11.5习题解答 1-1 一块本征锗半导体，掺入三价受主杂质硼，浓度为1.5×1015cm-3,试分别求出T=300K（27℃）、400K（127℃）时自由电子和空穴热平衡浓度值，并指出相应半导体类型。 解：T=300K时，ni=1.5×1010cm-3<>no，故为P型半导体。 T=400K时，ni=AT e =1.62×1015cm-3 由于ni>Na，因此，必须利用p0=Na+n0及n0p0=n2i两方程联立求解，经分析计算得知：p0=2.5×1015cm-3、n0=1.03×1015cm-3，由于p0与n0近似相等，故为本征半导体。 1-2 一块本征硅半导体，掺入五价元素砷，浓度为1014cm-3，试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并指出相应半导体类型。 解：T=300K时，ni=1.5×1010cm-3
第三章 集成逻辑门电路
一、选择题
1. 三态门输出高阻状态时，（ ）是正确的说法。
A.用电压表测量指针不动 B.相当于悬空
C.电压不高不低 D.测量电阻指针不动
2. 以下电路中可以实现“线与”功能的有（ ）。
A.与非门 B.三态输出门
C.集电极开路门 D.漏极开路门
3．以下电路中常用于总线应用的有（ ）。
A.TSL门 B.OC门
C. 漏极开路门 D.CMOS与非门
4．逻辑表达式Y=AB可以用（ ）实现。
A.正或门 B.正非门 C.正与门 D.负或门
5．TTL电路在正逻辑系统中，以下各种输入中（ ）相当于输入逻辑“1”。
A.悬空 B.通过电阻2.7kΩ接电源
C.通过电阻2.7kΩ接地 D.通过电阻510Ω接地
6．对于TTL与非门闲置输入端的处理，可以（ ）。
A.接电源 B.通过电阻3kΩ接电源
C.接地 D.与有用输入端并联
7．要使TTL与非门工作在转折区，可使输入端对地外接电阻RI（ ）。
A.＞RON B.＜ROFF C.ROFF＜RI＜RON D.＞ROFF
8．三极管作为开关使用时，要提高开关速度，可( )。
A.降低饱和深度 B.增加饱和深度
C.采用有源泄放回路 D.采用抗饱和三极管
9．CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（ ）。
A.微功耗 B.高速度 C.高抗干扰能力 D.电源范围宽
10．与CT4000系列相对应的国际通用标准型号为（ ）。
A.CT74S肖特基系列 B. CT74LS低功耗肖特基系列
C.CT74L低功耗系列 D. CT74H高速系列
11．电路如图（a），（b）所示，设开关闭合为1、断开为0；灯亮为1、灯灭为0。F 对开关A、B、C的逻辑函数表达式（ ）。 EABCRF1ECABF2(a)(b)
精心整理
模拟电子技术
第1章半导体二极管及其基本应用
1．1填空题
1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1mA，正向压降为0.65V，该二极管的直流电阻等于650Ω，交流电阻等于26Ω。
1．2单选题
1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于(C)。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷
2．PN结形成后，空间电荷区由(D)构成。
A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子
3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B)。
A．减小B．基本不变C．增大
4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将(C)。
A．增大B．基本不变C．减小
5．变容二极管在电路中主要用作(D)。、
A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器
1．3是非题
1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(√)
2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(×)
3．二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。(×)
4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(×)
1．4分析计算题
1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压UD(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3V。
习题二
【习题2-1】在题图2-1所示二极管门电路中，设二极管导通压降VD=+0.7V，内阻rD10。设输入信号的VIH = +5V，VIL = 0V，则它的输出信号VOH 和VOL各等于几伏？
题图2-1
【习题2-2】 题图2-2所示电路中，D1、D2为硅二极管，导通压降为0.7V。
（１）B端接地，A接5V时，VO等于多少伏？
（２）B端接10V，A接5V时，VO等于多少伏？
（３）B端悬空，A接5V，测B和VO端电压，各应等于多少伏？
（４）A接10k电阻，B悬空，测B和VO端电压，各应为多少伏？
图2-2
【习题2-3】上题电路中，若在A、B端加如题图2-3所示波形，试画出VO端对应的波形，并标明相应的电平值。
题图2-3
【习题2-4】试分析题图2-4所示电路，写出各输出函数L0，L1，L2，L3的逻辑表达式。
L0
L1
L2
L3
A A B B +VCC 2k×4 vO
v2 v1 D1
D2 +VCC=+5V
RL=1k
A D1
D2 VCC=+10V
RL=10k
VO
B
A
B 5V
5V 0V
0V 2
题图2-4 二极管逻辑电路
【习题2-5】三极管T接成的典型反相器电路如图2-13所示。试从PN结的偏置、三极管各电极电压、电流的大小（或关系）来描述三极管T放大、截止和饱和的三种状态，结果填入表中。
放大区 截止区 饱和区
结偏置
电流
电压
【习题2-6】判断如题图2-6(a) 、(b) 、(c)所示电路的工作状态。其中(1) RC=1k，RB=50k，β=100；（2）RC=1k，RB=750k，β=100。
(a) (b) (c)
