纳米台阶高度标准样块的研制与评价
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2016年6月 第36卷第5期 宇航计测技术 Journal of Astronautic Metrology and Measurement Jun.,2016 Vo1.36.No.5
文章编号:1000—7202(2016)05-0063一o4 中图分类号:TB921
纳米台阶高度标准样块的研制与评价
冯亚南 李锁印 韩志国 赵 琳 许晓青
(中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051) 文献标识码:A
摘 要 介绍了纳米台阶高度标准样块的用途及国内研制样块的情况,设计了纳米台阶高度样块的结构和 制作工艺流程,制作了高度2Onto一100nm的样块。以20nm、50nm、100nm为例对样块的台阶高度、台阶上下表面平 行度、台阶测量区域的粗糙度、均匀性、稳定性进行了考核。结果表明,研制的样块台阶高度与设计值基本一致,稳 定性好,与美国VLSI公司的相同高度的台阶高度标准样块相比,本文制作样块的平行度、粗糙度、均匀性与VLSI 样块评价测量结果一致。 关键词 台阶高度标准样块平行度粗糙度均匀性稳定性
Development and Evaluation of Nanometer Step Height
Standard Specimens
FENG Ya・-nan LI Suo・-yin HAN Zhi--guo ZHAO Lin XU Xiao--qing (the 13 Institute of CETC,Sh ̄iazhuang 050051,China)
Abstract The purpose and circumstances of the domestic development of nano step height standard specimens.Designs nano step height specimens,produced highly 20nm~100nm specimens.Case with 2Onto,50nm,100nm step height of the roughhess,the upper and lower surfaces parallel,uniformity,stabil—
ity of the specimens.And VLSI parallel step height specimens,roughness,homogeneity of rating results were compared.The results showed that the design of step height standard specimens step height and de-
sign values are basically the sanle,good stability,parallelism,roughness,homogeneity and VLSI specimen
quality quite.
Key words Step height standard specimens Parallel Roughness Uniformity Stability
1 引 言
随着纳米科技与超精密加工技术的快速发展, 相关器件和结构的尺寸越来越小,测量精度的要求
也越来越高 ¨,从而对微纳米尺寸测量提出了更高 的要求。台阶高度是器件的主要参数,台阶仪、纳米
测量机等测量微纳尺寸台阶高度的仪器,其准确度 的保证是该参数准确测量的前提 J。目前,国内 外都使用台阶高度标准样块对台阶仪等进行校准。
台阶高度标准样块是具有固定标称高度的标准物
质,是实现微纳尺寸从国家计量标准部门的标准器
收稿日期:2016一o7—14。修回日期:2016一lO一31 作者简介:冯亚南(1984.05一),女,高级工程师,主要研究方向:微电子工艺参数计量技术。
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件传递到实际生产、制造中的重要传递介质 ’3。。
纳米台阶高度标准样块是指台阶高度不大于lOOnm 的标准样块。
半导体行业器件中台阶结构的尺寸最小到十几
纳米,这就要求测量仪器在该尺度准确计量。触针 式台阶仪由于其测量范围大、效率高、对被测件材料
要求小等优点, ,在半导体行业应用最为广泛。但 由于接触测量中探针磨损或沾污不可避免,这就要
求标准样块中设计有探针性能和测量位置等的检测
图形。目前,国内方面,制作的台阶高度样块尺寸最 小到5Ohm,图形结构上单一,无法满足半导体行业 需求L6'’】。标准样块的质量直接影响量值传递过程
的准确性,本文研制了台阶高度2Onto—lOOnm一系
列的样块,以20nm、50nm、lOOnm为例,对台阶样块
的表面粗糙度、平行度、均匀性、稳定性等质量参数 进行了评价,并与VLSI样块进行了比较。
2 台阶高度标准样块的研制
2.1 台阶高度标准样块图形设计 台阶高度标准样块的研制是为了实现仪器综合
性能的检查,包括仪器z轴的性能、探针性能、扫描 位置、长时间的稳定性等,所以图形设计时要考虑到
仪器综合性能的各项因素。本文设计了三类图形:
标准台阶,功能性图形,指示标志,图形结构的整体 尺寸为lOmm×lOmm,样块根据需要设计不同的标
称高度,图形结构如图1所示。
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图1台阶样块整体结构图
标准台阶用于校准台阶仪z轴的性能。台阶
尺寸长7501.Lm,宽lO01 ̄m,选取中心4001zm× 100 ̄m区域作为台阶测量区域。标尺用来指示出
