晶体管13001

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POWER TRANSISTOR E13001

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Tc=25o

C unless otherwise specifiedFEATURESNPN SILICON TRANSISTOR

Tc=25o

C unless otherwise specified

ParameterSymbolTest conditionsMINMAXUNIT

Collector-base breakdown voltageV

(BR)CBOI

C=100¥ì

A , I

E=0

C=1mA , I

B=0

E=100¥ì

A , I

C=0

CB=600V , I

E=0

CE=400V , I

B=0

EB=7V , I

C=0

CE=20V , I

C=20mA

CE=10V , I

C=0.25mA

C=50mA , I

B=10mA

C=50mA , I

B=10mA

E=100mA

CE=20V , I

C=20mA

f=1MHz

C=50mA , I

B1=-I

B2=5mA ,

CC=45VV600

400

100

0.5

1.2

1.1

0.3

1.52007

¥ì

MHz

¥ì

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

CEO

EBO

FE(1)

FE(2)

CEsat

BEsat

sCollector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

Transition frequency

Fall time

Storage timeSWITCHING REGULATOR APPLICATION

• High speed switching

• Suitable for switching regulator

and motor control

• Case : TO-92 molded plastic body

ParameterSymbolValueUNIT

Power dissipationP

CMW0.75

0.2

-55 o

C to +150 o

J, T

STGCollector current

Operating and storage junction temperature rangeRA

NSEATING

PLANE

1JD

23DIM

MINMAXMINMAXMILLIMETERSINCHES

A0.1750.2054.445.21

B0.2900.3107.377.87

C0.1250.1653.184.19

D0.0180.0220.460.56

F0.0160.0190.410.48

G0.0450.0551.151.39

H0.0950.1052.422.66

J0.0180.0240.460.61

K0.500---12.70---

L0.250---6.35---

N0.0800.1052.042.66

P---0.100---2.54

R0.135---3.43---

V0.135---3.43---TO-92RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES E13001

晶体管的种类

晶体管是一种固体半导体器件，根据工作原理的不同，可以分为以下几种类型：

1. 双极晶体管和单极晶体管：双极晶体管是指流经构成晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。单极晶体管则只有一种类型的载流子（空穴或电子）参与导电。

2. 场效应晶体管：场效应晶体管是一种通过电场控制半导体中的传导电流的器件。

3. 金属氧化物半导体晶体管：金属氧化物半导体晶体管是一种由金属、氧化物和半导体材料构成的晶体管。

4. 数字晶体管、模拟晶体管和多功能晶体管：数字晶体管和模拟晶体管分别用于数字电路和模拟电路中，而多功能晶体管则具有数字和模拟两种功能。

5. 小信号晶体管和功率晶体管：小信号晶体管的功率一般不超过1W，而功率晶体管的功率通常超过1W。

晶体管的发展历程与未来发展趋势

晶体管是现代电子学和计算机科学中最重要的发明之一。自第一款晶体管在1947年由贝尔实验室发明以来，它已经进化成为一种半导体电子器件，被广泛应用于计算机、通信、娱乐和医疗等领域。晶体管的不断革新和发展历程，为我们揭示了它的潜力和前景。

晶体管的发明历程

1947年12月23日，三位贝尔实验室的科学家肖克利、巴丁和布拉顿发明了第一款晶体管，开创了一项具有里程碑意义的伟大发明。这个小型的半导体元件仅有几个毫米，它完全替代了由数百个真空管组成的强大的计算机，这是一个具有革命性的进展。

1950年代，晶体管技术逐渐成熟，大型计算机公司像IBM开始采用晶体管替代真空管。在晶体管发明之后的几十年中，其设计和功能不断改进和完善，产生了多种不同的结构和形式。现代晶体管的优异性能使它成为了人类历史上最成功的发明之一。

