.6 时序参数模型6.6.1 时序参数的一般注意事项6.6.2 测试负荷电路6.7 时钟要求和特性6.8 上电时序6.8.1 电源管理和监控电路解决方案6.9 通用输入输出(GPIO)多路复用器6.9.1 GPIO-输出时序6.9.2 GPIO-输入时序6.10 增强型控制外设6.10.1 增强型脉宽调制（ePWM）时序6.10.2 Trip-Zone 输入时序6.10.3 外部中断时序6.10.4 I2C电路特性和时序6.10.5 串行外设接口（SPI）主动模式时序6.10.6串行外设接口（SPI）被动模式时序6.10.7 片上模-数转换器6.10.7.1 ADC上电控制位时序6.11 详细描述6.12 FLASH时序6.13 ROM时序（仅适用于C280x）7 从F280X到C280X的移植7.1 移植方法8 机械数据图形列表2-1 TMS320F2809，TMS320F2808 100-pin PZ LQFP（Top V iew）2-2 TMS320F2806 100-pin PZ LQFP（Top V iew）2-3 TMS320F2802，TMS320F2801，TMS320C2802，TMS320C2801，100-pin PZ LQFP（Top V iew）2-4 TMS320F2801x 100-Pin PZ LQFP（Top V iew）2-5 TMS320F2809，TMS320F2808，TMS320F2806，TMS320F2802，TMS320F2801，TMS320F28016，TMS320F28015，TMS320C2802，TMS320C2801 100-ball GGM and ZGM MicroStar BGA(Bottom View) 3-1 原理框图3-2 F2809内存映射3-3 F2808内存映射3-4 F2806内存映射3-5 F2802，C2802内存映射3-6 F2801, F28015,F28016,C2801内存映射3-7 外设中断资源3-8 使用外设中断模块时的中断复用3-9 时钟和复位电路3-10 OSC和PLL 方块图3-11 3.3V外部晶振的使用3-12 1.8V外部晶振的使用3-13 内部晶振的使用3-14 看门狗模块4-1 CPU定时器4-2 CPU定时器中断信号和输出信号4-3 280x系统的多路PWM模块4-4 ePWM4-5 eCAP功能方块图4-6 eQEP功能方块图4-7 ADC模块方块图4-8 使用内部参考时的ADC引脚连接4-9使用外部参考时的ADC引脚连接4-10 eCAN方块图和接口电路4-11 Ecan-A存储映射4-12 Ecan-B存储映射4-13 串行通信接口模组方块图4-14 SPI模组方块图（被动模式）4-15 I2C接口设计4-16 GPIO复用引脚方块图4-17 使用取样窗口的条件5-1 TMS320X280X器件命名举例6-1 典型的运行电流相对频率（F2808）6-2 典型的运行电流相对频率(F2808)6-3 无信号缓冲时的硬件连接6-4 3.3V测试负荷电路6-5 时钟时序6-7 热复位6-8 有效写入PLLCR寄存器的举例6-9 通用输出时序6-10 采样模式6-11 通用输入时序6-12 空闲进入和退出时序6-13 备用进入和退出时序6-14 使用通用IO口的中断唤醒6-15 PWM HI-Z特性6-16 ADCSOCAO or ADCSOCBO 时序6-17 外部中断时序6-18 SPI主动模式外部时序（CLOCK PHASE = 0）6-19 SPI主动模式外部时序（CLOCK PHASE = 1）6-20 SPI被动模式外部时序（CLOCK PHASE = 0）6-21 SPI被动模式外部时序（CLOCK PHASE = 1）6-22 ADC上电控制位时序6-23 ADC 模拟输入阻抗模式6-24 单通道模式时序6-25多通道模式时序表单列表2-1 硬件特性（100MHZ器件）2-2 硬件特性（60MHZ器件）2-3 信号描述3-1 F2809的FLASH段地址3-2 F2808的FLASH段地址3-3 F2802、F2806的FLASH段地址3-4 F2801、F28015、F28016的FLASH段地址3-5 