晶圆激光划片切割应用范围【详解】

晶 圆进 行划 切 ， 同时使 用冷 却液 对切 割 点进 行冲 并
洗。 冲洗 的作 用是 冷却 的 同时带走切 割 时生成 的粉 尘 ， 自动砂轮 划 片工序 如 图 ２Ｉ 全 ｜ Ｉ 。
装 片 位 置 校 准 切 割
＠ ⑦
图３ 有 效 的 晶 粒 数 量 增 加
上
清沈 ／ 干燥
过 程 中应 用 。
关 键词 ：半 导体 封装 ； 圆， 光划 片 晶 激
中图分 类 号 ： Ｎ２ ５ Ｔ ０
文 献标 识 码 ： Ａ
文章 编 号 ： ０ ４４ ０ （０ ０ １—０ ９０ １ ０ —５ ７２ １ ）２０ ３ ．５
Ｌａ ｅ ａ ｅ ｃ ｎ ｎ ｓ ｍ ｉ ｏ ｓ ｒ ｗ ｆ ｒ ｄｉ ｉ ｇ ｉ ｅ ｃ ｎｄｕ ｔ ｒ ｅ ｃ ｐ ｕｌ ｔ０ ｅ ｄ ｃｏ ｎ ａ ｓ ａ ｉ ｎ ｆ ｌ ｉ
半 导 体 元 器 件 的制 造 过 程 可 主 要 分 为 四 个 阶
段 ： 料准 备 、 材 晶体 生 长 和 晶 圆准 备 、 圆制 造 、 晶 封
电测 完 毕 的 晶 圆片 在 贴 膜 后 ，通 过 切 割 的方
式 将 晶 圆 分 离 为 晶粒 ， 以便进 行 封 装 工 序 。 常 的 通 做 法 是 在 晶 圆上 划 切 出沟 槽 ，然 后 进 行 裂 片 再 将 其 分 离 。 为 半 导 体 封装 的第 一 道 工 序 ， 片 质 量 作 划 的好 坏 直 接 影 响 到 整 体 的封 装 质 量 。而 晶 圆 在 划 片过 程 中 容 易 发 生 崩 角 、 层 与 剥 离 等 缺 陷（ 图 分 如 １ ， 划 片 工 艺 带 来 了挑 战 ， 使 划 片 工 艺不 断 向 ）给 促 前发展 ， 目前 ， 片 的方 式 主 要 有 砂 轮划 片和 激 光 划

