新一代晶圆划片技术
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Ｄｅ ｅ ｉｎｇ ｒ ｋ Ｃｈ ａ ，Ｂｅ ｎｏ ｄ Ｒｉ ｈ ｒ ｈ ｇ ｎ ｒ ｌ ｃ ｅｚ ａ ｅ
Ａｂ ｔ ａ ｔ ｓｒ ｃ ：Ｗ ｉ ｈ ｅ ｅｏ ｍ ｅ ｔ ｏ ｅ ｃ ｎ ｕ ｔ ｒ ａ ｄ ｅ ｅ ｔｏ ｉ ｅ ｈ ｏ ｏ ｉ ｓ ａ ｄ ｔ ｅ ｉ ｃ ｅ ｓ ｇ ｄ 。 ｔ ｔ ｅ ｄ ｖ ｌ ｐ ｎ ｆ ｓ ｍｉ ｏ ｄ ｃｏ ｎ ｌ ｃｒ ｎ ｃ ｔ ｃ ｎ ｌ ｇ ｅ ｎ ｈ ｎ ｒ ａ ｉ ｅ ｈ ｎ
５ 、５ ２ ｍ。 当厚 度 降到 １０ ｍ以下 ， 统 的划 ０ ２ 、０ｕ ０ｕ 传
片 技 术 已经 出现 问题 ， 能节 节 下 降 ， 片 率 大 幅 产 破 攀 升 。芯 片在 此 阶 断 价值 不 斐 ， 个 百 分 点 的破 片 几
收 稿 日期 ： ０ ７ ０ —０ ２ ０ —５２
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先 进 封 装 技 术 与设 备 ・
・
电 子 工 业 董 用 设 蚤
ｒｅ １ 旁 。 方 形 晶粒 而 Ｃ ｔｎ ｔ ｔ 两 ｉ ｅ 对 言， 这个方 式 已被 业 界延 用 多年 。但对 六 角 型 晶粒 （ ｅ ａｏ ａ Ｄｉ 而 言， Ｈ ｘｇ ｎ ｌ ｃ ｅ） 还存 在 问题 ， 即六 角 型每 边
率 可 能吃掉 工 厂 辛苦 创 造 的利润 。 另外 ， 圆 的制造 技术 中， 了提 升 效 能， 晶 为 采用 了 ｌｗ． ｏ ｋ材料 ， 其 结 构 中有 多层 的金 属和 一 些 易 在
碎 的材 料 。 当传 统 钻石 刀 片遇 到 这些 延 展性 高 的金
属层 ， 石 颗 粒 极 易被 金 属 削包 住 而 失去 部 份 切 削 钻 能力 ， 此情 况 下 进刀 ， 在 极易 造 成破 片 或 断刀 。
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电 子 工 业 毫 用 设 备
・
先 进 封装 技术 与设 备 ・
新 一代 品圆划 片技 木
江 朝 宗， 伯诺 理 查德 扎根
（ 瑞士 喜诺 发 公 司 中 国代 表处 ， 海 ２ ０ ０ ） 上 ０００ 摘 要 ： 着半 导体 及 电子 业技 术 的发 展 和 消 费市 场无 止 境 的 需 求， 统 的划 片 （ ｃ ｇ） 术， 随 传 Ｄｉ ｎ 技 ｉ 在 许 多方 面 已经无 法 满足 业 者 的需 求 ， 代之 而起 的是 激 光 划 片 （ ａｅ ｉｉｇ） 术。 而激 光 固然 Ｌ ｓｒ ｃｎ 技 Ｄ 有 某 些优 势， 亦有其 缺 陷 。无 论如 何 ， 光 引领 划 片的潮 流 ， 却 激 来势 汹 汹， 以抵楷 。 难 关 键词 ： 片 ； 光 划 片 ； 划 激 微水 刀激 光 ； 导 激光 ； 水 超薄 晶 圆
