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u-boot nandflash 烧写

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u-boot中NAND Flash操作及烧写芯片内部存储布局及存储操作特点: K9F1208 64MB一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为:1 (Device) = 4096 (Blocks)1 (Block) -= 32 (Pages/Rows) 页与行是相同的意思,叫法不一样1 (Page) = 528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes)根据芯片规格，计算需要擦除的块大小，按上述指令操作，可以升级u-boot。

NAND操作指令指令 Flash内地址擦除长度nand erase 0x100000 0x200000指令内存中地址 Flash内地址写入长度nand write 0x20000000 0x100000 0x200000nand read 0x20000000 0x100000 0x200000注意写入长度的计算，要以块为单位，计算字节数量。

如：u-boot.bin大小为：114028 bytes一个NAND数据块的容量：32 ×512 = 16384 bytes需要擦除NAND数据块的数量：114028÷16384 = 6.96 ≈ 7 （往上取整）转为擦除NAND数据的长度：16384 ×7 = 114688 bytes （十进制）＝0x1_C000 写入以页page为单位，一页大小为512B如何升级bootloader（以下以烧写u-boot.bin为实例）1、用tftp下载u-boot.bin到内存，如0x3300_0000tftp 33000000 u-boot.bin2、擦除uboot分区1Mnand erase 0x0 0x00100000 // 1M的bootloader分区3、写入NAND中nand write 0x33000000 0x0 0x1C000 // u-boot.bin实际大小需用的block （注：如果板子为空白，用sjf2410工具，通过并口，烧写到NAND的0x0地址即可）如何烧写linux kernel1、 tftp下载uImage2.6.14到内存，如0x3400_0000tftp 34000000 uImage2.6.142、擦除kernel分区3Mnand erase 00100000 003000003、写入NAND中nand write 34000000 00100000 00300000如何烧写文件系统fs4、 tftp下载rootfs.cramfs到内存，如0x3400_0000tftp 34000000 rootfs.cramfs5、擦除root分区40Mnand erase 00400000 028000006、写入NAND中nand write 34000000 00400000 （实际大小，往前取512B的整数倍）奇怪，3400_0000已经是64M内存的上限边界，为什么居然还可以使用？？2011-5-17 yang 好像3400_0000已经自动映射到 3000_0000的。

u-boot 启动内核的命令设置启动参数（仅供格式参考，参数是不对的）setenv bootargs root=1f02 init=/linuxrc console=ttySAC0,115200 devfs=mountsetenv bootcmd nand read 0x30007fc0 0x40000 0x1c0000\;bootm 0x30007fc0第二行是必要的，第一行我没设置也行，可能是内核中已经设置了这个参数。