•晶圆划片工艺分析•来源：中国IC技术交易网晶圆划片工艺已经不再只是把一个硅晶圆划片成单独的芯片这样简单的操作。

随着更多的封装工艺在晶圆级完成,并且要进行必要的微型化,针对不同任务的要求,在分割工艺中需要对不同的操作参数进行调整。

例如,分割QFN封装需要具有可以切割柔性和脆性材料组成的复合基板的能力。

MEMS封装则常常具有微小和精细的结构&mdashmdash;梁、桥、铰链、转轴、膜和其他敏感形态&mdashmdash;这些都需要特别的操作技术和注意事项。

在切割硅晶圆厚度低于100?,或者像GaAs这样的脆性材料时,又增添了额外的挑战&mdashmdash;例如碎片、断裂和残渣的产生。

像晶圆划线和切割,这两种将晶圆分割成单独芯片工艺中最常见的技术,通常是分别采用金刚石锯和金刚石划线工具完成的。

2 激光技术的更新使激光划线和激光划片成为一种可行的选择,特别在蓝光LED封装和GaAs基板应用中。

图1.采用标准UV胶带的分割工艺流程图。

无论选择哪种分割工艺,所有的方法都需要首先将晶圆保护起来,之后进行切割,以保证进入芯片粘结工序之前的转运和存储过程芯片的完整性。

其他的可能方法包括基于胶带的系统、基于筛网的系统以及采用其他粘结剂的无胶带系统。

工艺标准的切割工艺中首先是将减薄的晶圆放置好,使其元件面朝下,放在固定于钢圈的释放胶带上。

这样的结构在切割过程中可以保证晶圆,并且将芯片和封装继续保持在对齐的位置,方便向后续工艺的转运。

工艺的局限来自于减薄晶圆的应用,在存储之后很难从胶带上取下晶圆,采用激光的话容易切到胶带,同时在切割过程中冷却水的冲击也会对芯片造成损伤。

基于胶带的分割图2.可处理200或300 mm晶圆的UV固化单元可以放置在桌子上,采用365 nm波长的激光每个小时可以处理50片晶圆。

采用基于胶带的系统时,需要重点考虑置放系统,以及所采用的条带类型是不是适合要切割的材料。

２１ 年 第 ６ ００ 期
用热激光切割技术切割 晶圆
前言 建立在众所周知的原理基础上的热激光切割技术 （ ｅ ａ ｌ ｅ ｓ ａ ｔ ｎ Ｔ Ｓ ｔ ｒ ｌａ ｒ ｅ ｒｉ ， Ｌ ）用于切割 ｈ ｍ ｓ ｐ ａｏ 脆性材料。应用范围包括切割显示器玻璃 （ 包括层状玻璃 ） 、浮法玻璃生产线上的玻璃边缘、氧 化铝陶瓷等。 与其他的激光技术 比较， Ｔ Ｓ 用 Ｌ 取代机械法切割晶圆有诸多优点。 本文论述 了Ｔ Ｓ Ｌ 在切割半导体硅片领域的应用。 热激光切割是切割脆性材料 的简单技术，是利用热感应机械应力的切割工艺。工艺过程分 两步进行。开始时，需要有一个非常小的划痕 （ 缺陷） ，划痕可能是前一步的工艺过程造成的， 例如碾磨或线状锯切割； 在大 多数情况下，可以用工具如金刚石或造痕激光器来制造这个划痕 。 这个起始的划痕给 了切割过程一个明确的起始点。否则，切割可能从离缺陷最近的地方开始。 在切割过程中，被切割材料被带有能量子的激光加热，被加热 的材料膨胀并产生放射状的 压力，在受热带周围感应发生切 向拉伸应力 （ Ｓ ） Ｔ 。 Ｉ 激光聚焦处随之被冷却，材料因冷却而收缩。 在冷却区域感应产生额外的拉力 （ Ｆ ） 在 Ｔ Ⅱ。 两种应力的覆盖区——只有在这个区域一 材料开始裂开。从最初的划痕开始，至此完成了材 料的切割过程 。被切割晶圆具有质量优异的切割边缘 。 对于晶体材料 （ 例如硅片 ）来说，分离是完全的。局部最大的拉伸应力位于受热焦点和冷 却点之间的轴上，因此力和强度的中心也可 自定位 。如果开裂速度比受热焦点和冷却点汇聚进 行得快 ，开裂 就会 向零压 力处 蔓延并 导致延 迟 。 尽 管 Ｔ Ｓ的进 行几 乎与切 割边 缘 的裂 纹前沿 晶面 的排列 无 关 ，但通 常 的机 械划 痕和切割 技 Ｌ 术也如此。更多的竖 向的裂纹前沿与晶面排列的关系更小且可得到最好的结果，而获得竖向的 裂纹前沿的关键是利用激光波长 ，激光可被吸收到裂纹深处。 工艺条件／ 特点 下面 对一 些影 响因素和 工艺 条件进 行讨论 。 Ｔ Ｓ工艺需要被切割的材料内部具有大的热膨胀梯度。由于热能的切割作用主要集中在晶 Ｌ 圆的表面，高能量的激光不可能补偿小的热值。基于这个事实，熔化硅片的切割在 以前是不可 能实现的。 该项技术是建立在材料内部产生热感应机械应力的基础上的。当晶圆的厚度很薄时，分别 进行的加热和冷却的部分非常小，难 以产生断裂力。到 目前为止，试验成功的切割晶圆的最薄 的厚度为 ５ ｇ ０ ｍ，切割厚度的下 限尚需通过进一步的试验确定。 感应力和材料 内部的固有力相结合而发生切割过程。由于这个原因，切割多晶的 （ 光伏的） 晶圆更为困难，但存在切割的可能性 。对于较大面积的晶圆，切割线会与晶圆的边缘以小角度 汇合 ，这 时需要特 别措 旄来 稳定切 割过程 。 在激光的应用 中，吸收值和反射值通常是重要的指标 。为了达到硅材料的表面和内部的均 衡受热，激光的波长在近红外区为最优 （ ００ １８ｎ 。考虑由功能层，例如表面钝化层导致 １３￣ ００ｍ）