未来发展趋势

如今，随着科技的快速发展和半导体工艺的进一步改进，晶体管将继续展现其潜能，面临的未来发展趋势是令人兴奋的。

1. 三维芯片结构的出现

尽管芯片制造技术已经很成熟，而且有了7nm和5nm制造工艺，但制造微小芯片仍然面临一些挑战。这些挑战包括热量产生和散热问题，以及电压噪声和布线延迟等问题。

最近的一项解决方案是三维芯片技术，这是在三维空间中放置晶体管的方法。这种技术可以增加芯片的密度和存储容量，同时减少面积和电源消耗，这将是未来发展的趋势。

2. 新材料的应用

现代技术推动了数码产品市场的高速发展。当前主流的硅材料晶体管技术在极小的空间中埋藏着数亿个晶体管，使信息传输变得更加有效。不过，随着半导体器件的不断缩小和功耗密度的增加，硅晶体管技术面临着一些限制。

因此，人们对于新材料的应用进行了研究，例如基于碳的新型二维电子材料等。这些新材料的使用可以显著地提高晶体管的性能，从而实现更高效的计算。

3. 量子晶体管技术

从技术发展的角度来看，量子晶体管技术是未来从事重要科技未来的一道风景线。

晶体管参数大全

晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型901830V0.05A0.4W*1GNPN901550V0.1A0.4W*150MHZPNP901450V0.1A0.4W*150MHZNPN901350V0.5A0.6W**NPN901250V0.5A0.6W**PNP901150V0.03A0.4W*150MHZNPNTIP147100V10A125W**PNPTIP142100V10A125W**NPNTIP127100V8A65W**PNPTIP122100V8A65W**NPNTIP102100V8A2W**NPNTIP42C100V6A65W**PNPTIP41C100V6A65W**NPNTIP36C100V25A125W**PNPTIP35C100V25A125W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型TIP32C100V3A40W**PNPTIP31C100V3A40W**NPNMJE130071500V2.5A60W**NPNMJE13005400V4A60W**NPNMJE13003400V1.5A14W**NPNMJE2955T60V10A75W**NPNMJE350300V0.5A20W**NPNMJE340300V0.5A20W**NPNMJ15025400V16A250W**PNPMJ15024400V16A250W**NPNMJ13333400V20A175W**NPNMJ11033120V50A300W**NPNMJ11032120V50A300W**NPNMJ10025850V20A250W**NPNMJ10016500V50A200W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型BUS13A1000V15A175W**NPNBUH5151500V10A80W**NPNBU25321500V15A150W**NPNBU25271500V15A150W**NPNBU25251500V12A150W**NPNBU25221500V11A150W**NPNBU2520800V10A150W**NPNBU2508700V8A125W**NPNBU25061500V7A50W**NPNBU932R500V15A150W**NPNBU806400V8A60W**NPNBU406400V7A60W**NPNBU323450V10A125W**NPN(达林顿)BF458250V0.1A10W**NPNBD682100V4A40W**PNP晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型MJ10015400V50A200W**NPNMJ10012400V10A175W**NPN(达林顿)MJ450290V30A200W**PNPMJ305560V15A115W**NPNMJ295560V15A115W**PNPMN6501500V6A80W**NPNBUX98A400V30A210W**NPNBUX84800V2A40W**NPNBUW13A1000V15A150W**NPNBUV48A450V15A150W**NPNBUV28A225V10A65W**NPNBUV2690V14A65W**NPNBUT12A450V10A125W**NPNBUT11A1000V5A100W**NPNBUS14A1000V30A250W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型BD681100V4A40W**NPNBD24445V6A65W**PNPBD24345V6A65W**NPNBD238100V2A25W**PNPBD237100V2A25W**NPNBD13860V1.5A12.5W**PNPBD13760V1.5A12.5W**NPNBD13645V1.5A12.5W**PNPBD13545V1.5A12.5W**NPNBC54750V0.2A0.5W*300MHZNPNBC54680V0.2A0.5W**NPNBC33850V0.8A0.6W**NPNBC33750V0.8A0.6W**NPNBC32750V0.80.6W**PNPBC30750V0.2AA0.3W**PNP晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SDK55400V4A60W**NPN2SD24451500V12.5A120W**NPN2SD238890V3A1.2W**NPN(达林顿)2SD23351500V7A100W**NPN2SD23341500V5A80W**NPN2SD2156120V25A125W2000-20000*NPN(达林顿)2SD2155180V15A150W**NPN2SD203660V1A1.2W**NPN2SD201260V3A2W**NPN2SD200880V1A1.5W**NPN2SD199740V3A1.5W*100MHZNPN2SD199460V1A1W**NPN2SD199350V0.1A0.4W**NPN2SD1980100V2A10W1000-10000*NPN(达林顿)2SD1978120V1.5A1W30000*NPN(达林顿)晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD1975180V15A150W**NPN2SD1930100V2A1.2W1000*NPN(达林顿)2SD184750V1A1W**NPN(低噪)2SD176260V3A25W*90MHZNPN2SD1718180V15A3