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常用全系列场效应管_MOS管型号参数封装资料

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场效应管分类 型号 简介 封装常用三极管型号及参数(1) DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系

MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应

DISCRETEIRFPG421000V4A150W**NMOS场效应

MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应

DISCRETEIRFP9240200V12A150W**PMOS场效应MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应

DISCRETEIRFP460500V20A250W**NMOS场效应

MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应

DISCRETEIRFP440500V8A150W**NMOS场效应

MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应

DISCRETEIRFP350400V16A180W**NMOS场效应

MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应

DISCRETEIRFP250200V33A180W**NMOS场效应

MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应DISCRETEIRFP150100V40A180W**NMOS场效应

MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系

DISCRETEIRFP140100V30A150W**NMOS场效应

MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应

DISCRETEIRFI744400V4A32W**NMOS场效应

MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220IRFI730400V4A32W**NMOS场效应

DISCRETEIRFD9120100V1A1W**NMOS场效应

MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220IRFD12380V1.1A1W**NMOS场效应

DISCRETEIRFD120100V1.3A1W**NMOS场效应

MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应

DISCRETEIRFBE30800V2.8A75W**NMOS场效应MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220IRFBC40600V6.2A125W**NMOS场效应

DISCRETEIRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应

MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应

DISCRETEIRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应

MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应DISCRETEIRF9610200V1A20W**PMOS场效应

MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系

DISCRETEIRF954160V19A125W**PMOS场效应

MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220IRF953160V12A75W**PMOS场效应

DISCRETEIRF9530100V12A75W**PMOS场效应

MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220IRF840500V8A125W**NMOS场效应

DISCRETEIRF830500V4.5A75W**NMOS场效应

MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF740400V10A125W**NMOS场效应

DISCRETEIRF730400V5.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF720400V3.3A50W**NMOS场效应

DISCRETEIRF640200V18A125W**NMOS场效应

MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220IRF630200V9A75W**NMOS场效应

DISCRETEIRF610200V3.3A43W**NMOS场效应

MOS FET IRF9520 TO-220IRF54180V28A150W**NMOS场效应

DISCRETEIRF540100V28A150W**NMOS场效应

MOS FET IRF9540 TO-220IRF530100V14A79W**NMOS场效应DISCRETEIRF440500V8A125W**NMOS场效应MOS FET IRF9610 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系

DISCRETEIRF230200V9A79W**NMOS场效应

MOS FET IRF9620 TO-220IRF130100V14A79W**NMOS场效应

DISCRETEBUZ20100V12A75W**NMOS场效应

MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3PBUZ11A50V25A75W**NMOS场效应DISCRETEBS17060V0.3A0.63W**NMOS场效应

MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P2SC4582600V15A75W**NPN

DISCRETE2SC4517550V3A30W**NPN

MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P2SC44291100V8A60W**NPN

DISCRETE2SC4297500V12A75W**NPN

MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK2SC42881400V12A200W**NPN

DISCRETE2SC4242450V7A40W**NPN

MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK2SC4231800V2A30W**NPN

DISCRETE2SC41191500V15A250W**NPNMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK2SC41111500V10A250W**NPN

DISCRETE2SC4106500V7A50W*20MHZNPN

MOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系

DISCRETE2SC4059600V15A130W**NPN

MOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK2SC403850V0.1A0.3W*180MHZNPN

DISCRETE2SC4024100V10A35W**NPN

MOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK2SC39981500V25A250W**NPN

DISCRETE2SC39971500V15A250W**NPN

MOS FET IRFR9020TF D-PAK2SC398750V3A20W1000*NPN(达林顿)

DISCRETE2SC3953120V0.2A1.3W*400MHZNPN

MOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F2SC3907180V12A130W*30MHZNPNDISCRETE2SC38931400V8A50W*8MHZNPN

MOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F2SC38861400V8A50W*8MHZNPN

DISCRETE2SC3873500V12A75W*30MHZNPN

MOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F2SC3866900V3A40W**NPN

DISCRETE2SC3858200V17A200W*20MHZNPNMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F2SC380730V2A1.2W*260MHZNPN

DISCRETE2SC3783900V5A100W**NPN

MOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系

DISCRETE2SC37201200V10A200W**NPN

MOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F2SC3680900V7A120W**NPN

DISCRETE2SC3679900V5A100W**NPN

MOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F2SC359530V0.5A1.2W90*NPN

DISCRETE2SC3527500V15A100W13*NPN

MOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F2SC3505900V6A80W12*NPNDISCRETE2SC34601100V6A100W12*NPN

MOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F2SC34571100V3A50W12*NPN

DISCRETE2SC335820V0.15A**7000MHZNPN

MOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F2SC335520V0.15A**6500MHZNPN

DISCRETE2SC3320500V15A80W**NPN

MOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F2SC3310500V5A40W20*NPN

DISCRETE2SC3300100V15A100W**NPNMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F2SC185520V0.02A0.25W*550MHZNPNDISCRETE2SC1507300V0.2A15W**NPN

MOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系

DISCRETE2SC149436V6A40W*175MHZNPN

MOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK2SC122260V0.1A0.25W*100MHZNPN

DISCRETE2SC116235V1.5A10W**NPNMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK2SC100880V0.7A0.8W*50MHZNPN

DISCRETE2SC90030V0.03A0.25W*100MHZNPN

MOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK2SC82845V0.05A0.25W**NPN

DISCRETE2SC81560V0.2A0.25W**NPN

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常用场效应管参数大全

常用场效应管参数大全

常用场效应管参数大全

场效应管（MOSFET）是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。了解场效应管的参数对于正确选用和应用场效应管非常重要。下面是一些常用的场效应管参数的介绍：