晶圆工艺的切割方法晶圆工艺是半导体制造中的一个重要环节，主要用于将晶圆切割成芯片。

切割方法的选择直接影响到芯片的质量和产能。

目前常用的晶圆切割方法主要有切割机械法、切割激光法和切割冲击法。

切割机械法是目前最常用的切割方法之一、该方法使用金刚石铣刀或锯片进行切割，将晶圆切割成芯片。

该方法的优点是成本低、切割速度快，适用于大批量生产。

但由于机械切割存在切割力大、刀具损耗大、切割边缘质量不理想等问题，因此需要进行后续工艺处理。

切割激光法是一种通过激光束进行切割的方法。

该方法具有切割精度高、切割速度快、切割边缘质量好等优点。

激光切割可以实现非接触切割，减少了对芯片的损伤。

此外，激光切割还可以切割各种材料的晶圆，适用范围广。

但该方法的成本较高，设备复杂，且激光切割过程中容易产生热影响区，需要进行冷却处理。

切割冲击法是一种通过冲击力将晶圆切割成芯片的方法。

该方法主要通过应用高速气体喷射或水射流来切割晶圆。

切割冲击法具有切割速度快、切割力小、切割边缘质量好等优点。

此外，该方法的成本较低，适用于批量生产。

但切割冲击法对芯片的切割质量较为敏感，需要精确控制切割参数。

在实际应用中，不同的切割方法往往结合使用。

例如，先采用切割机械法将晶圆切割成薄片，再采用激光切割或冲击切割对薄片进行细分。

这样可以充分发挥各种切割方法的优势，提高切割质量和生产效率。

总之，晶圆工艺的切割方法是半导体制造中的重要环节，不同的切割方法各有优劣。

通过合理选择切割方法，并结合其他工艺步骤，可以实现高质量和高产能的芯片生产。

晶圆划片刀分类（原创实用版）目录一、晶圆划片刀简介二、晶圆划片刀的分类1.机械式晶圆划片刀2.气浮式晶圆划片刀3.液压式晶圆划片刀4.电磁式晶圆划片刀三、各类晶圆划片刀的特点及应用1.机械式晶圆划片刀的特点及应用2.气浮式晶圆划片刀的特点及应用3.液压式晶圆划片刀的特点及应用4.电磁式晶圆划片刀的特点及应用四、晶圆划片刀的发展趋势正文一、晶圆划片刀简介晶圆划片刀是一种用于切割晶圆的精密工具，广泛应用于半导体制造、光电子器件制造等领域。

晶圆划片刀的切割效果直接影响到后续工序的进行，因此其性能和精度至关重要。

二、晶圆划片刀的分类1.机械式晶圆划片刀机械式晶圆划片刀主要依靠机械传动来进行切割，其结构简单，操作方便，但切割精度相对较低，适用于对精度要求不高的场合。

2.气浮式晶圆划片刀气浮式晶圆划片刀在刀片与晶圆之间形成气浮层，以减少摩擦力，提高切割精度。

其切割精度较高，适用于对精度要求较高的场合。

3.液压式晶圆划片刀液压式晶圆划片刀通过液压传动来实现刀片的上下运动，切割力度大，切割速度快，适用于大规模生产线。

4.电磁式晶圆划片刀电磁式晶圆划片刀通过电磁力吸附和释放晶圆，实现切割。

其切割精度高，且具有高效率、节能等优点。

三、各类晶圆划片刀的特点及应用1.机械式晶圆划片刀的特点及应用机械式晶圆划片刀的特点是结构简单，操作方便，适用于对精度要求不高的场合，如实验室、中小型企业等。

2.气浮式晶圆划片刀的特点及应用气浮式晶圆划片刀的特点是切割精度高，适用于对精度要求较高的场合，如高端半导体制造、光电子器件制造等。

3.液压式晶圆划片刀的特点及应用液压式晶圆划片刀的特点是切割力度大，切割速度快，适用于大规模生产线，如半导体芯片制造、太阳能电池制造等。

4.电磁式晶圆划片刀的特点及应用电磁式晶圆划片刀的特点是切割精度高，具有高效率、节能等优点，适用于对切割精度和效率要求高的场合，如高端半导体制造、光电子器件制造等。