.2W*20MHZNPN2SD1640120V2A1.2W4000-40000*NPN(达林顿)2SD1590150V8A25W15000*NPN(达林顿)2SD1559100V20A20W5000*NPN(达林顿)2SD141580V7A40W6000*NPN(达林顿)2SD141680V7A40W6000*NPN(达林顿)2SD130225V0.5A0.5W*200MHZNPN2SD127380V3A40W*50MHZNPN2SD1163A350V7A40W*60MHZNPN2SD1047160V12A100W**NPN2SD1037150V30A180W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD1025200V8A50W**NPN(达林顿)2SD789100V1A0.9W**NPN2SD774100V1A1W**NPN2SD669180V1.5A1W*140MHZNPN2SD667120V1A0.9W*140MHZNPN( 达林顿 )2SD560150V5A30W**NPN( 达林顿 )2SD547600V50A400W**NPN2SD438500V1A0.75W*100MHZNPN2SD415120V0.8A5W**NPN2SD385100V7A30W**NPN( 达林顿 )2SD32550V3A25W**NPN2SD40C40V0.5A40W**NPN( 达林顿 )2SC52521500V15A100W**NPN2SC52511500V12A50W**NPN2SC52501000V7A100W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SC52441500V15A200W**NPN2SC52431500V15A200W**NPN2SC52071500V10A50W**NPN2sc5200230V15A150W**NPN2sc51321500V16A50W**NPN2sc50881500V10A50W**NPN2sc50861500V10A50W**NPN2sc50681500V10A50W**NPN2sc50201000V7A100W**NPN2sc4953500V2A25W**NPN2sc49411500V6A65W**NPN2sc49271500V8A50W**NPN2sc4924800V10A70W**NPN2sc49132000V0.2A35W**NPN2sc47691500V7A60W**NPN( 带阻尼 )晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2sc47471500V10A50W**NPN2sc47451500V6A50W**NPN2sc47421500V6A50W**NPN( 带阻尼 )2sc4706900V14A130W*6MHNPN2SD18871500V10A70W**NPN2SD18861500V8A70W**NPN2SD18851500V6A60W**NPN2SD18841500V5A60W**NPN2SD18831500V4A50W**NPN2SD18821500V3A50W**NPN2SD18811500V10A70W**NPN2SD18801500V8A70W**NPN2SD18791500V6A60W**NPN2SD18781500V5A60W**NPN2SD18761500V3A50W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD17391500V6A100W**NPN2SD17381500V5A100W**NPN2SD17371500V3.5A60W**NPN2SD17321500V7A120W**NPN2SD17311500V6A100W**NPN2SD17301500V5A100W**NPN2SD17291500V3.5A60W**NPN2SD17111500V7A100W**NPN2SD17101500V6A100W**NPN2SD16561500V6A60W**NPN2SD16551500V5A60W**NPN2SD16541500V3.5A50W**NPN2SD16531500V2.5A50W**NPN2SD16521500V6A60W**NPN2SD16511500V5A60W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD16501500V3.5A50W**NPN2SD16351500V5A100W**NPN2SD16321500V4A70W**NPN2SD15771500V5A80W**NPN2SD15541500V3.5A40W**NPN2SD15481500V10A50W**NPN2SD15471500V7A50W**NPN2SD15461500V6A50W**NPN2SD15451500V5A50W**NPN2SD14561500V6A50W**NPN2SD14551500V5A50W**NPN2SD14541700V4A50W**NPN2SD14341700V5A80W**NPN2SD14311500V5A80W**NPN2SD14261500V3.5A80W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD14021500V5A120W**NPN2SD13991500V6A60W**NPN2SD13441500V6A50W**NPN2SD13431500V6A50W**NPN2SD13421500V5A50W**NPN2SD19411500V6A50W**NPN2SD19111500V5A50W**NPN2SD13411500V5A50W**NPN2SD12191500V3A65W**NPN2SD12901500V3A50W**NPN2SD11751500V5A100W**NPN2SD11741500V5A85W**NPN2SD11731500V5A70W**NPN2SD11721500V5A65W**NPN2SD11431500V5A65W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD11421500V3.5A50W**NPN2SD10161500V7A50W**NPN2SD9952500V3A50W**NPN2SD9941500V8A50W**NPN2SD957A1500V6A50W**NPN2SD9541500V5A95W**NPN2SD9521500V3A70W**NPN2SD9041500V7A60W**NPN2SD9031500V7A50W**NPN2SD8711500V6A50W**NPN2SD8701500V5A50W**NPN2SD8691500V3.5A50W**NPN