台阶测量区域,纳米量级台阶标尺刻度间隔为
501a,m。功能性图形用来检查仪器的探针性能、扫 描位置等。这些图形对仪器进行定性的检查,以
确保仪器性能完好,保证垂直高度参数的校准数 据可靠。
2.2 台阶高度标准样块的研制
由于硅化学性质非常稳定,本文选用硅作为衬 底材料。纳米台阶高度样块制作的关键工艺为热氧
化,SiO 层厚度及质量决定了样块质量的优劣。通 过优化氧化温度、压力、氧化剂分压等条件,制备出
均匀、致密的SiO 层,SiO 层的厚度为台阶标称高 度。通过涂胶、曝光、显影、刻蚀、去胶一系列的工艺 后得到一个上表面是SiO ,底面是硅的台阶。硅在
空气中易氧化,导致台阶高度不稳定;同时SiO 层
是透明层,不适用于光学原理的台阶仪校准。采用
的解决措施是对台阶样块溅射一层金属铬,提高样 块的稳定性和使用范围。选择铬的原因是铬性能稳
定,在空气中不发生反应,且硬度较大,能适应接触 式台阶仪固定测力条件下的多次测量。制作工艺基
本流程图如图2所示。
图2纳米台阶制作工艺流程图
为了使用方便,将研制的台阶高度样块的圆片 划片后,将台阶高度样片固定到石英板上,石英板尺
寸为30ram×30ram×5mm。实物如图3所示。
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图3
台阶高度标准样块实物图 第5期 纳米台阶高度标准样块的研制与评价
3台阶高度样块的评价
通过查阅文献及对台阶类测量仪器的研究,了解
到纳米台阶高度标准样块作为一种标准物质,其评价
的基本要求为:(1)制作的样块的台阶高度与设计的 标称高度一致,偏差尽量小;(2)制作的样块标准台阶
上下表面的平行度及粗糙度尽量小;(3)台阶的区域
均匀性好,在台阶高度的测量区域内,不同位置测得 的台阶高度一致性好;(4)稳定性好,在长期使用中 样块的台阶高度值保持不变 J。
使用布鲁克公司型号为GT—X8的白光干涉仪
作为台阶高度标准样块台阶高度及质量评价的测量
仪器。仪器z轴装有激光干涉仪,可以实现垂直方 向10mm内的精确测量。z轴内置的激光干涉仪依
据JJG 739—2005《激光干涉仪检定规程》进行校
准,保证了样块测量的溯源性。以标称高度20nm、 50nm、100nm的台阶样块为例对质量参数进行评
价,评价参数为:台阶高度、台阶上下表面平行度、台
阶测量区域的粗糙度、均匀性、稳定性。同时,使用 相同仪器、相同测量方法美国VLSI公司的相同标称 高度的台阶样块的平行度、粗糙度、均匀性进行评
价,评价结果与本文制作样块的评价结果相比较。
3.1台阶高度 对研制的标称高度20nm、50nm、100nm的台阶
高度标准样块的台阶高度中心位置进行测量,重复
测量10次。测量时使用仪器的自动对焦和自动光 强功能,避免人为调节干涉条纹引入的影响。测量
结果分别如图4至图6所示。
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图4 20rim台阶高度测量结果
由图4至图6可得,三个不同标称高度台阶样块
的测量结果分别为(19.6±O.1)nm、(50.2±0.1)nm、
(103.6±0.2)nm,样块实际高度与设计高度基本一 暑 螽 袒 鑫 姐
墓
篓 姐 图5 50nm台阶高度测量结果
图6 100m台阶高度测量结果
致,测量结果的重复性分别为0。1nm、0.1nm、o.2nm。 3.2台阶上下表面平行度、粗糙度
台阶上下表面的平行度在图1所示指示标尺所
指示的9个位置分别进行测量,取最大值作为台阶
上下表面的平行度的评价结果。粗糙度分别在台阶
中心和两侧进行测量,采用面积轮廓算术平均偏差
.s 作为评定参数。面积轮廓算术平均偏差是指在
一个取样面积内,轮廓偏差绝对值的算术平均
值,即: 1 , |s。= .It J I z(x,y)Idxdy
式中:z(x,Y)——各测量点的表面偏距;A——取样
面积。 测量结果见表1。
表1平行度、粗糙度对比结果 加加 他""
2 9 9 9 9 1 8 8 8 ・66・ 宇航计测技术 2016钲
由表1中测量结果可得,本文制作的样块与美
国VLSI公司样块的平行度、粗糙度质量相当。 3.3台阶测量区域均匀性 在样块的测量区域测量不同位置的台阶高度,
测量位置按照图1所示指示标尺所指示的位置进行 选择,每个样块测量9个位置,对样块的均匀性进行
分析。标尺由上到下依次标记为位置1—9,VLSI样
块同样按照相同测量方法、测量位置对样块均匀性 进行分析。20nm、5Ohm、lOOnm三个样块测量结果
分别如图7、图8、图9所示。
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暑 螽 超 盎 ・ 图7 20nra台阶均匀性测量结果
图8 5Ohm台阶均匀性测量结果
图9 lOOlam台阶均匀性测量结果 使用贝塞尔公式计算样块的均匀性,本文制作 20nm、50nm、lOOnm的样块均匀性分别为0.5nm、
0.5nm、0.6nm,VLSI公司相近标称高度样块均匀性 分别为0.4nm、0.4nm、0.4nm。
3.4台阶高度稳定度
对研制的样块稳定性进行考核,每个月测量一 次样块的重复性,共监测12个月,20nm、5Onto、
lOOnm三个样块测量结果分别如图l0、图l1、图12 所示。
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E 螽 惶 毒 姐 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ll l2 ’ 测量次数/n 图10 20am样块稳定性测■绪果
测量次数l,n 图11¥Onm样块稳定性测量结果