四、晶圆划片刀的发展趋势随着科技的不断发展，晶圆划片刀在精度、效率、智能化等方面将不断得到提升。

激光技术在半导体行业的应用一、激光技术在晶片/芯片加工领域的应用1、在划片方面的应用划片工艺隶属于晶圆加工的封装部分，它不仅仅是芯片封装的关键工艺之一，而是从圆片级的加工(即加工工艺针对整片晶圆，晶圆整片被同时加工)过渡为芯片级加工(即加工工艺针对单个芯片)的地标性工序。

从功能上来看，划片工艺通过切割圆片上预留的切割划道(street)，将众多的芯片相互分离开，为后续正式的芯片封装做好道准备。

目前业界讨论最多的激光划片技术主要有几种，其主要特征都是由激光直接作用于晶圆切割道的表面，以激光的能量使被作用表面的物质脱离，到达去除和切割的目的。

但是这种工艺在工作过程中会产生巨大的能量，并导致对器件本身的热损伤，甚至会产生热崩边(Chipping)，被剥离物的沉积(Deposition)等至今难以有效解决的问题。

与很多先行技术不同，传统旋转砂轮式划片机的东京精细公司和日本的激光器生产商滨松光学联合推出了突破传统理念的全新概念的激光划片机MAHOH。

其工作原理摒弃了传统的表面直接作用、直接去除的做法;而采取作用于硅基底内的硅晶体，破坏其单晶构造的技术，在硅基底内产生易分离的变形层，然后通过后续的崩片工艺使芯片间相互分离。

从而到达了无应力、无崩边、无热损伤、无污染、无水化的切割效果。

2、在晶片割圆方面的应用割圆工艺是晶体加工过程中的一个重要组成部分。

早期，该技术主要用于水平砷化镓晶片的整形，将水平砷化镓单晶片称为圆片。

随着晶体加工各个工序的逐步加工，在各工序将会出现各种类型的废片，将这些废片加工成小直径的晶片，然后再经过一些晶片加工工序的加工，使其变成抛光片。

传统的割圆加工方法有立刀割圆法、掏圆法、喷砂法等。

这些方法在加工过程中对晶片造成的损伤较大，出片量相对较少。

随着激光加工技术的发展，一些厂家对激光加工技术引入到割圆工序，再加上较为成熟的软件控制，可以在一个晶片上加工出更多的小直径晶片。

二、激光打标技术激光打标是一种非接触、无污染、无磨损的新标记工艺。

IX-210 LED激光划片机之青柳念文创作
可以停止高精度、超窄切痕、高速LED划片，可以提高LED 厂商加工晶圆的产量，每小时可以加工12片以上2英寸蓝光晶圆.这与传统砂轮切割、金刚刀钻石划片相比，成本节俭了20-30倍.
产品特点：
●加工产量高达每小时12片以上2英寸蓝光晶圆，器件优
质率超出99％.
●超窄切痕宽度可达到，使每片晶圆的芯片产量提高了
24％.
●加工质量高：无概况裂缝，无Z形区，无芯片脱落
chip-outs.
●靠得住性高：激光器免维护，可以天天24小时运行.
●显微观察系统，微加工精度高达2μm以内.
●大工作范围：X-Y轴行程范围150x150mm，Z轴行程范围
10mm.
产品应用：
●应用于高速LED激光划片
●微型钻孔
●喷墨嘴加工
●微流体器件加工
●薄膜图案化
MEMS微机械加工
IX-260 LED激光剥离机
采取紫外激光器，通过光剥离（Laser Liftoff）的工艺，对资料停止紧密加工.●采取JPSA专利技术，加工精度可达1~100μm●采取248nm或157nm紫外准分子激光器，输出平均矩形光斑●持续、高速重复的激光脉冲，适合于切削微小、可节制的资料量●应用于大尺寸、高亮度、高功率LED生产，可有效提高LED出光效率，也可用于其他高精度掩模加工。

