RT9819A-50PY中文资料

JW502616路恒流LED驱动器版本 作者 日期 更改描述 V1.0 2010.12 16路恒流LED驱动器1 一、概述JW5026是一款高性能LED恒流驱动芯片，芯片采用最新的半导体技术，专为LED显示面板提供驱动。

芯片包括CMOS移位寄存器电路和锁存电路，将串行输入的数据转换成并行的16路LED恒流输出。

JW5026有16个恒流电源，可以为每个输出级提供5~90mA的恒流驱动。

JW5026驱动电流大小可以通过调节外接调节电阻来调整，通过此机制使用者可以轻松的控制LED的发光亮度。

JW5026的设计保证其输出级颗耐压17V以上，因此可以在每个输出端串接多个LED。

JW5026可以支持25MHZ的高时钟频率以满足系统对大量数据传输上的要求。

JW5026具有良好的芯片串接性能，能支持大量芯片在高时钟频率下的串接使用。

JW5026具有精确的电流输出值，通道间最大差异值＜±3%，不同芯片间的最大差异值＜±5%。

JW5026采用具有散热功能的SSOP24封装，保证芯片在大电流工作条件下的稳定工作。

二、特性说明◆ 16路等电流输出通道◆ 等电流输出值不受输出端负载电压的影响◆ 精确的电流输出值：通道间最大差异值＜±3%，不同芯片间的最大差异值＜±5%◆ 通过外接电阻，方便的调节输出电流的大小◆ 快速的输出电流响应，输出使能端的最小值可达180ns◆ 等电流输出范围可达5~90mA◆ 支持高达25MHZ的时钟频率◆ 芯片输出端可耐压17V，支持多个LED显示灯串联◆ 采用施密特触发器对输入数据进行锁存◆ 芯片工作电压5V三、芯片功能框图图1 JW5026 芯片功能框图四、引脚定义图2 JW5026-SSOP24NO 名称 输入/出功能1 GND IN 控制逻辑及驱动电流的接地端2 SDI IN 输入到移位寄存器的串行数据输入端3 CLK IN 时钟信号，数据移位发生在时钟的上升沿4LE IN 数据闪控（data strobe）输入控制端当LE为高电平是，串行数据会被传入至输出锁存器；当LE为低电平时，资料会被锁存5-20 IN 等电流输出端3 21IN输出使能信号端当为低电平时，启动输出 当为高电平时，关闭输出22 SDO OUT 串行数据输出端23 R-EXT IN 外接电流调节电阻输入端，通过改变此电阻的值，可以设定所有输出通道的输出电流大小 24 VDDIN5V 电源供电端五、输入输出等效电路图3 JW5026输入输出端等效电路4六、芯片功能时序图图4 JW5026功能时序七、真值表5八、最大工作范围特性代表符号最大工作范围单位 电源电压 Vdd 0~7 V 输入端电压 Vin -0.4~Vdd+0.4V 输出端电流 Iout +60 mA 输出端电压 Vds -0.5~+17 V 时钟频率 Fclk 25 MHZ 接地端电流 Ignd 1260 mA 消耗功耗 Pd TBD W 热阻值 Rth（j-a）TBD ℃/W 工作环境温度 Topr -40~+85 ℃ 储存环境温度Tstg-55~+150℃九、直流特性测试电路图5 JW5026直流特性测试电路6十、交流特性测试电路图6 JW5026交流特性测试电路 十一、直流特性特性 代表符号 测量条件 最小值一般值最大值单位电源电压 Vdd 4.5 5.0 5.5 V输出端电压 Vds 18 V Iout 直流特性测试电路 5 60 mAIOH SDO -1.0 mA 输出端电流IOL SDO 1.0 mA高电位值 VIH 0.8Vdd Vdd V输入端电压 低电位值VIL GND0.3VddV输出端漏电流 IOH VOH =17V 0.5 uA VOL IOL = 1 mA 0.4 V 输出端电压 SDOVOHIOH = -1 mA4.5 V输出电流1 Iout1 VDS=0.7VRext=88321.40 mA电流偏移值 d Iout1 VDS=0.7VRext=883Iout = 21.40mA±1±2.5%输出电流2 Iout2 VDS=1.1V 46.01mA7Rext=410电流偏移值 d Iout2VDS=1.1VRext=883 Iout =46.10mA±1.5 ±2.5%电流偏移值VS 输出电压 %/dVDS 输出电压=1.0~3.0V ±0.1%/V 电流偏移值VS 电源电压 %/dVDD 电源电压=4.5~5.5V±0.05%/VPull-up 电阻Rin（up）250 500800 Pull-down 电阻 Rin（down） LE250500800 Idd（off）1 Rext=∞,3.82Idd （off ）2 Rext =720, 6.71 OFFIdd （off ）3Rext =360,9.99 Idd （on ）1 6.07电压源输出电流ONIdd （on ）29.32mA十二、交流特性特性代表符号 测量条件最小值一般值 最大值 单位 TpLH1 50 55 80 nsTpLH2 55 70 85 ns TpLH3 70122 129 ns 延迟时间(低电位到高电位) TpLH 29 ns TpHL1 50 55.2 80 ns TpHL2 56 70 86 ns TpHL3 114 124 142 ns 延迟时间（高电位到低电位）TpHL 24 ns CLKTw(CLK) 20 ns LETw(L) 20 ns 脉波宽度Tw(OE) 200 ns LE 的hold time Th(L) 18 ns LE 的setup time Tsu(L) 64 ns SDI 的hold time Th(D) 60 ns SDI 的setup time Tsu(D) VDD=5VVDS=1V VIH=VDD VIL=GND REXT=300VL=4V RL=52 CL=10pF20 ns 时钟频率Fclk IC 串联操作 25 MHZ CLK 信号最大上升时间 Tr 500 ns CLK 信号最大下降时间Tf500 ns 输出电流电位上升时间(note) Tor130ns8输出电流电位下降时间(note) Tof40nsNote:此测试数据只有一路输出电流十三、时序波形图图7 交流特性时序波形图十四、等电流输出通道间的最大电流差异小于±3%，片间电流差异小于±6%，且输出电流大小不受负载端电压影响。