中图分 类 号 ：Ｎ３ ５１ Ｔ ０． 文献标 识 码 ： Ａ 文 章编 号 ：０ ４４ ０ （０ ７ ０ ．０ １０ １０ ．５ ７ ２ ０ ） ６０ ３ ．４
Ｎｅ ｔＧｅ ｒ ｔｏ ａ ｅ ｃｎｇ Ｔｅ ｈ ｌ ｇ ｘ ｎｅ ａ ｉ ｎ Ｗ ｆ ｒ Ｄｉ ｉ ｃ ｎｏ ｏ ｙ
１ 传 统 划 片 技 术 所 面 临 的 难 题
随 着 向轻 薄 短 小 的发 展 趋 势 ， Ｃ 的封 装 也 起 Ｉ 了很大 的变化 ． 如记 忆 体 Ｉ 已 由早 期 的单 一 ｃ ｉ Ｃ， ｈｐ 变 成 多层 ｃ ｉ ｈｐ堆栈 的 封 装 ， 颗 Ｉ 一 Ｃ里 叠 了 ７ ８层 、 芯 粒（ｈｐ ， 国三 星 半 导 体 今 年 稍 早 更 公 开 展 示 ｃ ｉ） 韩 了其 超 薄 晶 圆 的封装 技 术 已达 １ ６层 的堆 栈 ，而 封 装 后 的尺寸 还 要 比原来 同容 量 的 Ｉ Ｃ更 小 。因此 芯 片 的 厚 度 也 由 ６ ０ ｍ 一 路 减 薄 至 １０ １０ ７ 、 ５ｕ ２ 、 ０ 、 ５
其 实 ， 了先 进 的 Ｉ 之 外 ， 传 统 二 极 管（ 除 ｃ 在
Ｄｉｄ ） 晶 圆划 片 ， 石 刀 同样 有许 多无 法 满 足 业 ｏｅ的 钻 界需 求 的地 方 ： 比如 Ｇ ｐ晶 圆 的划 片 ， 械 方 式 的 ｐ 机 磨 削造 成 玻 璃 批 覆 层 严 重破 损 而 导 致 绝 缘 不 良和 严 重 漏 电， 了克 服 这 一 问题 ， 界 只 好 自求 多福 为 业 发 展 出各 种 复杂 的工 艺去 弥补 这 项缺 陷 。 玻璃 层 将
Ｄｅ ｅ ｉｎｇ ｒ ｋ Ｃｈ ａ ，Ｂｅ ｎｏ ｄ Ｒｉ ｈ ｒ ｈ ｇ ｎ ｒ ｌ ｃ ｅｚ ａ ｅ
Ａｂ ｔ ａ ｔ ｓｒ ｃ ：Ｗ ｉ ｈ ｅ ｅｏ ｍ ｅ ｔ ｏ ｅ ｃ ｎ ｕ ｔ ｒ ａ ｄ ｅ ｅ ｔｏ ｉ ｅ ｈ ｏ ｏ ｉ ｓ ａ ｄ ｔ ｅ ｉ ｃ ｅ ｓ ｇ ｄ 。 ｔ ｔ ｅ ｄ ｖ ｌ ｐ ｎ ｆ ｓ ｍｉ ｏ ｄ ｃｏ ｎ ｌ ｃｒ ｎ ｃ ｔ ｃ ｎ ｌ ｇ ｅ ｎ ｈ ｎ ｒ ａ ｉ ｅ ｈ ｎ
５ 、５ ２ ｍ。 当厚 度 降到 １０ ｍ以下 ， 统 的划 ０ ２ 、０ｕ ０ｕ 传
片 技 术 已经 出现 问题 ， 能节 节 下 降 ， 片 率 大 幅 产 破 攀 升 。芯 片在 此 阶 断 价值 不 斐 ， 个 百 分 点 的破 片 几
收 稿 日期 ： ０ ７ ０ —０ ２ ０ —５２
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ｒｅ １ 旁 。 方 形 晶粒 而 Ｃ ｔｎ ｔ ｔ 两 ｉ ｅ 对 言， 这个方 式 已被 业 界延 用 多年 。但对 六 角 型 晶粒 （ ｅ ａｏ ａ Ｄｉ 而 言， Ｈ ｘｇ ｎ ｌ ｃ ｅ） 还存 在 问题 ， 即六 角 型每 边