晶圆激光切割工艺技术晶圆激光切割工艺技术是一种将激光技术应用于半导体制造过程中的一种切割方法。

它通过利用激光的热效应，将激光束聚焦到晶圆材料上，从而可以实现高精度、高效率的切割。

在晶圆激光切割工艺技术中，首先需要选择合适的激光源。

常见的激光源有固体激光器、气体激光器和半导体激光器等。

不同的激光源具有不同的特点和适用范围，需要根据实际需求进行选择。

在切割过程中，激光束可以通过透镜等光学元件进行聚焦，从而可以实现高能量密度的激光束。

晶圆材料会在激光束的照射下被加热，其温度逐渐升高。

当温度达到晶圆材料的熔点时，材料开始熔化，并随着激光束的扫描，不断形成切割孔洞。

晶圆激光切割工艺技术具有以下几个优点。

首先，由于激光束是非接触式的切割方法，因此可以避免因切割过程中与晶圆材料接触而引起的污染和损伤。

同时，激光束的直径非常小，可以实现非常细小的切割孔洞，从而可以实现高分辨率和高精度的切割。

此外，晶圆激光切割工艺技术还具有切割速度快、切割质量高和可靠性强的特点。

由于激光切割是通过热效应实现的，因此可以实现非常高效率的切割。

同时，由于激光束的能量集中在非常小的空间范围内，可以实现非常小的切割孔洞，从而得到更高的切割质量。

此外，激光切割具有高可靠性，可以适应各种复杂形状和材料的切割需求。

然而，晶圆激光切割工艺技术也存在一些挑战和难点。

首先，由于激光切割需要对晶圆材料进行加热，因此可能会引起晶圆材料的热应力，从而影响材料的性能和可靠性。

此外，激光切割过程中会产生大量的热量和烟尘，需要进行有效的散热和烟尘处理。

同时，晶圆激光切割工艺技术的设备和操作都需要非常高的技术要求，对操作人员的技术水平和经验要求非常高。

总的来说，晶圆激光切割工艺技术是一种高效、高精度的切割方法，广泛应用于半导体制造领域。

随着激光技术的不断发展和创新，相信晶圆激光切割工艺技术将会越来越成熟和完善，为半导体制造业的发展提供强有力的支持。

晶圆激光划片技术简析高爱梅;张永昌;邓胜强【摘要】针对晶圆划片工艺,分析了激光半划、激光全划、激光隐形划切和异形芯片的划切等工艺方法的特点.结合典型试验案例,提供了每种划片方式的适用领域,对晶圆划片具有一定的工艺参考价值.%Aiming at wafer dicing technics, this paper analyzes technics characteristic of laser half-dicing, laser full-dicing and laser stealth dicing. Fall together some typical test cases, provides the appropriate application field of each dicing method. It may be of reference value to wafer dicing.【期刊名称】《电子工业专用设备》【年(卷),期】2018(000)005【总页数】5页(P26-30)【关键词】晶圆划片;激光划片;半划;全划【作者】高爱梅;张永昌;邓胜强【作者单位】中国电子科技集团公司第四十五研究所, 北京 100176;中国电子科技集团公司第四十五研究所, 北京 100176;中国电子科技集团公司第四十五研究所, 北京 100176【正文语种】中文【中图分类】TN305.1随着激光器及相关光学元件制造技术的发展，为激光加工设备的开发提供了强大支撑，极大地促进激光微加工应用的广度和深度。

晶圆划片是将制作好图形的晶圆按切割道分割成单一芯片的过程。

随着芯片设计及制造技术的升级，对半导体封装工艺提出新的需求。

如：超薄硅晶圆、低k介质晶圆、含悬梁薄膜结构的微机电系统（MEMS,micro electro mechanical system）器件晶圆、硬脆碳化硅晶圆、软脆碲锌镉晶圆等，使得晶圆划片工艺面临新挑战，需求促进设备加工手段升级。

