GeSbTe薄膜的制备与表征

  • 格式:doc
  • 大小:203.50 KB
  • 文档页数:4

龙源期刊网

GeSbTe薄膜的制备与表征

作者:温佳琪 南晓峰

来源:《科学大众》2019年第10期

摘; ;要:文章通过磁控溅射仪制备了GeSbTe薄膜,用原子力显微镜扫描形貌,并采用纳米压痕技术对其表征。通过分析加载曲线和卸载曲线,排除弹性形变、表面粗糙度、针尖曲率半径等因素的影响,得到60 nm厚的GeSbTe薄膜的硬度和弹性模量,为后期薄膜的制备和力学特性研究提供一定的依据。

关键词:GeSbTe薄膜;粗糙度;硬度;弹性模量

当今,计算机硬件技术与网络技术发展迅速,特别是大数据与5G技术的兴起,使数字化信息变得更多更快。人们迫切希望有更高存储密度、更大存储容量、更快存取速度的数据存储器出现。GeSbTe相变材料具有良好的化学稳定性、优异的成膜性、非常短的相变转化时间等