扬州大学《模拟电子技术基础》期末样卷
1 《模拟电子技术基础》样卷一
一、判断题（每题1 分，共 10分。若提法正确，在括号内打√；提法错误，在括号内打×。）
1．外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。（ ）
2．当二极管的外加反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增加（反向击穿），所以二极管不能工作在反向击穿区。（ ）
3．在H参数中，hie为基极—发射极间的直流输入电阻。（ ）
4．场效应管是利用一种多子导电，其受温度的影响很小。（ ）
5．三种组态中，共基电路输入电阻最大。（ ）
6．为改善放大器的高频响应，应该增大三极管的结电容CπCμ 。（ ）
7．两发射极之间串电阻后，可以扩大差分放大的线性范围。（ ）
8．设 反 馈 系 数 为 F ，电 流 负 反 馈 时 放 大 器 输 入 阻 抗 上 升 1+FA 倍 。（ ）
9．振荡器具有较稳定振荡的原因，是振荡系统中具有选频网络。（ ）
10．全波整流电路有4个整流管，所以流过每个整流管的电流为负载电流的四分之一。
（ ）
二、填空题（每空1 分，共 10分）
1．三极管的发射结 ，集电结 时，三极管工作在饱和区。
2．已知一个场效应管的输出特性曲线 ，试判别：管型 ，UGS(off) 或UGS(th) 。
3．在交流放大电路中，若静态工作点选得太高，则容易产生 失真，若静态工作点选得太低，则容易产生 失真。
4．大信号差分放大器差模传输特性为 函数。
5．电流负反馈放大器的输出电阻较 。
6．运算放大器引入相位补偿的目的是为了 。
7．管子的导通周期为 称乙类。
8．同相比例运算电路的输入电阻为 ，输出电阻为零。
郑州科技学院
《模拟电子技术》课程设计
题 目
学生姓名
专业班级
学 号
院（系）
指导教师
完成时间 目 录
1 课程设计目的 ................................................................. 1
2 课程设计的任务与要求 ................................................. 1
3 设计方案与论证 ............................................................. 1
3.1 设计过程 ................................. 1
3.2 理论论证 ................................. 3
4 各单元电路设计及简要说明 ......................................... 3
5 仿真结果分析 ................................................................. 5
6 总体电路安装接线 ......................................................... 5
6.1 对电路中各元器件进行分析 ................. 6
6.2 元器件的检测与识别 ....................... 6
6.3 实物的安装与焊接 ......................... 7
7 调试过程 .......................................................................... 9
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第3章二极管及其基本电路
一、填空题
1．PN结反偏时，内电场与外电场的方向，有利于载流子的漂移运动。
【答案】相同，少数。
【解析】PN结反偏时，外电场和内电场方向相同，PN结电场强度增加，阻止多数载流
子的扩散运动，同时加剧了N区和P区中少数载流子的漂移运动。2．半导体中载流子的扩散运动是由引起的，漂移运动是由引起的。
【答案】载流子浓度梯度，电场
【解析】扩散是自发的，漂移是是由外力造成的
3．利用PN结的电容随外加电压变化的特性可制成变容二极管，它工作时需要加
偏压。
【答案】势垒、反向
【解析】PN结中电容由势垒电容和扩散电容组成，正偏时以扩散电容为主，随正向电
流增加而增加；反偏时以势垒电容为主，随反向电压的增加而减小。考虑到功耗特性，PN
结电容多采用其反偏电容。
二、判断题
1．P型半导体的少数载流子是空穴。（）
【答案】×
【解析】P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。
三、选择题
1．二极管正向电压从0.65V增加10％，则其正向电流的增加将（）。
A．10％
B．大于l0％
C．小于10％
【答案】B
【解析】二极管在导通后电压电流关系近似为非线性指数关系，电流变化快。
2．二极管的主要特点是具有（）。
A．电流放大作用
B．单向导电性
C．稳压作用
【答案】B
【解析】二极管正向接入时电阻趋于零，相当于短路；反向接入时电阻趋于无穷大，相
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当于开路，所以二极管的主要特点是具有单向导电性。
3．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。
A．前者反偏，后者也反偏
B．前者正偏，后者反偏
C．前者正偏，后者也正偏
【答案】B
【解析】使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。
4．电路如图3-1，设DZ1的稳定电压为6V，D
Z2的稳定电压为12V，设稳压管的正向压
模电复习资料
第一章 半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结
* PN结的接触电位差---硅材料约为~，锗材料约为~。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管~，锗管~。
*死区电压------硅管，锗管。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);
若 V阳
1）图解分析法
该式与伏安特性曲线
的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法
➢ 直流等效电路法
*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);
若 V阳
*三种模型
➢ 微变等效电路法
三. 稳压二极管及其稳压电路