晶圆激光切割与刀片切割工艺介绍
1.晶圆激光切割工艺
（1）调节激光器参数，包括激光功率、脉冲宽度和重复频率等。

（2）将激光束通过透镜聚焦到晶圆表面上，形成高能量密度的小区域。

（3）控制激光束在晶圆上移动，沿着待切割的线路进行切割。

（4）激光照射到晶圆上，局部区域熔化或气化，形成切割线。

（5）通过剥离或折断等方式将晶圆切割成小尺寸的芯片或器件。

2.刀片切割工艺
刀片切割是利用金刚石刀片或金属刀片沿切割线切割晶圆。

其主要原理是通过刀片与晶圆的接触，施加切割力以分割晶圆。

刀片切割的工艺流程如下：
（1）选择合适的刀片材料和形状，并通过润滑液使其表面光滑，以减少切割阻力。

（2）安装刀片至切割机中，对刀片进行调整和校对。

（3）将晶圆放置在切割机工作台上，并固定好。

（4）启动切割机，使刀片与晶圆接触并施加切割力。

（5）刀片沿待切割的线路切割晶圆，直至完全分割。

刀片切割的优点是设备成本相对较低、切割效果稳定，且切割线宽度可控。

然而，刀片切割的切割速度较慢，且对刀片磨损较大，需要经常更换。

综上所述，晶圆激光切割与刀片切割是常见的硅晶圆切割工艺。

晶圆激光切割适用于要求高精度和高速切割的应用，而刀片切割适用于设备成本较低以及切割线宽度要求可控的应用。

在具体应用中，需要根据切割要求、设备条件和经济成本等因素选择合适的切割工艺。

激光划片工艺能够在最后的晶圆自动测试 工序中提高产能。目前,晶圆必须在流片带上伸 展开,以防止因裸片相互摩擦而可能发生的芯片 丢失。如果裸片不能均匀地伸展开,则会使测试
力夹在了那本书里，还给了袁慕野。木子不再是那个什么不懂的小女孩了，她知
时间变长,因为必须对每一个裸片进行单独的对 准操作以保证自动测试的正确进行。有时会因为 裸片没有对准而对成品率发生影响。激光划片工 艺允许晶圆在薄膜片上进行测试,这就大大地缩 短了测试时间,使所有的裸片都能通过自动测试 工序。
在所有窄带紫外光源中准分子激光器所提 供的功率最大、波长最短(351,308,248,193,以 及 157nm)。准分子激光的光子成本低于 DPSS 激
光,但是,其系统的复杂度较高且存在维护难和 其他问题,因此并不是晶圆切割工艺的理想选 择。准分子激光的优势在于微机械加工、大面积 图案转移和大量平行区域的分步重复工艺。而紫 外 DPSS 激光则更适于晶圆划片应用。借助于准 分子激光(193nm),JPSA能在一个小时内处理3片 晶圆,每片成本为 8 美元,系统正常运行时间为 97%。这是准分子激光系统所能达到的非常好的 性能状态。而一个优化的紫外 DPSS 激光(266nm) 系统每小时能处理 7 到 10 片晶圆,每片成本低于 1.50 美元,正常运行时间﹥99.9%。这两种工艺已 经在多台设备上,每周 7 天/每天 24 小时地连续
力集中,但这种应力很容易消除。
激光工艺的优点
在划片-裂片工艺中,PCM 图形必须设计有直 通式划片槽。金刚石划片工艺不能通过 PCM 图形 进行连续划片。因而 PCM 图形必须设计有划片槽。 这就带来了 PCM 图形测试的问题。但是,对于激 光划片工艺,PCM 图形设计已不再是一个问题了。 PCM 图形可以设计成有助于当前正在完成的测试 项目,而不是有助于裂片方法的要求。即使没有 划片槽,激光划片工艺也不会中断。

LED晶圆激光刻划技术LED晶圆激光刻划技术2011年06月23日一、照明用LED光源照亮未来温室效应造成的全球气候变暖等负面效应，促成了世界范围绿色节能运动的兴起。