率 可 能吃掉 工 厂 辛苦 创 造 的利润 。 另外 ， 圆 的制造 技术 中， 了提 升 效 能， 晶 为 采用 了 ｌｗ． ｏ ｋ材料 ， 其 结 构 中有 多层 的金 属和 一 些 易 在
碎 的材 料 。 当传 统 钻石 刀 片遇 到 这些 延 展性 高 的金
属层 ， 石 颗 粒 极 易被 金 属 削包 住 而 失去 部 份 切 削 钻 能力 ， 此情 况 下 进刀 ， 在 极易 造 成破 片 或 断刀 。
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（ 瑞士 喜诺 发 公 司 中 国代 表处 ， 海 ２ ０ ０ ） 上 ０００ 摘 要 ： 着半 导体 及 电子 业技 术 的发 展 和 消 费市 场无 止 境 的 需 求， 统 的划 片 （ ｃ ｇ） 术， 随 传 Ｄｉ ｎ 技 ｉ 在 许 多方 面 已经无 法 满足 业 者 的需 求 ， 代之 而起 的是 激 光 划 片 （ ａｅ ｉｉｇ） 术。 而激 光 固然 Ｌ ｓｒ ｃｎ 技 Ｄ 有 某 些优 势， 亦有其 缺 陷 。无 论如 何 ， 光 引领 划 片的潮 流 ， 却 激 来势 汹 汹， 以抵楷 。 难 关 键词 ： 片 ； 光 划 片 ； 划 激 微水 刀激 光 ； 导 激光 ； 水 超薄 晶 圆
中图分 类 号 ：Ｎ３ ５１ Ｔ ０． 文献标 识 码 ： Ａ 文 章编 号 ：０ ４４ ０ （０ ７ ０ ．０ １０ １０ ．５ ７ ２ ０ ） ６０ ３ ．４
Ｎｅ ｔＧｅ ｒ ｔｏ ａ ｅ ｃｎｇ Ｔｅ ｈ ｌ ｇ ｘ ｎｅ ａ ｉ ｎ Ｗ ｆ ｒ Ｄｉ ｉ ｃ ｎｏ ｏ ｙ
１ 传 统 划 片 技 术 所 面 临 的 难 题
随 着 向轻 薄 短 小 的发 展 趋 势 ， Ｃ 的封 装 也 起 Ｉ 了很大 的变化 ． 如记 忆 体 Ｉ 已 由早 期 的单 一 ｃ ｉ Ｃ， ｈｐ 变 成 多层 ｃ ｉ ｈｐ堆栈 的 封 装 ， 颗 Ｉ 一 Ｃ里 叠 了 ７ ８层 、 芯 粒（ｈｐ ， 国三 星 半 导 体 今 年 稍 早 更 公 开 展 示 ｃ ｉ） 韩 了其 超 薄 晶 圆 的封装 技 术 已达 １ ６层 的堆 栈 ，而 封 装 后 的尺寸 还 要 比原来 同容 量 的 Ｉ Ｃ更 小 。因此 芯 片 的 厚 度 也 由 ６ ０ ｍ 一 路 减 薄 至 １０ １０ ７ 、 ５ｕ ２ 、 ０ 、 ５
其 实 ， 了先 进 的 Ｉ 之 外 ， 传 统 二 极 管（ 除 ｃ 在
Ｄｉｄ ） 晶 圆划 片 ， 石 刀 同样 有许 多无 法 满 足 业 ｏｅ的 钻 界需 求 的地 方 ： 比如 Ｇ ｐ晶 圆 的划 片 ， 械 方 式 的 ｐ 机 磨 削造 成 玻 璃 批 覆 层 严 重破 损 而 导 致 绝 缘 不 良和 严 重 漏 电， 了克 服 这 一 问题 ， 界 只 好 自求 多福 为 业 发 展 出各 种 复杂 的工 艺去 弥补 这 项缺 陷 。 玻璃 层 将