使用代码保护模式的影响3-6 等待状态3-7 自举模式选择3-8 外部frame0寄存器3-9 外部frame1寄存器3-10 外部frame2寄存器3-11 器件硬件寄存器3-12 PIE外部中断3-13 PIE配置和控制寄存器3-14 外部中断寄存器3-15 PLL,Clocking,Watchdog,and Low-Power Mode 寄存器3-16 PLLCR寄存器位定义3-17 可能的PLL配置模式3-18 低功耗模式4-1 CPU定时器0，1，2配置和控制寄存器4-2 ePWM控制和标准寄存器4-4 eQEP控制和标准寄存器4-5 ADC寄存器4-6 3.3V eCAN收发器4-7 CAN寄存器MAP4-8 SCI-A寄存器4-9 SCI-B寄存器4-10 SPI-A寄存器4-11 SPI-B寄存器4-12 SPI-C寄存器4-13 SPI-D寄存器4-14 SPI-C寄存器4-15 GPIO寄存器4-16 F2808 GPIO复用表6-1 系统时钟为100MHZ时TMS320F2809,TMS320F2808的电流消耗6-2系统时钟为100MHZ时TMS320F2806的电流消耗6-3系统时钟为100MHZ时TMS320F2802，TMS320F2801的电流消耗6-4系统时钟为100MHZ时TMS320C2802，TMS320C2801的电流消耗6-5各种外设的典型电流消耗（100MHZ时）6-6 TMS320x280x时钟表和命名（100MHZ器件）6-7 TMS320x280x时钟表和命名（60MHZ器件）6-8 输入时钟频率6-9 XCLKIN时序要求-PLL enabled6-10 XCLKIN时序要求-PLL disabled6-11 XCLKOUT 开关特性（PLL bypassed or enabled）6-12 电源管理和监控电路解决方案6-13 Reset(XRS)时序要求6-14 通用输出开关特性6-15 通用输入时序要求6-16 IDLE模式时序要求6-17 IDLE模式开关特性6-18 STANDBY模式时序要求6-19 STANDBY模式开关特性6-20 HALT模式时序要求6-21 HALT模式开关特性6-22 ePWM时序要求6-23 ePWM开关特性6-24 Trip-Zone 输入时序要求6-25 高精度PWM特性（SYSCLKOUT=(60~100MHZ)6-26 eCAP时序要求6-27 eCAP开关特性6-28 eQEP时序要求6-29 eQEP开关特性6-30 外部ADC启动转换开关特性6-31 外部中断时序要求6-32 外部重点开关特性6-34 SPI主动模式外部时序（Clock Phase=0）6-35 SPI主动模式外部时序（Clock Phase=1）6-36 SPI被动模式外部时序（Clock Phase=0）6-37 SPI被动模式外部时序（Clock Phase=0）6-38 ADC电器特性（通过推荐运行条件验证）6-39 ADC上电延时6-40 不同ADC配置时的电流消耗（ADCCLK=12.5MHZ）6-41 单通道模式时序6-42 多通道模式时序6-43 Flash耐性6-44 SYSCLKOUT=100MHZ时的Flash参数6-45 Flash/OTP进入时序6-46 不同频率时的最大最小要求Flash/OTP等待状态6-47 ROM/OTP进入时序6-48不同频率时的最大最小要求ROM/OTP等待状态8-1 F280x Thermal Model 100-pin GGM Results8-2 F280x Thermal Model 100-pin PZ Results8-3 C280x Thermal Model 100-pin GGM Results8-4 C280x Thermal Model 100-pin PZ Results8-5 F2809 Thermal Model 100-pin GGM Results8-6 F2809 Thermal Model 100-pin PZ Results版本历史注意：早期版本的页码可能和当前版本页码有所不同该数据手册自SPRS230I到SPRS230J修正该文档因保证技术的准确性，已经被再次审阅。