在照明方面，当今世界不断寻求更高效节能的光源作为传统照明光源的替代品，LED光源是最佳的选择，随之而来的是近年来高亮度LED 在照明领域的应用持续而迅速的扩大。

LED制造中激光晶圆刻划工艺的引入，使得LED在手机、电视以及触摸屏等LCD背光照明大量使用，而最令人兴奋地是白光LED在照明方面的应用。

当今世界，大约有120亿只白炽灯仍在使用，每年产生大约40，000万亿流明-小时的照明量，这造成了巨大的能量消耗，等同于每年消耗接近10亿吨燃煤。

拿美国而言，照明消耗的能源竟高达全国汽车消耗能源的一半。

美国能源部通过对俄勒冈州家庭照明的最近调查表明LED作为照明源较传统的白炽灯和卤素灯节省大约80%的电能。

随着市场的持续增长，LED制造业对于产能和成品率的要求变得越来越高。

激光加工技术迅速成为LED制造业普遍的工具，甚者成为了高亮度LED 晶圆加工的工业标准。

激光刻划LED刻划线条较传统的机械刻划窄得多，所以使得材料利用率显著提高，因此提高产出效率。

另外激光加工是非接触式工艺，刻划带来晶圆微裂纹以及其他损伤更小，这就使得晶圆颗粒之间更紧密，产出效率高、产能高，同时成品LED器件的可靠性也大大提高。

Spectra-Physics工业激光器具有高峰值功率以及卓越的光束质量等优势，是LED加工的理想工具，为LED工业带来洁净的刻划线条、更高的产能以及成品LED更高的亮度。

激光刻划的优势：·可以干净整齐的刻划硬脆性材料；·非接触式工艺低运营成本；·减少崩边、微裂纹、分层等缺陷的出现；·刻划线条窄提高了单片晶圆上的分粒数量；·减少微裂纹提高了成品LED器件的长期可靠性；·大范围的加工容差使得工艺可控性良好，是低成本高可靠性的工艺。

