跨导线性原理

gm1 1
gm1 gmb1 11
+
v-i
VGG
VDD T1
T2
+
vo
-
gm1vgs1
+ g1
+
vi
- d1
1 rds1 rds2
g mb1
vo
-
分析集成 MOS 放大器时，需注意以下问题：
❖ 分析电路性能时，必须考虑负载管衬底效应的影响 (用背栅跨导表示)。
❖ 分析过程中，压控电流源的控制电压与电流源两端 电压相等时，压控电流源可用等效电阻置换。
io
iX
T2
T3
T1
iY
T4
若两输入电流中有一个恒定，则可实现对另一电流 的平方根运算。
❖ CMOS 共栅放大器
Ri
vi ii
rds1 rds2 1 g rm1 ds1
VGG
Av
vo vi
1 g r m1 ds1 rds2 rds1 rds2
gm1 rds1 // rds2
Ri
高中物理
晶体三极管应用原理
晶体三极管应用原理
电流源
利用三极管放大区 iB 恒定时 iC 接近恒流的特性，可构 成集成电路中广泛采用的一种单元电路——电流源。
iC 外电路(负载电路)
iB 恒值
R
iC
Q
iB
+
- VQ+ v
O VCE(sat)
vCE
该电流源不是普通意义上的电流源，因它本身不提供能量。
电流源电路的输出电流 I０，由外电路中的直流电源提供。
放BJT的选择。
难点： (1)乙类和甲乙类互补对称功率放大电路的组成、

解: (1)假设晶体三极管工作在放大模式，将晶体三极管用放大 模式下的大信号等效电路模型表示，如图(b)所示。
,假设成立，计算有效
(2) 同样先假设晶体三极管工作在放大模式，输入回路与 (1)一样，得到IB = 10 A，IC = 1mA，则
假设不成立，三极管需要采用饱和模式下的等效电路 模型，重新计算得到
三、极限参数
❏ 集电极最大允许电流ICM
明显下降时所对应的最大允许集电极电流。
❏ 集电极最大允许功率损耗PCM
在集电极最高工作温度限制下，三极管所能承受的最大允许 集电极耗散功率
❏ 反向击穿电压V(BR)CEO
防止管子被击穿所允许的最大vCE的值
2.2.4 晶体三极管的频率参数
的频率特性：
的幅频特性：
三、共集电极 电流传输方程小结：
2.2 晶体三极管模型
2.2.1 埃伯尔斯－莫尔模型
当晶体三极管两个结均加正偏，IF和 IR都较大,晶体三极管工作在饱和模式, IC和IE将同时受到两个结正偏电压的
控制，三极管失去正向受控作用。且
随着集电结正偏电压VBC的增大，IR增 大，导致IC和IE迅速减小，同时IB迅速
稳定输出电流的方法：对于给定的偏置电路，静态工作 点及其稳定性主要取决于ICQ及其稳定性，一个高热稳 定性的偏置电路实际上就是能够稳定ICQ的电路。可以 通过检测输出电流的变化，同时用检测信号来控制输入 回路电流IBQ的方式实现ICQ的稳定，。
分压式偏置电路：
一、RB1和RB2作为VCC的分压电路，提供T 管的偏置电压；
E : 发射区发射效率，表示能够转化为集电极电流的有用成分IEn 在IE中占的百分比
B : 基区传输效率，表示受控集电极电流ICn1在IEn中占的百分比 综上：只有发射区中多子自由电子通过发射结电流IEn转化为集电 结电流ICn1，成为产生上述正向受控作用的载流子，大小只受正 偏发射结电压控制；其他载流子流为寄生电流。

一种适用于DDR内存驱动的LDO芯片设计蔡胜凯;王卓;马亚东;汪尧;明鑫;张波【摘要】介绍了一种适用于DDR内存驱动的LDO芯片.采用跨导线性环结构增大摆率,具有快速的瞬态响应.控制环路上下通道不匹配,采用单边米勒补偿方式,形成环路主极点和零点,再引入电阻R3形成补偿零点,环路整体表示为单极点系统,具有很好的稳定性.该LDO的典型输入电压为1.2 V,输出电压为0.6 V,负载电容为10 μF,具有1.5 A的电流抽取和灌出能力,同时集成了2.6 A的电流限功能,满足了DDR内存的应用需求.采用0.35 μm BCD工艺进行仿真验证,仿真结果表明该设计具有很好的瞬态调整能力和稳定性.【期刊名称】《电子与封装》【年(卷),期】2018(018)004【总页数】5页(P13-17)【关键词】DDR内存驱动;跨导线性环;快速瞬态响应【作者】蔡胜凯;王卓;马亚东;汪尧;明鑫;张波【作者单位】电子科技大学功率集成实验室,成都610000;电子科技大学功率集成实验室,成都610000;电子科技大学功率集成实验室,成都610000;电子科技大学功率集成实验室,成都610000;电子科技大学功率集成实验室,成都610000;电子科技大学功率集成实验室,成都610000【正文语种】中文【中图分类】TN4021 引言由于几乎所有要求快速处理大量数据的应用中都要求具有RAM（随机存储器），因而DDR存储器也变得日益重要，应用也变得更加广泛。

DDR是一种能够保存易失性信息的存储器，并且可以以一种更加快速、直接的方式存取信息。

在计算机系统中，存储器带宽要同处理器的前端总线带宽匹配，并且存储器的速度要尽可能快，这样才不会使处理器的性能受到限制[1]。

因此对于DDR内存的电源模块也有着更高的要求，需要电源模块具有更快的瞬态响应速度来满足DDR内存快速切换的状态；同时由于DDR内存的应用越来越广，DDR驱动电源的低功耗设计也是发展趋势。

关键词：共源共栅；电流镜；电流控制；电流传输器
TheResearch andApplication of Current Mirrors
Liao YΒιβλιοθήκη long(Hunan Institute of the Humanities Science and Technology Hunan Loudi 417000)
2.2.1第一代电流传输器CCI
（1）第一代电流传输器(CCI)的电路符号及端口特性
K.C.Smith和A.Sedra在1968年提出了第一代电流传输器(CCI)[4]。第一代电流传输器是一个三端口器件。它有两个电流输入端和一个电流输出端，分别用X、Y、Z表示。CCI的输入与输出端口特性可用矩阵式(2-1)所示。
Abstract：The paper studies the principle and improvements of CMOS current controlled conveyor. Regardless of the size of the signal, CMOS current controlled conveyor always provides higher voltage gain under wider bandwidth than the corresponding bandwidth operational amplifier and has the power adjustable features.The circuit used widely by scholars is the traditional CCCⅡproposed by Fabre and it consists of translinear loop and the basic current mirror circuit.However, the weakness of the basic current mirror circuit is low transmission precision, low output impedance and no current negative feedback circuit. Therefore，the paper presents a CMOS current controlled current conveyor based on cascode current mirror. The improved CCCⅡcircuit is constructed by a translinear loop and cascade current mirror. Compared with CCCⅡbased on the basic current mirror, the improved CCCⅡcircuit has the following merits: high output impedance, high current transfer accuracy. Performance principle of the circuits is analyzed and experiment results are given. The results of experiment verify the feasibility of the improved CCCⅡ.