TMS320F281xDSP原理及应用技术

TMS320F281xDSP原理及应用技术

《绪论》F2812和F2810的特点和区别特点：1）CPU 32位定点CPU 主频高达150MHz 增强型哈佛总线结构支持JTAG仿真接口2）存储器4MB的程序/数据寻址空间（片外1MB）片上高达128KX16位FLASH存储器18KX16位单周期访问片内RAM3）两个事件管理器EVM 每个EVM模块包括：8通道16位PWM 死区产生和配置单元外部可屏蔽功率或驱动保护中断正交脉冲编码接口（QEP）三个捕捉单元，捕捉外部时间，特别适合于电机控制4）串行通信外设一个高速同步串行外设接口（SPI）两个UART接口模块（SCI）增强的CAN2.0B接口模块多通道缓冲串口（McBSP）5）ADC模块12位，2X8通道(两个S/H)，A/D转换周期200ns，输入电压0～3V。

6）其它外设：锁相环（PLL）控制的时钟倍频系数看门狗定时模块三个外部中断3个32位CPU定时器128位保护密码高达56个通用I/O引脚支持IDLE,STANDBY,HALT 等省电模式区别：F2812有外部存储器接口，TMS320F2810没有；TMS320F2812有128K的Flash TMS320F2810仅64K；F2812具有外部扩展接口XINTF，高达1MW的寻址空间，支持可编程的等待状态和读写选通时序，提供三个独立的片选信号，而F2810没有F281x外部接口：一个高速同步串行外设接口（SPI），两个UART接口模块（SCI），增强的CAN2.0B 接口模块，多通道缓冲串口（McBSP）。

TMS320F28x系列中的F2810、F2811、F2812间有何区别？TMS320F2812有外部存储器接口，而TMS320F2811和TMS320F2810没有。

TMS320F2812和TMS320F2811有128K的Flash,而TMS320F2810仅64K。

与单片机相比，DSP有何特点？接口方便；编程方便；具有高速性；稳定性好；精度高；可重复性好；集成方便DSP器件比16位单片机单指令执行时间快8～10倍完成一次乘加运算快16～30倍。

EVMF2812用户使用手册

EVMF2812用户使用手册

Techv- TMS320F2812评估板使用说明书北京精仪达盛科技有限公司2007.02.01*本公司保留对此说明书最终解释权，如有更改恕不另行通知*版权所有，严禁非法复制、传播北京精仪达盛科技有限公司 2007.01 version 2.0目录第一章TMS320F2812EVM评估板介绍 (1)1.1 F2812EVM概述 (2)1.2 F2812EVM主要功能 (2)1.3 F2812EVM功能框图 (4)第二章TMS320LF2407EVM评估板接口说明 (5)2.1 F2812EVM组成 (6)2.2 F2812EVM模块介绍 (6)2.2.1 F2812EVM存储器接口 (9)2.2.2 用户开关和LED (11)2.2.3 晶振选择 (13)2.2.4 复位电路 (13)2.2.5 电源接口 (14)2.2.6 扩展总线........ . (15)2.2.7 JTAG接口 (19)2.2.8 板上串行通信接口 (20)2.2.9 CAN总线接口...... .. (20)2.2.10 AD变换单元 (21)2.2.11 CPLD模块 (22)第三章TMS320F2812EVM评估板测试软件说明 (28)北京精仪达盛科技有限公司 2007.01 version 2.0第一章TMS320F2812 EVM评估板介绍本章主要介绍TMS320F2812 EVM评估板的基本概况、主要特点、评估板功能以及功能框图等内容。

北京精仪达盛科技有限公司 2007.01 version 2.0 11.1 F2812EVM概况F2812EVM是一个独立的嵌入式应用板卡，用户可以通过它直接验证自己的算法，或在此基础上进行最终产品的集成或开发。

板卡上面丰富的资源能够满足大多数应用场合的需求。

高容量的存储器能够满足各种应用代码的调试。

完全的信号扩展式用户更方便进行二次开发。

该产品灵活方便的外部接口，可以作为工业控制特别是电机控制系统集成的配套产品。