晶圆划片刀分类
晶圆划片刀根据切割方式和用途可以分为以下几类：
1. 手动划片刀：使用手动操作，适用于轻量级、小批量的划片作业。

2. 半自动划片刀：结合了手动操作和自动控制，常见的是将晶圆放在特定夹具上，通过电动驱动实现自动划片。

3. 全自动划片刀：通过计算机控制的自动化设备，实现晶圆的自动划片，适用于大量生产和高精度要求的场合。

4. 激光划片刀：使用激光束进行切割，具有切割速度快、精度高等优点，常用于对晶圆边缘的修整和切割。

5. 超声波划片刀：利用超声波振动产生的切割力，对晶圆进行划片，适用于特殊材料或特殊形状的切割。

以上是一些常见的晶圆划片刀分类，根据具体的应用需求可以选择适合的划片刀进行使用。

晶圆划片蓝膜晶圆划片蓝膜是半导体制造过程中的一项关键技术，主要用于保护晶圆表面，防止划痕和污染。

本文将从晶圆划片、蓝膜的定义、制备方法、应用领域等方面进行详细介绍。

一、晶圆划片晶圆划片是指将硅片或其他半导体材料通过机械或化学方法分割成小块的过程。

在半导体制造中，为了提高生产效率和降低成本，通常会将一个大型晶圆上生长的若干个芯片分割成单个芯片。

这些单个芯片可以更方便地进行后续加工和封装。

机械划片是最常见的分割方法，它使用钻头或锯片等工具沿着预定的方向将晶圆分割成小块。

这种方法适用于较厚的硅片，但容易产生微裂纹和边角损伤。

化学划片则采用化学溶解或腐蚀等方法，在特定条件下将硅材料局部溶解或腐蚀掉，从而实现分割。

这种方法适用于薄硅片，可以得到光滑的表面和尺寸精度高的芯片。

二、蓝膜蓝膜是一种透明的保护层，通常由聚酰亚胺等高分子材料制成。

它可以覆盖在晶圆表面，保护芯片免受划痕、污染和氧化等影响。

在半导体制造中，蓝膜通常作为划片前的保护层使用。

制备方法主要包括溶液法、浸涂法和喷涂法。

其中溶液法是最常用的方法，它将聚酰亚胺等高分子材料溶解在有机溶剂中，然后通过旋涂或喷涂等方式将其均匀地覆盖在晶圆表面上。

浸涂法则将晶圆浸泡在预先调制好的聚酰亚胺溶液中，使其均匀地吸附在晶圆表面上。

喷涂法则通过高压气体将聚酰亚胺溶液喷射到晶圆表面上。

三、应用领域晶圆划片蓝膜广泛应用于半导体制造领域。

在晶圆加工前，蓝膜可以保护晶圆表面免受划痕和污染。

在晶圆划片过程中，蓝膜可以减少芯片表面的损伤和氧化，从而提高芯片的质量和可靠性。

此外，在芯片封装过程中，蓝膜还可以起到保护作用，防止芯片表面被机械或化学损伤。

除了半导体制造领域外，晶圆划片蓝膜还广泛应用于生物医学、光学器件等领域。

在生物医学领域，晶圆划片蓝膜可以作为细胞培养基质、微流控芯片等材料的基底。

在光学器件领域，晶圆划片蓝膜可以作为玻璃或其他透明材料的保护层。

总之，晶圆划片和蓝膜是半导体制造过程中不可或缺的关键技术。

先进封装中关于晶圆划片的几项技术应用
“中国集成电路设计业2021年会暨无锡集成电路产业创新发展高峰论坛”（ICCAD）于2021年12月22日成功召开。

此论坛在我国集成电路设计产业的发展中一直发挥着推动产业集聚、对接产业资源、掌握行业趋势的重要作用，现已成为国内半导体界最具影响力的行业盛会之一。

和研科技自2011年1月成立以来，经历了初创期、上升期、机遇期、创新期四个阶段。

通过不断开拓和创新，设备从6寸单轴半自动到12寸双轴全自动实现全面覆盖，满足客户的各种需求。

2021年在国内头部企业拿到12寸wafer saw设备的大批量订单，并且在未来还会涉及更广泛的领域。

此次会议，和研科技副总经理—余胡平与大家分享了先进封装中关于晶圆划片的几项技术应用；
过去半个世纪，集成电路从电子管到超大规模集成电路的方向发展，IC集成度越高，伴随对封装技术的要求也是越发的精细化。

划片机是IC封装生产过程中的关键设备之一，用于将含有很多芯片的晶圆切割成一个个晶片颗粒，其切割加工能力一定程度上决定了芯片封装的成品率与性能。

2021年，和研科技自主研发的全自动晶圆划片机DS9260在多个应用领域实现市场突破，包括IC封测、功率半导体、MEMS等，尤其是在封测行业12英寸划片领域，彻底打破了日本企业在这一市场的垄断局面。

晶圆划片工艺简介划片工艺流程晶圆经过前道工序后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，最后进行封装。

不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同：厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割；厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割，激光切割可以减少剥落和裂纹的问题，但是在100um以上时，生产效率将大大降低；厚度不到30um的晶圆则使用等离子切割，等离子切割速度快，不会对晶圆表面造成损伤，从而提高良率，但是其工艺过程更为复杂；刀片切割（Blade dicing or blade sawing）刀片切割（锯切）过程中，保护膜的附着与摘除（图片来自网络）为了保护晶圆在切割过程中免受外部损伤，事先会在晶圆上贴敷胶膜，以便保证更安全的“切单”。

“背面减薄（Back Grinding）”过程中，胶膜会贴在晶圆的正面。

但与此相反，在“刀片”切割中，胶膜要贴在晶圆的背面。

而在共晶贴片（Die Bonding，把分离的芯片固定在PCB或定架上）过程中，贴会背面的这一胶膜会自动脱落。

切割时由于摩擦很大，所以要从各个方向连续喷洒DI水（去离子水）。

而且，叶轮要附有金刚石颗粒，这样才可以更好地切片。

此时，切口（刀片厚度：凹槽的宽度）必须均匀，不得超过划片槽的宽度。

很长一段时间，锯切一直是被最广泛使用的传统的切割方法，其最大的优点就是可以在短时间内切割大量的晶圆。

然而，如果切片的进给速度（Feeding Speed）大幅提高，小芯片边缘剥落的可能性就会变大。

因此，应将叶轮的旋转次数控制在每分钟30000次左右。

晶圆划片机晶圆切割时，经常遇到较窄迹道(street)宽度，要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。

这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和先进对准运算的设备。

当用窄迹道切割晶圆时，应选择尽可能最薄的刀片。

可是，很薄的刀片(20µm)是非常脆弱的，更容易过早破裂和磨损。

结果，其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。