第二行中，符号：\ 是必要的，否则设置命令出错，可能要将整个命令加双引号括起来才行。

内核分区空间：Creating 4 MTD partitions on "NAND 64MiB 3,3V 8-bit":0x00000000-0x00080000 : "Bootloader"0x00080000-0x00280000 : "Linux Kernel"0x00280000-0x00680000 : "Root File System"0x00680000-0x04000000 : "User Space"烧写u-boot：tftp 0x30008000 u-boot.binnand erase 0x0 0x80000nand write 0x30008000 0x0 0x80000烧写内核：tftp 0x30008000 uImagenand erase 0x80000 0x200000nand write 0x30008000 0x80000 0x200000烧写文件系统：tftp 0x30008000 root.cramfsnand erase 0x280000 0x400000nand write 0x30008000 0x280000 0x400000用uboot 烧写uboot linux内核文件系统到nandflash的过程以及bootm go命令启动与区别分类：linux网络驱动2013-01-08 10:19 91人阅读评论(0) 收藏举报下面的转自/s/blog_6b94d5680100nd48.html文章结构结构顺序有变化-1：烧写uboot0: bootargs bootcmd 命令参数的设置1：制作yaffs2的过程2：烧写yaffs2的过程3：制作uimage 的过程4: 烧写uiamge的过程5：uimage zimage vmlinux 的区别6: uboot传递给内核的参数结构tag7：bootm go 的启动过程以及区别8：加载地址入口地址等///////////////////通过uboot烧写uboot到nandflash///////////////////////////nand erase 0 50000//////////////tftpboot 30008000 u-boot.bin/////Loading: T ##################doneBytes transferred = 257164 (3ec8c hex)[u-boot@MINI2440]# nand write 0x30008000 0 3f000//////////////nand write 0x30008000 0 3f000( 3ec8c最靠近2K整数倍的值)///////////////////通过uboot烧写内核到nandflash/////////////先查看你自己板子的nandflash分区表通过实例分析：下面的烧写内核出错[u-boot@MINI2440]# tftpboot 30008000 uImagedm9000 i/o: 0x20000300, id: 0x90000a46DM9000: running in 16 bit modeMAC: 08:08:11:18:12:27operating at 100M full duplex modeUsing dm9000 deviceTFTP from server 192.168.0.100; our IP address is 192.168.0.10Filename 'uImage'.Load address: 0x30008000Loading: T ################################################################# ###########################################################################################doneBytes transferred = 2287128 (22e618 hex)[u-boot@MINI2440]# nand erase 0x60000 0x500000NAND erase: device 0 offset 0x60000, size 0x500000Erasing at 0x54000002800000 -- 0% complete.OK[u-boot@MINI2440]# nand write 0x30008000 0x60000 22e618NAND write: device 0 offset 0x60000, size 0x22e618Attempt to write non page aligned data2287128 bytes written: ERROR下面的烧写正确：NAND erase: device 0 offset 0x80000, size 0x500000Erasing at 0x54000002800000 -- 0% complete.OK[u-boot@MINI2440]# nand write 0x30008000 0x80000 22e800NAND write: device 0 offset 0x80000, size 22e800改了两个地方：1:0x60000 ->0x800002:0x22e618 ->22e800修改的原因是：1：从0x60000檫除会把bootargs bootcmd 也给檫除了所以选择从0x80000开始檫除2：0x22e618 虽然是通过tftpboot下载的内核的实际大小，但是这里是write指令后面的参数是指明要檫写的长度檫写长度要求是2k（2048）的整数倍（也就是整页整页的檫除）而0x22e618 不是2K的整数倍，出现错误Attempt to write non page aligned data 2287128 bytes written: ERROR ，于是取一个最靠近的数就选择了22e800 就OK乐/////////////////////设置自启动参数bootcmd///////////////////我刚开始时是这样写的：setenv bootcmd nand read 30008000 80000 22e800 ; bootm 30008000按确定后直接执行了bootm这个命令于是改了：setenv bootcmd nand read 30008000 80000 22e800 \; bootm 30008000 就OK了/////////////////////下载yaffs2映像到nandflash中/////////////////////////生产yaffs2 以及工具请可以参考Tekkaman Ninja 的文件uboot 烧写yaffs2文件系统方法是类似于内核的烧写先查看你自己板子的nandflash分区表( 比如128M的板子128M ->8000000 檫写地址是从0x580000开始所以两个相减等于7a80000 而我的是256M的前面的内核是从0x80000开始的檫除了0x500000 长度所以这里文件系统从0x580000 开始结束到nandflash的结束 )128M先察除：nand erase 0x580000 7a80000再写：nand write.yaffs 30008000 0x580000 dbb040(文件系统的大小，而这里文件系统不像内核一样烧写长度不是2K的整数倍我不确定我从网络上找到的答案是否是对的，自己也没有去查证：用mkyaffs2image 生成的文件系统在2K数据对齐的问题上已经采取了对齐措施用户不用在考虑数据对齐的问题，而mkimage等工具没有采用对齐措施所以是要注意)256M：先察除：nand erase 0x580000 FA80000再写：nand write.yaffs 30008000 0x580000 dbb040///////////设置bootargs参数////////////////////////////////////1：如果用yaffs2文件系统setenv bootargs noinitrd root=/dev/mtdblock3 rootfstype=yaffs2 rw console=ttySAC0,115200 init=/linuxrc mem=64M2：如果用NFS文件系统setenv bootargs noinitrd root=/dev/nfs rw nfsroot= 192.168.0.100 :/ home/lq/rootfs ip=192.168.0.10 console=ttySAC0 mem=64M///////////////bootatgs 参数解析/////////////////////////root用来指定rootfs的位置，常见的情况有:root=/dev/ram rwroot=/dev/ram0 rw请注意上面的这两种设置情况是通用的，我做过测试甚至root=/dev/ram1 rw和root=/dev/ram2 rw也是可以的，网上有人说在某些情况下是不通用的，即必须设置成ram或者ram0，但是目前还没有遇到，还需要进一步确认，遇到不行的时候可以逐一尝试。

合集下载

uboot的烧写

uboot的烧写

OMAP-L138的u-boot烧写所需软件：（这里使用合众达公司提供的开发套件）1）CCS3.3Version3.3.82.132）DSP仿真器SEDD-XDS560V23）SecureCRT6.5所需文件：1）nand-writer_ccs33.out2）OMAPL138_ARM.gel3）ubl-nand.bin4）u-boot.bin首先在光盘资料下找到相应的软件，安装好CCS3.3和SEED-XDS560V2仿真器驱动。

