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2017年《模拟电子技术期末大作业(高起专)》答案

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《模拟电子技术期末大作业01》

一、简答题

1. 在集成运算放大电路中，常用的偏置电路有哪几种？

答：镜像电流源、比例电流源和微电流源。

2. 简述温度对三极管参数的影响。

答：首先，从输入特性看，当温度升高时。为得到同样的IB所需的UBE值将减小。

其次，温度升高时三极管的β值也将增加，使输出特性之间的间距增大。

最后，当温度升高时，三极管的反向饱和电流ICBO将急剧增加。

3. 试对放大电路三种基本组态进行比较。

答：（1）、共射电路同时具有较高的电压放大倍数和电流放大倍数，输入电阻和输出电阻值比较适中，所以，一般只要对输入电阻、输出电阻和频率相应没有特殊要求的地方，均常采用。因此，共射电路被广泛地用作低频电压放大电路的输入级、中间级和输出级。

（2）、共集电路的特点是电压跟随，这就是电压放大倍数接近于1而小于1，而且输入电阻很高、输出电阻很低，由于具有这些特点，常被用作多级放大电路的输入级、输出级或作为隔离用的中间级。

（3）、共基电路的突出特点在于它具有很低的输入电阻，使晶体管结电容的影响不显著，因而频率相应得到很大的改善，所以这种接法常常用于宽频带放大器中。另外，由于输出电阻高，共基电路还可以作为恒流源。

二、计算题

1. 下图表示同向输入放大电路。试求此电路的放大倍数AV。

解：11iivviR ()oiiffvvviR 因1fii，故 1()iioiifvvvvviRR

根据“虚短”概念知0iv，故

11iofvvvRR

所以111fovRvAvR

即仅由电阻比确定。而且，同相输入放大器的放大倍数大于1。

2. 一个晶体管的基极电流IB=20μA，集电极电流IC=1.5mA，能否从这两个数据来确定它的电流放大系数？为什么？

解：因为电流放大系数CBII，所以严格地说，不能由一个IB和一个IC的值来确定它的电流放大系数。但是对于一个质量比较好的晶体管，如果基极电流IB=0时，集电极电流也基本为零，则00CCCBBBIIIIII。也就是直流电流放大倍数，所以

1.57520CBImAIA

3. 如图说是电路中UCC=12V，RB=400KΩ，RC=3 KΩ，晶体管β=80，锗管。试求：

（1）估算放大电路的静态工作点，并标出电压、电流的极性和方向；

（2）应选多大的RB才能使管压降UCE=-2.4V；

（3）若调整电流IC=1.6mA，问RB应选多大？

解：1230400CCBBUVIARK

80302.4CBIIAmA

122.434.8CECCCCUUIRV

电压、电路的极性和方向如下图。

（2）若管压降UCE=-2.4V，则

2.4123.23CECCCCUUVVImARK

113.24080BCIImAA

所以1230040CCBBUVRKIA

（3）若IC=1.6mA，则111.62080BCIImAA

那么1260020CCBBUVRKIA

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模拟电子技术(14)--期末试卷及答案三

模拟电子技术(14)--期末试卷及答案三

模拟电子技术试题三

一、填空题（共 25分，每小题 1 分）1、在杂质半导体中，当温度升高时，将使 (多子或少子)载流子浓度明显增加，当杂质浓度增加时，将使 (多子或少子)载流子浓度明显增加。

2、理想集成运算放大电路的放大倍数uA等于 ，输入电阻iR等于 ，输出电阻oR等于 。

3、当输入信号频率为Lf或Hf时，放大倍数的幅值下降为中频时的 ，或者是下降了dB。此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为 。4、负反馈放大电路的一般表达式为FAAA1f，当11FA时，表明放大电路引入了

。5、为了稳定放大电路的静态工作点，应引入 。

6、 比例运算电路的电压放大倍数是1fRR， 比例电路的电压放大倍数是1f1RR。7、利用正反馈产生正弦波振荡电路，其电路主要由 ， ， ， 四部分组成。8、常用小功率直流稳压电源系统由 、 、 和 四部分组成。

9、在一个交流放大电路中，测出某三极管三个管脚对地电位分别为：1端为1.7V；2端为

6V；3端为1V。则1端为 极；2端为 极；3端为 极；该管子为 型。

10、共射电路中，若输出波形是则产生了 失真。

二、选择题（共 10分， 每空1分）1、在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 ，而少子的浓度则受 的影响很大。

A．温度 B．掺杂浓度 C．掺杂工艺 D．晶体缺陷2、稳压管的稳压区是其工作在 状态。

A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿3、场效应管是通过改变 来改变漏极电流的。

A. 栅源电压 B. 漏源电压 C. 栅极电流 4、直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是 。

第 1 页 共 6

页A．电阻阻值有误差 B．晶体管参数的分散性

C．晶体管参数受温度影响 D．电源电压不稳定

5、差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ，共模信号是两个输入端信号的 。

A．差 B．和 C．平均值 D．无关6、要提高放大器的输入电阻及减小输出电阻，应采用 负反馈．

模拟电子技术课后习题答案

模拟电子技术课后习题答案

第一章题解－1 第一章 常用半导体器件

自 测 题

一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）

（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）

（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）

（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（ ）

（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ）

（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）

解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×

二、选择正确答案填入空内。

（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。

A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽

（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。

A. ISeU B. TUUIeS C. )1e(S－TUUI

（3）稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。

A. 前者反偏、后者也反偏

B. 前者正偏、后者反偏

C. 前者正偏、后者也正偏

（5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。

A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管

东师模拟电子技术17春在线作业1满分答案

东师模拟电子技术17春在线作业1满分答案

模拟电子技术17春在线作业1

试卷总分:100 得分:100

一、 单选题 (共 10 道试题,共 30 分)

1. 通用型集成运放适用于放大（）

A. 高频信号

B. 低频信号

C. 任何频率信号

满分：3 分

正确答案:B

2. 采用长尾差动放人电路，并且提高长尾电阻Re的阻值是为了()。

A. 提高差模电压放大倍数

B. 提高共模电压放大倍数

C. 提高共模抑制比

D. 提高差模输出电阻

满分：3 分

正确答案:C

3. 若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将()

A. RW减小

模拟电子技术习题集参考答案

模拟电子技术习题集参考答案

第一章 参考答案

一、判断题

1、√ 2、× 3、√ 4、√ 5、× 6、×

二、单项选择

1、(a) 2、(c) 3、(c) 4、(a) 5、(c) 6、(c) 7、(c) 8、(b) 9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)

三、 解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，

UO6≈－2V。

四、 解：UO1＝6V，UO2＝5V。

五、解：ui和uo的波形如题5解图所示。

题6解图

题5解图

六、解：ui和uo的波形如题6解图所示。

题6解图

七、解：1、当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V33.3ILLOURRRU

当UI＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以

UO＝UZ＝6V

同理，当UI＝35V时，UO＝UZ＝6V。

2、 RUUI)(ZIDZ29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。

八、解：波形如题8解图所示。

题8解图

第二章 参考答案

一、判断

1、√ 2、× 3、× 4、√ 5、× 6、√ 7、× 8、× 9、√ 10、×

11、√

二、单项选择题

1、(c) 2、(a) 3、(b) 4、(b) 5、(c) 6、(a) 7、(a) 8、(a) 9、(b) 10、(c)