MHZ Z无线电收发信机HF/50MHFT-950（PEP版）操作手册功能设置部分操作手册功能设置部分编译：许磊 洛铭BG3NCK编译：许磊QQ:420079E-mail:bg3nck@鸣谢：BD2IMS BH3PCNYAESU FT950交流群群号：86942972本书旨在增加设备交流，仅供参考菜单模式为您提供了丰富的设置菜单，您可以根据自己的需要设置您的设备。

菜单项按FT-950为您提供了丰富的设置菜单，您可以根据自己的需要设置您的设备。

菜单项按FT-950“001AGCFST DLY”至“118TGEN EMRGNCY”。

照类别划成菜单组，编号从照类别划成菜单组，编号从“1、短按【MENU】键进入菜单模式。

显示屏将显示菜单编号，菜单组的名称或菜单项名称。

短按[SELECT]旋钮切换显示“”和“菜单项名称”。

多功能显示窗口将显示当前菜单项的设置值。

2、旋转[SELECT]旋钮，选择需要修改的菜单项。

3、旋转[CLAR/VFO-B]旋钮改变当前菜单项的设置值。

忠告：短按[CLEAR]键（位于的[SELECT]旋钮右上角）恢复菜单项的工厂预设值。

4、当您完成您的调整，长按【MENU】键一秒保存新的设置，显示窗口恢复了正常。

如果你只有瞬间按下【MENU】按钮，新设置将不会被保存。

菜单模式复位如果需要的话，您可以将所有菜单项的设置值重置到工厂预设值。

1、长按[POWER]键关掉电源。

2、按住【MENU】键并按[POWEPOWER R]键开启电源，直至屏幕正常显示后，松开【MENU】键。

菜单模式*1、需要使用另购的DMU-2000数据管理单元。

*2、需要使用另购天线旋转器。

*3、需要使用另购的DVS-6语音记忆单元。

RFμμTuning。

*4、需要使用另购的RF菜单模式*1、需要使用另购的DMU-2000数据管理单元。

菜单模式设置MIC EQ,国外的一些数值，仅供参考。

Menu064(SSB TX bandwidth):1-30(100-3000Hz).Setting at2-28(200-2800Hz)gives a bandwidth of2600Hz and makes you sound morenarrow/sharp(better for DX?).Parametriq EQ(withouth PROC)Menu091:100Menu092:+6Menu093:3Menu094:1000Menu095:-5Menu096:5Menu097:3200Menu098:+10Menu099:1Parametriq EQ(with PROC)Menu100:100Menu101:-10Menu102:6to8Menu103:800Menu104:0to-3Menu105:8Menu106:2400to2600Menu107:+10Menu108:1Menu109(PROC GAIN):try25%NOTE!!distorts badly if turned up toomuch!!Use the monitor function and headphones to hear at which leveldistortion starts.IMPORTANT!Don't forget to push and hold MENU for2seconds to exitmenu and store new settings! Mic gain at11-12'o clock(watch the ALC-level)Using PROC really cuts throug in noisy band conditions.This is mostlybecause of the difference in parametriq equalizer settings.VERY IMPORTANT!Distance to MD-100:around15-20cm.(6-8inches).Please set all controls underneath the MD-100in the OFF/THRUEposition.Distance to MH-31b8:around8-10cm.(3-4inches)any closer than2inches will create breathing noise(very unpleasant).Other menu settings:Menu036:A3E mic gain(AM):90Menu056:F3E mic gain(FM):25。