1.电荷参数：

- 输入电容（Ciss）：指在恒定的源极电压下，栅源电压从0V变化到开启电压时，输入的电荷。一般情况下，输入电容越小，开关速度越快。

- 输出电容（Coss）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压从0V变化到开启电压时，可以作用在漏极电容上的输出电荷。输出电容越小，开关性能越好。

2.静态电流参数：

-偏置电流（IDSS）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压为零时，漏极的电流。偏置电流越大，MOSFET的放大能力越强。

- 截止电流（ID(off)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极开路时，导通电流的下限。

3.动态电流参数：

- 开关时间（ton和toff）：指从栅源电压达到开启电压到漏源电压达到截止电压的时间。开关时间越短，场效应管的开关速度越快。

- 开关过渡时间（tr和tf）：指从栅源电压从10%到90%或90%到10%的转换时间。开关过渡时间越短，场效应管的切换速度越快。

4.饱和区电流参数： - 饱和漏源电流（ID(on)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极电压达到饱和时，漏极的电流。

- 饱和压降（VDSat）：指在饱和状态下，漏极电压和源极电压之间的电压降。

5.开关特性参数：

- 截止电压（VGS(off)）：指在恒定的源极电压下，栅源电压为零时，漏源电压的电压降。

- 开启电压（VGS(th)）：指在恒定的源极电压下，漏源电压达到截止电压时的栅源电压。

6.热特性参数：

-热阻（θJA）：指导热回路中的芯片与环境之间的热阻，表示芯片散热的能力。

- 最大结温（TJmax）：指芯片能够承受的最高结温。超过最大结温可能会损坏场效应管。

以上是一些常用的场效应管参数的介绍。了解这些参数可以帮助我们选择和应用场效应管。在实际应用中，我们通常根据具体的需求和电路要求来选择合适的场效应管，以保证电路性能的稳定和高效。

常用场效应管参数大全 2

常用场效应管参数大全 2

常用场效应管参数大全

型 号 材料 管脚 用 途 参 数

3DJ 6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W

4405/R9524

2E3C NMOS GDS 开 关 600V11A150W0.36

2SJ117 PMOS GDS 音频功放 开关 400V2A40W

2SJ118 PMOS GDS 高速功放 开关 140V8A100W50/70nS0.5

2SJ122 PMOS GDS 高速功放 开关 60V10A50W60/100nS0.15

2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3

2SJ143 PMOS GDS 功放 开关 60V16A35W90/180nS0.035

2SJ172 PMOS GDS 激 励 60V10A40W73/275nS0.18

2SJ175 PMOS GDS 激 励 60V10A25W73/275nS0.18

2SJ177 PMOS GDS 激 励

60V20A35W140/580nS0.085

2SJ201 PMOS n

2SJ306 PMOS GDS 激 励 60V14A40W30/120nS0.12

2SJ312 PMOS GDS 激 励 60V14A40W30/120nS0.12

2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB

2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB

2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB

2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB

2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB

2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB

场效应管参数大全

场效应管参数大全

场效应管参数大全

百度空间 无限的未知真心 真诚 理解 真情 永恒

K2645: 600V,1.2Ω,9A,50W

K2141: 600V,1.1Ω,6A,35W

K3326: 500V,0.85Ω,10A,40W

K1388: 30V,0.022Ω,35A,60W

K1101: 450V,0.5Ω,10A,50W

K1507: 9A 600V

2SK1537 N-FET 900V 5A 100W

K2045 600V, 6A , 35W 。代K1404, K2101, 2SK2118。

K1118,K2645,K2564,K2545,K1507,K2761,K1117,K2333代k2141

07N03L 30V 80A 150W N

10N20 10A 200V N 沟道MOS管

10N60 10A 600V

11N80 11A 800V 156W

11P06 60V 9.4A P沟道 直插

13N60 13A 600V N 沟道

15N03L 30V 42A 83W N

2N7000 60V 0.2A 0.35W N

2N7000 60V 0.2A 0.35W N

40N03H 30V 40A N

4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,

4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,

50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道 小贴片MOS

55N03 25V 55A 103W

5N90 5A 900V

5P25 250V 5A

6030LX 30V 52A 42W N

603AL 30V 25A 60W N 沟道 小贴片MOS

6A60 600V 6A N

6N70 700V 6A N

6P25 250V 6A

70L02

70N06 70A 60V 125W

7N60 600V 7A N,铁

7N70 7A 700V

85L02

8N25 250V ,8A ,同IRF634

系列场效应管型号技术参数

系列场效应管型号技术参数

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系列场效应管型号技术参数

型 号 材料 管脚 用 途 参 数

3DJ6 NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W

4405/R9524

2E3C NMOS GDS 开 关 600V11A150W0.36

2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5

2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15

2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3

2SJ143 PMOS GDS 功放开关 -60V16A35W90/180nS0.035

2SJ172 PMOS GDS 激 励 -60V10A40W73/275nS0.18

2SJ175 PMOS GDS 激 励 -60V10A25W73/275nS0.18

J177 PMOS

2SJ177 PMOS GDS 激 励 (无) -60V20A35W140/580nS0.085

J201 PMOS GDS 高频放大 10V0.4A1.3W8GHZ

2SJ312 PMOS GDS 激 励 60V14A40W30/120nS0.12

2SK30 NJ SDG 低放音频 -50V0.5mA0.1W0.5dB

2SK30A NJ SGD 低放低噪音频 -50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB

2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB

2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 -50V0.01A0.1W0.5dB

2SK168 NJ GSD 高频放大 -30V0.01A0.2W100MHz1.7dB