晶体管（电子元件）—搜狗百科

电力晶体管 1947年12月，美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。晶体管的问世，是20世纪的一项重大发明，是微电子革命的先声。晶体管出现后，人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件，来代替体积大、功率消耗大的电子管了。晶体管的发明又为后来集成电路的诞生吹响了号角。20世纪最初的10年，通信系统已开始应用半导体材料。20世纪上半叶，在无线电爱好者中广泛流行的矿石收音机，就采用矿石这种半导体材料进行检波。半导体的电学特性也在电话系统中得到了应用。

晶体管的发明，最早可以追溯到1929年，当时工程师利莲费尔德就已经取得一种晶体管的专利。但是，限于当时的技术水平，制造这种器件的材料达不到足够的纯度，而使这种晶体管无法制造出来。

由于电子管处理高频信号的效果不理想，人们就设法改进矿石收音机中所用的矿石触须式检波器。在这种检波器里，有一根与矿石（半导体）表面相接触的金属丝（像头发一样细且能形成检波接点），它既能让信号电流沿一个方向流动，又能阻止信号电流朝相反方向流动。在第二次世界大战爆发前夕，贝尔实验室在寻找比早期使用的方铅矿晶体性能更好的检波材料时，发现掺有某种极微量杂质的锗晶体的性能不仅优于矿石晶体，而且在某些方面比电子管整流器还要好。在第二次世界大战期间，不少实验室在有关硅和锗材料的制造和理论研究方面，也取得了不少成绩，这就为晶体管的发明奠定了基础。

为了克服电子管的局限性，第二次世界大战结束后，贝尔实验室加紧了对固体电子器件的基础研究。肖克莱等人决定集中研究硅、锗等半导体材料，探讨用半导体材料制作放大器件的可能性。

1945年秋天，贝尔实验室成立了以肖克莱为首的半导体研究小组，成员有布拉顿、巴丁等人。布拉顿早在1929年就开始在这个实验室工作，长期从事半导体的研究，积累了丰富的经验。他们经过一系列的实验和观察，逐步认识到半导体中电流放大效应产生的原因。布拉顿发现，在锗片的底面接上电极，在另一面插上细针并通上电流，然后让另一根细针尽量靠近它，并通上微弱的电流，这样就会使原来的电流产生很大的变化。微弱电流少量的变化，会对另外的电流产生很大的影响，这就是“放大”作用。

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