连接好硬件，包括电源，串口，网口（网线要使用交叉网线），JTAG口。

第一步打开开发板的电源，然后打开CCS3.3setup开发环境。

如下图所示：选择对应的仿真器驱动，在Family下找到OMAP系列，在Platform 下找到SEEDXDS560V2系列下的OMAP-L138板子，如下图所示：点击Add按钮，再点击Save&Quit按钮保存退出。

如下图所示：第二步启动CCS Studio，仿真器连接正确将进入到以下界面，此时双击ARM9_0选项，进入开发环境界面。

第三步进入CCS开发界面后，如下图所示：此时仿真器并未连接上，需要点击Debug菜单下的connect选项，当仿真器连接上后，左下角将会提示target已经连接上。

第四步加载OMAP-L138_ARM.gel文件。

在选项上点击右键，选择Load GEL选项，选择所在路径（资料光盘中可以找到）的OMAP-L138_ARM.gel文件。

如下图所示：第五步烧写UBL（user Boot Loader）。

在CCS的菜单File栏下找到Load Program选项，弹出如下界面：在对应的路径下找到nand-writer_ccs33.out文件，加载完成之后，点击Debug菜单下的Run(快捷键F5)选项。

在弹出的对话框中输入：armais，然后点击OK按钮，如下图所示：紧接着继续回弹出如下对话框，输入ubl-nand.bin的路径，然后点击OK按钮，如下图所示：等待ubl-nand.bin烧写完成，出现如下图所示则表示烧写成功。

OK335xs 2烧写flash步骤

OK335xs 2烧写flash步骤

烧写在网络下进行烧写，需要搭建TFTP服务。

u-boot烧写第一，启动开发板进入uboot阶段。

tftp 80a00000 u-boot.img使用TFTP服务将u-boot.img从TFTP文件下下载到80a00000地址。

nand erase 800000 a00000擦除nand中800000 开始的地址，大小空间为a00000，这个空间应该不小于u-boot.img大小。

nand write.i 80a00000 800000 ${filesize}将80a00000 处内容下载到起始地址800000 处，大小为filesize。

内核烧写tftp 80a00000 uImage下载uImagenand erase c00000 1400000擦除地址c00000 的内容擦除大小为1400000，之所以擦除因为要对这个地址进行烧写uImage。

nand write.i 80a00000 c00000 ${filesize}将80a00000 下载内容烧写到c00000 地址处。

大小为uImage 大小。

更新文件系统tftp 80a00000 ubi.imgnand erase 1400000 ec00000 (256M NandFlash X=ec00000 ,1G NandFlash X=3ec00000 )nand write.i 80a00000 1400000 ${filesize}解释同上。

以上为TFTP网络烧写。

烧写也可以从sd卡烧写，步骤如下：更新MLO，u-boot.img 文件mmc rescanfatload mmc 0 80a00000 MLOnand erase 0 200000nand write.i 80a00000 0 ${filesize}mmc rescanfatload mmc 0 80a00000 u-boot.imgnand erase 800000 a00000nand write.i 80a00000 800000 ${filesize};更新内核文件mmc rescanfatload mmc 0 80a00000 uImagenand erase c00000 1400000nand write.i 80a00000 c00000 ${filesize}mmc rescanfatload mmc 0 80a00000 ubi.imgnand erase 1400000 X (256M NandFlash X=ec00000 ,1G NandFlash X=3ec00000 )nand write.i 80a00000 1400000 ${filesize};更新开机LOGO图片mmc rescanfatload mmc 0 80a00000 logo.bmpnand erase 600000 200000nand write.i 80a00000 600000 ${filesize};血的教训啊。

如何烧写Uboot

如何烧写Uboot

如何烧写Uboot
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基于ARM 的系统开发的初期，烧写FLASH 是必不可少的步骤。

特别是bootloader的烧写，非常重要，有了bootloader其他的程序就可以通过串口或者网口进行烧写了。

我们提供的bootloader是u-boot 1.1.1版本
用并口延长线连接 JTAG到开发板 JTAG接口和电脑并口（接上并口线而不连接开发板JTAG板子上面的电源指示灯亮，接上开发板JTAG灯熄灭，开发板上电后指示灯又亮）
安装好 flashpgm软件后，进行如下配置
点击菜单File－Open选择TXMCU（fk）.ocd文件。