7MBR50SD120中文资料7MBR50SD120IGBT ModulesPIM/Built-in converter with thyristor and brake (S series)1200V / 50A / PIMFeatures· Low V CE (sat)· Compact Package· P .C. Board Mount Module· Converter Diode Bridge Dynamic Brake CircuitApplications· Inverter for Motor Drive· AC and DC Servo Drive Amplifier· Uninterruptible Power SupplyMaximum ratings and characteristicsItem Symbol Condition Rating UnitCollector-Emitter voltage Gate-Emitter voltage Collector current Collector power disspation Collector-Emitter voltage Gate-Emitter voltage Collector current Collector power disspation Repetitive peak reverse voltage(Diode)Repetitive peak off-state voltage Repetitive peak reverse voltage Average on-state current Surge 0n-state current (Non-Repetitive)Junction temperature Repetitive peak reverse voltage Average output current Surge current (Non-Repetitive)I 2t (Non-Repetitive)C o n v e r t e r T h y r i s t o r B r a k e I n v e r t e rJunction temperature (except Thyristor)Storage temperature Isolation between terminal and copper base *2voltage between thermistor and others *3Mounting screw torqueV CES V GESI CI CP-I CP C V CES V GES I CI CPP C V RRM V DRM V RRM I T(AV)I TSM T jw V RRM I O I FSM I 2tT jT stg V iso Continuous Tc=25°C T c=80°C 1ms Tc=25°C Tc=80°C1 device Continuous Tc=25°C T c=80°C1ms Tc=25°C T c=80°C1 device 50Hz/60Hz sine wave Tj=125°C, 10ms half sine wave 50Hz/60Hz sine wave Tj=150°C, 10ms half sine wave AC : 1minute1200 ±20 75 50150 100 50 360 1200 ±20 35 25 70 50 180 **** **** 1600 50 530 125 1600 50 520 1352 +150-40 to +125 AC 2500 AC 2500 1.7 *1VV A A A W V V A A W V V V A A °C V A A A 2s °C °C V V N·m *1 Recommendable value : 1.3 to 1.7 N·m (M4)*2 All terminals should be connected together when isolation test will be done.*3 Terminal 8 and 9 should be connected together. Terminal 1 to 7 and 10 to 26 should be connected together and shorted to copper base.IGBT Module7MBR50SD120IGBT Module7MBR50SD120 Characteristics (Representative)0204060 80120[ Inverter ]Collector current vs. Collector-Emitter voltageTj= 25°C (typ.)C o l l e c t o r c u r r e n t : I c [ A ][ Inverter ]Collector current vs. Collector-Emitter voltageTj= 125°C (typ.)020406080100120C o l l e c t o r c u r r e n t : I c [ A ]510152025303510010001000020000C a p a c i t a n c e : C i e s , C o e s , C r e s [ p F ] Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]0100300400500Gate charge : Qg [ nC ]0510152025G a t e - E m i t t e r v o l t a g e : V G E [ V ] IGBT Module 7MBR50SD12050100 5001000[ Inverter ]Switching time vs. Collector current (typ.)Vcc=600V, VGE=±15V, Rg= 24?, Tj= 25°CS w i t c h i n g t i m e : t o n , t r , t o f f , t f [ n s e c ][ Inverter ]Switching time vs. Collector current (typ.)Vcc=600V, VGE=±15V, Rg= 24?, Tj= 125°C5010050010005000S w i t c h i n g t i m e : t o n , t r , t o f f , t f [ n s e c ]1050100500010203040S w i t c h i n g l o s s : E o n , E o f f , E r r [ m J /p u l s e ]Gate resistance : Rg [ ? ]0200400600800100012001400Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]IGBT Module 7MBR50SD120020 406080100120[ Inverter ]Forward current vs. Forward on voltage (typ.)F o r w a r d c u r r e n t : I F [ A ][ Inverter ]Reverse recovery characteristics (typ.)Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=24?020406080100120F o r w a r d c u r r e n t : I F [ A ]0.0010.010.110.010.115T h e r m a l r e s i s t a n s e : R t h (j -c ) [ °C /W ]Pulse width : Pw [ sec ]-60-40-20020406080100120140160180Temperature [ °C ]0102030 4060[ Brake ]Collector current vs. Collector-Emitter voltageTj= 25°C (typ.)C o l l e c t o r c u r r e n t : I c [ A ][ Brake ]Collector current vs. Collector-Emitter voltageTj= 125°C (typ.)0102030405060C o l l e c t o r c u r r e n t : I c [ A ]5101520253035100100010000C a p a c i t a n c e : C i e s , C o e s , C r e s [ p F ] Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]050100200250Gate charge : Qg [ nC ]0510152025G a t e - E m i t t e r v o l t a g e : V G E [ V ]Outline Drawings, mmEquivalent Circuit Schematic22(P1)[ Converter ][ Thyristor][ Brake ][ Inverter ][ Thermistor]。