Ocd文件是一个硬件系统的配置文件，设置了CPU，FLASH类型，FLASH接口的位宽等具体的参数，可通过FlashPgm生成。

光盘上已经带有一个已经配置好的TXMCU(fk).ocd文件。

在光盘，如图所示
配置好.Ocd文件后，点击FlashPgm软件左下角“Flash ID”按钮检测一下Flash ID，
以测试JTAG 连接是否正常。

如果能够正常读取出来，表明JTAG 连接没有问题，如下图：
点击Program按钮，在出现的对话框中选择编译好的u-boot文件（ELF格式的）『在光盘里』，然后选择在编程前先擦除选项，其他的3 个地址不需要修改。

点击Program。

首先将会擦除相应的Flash 区域，然后编程和校验。

进度条将显示当前编程进度。

如下图所示：。

烧录器烧录NANDFlash注意事项

烧录器烧录NANDFlash注意事项

烧录器烧录NANDFlash注意事项烧录器烧录NAND Flash注意事项摘要：母片的数据读取出来，然后再把数据原原本本拷贝到其他芯片上，却无法正常运行呢？因为客户忽略了NAND flash里面是有坏块！芯片里面的坏块，就好像埋在芯片的“地雷”。

有效的“排雷”方法有哪些呢？日常工作场景：技术支持电话叮铃铃响了，客户在电话用非常紧急的语气说：“使用SmartPRO系列编程器，烧录某款NAND Flash，烧录成功之后，贴板却跑不起来，请紧急帮忙分析原因！”然后呢？…..然后就没有了…………耐心寻找疑点：通常遇到这种情况下，我们都会首先详细询问：“请将您的操作流程详细描述一下。

”发现问题的来源：客户的一五一十的说，他使用了最原始的办法：使用一颗能正常运行的NAND芯片作为母片，连接编程器之后，点击烧录软件上的“读取”按钮，把数据从芯片里面拷贝出来，然后再找几颗空白芯片，把数据拷贝进去。

从客户的描述当中，我们初步找到了原因：原来客户把NAND Flash当作普通Nor Flash 使用了！为了让读者更加愉快地阅读下文，先请本文的主角NAND Flash自我介绍一下1、Nand Flash有自我的存储结构：Nand Flash存储器由多个Block组成，每一个Block又由多个Page组成，每个Page 又包含主区(Main Area)和备用区(Spare Area)两个域；2、NAND Flash是有坏块的：由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块的。

3、NAND Flash有专用的ECC算法：由于NAND Flash本身工艺的特性，在读取或者校验的时候，会出现一个或者多个bit 的出错；为了应对这种情况，NAND Flash引用一种比较专用的校验方法----ECC（Error Correcting Code）；4、NAND Flash容易出现位翻转：由于NAND Flash本身硬件的内在特性，在对Flash操作过程中，会偶尔地出现位反转的现象；所谓的位反转（bit flip）指的是原先NAND Flash中的某个位（bit），发生了变化，要么从1变成0了，要么从0变成1了；基于Nand Flash上述1、2、3、4点特性，我们还继续把它当作普通Nor Flash使用吗？NO！重新追溯问题的源头：为什么客户把母片的数据读取出来，然后再把数据原原本本拷贝到其他芯片上，却无法正常运行呢？因为客户忽略了NAND flash里面是有坏块！芯片里面的坏块，就好像埋在芯片的“地雷”，那么我们在读取数据的时候，会把母片里面的“地雷”当成数据！给出排除、解决方案：既然芯片里的“地雷”这么危险，那我们就想办法去躲开它吧，最简单最有效的方法就是：跳过！跳过“地雷”就真的能彻底解决问题了吗？NO！“地雷”是给被我们绕开了，原本写到“地雷”位置的数据，我们也安全转移到下一个块里，但是细心的人也会发现，数据存放的地址也发生了变化！用一个图来描述更清楚一点：很多客户使用NAND Flash来存储大量数据，而这些数据又是由多个文件分别组成，比如uboot、uImage、Logo、rootfs等烧录文件，每个文件在NAND Flash又给分配一定的存储区域，并且指定了每个文件存储的起始物理地址块；如果“地雷”出现在数据区域，为了避开它，势必需要把数据安全往下转移，引起的后果是后续烧录文件的起始物理地址也随着发生偏移了，这将会导致主控MCU无法准确完整地获取每个文件的数据，最终造成的结果是芯片无法跑起来！这样的话，就真的是没办法解决了吗？按分区烧录，完美解决问题按分区烧录，无论“地雷”出现在哪个地方，分区文件都是按照规则，来安排数据的存放的，很好的避开了“地雷”，也将根据客户预设方案存放在NAND Flash存储区内了。